晶面
- (001)/(101)晶面暴露TiO2光催化氧化甘油制備甲酸研究*
催化劑不同的暴露晶面具有不同的原子構(gòu)型和配位,對(duì)光催化活性具有重要影響[1-2]。銳鈦礦TiO2具有較高的光催化活性和化學(xué)穩(wěn)定性,一直是研究者關(guān)注的熱點(diǎn)[3]。銳鈦礦TiO2主要暴露(001)、(100)和(101)晶面,平均表面自由能分別為0.90、0.53和0.44 J/m2[4-5]。由于表面能的最小化,傳統(tǒng)合成路線制備的TiO2優(yōu)先暴露熱力學(xué)穩(wěn)定的(101)晶面,高能(001)晶面通常在TiO2晶體生長(zhǎng)過(guò)程中迅速消失。Yang等利用HF作為形貌調(diào)控
功能材料 2023年10期2023-11-09
- 銳鈦礦TiO2定向晶面上碳摻雜及可見(jiàn)光光催化性能
0）、（101）晶面的硅氧八面體結(jié)構(gòu)，具有不同表面原子結(jié)構(gòu)的不同晶面在光催化方面可能展現(xiàn)出不同的能力。因此，研究具有特定晶面的TiO2晶體，在TiO2的許多應(yīng)用中非常重要。晶面能級(jí)的高低直接影響TiO2多晶的活性，在銳鈦礦晶體中，表面能級(jí)的順序遵循為（110）＞（001）＞（100）＞（101），分別對(duì)應(yīng)表面能1.09、0.90、0.53和0.44 J/m-2。（001）晶面的表面能為0.90J/m-2比（110）晶面的1.09 J/m-2略低，而都高于其
世界有色金屬 2022年16期2022-12-25
- 乙酸乙酯與ε-CL-20不同晶面的微觀作用機(jī)制
主要采用溶劑層與晶面層的相互作用能來(lái)對(duì)真空中的附著能進(jìn)行校正，從而預(yù)測(cè)溶液中可能的形貌。另外，動(dòng)力學(xué)因素逐步引入晶體形貌的預(yù)測(cè)中，螺旋生長(zhǎng)模型和2D成核模型等機(jī)械生長(zhǎng)模型的發(fā)展極大提高了理論預(yù)測(cè)的可靠性。Lovette和Doherty結(jié)合螺旋生長(zhǎng)和2D成核模型，提出了Lovette-Doherty (L-D) 模型，該模型可以預(yù)測(cè)全部過(guò)飽和度區(qū)間內(nèi)的晶面生長(zhǎng)[14]。Shim等[15]采用L-D模型準(zhǔn)確預(yù)測(cè)了不同溶解度和多種溶劑中ε-CL-20的晶體形貌。
火炸藥學(xué)報(bào) 2022年5期2022-11-04
- Co3O4在多相催化反應(yīng)中的晶面效應(yīng)
的形狀代表不同的晶面，又由于晶體存在各向異性，不同的晶面意味著不同的表面原子結(jié)構(gòu)[8]。多相催化反應(yīng)是一種表界面反應(yīng)，而反應(yīng)的開(kāi)始步驟就是反應(yīng)物分子在催化劑表面的吸附和活化。因此，催化劑的表面無(wú)疑會(huì)對(duì)反應(yīng)過(guò)程產(chǎn)生影響，不同的表面結(jié)構(gòu)有可能產(chǎn)生截然不同的反應(yīng)結(jié)果，即出現(xiàn)催化劑在反應(yīng)過(guò)程中的晶面效應(yīng)[9]。研究發(fā)現(xiàn)晶面效應(yīng)普遍存在于不同的過(guò)渡金屬氧化物晶體催化劑及其多相催化反應(yīng)中，包括TiO2、α-Fe2O3、Co3O4、Cu2O和CeO2等[10-12]。例
人工晶體學(xué)報(bào) 2022年7期2022-08-12
- Ag表面對(duì)聚乙烯吡咯烷酮的吸附及納米結(jié)構(gòu)表面選擇機(jī)制
究了PVP與不同晶面的吸附形態(tài)、差異性以及Ag納米結(jié)構(gòu)的演變，從分子水平上揭示PVP與不同晶面之間選擇性及納米線形成內(nèi)在機(jī)制.2 計(jì)算與方法由Ag的晶體結(jié)構(gòu)和理論X射線衍射譜圖(圖1)可知，在3°～120°的衍射范圍內(nèi)共有8個(gè)不同晶面的衍射峰.其中(222)和(400)衍射峰分別為(111)和(200)的2級(jí)衍射峰，其對(duì)應(yīng)晶面相互平行，表面原子結(jié)構(gòu)排布相同.因此，為了查明PVP分子與不同Ag晶面的選擇性，本研究主要選擇(111)、(200)、(220)、(
- TiO2納米晶{001}面選擇性沉積Co3O4及其光催化性能研究
改變TiO2的晶面結(jié)構(gòu)也可顯著影響其光催化性能[5]. 研究表明， TiO2{101}與{001}面共同暴露可形成表面異質(zhì)結(jié)， 有利于光生電子空穴的遷移和分離[6-7]. Yu等[8]通過(guò)控制HF用量制備了系列不同{101}和{001}晶面暴露比例的TiO2納米晶， 當(dāng)晶面比例為45∶55時(shí)， 其CO2還原制CH4的光催化活性最佳. Han等[9]以鈦酸正丁酯為鈦源， HF為形貌控制劑， 制備的89%{001}晶面暴露TiO2納米片光催化降解甲基橙(MO
- 二硝酰胺銨晶體表面結(jié)構(gòu)與性質(zhì)分析
法1.1 ADN晶面離子相對(duì)濃度分布、粗糙度和電負(fù)性晶面離子相對(duì)濃度分布主要用于分析晶體在最外側(cè)表面的靜電分布，判斷晶面的電負(fù)性。當(dāng)陽(yáng)離子靠近在外層的濃度較高時(shí)則晶面顯示正電性，而陰離子靠近在外層的濃度較高時(shí)則晶面顯示負(fù)電性。粗糙度S越高，表明晶面越粗糙且溶劑效應(yīng)影響越強(qiáng)；粗糙度越低，表明晶面越平滑且溶劑效應(yīng)影響越弱[8]。粗糙度S的計(jì)算方法見(jiàn)式(1)：(1)式中：S為粗糙度；Aacc為溶劑可接觸的表面積、Abox為模擬模型的表面積，?2。ADN重要晶體晶
火炸藥學(xué)報(bào) 2022年2期2022-05-05
- X 射線衍射法測(cè)量碳化硅單晶的殘余應(yīng)力
方法首先通過(guò)建立晶面間距或衍射角與內(nèi)應(yīng)力之間的關(guān)系,進(jìn)而計(jì)算出構(gòu)件所處的殘余應(yīng)力狀態(tài)[22-23].為提高X 射線衍射法檢測(cè)單晶材料應(yīng)力的精度,許多研究人員先后對(duì)該方法開(kāi)展了一系列的研究工作.Imura 等[24]通過(guò)測(cè)量經(jīng)時(shí)效處理后的Al3.85% Cu 合金至少6 個(gè)晶面的衍射角位置,得到了材料的殘余應(yīng)力狀態(tài).Vreeland[25]將Imura 等[24]推導(dǎo)的方法應(yīng)用于藍(lán)寶石晶圓上生長(zhǎng)的硅薄膜平面內(nèi)應(yīng)力的檢測(cè).Ortner[26]通過(guò)定位(Ψ,Φ)
力學(xué)學(xué)報(bào) 2022年1期2022-03-19
- 含能材料晶形預(yù)測(cè)方法：附著能模型及其發(fā)展
]，即晶體中不同晶面的相對(duì)生長(zhǎng)速率(Rhkl)與其附著能(Eatt)的絕對(duì)值成正比關(guān)系：Rhkl∝|Eatt|(1)晶面的附著能絕對(duì)值越大，其相對(duì)生長(zhǎng)速率越快，在生長(zhǎng)過(guò)程中越容易消失。附著能定義為一層厚度為dhkl的晶片附著在晶面(h k l)上所釋放的能量，可由式(2)進(jìn)行計(jì)算：Eatt=Elatt-Eslice(2)式中：Elatt為晶格能量；Eslice為晶片能量。對(duì)于穩(wěn)定生長(zhǎng)的晶面，附著能為負(fù)值。需要注意的是，不同晶面的Eatt需要在相同的化學(xué)計(jì)量
火炸藥學(xué)報(bào) 2021年5期2021-12-06
- FOX?7 在八種不同溶劑體系下的晶體形貌預(yù)測(cè)
其根本原因是各個(gè)晶面生長(zhǎng)速率的不同。晶面粗糙程度、溶劑或添加劑與晶面間相互作用都影響著晶面生長(zhǎng)速率［17］。晶體形貌受溶劑影響最為明顯，通過(guò)溶液重結(jié)晶可以優(yōu)化晶體品質(zhì)，改善晶體形貌、粒度分布（CSD）、純度等性質(zhì)。含能材料晶體的晶習(xí)顯著影響其能量、安全、力學(xué)和應(yīng)用［18］。采用計(jì)算模擬與實(shí)驗(yàn)結(jié)合的方式研究含能材料的晶體形貌，可以為含能材料的實(shí)驗(yàn)研究和應(yīng)用提供一定的參考價(jià)值。Zhao Q L 等［9］采用修正的附著能（MAE）模型預(yù)測(cè)了FOX-7 在乙酸、環(huán)
含能材料 2021年11期2021-12-02
- 中性條件下水鐵礦的轉(zhuǎn)化研究
果與分析3.1 晶面變化圖1為水鐵礦在pH值為7時(shí)老化過(guò)程的XRD圖。結(jié)果表明，隨著老化反應(yīng)，水鐵礦向赤鐵礦轉(zhuǎn)化。在9 h時(shí)，赤鐵礦(104)、(110)晶面衍射峰的首先出現(xiàn)；隨后在10 h時(shí)，赤鐵礦(024)、(116)、(214)、(300)等主要晶面衍射峰出現(xiàn)；(113)晶面衍射峰在11 h出現(xiàn)；(012)晶面衍射峰最晚出現(xiàn)。當(dāng)老化時(shí)間為36 h時(shí)，赤鐵礦各衍射峰峰強(qiáng)達(dá)到最大值，之后峰強(qiáng)幾乎不變。當(dāng)老化時(shí)間為9～11 h時(shí)，(104)晶面和(110)
綠色科技 2021年21期2021-11-26
- 硝酸酯增塑GAP粘合劑中CL-20/HMX共晶研究 ①
生長(zhǎng)過(guò)程中，晶體晶面與溶劑發(fā)生相互作用導(dǎo)致生長(zhǎng)速率發(fā)生變化，從而使晶體產(chǎn)生區(qū)別于真空中晶體的外形[1]。晶習(xí)對(duì)共晶炸藥的性能具有重要影響，因此從實(shí)踐和理論角度研究晶體晶習(xí)具有重要意義[2]。陶俊分析了從丙酮中重結(jié)晶出來(lái)的HMX的晶形和感度特性，HMX的撞擊感度和摩擦感度相較于結(jié)晶前有所改善[3]。LEE計(jì)算了7-氨基-4,6-二硝基苯并氧化呋咱(ADNBF)與溶劑的相互作用和溶劑分子在晶面上可能的結(jié)合位點(diǎn)[4]。劉寧采用試驗(yàn)和計(jì)算模擬相結(jié)合的方法，分析了水
固體火箭技術(shù) 2021年3期2021-07-15
- CH3NH3HgI3晶體的形貌模擬與結(jié)構(gòu)分析*
貌，分析晶體主要晶面；通過(guò)封端法輔助切面法計(jì)算模擬了晶體主要晶面的附著能，確定晶體最優(yōu)生長(zhǎng)面；結(jié)合晶體結(jié)構(gòu)，討論近平衡態(tài)下CH3NH3HgI3晶體可能出現(xiàn)的形貌，為CH3NH3HgI3單晶生長(zhǎng)(單向生長(zhǎng))工藝提供理論參考。1 理論計(jì)算1.1 BFDH模型形貌預(yù)測(cè)CH3NH3HgI3屬于單斜晶系，其空間群為P21/n，其中a=9.093 ?，b=7.010 ?，c=14.832 ?，由[HgI4]2-基本單元構(gòu)成，其結(jié)構(gòu)為一維扭折鏈狀，如圖1所示。圖1 CH
西安工業(yè)大學(xué)學(xué)報(bào) 2021年3期2021-07-08
- 納米尺度單晶氧化鎵摩擦磨損性能試驗(yàn)研究
0)和(100)晶面進(jìn)行了摩擦磨損試驗(yàn)，利用原子力顯微鏡觀測(cè)試驗(yàn)后的形貌并測(cè)量尺寸。在金剛石以不同速度摩擦單晶氧化鎵時(shí)，(010)和(100)晶面的劃痕寬度與摩擦速度的擬合直線的斜率分別4.057 69和7.634 62，深度與摩擦速度擬合直線的斜率分別為0.820 73和0.798 62。以不同載荷摩擦氧化鎵時(shí)，(010)和(100)晶面的劃痕寬度與載荷的擬合直線的斜率分別為47.625和46.750，深度與載荷擬合直線的斜率分別為23.764和31.9
表面技術(shù) 2021年4期2021-05-08
- 基于表/界面調(diào)控的金屬氧化物半導(dǎo)體光催化劑的理性構(gòu)筑
屬氧化物半導(dǎo)體的晶面調(diào)控相關(guān)的工作被統(tǒng)稱為“晶面工程”［5-7］。對(duì)于同一種金屬氧化物，不同晶面上的原子排布和配位狀態(tài)不盡相同，進(jìn)而會(huì)影響自身的能帶結(jié)構(gòu)與電子結(jié)構(gòu)。從能帶結(jié)構(gòu)來(lái)看，不同晶面的導(dǎo)帶（CB）和價(jià)帶（VB）位置不同，這直接關(guān)系到其表現(xiàn)出的還原和氧化能力［8］；從電子結(jié)構(gòu)來(lái)看，不同晶面與反應(yīng)物（產(chǎn)物）的結(jié)合能力不同，會(huì)影響分子在光催化劑表面的吸附模式、強(qiáng)度和脫附情況，進(jìn)而影響整個(gè)催化反應(yīng)的路徑［9-10］。因此，通過(guò)“晶面工程”來(lái)優(yōu)化光催化材料的反
無(wú)機(jī)鹽工業(yè) 2021年3期2021-03-11
- TKX?50 在甲酸/水混合溶劑中生長(zhǎng)形貌的分子動(dòng)力學(xué)模擬
解TKX?50 晶面與混合溶劑之間存在的相互作用力。2 計(jì)算細(xì)節(jié)2.1 AE 模型及其修正AE 模型是在周期性鍵鏈（PBC）理論基礎(chǔ)上建立起來(lái)的模型［16-17］，它根據(jù)晶體對(duì)稱性和分子間鍵鏈性質(zhì)計(jì)算晶體的附著能。該理論認(rèn)為各個(gè)晶面相對(duì)生長(zhǎng)速率與晶面附著能的絕對(duì)值成正比［18］：式中，Rhkl為相對(duì)生長(zhǎng)速率；Eatt為晶面的附著能，kJ·mol-1。晶面附著能絕對(duì)值越高，晶面生長(zhǎng)速率越快，晶面生長(zhǎng)趨于減小或消失；晶面附著能絕對(duì)值越低，晶面生長(zhǎng)速率越慢，在最
含能材料 2020年9期2020-09-17
- HNBP和PYX兩種耐熱含能材料結(jié)晶形貌的理論研究
x是所模擬超晶胞晶面的面積;Aacc是模擬單胞晶面上溶劑可達(dá)面積;Eint是超晶面和溶劑層間的相互作用能, 可由式(3)求得:Eint=Etot-Esurf-Esolv(3)式中,Etot、Esurf、Esolv分別表示含能材料超晶面層與溶劑總體系的能量、含能材料超晶面層體系的能量和溶劑層體系的能量.2.2 計(jì)算方法兩種耐熱含能材料的初始晶體結(jié)構(gòu)取自劍橋晶體結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)庫(kù)(CCDC), 其晶體結(jié)構(gòu)見(jiàn)圖2.應(yīng)用Material Studio(MS)軟件中的分子動(dòng)
原子與分子物理學(xué)報(bào) 2020年3期2020-05-15
- 刻蝕條件對(duì)石英各向異性刻蝕特征的作用機(jī)理及KMC數(shù)值模擬
石英晶體晶胞和軸晶面的表面原子排列示意圖[14-15].由圖1可知:石英(SiO2)屬于三方晶系氧化物,由Si—O—Si鍵構(gòu)成,鍵角143.59°,石英晶胞結(jié)構(gòu)見(jiàn)圖1a;石英晶體不同切向晶面具有不同的原子排列特征,各石英晶面包含的表面原子類型和比例也存在較大差異,圖1所示為石英不同切型晶面的表面原子排列情況;刻蝕速率存在較大差異的晶面,原子結(jié)構(gòu)特征也往往呈現(xiàn)較大不同(見(jiàn)圖1).圖1 石英晶胞和各晶面的表面原子排列示意圖KMC作為當(dāng)前微機(jī)電系統(tǒng)晶體材料各向異
- NaCl單晶非切割晶面X射線衍射的實(shí)驗(yàn)研究
(140)非切割晶面[非(100)晶面]的衍射能譜[6]，本文利用多道脈沖幅度分析器方式的X射線實(shí)驗(yàn)儀獲得其(130)/(140)非切割晶面的衍射能譜.由于實(shí)驗(yàn)儀器默認(rèn)的測(cè)角零點(diǎn)所在平面與NaCl晶體的非切割晶面不重合，故實(shí)驗(yàn)將靶臺(tái)旋轉(zhuǎn)一定角度，重新設(shè)置測(cè)角零點(diǎn)，再用COUPLED模式進(jìn)行測(cè)量. 利用上述方法，可以得到非切割晶面的衍射能譜，但是誤差較大，因?yàn)樵摴ぷ髂Ｊ较聦?shí)驗(yàn)儀器沒(méi)有角度自動(dòng)校正功能，故修正靶臺(tái)和探測(cè)器的角度，得到修正的衍射能譜，誤差有所減小
物理實(shí)驗(yàn) 2020年3期2020-04-18
- 稀土硼化物CeB6 (100)晶面的形成與電子結(jié)構(gòu)研究
) 和(310)晶面的電子發(fā)射性能，其1 873 K的電子發(fā)射密度分別達(dá)到了38.4A/cm2,11.54A/cm2,50.4A/cm2和 20.8 A/cm2，表明低維CeB6晶體材料是極有潛力的真空電子發(fā)射材料[5]。王衍等人的研究結(jié)果表明CeB6單晶(100)面具有最好的熱發(fā)射性能,在陰極外加電壓4 kV時(shí)，其最大發(fā)射電流密度在1 973 K時(shí)可達(dá)到64.77 A/cm2，表明CeB6單晶(100)面的電子發(fā)射性能非常優(yōu)異，具有良好的應(yīng)用前景[6-8
河南城建學(xué)院學(xué)報(bào) 2020年1期2020-04-17
- TiO2晶面調(diào)控改性研究
能。TiO2不同晶面具有不同的表面能及靜態(tài)介電常數(shù)，因此不同表面接觸時(shí)可以形成異質(zhì)結(jié)。通過(guò)控制不同晶面的形成可以構(gòu)造表面異質(zhì)結(jié)，提高TiO2催化劑的光催化性能。關(guān) ?鍵 ?詞：TiO2;光催化;改性;晶面調(diào)控中圖分類號(hào)：TQ 426 ? ? ? 文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼： A ? ? ? 文章編號(hào)： 1671-0460（2020）02-0369-04Abstract： The application of TiO2 in photocatalytic technolog
當(dāng)代化工 2020年2期2020-03-18
- 生物柴油酯晶晶習(xí)模擬
幾何形態(tài)，由各個(gè)晶面圍成，各個(gè)晶面的相對(duì)生長(zhǎng)速率決定了該晶面是否顯露及顯露面積的大小。凡是能影響晶面生長(zhǎng)速率的因素均有可能改變晶習(xí)，如過(guò)飽和度、結(jié)晶溫度、溶劑、溶液pH值、雜質(zhì)和添加劑等。因此，晶習(xí)研究是全面研究晶體的基礎(chǔ)。選擇適宜模型對(duì)酯晶晶習(xí)進(jìn)行模擬預(yù)測(cè)，對(duì)于了解生物柴油結(jié)晶過(guò)程，改善柴油低溫流動(dòng)性能具有重大的實(shí)際意義。晶習(xí)預(yù)測(cè)模型很多，目前廣泛應(yīng)用且取得良好預(yù)測(cè)效果的主要有Bravais Friedel Donnay Harker(BFDH)模型和A
山東化工 2019年14期2019-08-14
- NaCl單晶非切割面晶面的X射線衍射
. 利用樣品不同晶面的X射線衍射，可進(jìn)行物相分析[3-4]、測(cè)定結(jié)晶度[5-6]、精密測(cè)定點(diǎn)陣參量[7]等. 但在現(xiàn)有的近代物理實(shí)驗(yàn)中，一般只觀察單晶切割面的X射線衍射，一般采用粉末多晶觀察不同晶面的X射線衍射[8-9].NaCl單晶可看作簡(jiǎn)單立方晶體，在理論上，NaCl單晶存在不同的晶面,可產(chǎn)生X射線的布拉格衍射[10]. 而由于所用德國(guó)萊寶教具公司生產(chǎn)的X射線衍射儀的特點(diǎn)[11]以及要滿足布拉格衍射方程，故僅有限的幾個(gè)晶面的、有限個(gè)級(jí)數(shù)的衍射可能被觀測(cè)
物理實(shí)驗(yàn) 2019年7期2019-08-06
- TiO2材料(100)典型晶面的形成與電子結(jié)構(gòu)的研究
面還未見(jiàn)有其特征晶面形成和電子結(jié)構(gòu)性質(zhì)的研究報(bào)道，本工作通過(guò)超軟贗勢(shì)密度泛函理論的方法，系統(tǒng)研究了TiO2材料(100)晶面低維結(jié)構(gòu)的形成、電子結(jié)構(gòu)和光學(xué)性質(zhì)。2 計(jì)算方法與過(guò)程圖1 TiO2的(100)特征晶面示意圖Fig.1 Schematic diagram for (100) characteristic plane of TiO2圖1是TiO2材料(100)晶面低維結(jié)構(gòu)示意圖，圖中也標(biāo)出了Ti原子和O原子的位置。為了得到TiO2材料(100)晶面
人工晶體學(xué)報(bào) 2019年4期2019-05-21
- 暴露高活性晶面的TiO2納米管的制備及生物活性
礦型TiO2不同晶面具有不同的原子密度，從而使得具有不同優(yōu)勢(shì)晶面族的TiO2具有不同的表面能和化學(xué)活性。其中，銳鈦礦TiO2晶面中表面能依次為(101)(0.44J/m2)<(100)(0.53J/m2)<(001)(0.90J/m2)[6-8]，表面能越大的晶面具有相對(duì)更好的潛在化學(xué)活性。一般來(lái)說(shuō)，TiO2中晶面的分布遵從Wulff規(guī)則[9-11]，銳鈦礦中主要以表面能較小熱力學(xué)穩(wěn)定的(101)面為主，而較高能量的活性表面(001)晶面較少。由于(001
材料工程 2019年4期2019-04-19
- （100）/（111）面金剛石膜抗氧等離子刻蝕能力
酸鉀對(duì){111}晶面金剛石的刻蝕機(jī)理進(jìn)行研究，結(jié)果表明，干氧刻蝕條件下，{111}晶面金剛石表面由單層的—OH基團(tuán)覆蓋，—OH基團(tuán)是實(shí)現(xiàn){111}晶面金剛石刻蝕的主要基團(tuán)。Paci等[7]使用密度泛函理論（density-functional theory，DFT）模擬對(duì)石墨、（111）和（100）晶面金剛石的刻蝕原理進(jìn)行了研究計(jì)算，結(jié)果表明，在熱氧原子作用下，（111）晶面金剛石會(huì)發(fā)生表面碳化，而（100）晶面金剛石則具有更好抗氧化性。Zhang等[8]
航空材料學(xué)報(bào) 2019年2期2019-04-15
- 低溫制備高比例{001}晶面擇優(yōu)的銳鈦礦薄膜
關(guān)，還與其曝露的晶面有關(guān)。不同晶面有不同原子排列及電子結(jié)構(gòu)，從而表現(xiàn)出不一樣的固有反應(yīng)性和表面物理化學(xué)性質(zhì)[5]。通過(guò)第一性原理密度泛函理論(DFT)計(jì)算可得，銳鈦礦型二氧化鈦晶體不同晶面的表面能大小排序：E{001}(0.9 J/m2)>E{100}(0.53 J/m2)>E{101}(0.44 J/m2)[6]，其中{001}晶面的表面能最大，反應(yīng)性最高。然而在晶體生長(zhǎng)過(guò)程中，晶體會(huì)以吉布斯能量最小化為趨勢(shì)，使高能面的面積逐漸縮小到消失，最終得到表面能
浙江工業(yè)大學(xué)學(xué)報(bào) 2019年2期2019-03-19
- 微波布拉格衍射實(shí)驗(yàn)中木板影響的探索
0)與(110)晶面族的1個(gè)不同面作為散射點(diǎn)陣面，測(cè)量微波電流隨衍射角的變化，得到的2組布拉格衍射強(qiáng)度分布曲線有區(qū)別，故進(jìn)一步驗(yàn)證木板對(duì)于其分布曲線的影響.1 儀器與原理概述1.1 實(shí)驗(yàn)儀器簡(jiǎn)介實(shí)驗(yàn)使用DH1721B型微波分光儀.如圖1所示，采用3 cm固態(tài)源作為微波信號(hào)源，發(fā)射喇叭上附有可調(diào)衰減器，可發(fā)射波長(zhǎng)為3.20 cm的單色微波.圖1 微波分光計(jì)實(shí)驗(yàn)中使用的立方模擬晶體，由125個(gè)鋁球組成，每25個(gè)鋁球組成方陣，相鄰鋁球間的距離為4.00 cm.同
物理實(shí)驗(yàn) 2018年12期2018-12-22
- 不同硅晶面指數(shù)上的類倒金字塔結(jié)構(gòu)研究與分析?
該類型結(jié)構(gòu)在不同晶面指數(shù)的硅片表面所形成的結(jié)構(gòu)幾乎完全一樣,因此,可以通過(guò)該方法在多晶硅表面制備出均勻的絨面結(jié)構(gòu),從而使得多晶硅太陽(yáng)能電池也具有和單晶硅太陽(yáng)能電池類似的均一外觀.但是該方法制備得到的結(jié)構(gòu)反射率較高,限制了多晶硅電池效率的進(jìn)一步提升.基于堿的各向異性刻蝕方法,可在硅片表面形成均勻的正金字塔結(jié)構(gòu),該結(jié)構(gòu)具有比蠕蟲(chóng)狀結(jié)構(gòu)更加優(yōu)異的光學(xué)性能而被廣泛地應(yīng)用于單晶硅太陽(yáng)能電池工藝中[7].由于正金字塔結(jié)構(gòu)尺寸較大,不同晶向之間容易產(chǎn)生臺(tái)階導(dǎo)致漏電,因此
物理學(xué)報(bào) 2018年22期2018-12-18
- 高能晶面TiO2的可控合成及其光催化性能
等有關(guān)，還與高能晶面的暴露有關(guān)[11-12]。對(duì)于銳鈦礦TiO2而言，不同晶面表面能由大到小依次為{110}(1.09 J/m2)、{001}(0.90 J/m2)、{100}、{010}(0.53 J/m2)、{101}(0.44 J/m2)[13-14]。然而，在晶體生長(zhǎng)過(guò)程中，由于表面能量較高，{001}晶面會(huì)在生長(zhǎng)過(guò)程中迅速消失，很難得到高能的{001}晶面的銳鈦礦，活性較低的{101}面成為銳鈦礦相TiO2的主導(dǎo)晶面。Pan等[15-16]通過(guò)理
大連工業(yè)大學(xué)學(xué)報(bào) 2018年5期2018-09-29
- 亞穩(wěn)β-HgI2晶體形貌預(yù)測(cè)與研究*
形貌；并建立重要晶面不同生長(zhǎng)速率比下的晶體模型；以α-HgI2為原料，以DMSO和HI分別為溶劑，采用溶劑蒸發(fā)法生長(zhǎng)β-HgI2，并對(duì)生長(zhǎng)的β-HgI2形貌進(jìn)行分析.1 亞穩(wěn)β-HgI2形貌預(yù)測(cè)亞穩(wěn)β-HgI2(圖1)晶體屬于斜方晶系，其空間群為Cmc21(36 JCPDF card73-0456)點(diǎn)群為mm2的雙分子單晶胞，其中a=4.734 0 ?，b=7.408 0 ?，c=13.943 0 ?.sp雜化形成了I-Hg-I線性分子結(jié)構(gòu)；層間及同層內(nèi)范
西安工業(yè)大學(xué)學(xué)報(bào) 2018年3期2018-07-06
- LLM-105晶體形貌分子動(dòng)力學(xué)模擬
能是晶體平行于該晶面脫附時(shí)所斷裂的鍵能總和。晶體生長(zhǎng)法[11]認(rèn)為晶體的生長(zhǎng)形態(tài)受到外部條件以及晶體內(nèi)部結(jié)構(gòu)特別是原子間鍵能的影響，是一非平衡過(guò)程。本研究采用分子動(dòng)力學(xué)方法，通過(guò)平衡形態(tài)法和晶體生長(zhǎng)法預(yù)測(cè)真空條件下LLM-105主要生長(zhǎng)晶面。通過(guò)修正附著能分析DMSO環(huán)境下LLM-105主要控制晶面及其生長(zhǎng)速率，通過(guò)徑向分布函數(shù)和晶面結(jié)構(gòu)分析不同晶面與DMSO之間的相互作用，考察溶劑DMSO在晶面上的擴(kuò)散系數(shù)以分析LLM-105粒子成核能壘，以期為L(zhǎng)LM-
火炸藥學(xué)報(bào) 2018年3期2018-07-02
- 金相坑蝕法鋁單晶定向研究
坑蝕法分析鋁單晶晶面與位錯(cuò)腐蝕坑形狀的對(duì)應(yīng)關(guān)系。2 實(shí)驗(yàn)2.1 晶體生長(zhǎng)以高純鋁（99.999%）為原料，采用電阻爐加熱融化，底部冷卻，控制固液界面前沿以略凸向液相方式定向生長(zhǎng)，直至鋁液完全凝固，得到大尺寸圓錠?？刂破骄Y(jié)晶速率為0.8～1.0mm/s。將凝固大尺寸圓錠沿直徑方向鋸切后使用宏觀腐蝕溶液（HCl：HNO3：HF = 79：20：1）腐蝕樣片如圖1（a）所示，縱切面由幾個(gè)大的柱狀晶組成。將圖片左部大晶粒沿晶界鋸切得到鋁單晶塊體，將塊體上下兩面銑
世界有色金屬 2018年4期2018-05-09
- 單晶LaB6陰極材料典型晶面的電子結(jié)構(gòu)和發(fā)射性能研究?
單晶LaB6不同晶面具有不同的功函數(shù)和發(fā)射性能,并從熱發(fā)射性能測(cè)試和理論計(jì)算結(jié)果得到不同晶面功函數(shù)的大小順序?yàn)棣?100)＜Φ(110)＜Φ(111)[8?10].還有一些研究者通過(guò)角分辨X射線、紫外光譜和低能電子衍射等手段發(fā)現(xiàn)(210)晶面應(yīng)該具有較(100),(110),(111)晶面更低的功函數(shù)[11?13],Gesley和Swanson[12]通過(guò)測(cè)試不同晶面電子的發(fā)射場(chǎng)隨溫度的變化,發(fā)現(xiàn)(310)晶面具有最低的功函數(shù).由此可以看出,由于不同制備方
物理學(xué)報(bào) 2018年4期2018-03-26
- 小尺寸單軸應(yīng)變Si PMOS溝道晶面/晶向選擇實(shí)驗(yàn)新發(fā)現(xiàn)?
道反型層遷移率與晶面/晶向密切相關(guān),優(yōu)化設(shè)計(jì)器件時(shí)應(yīng)選擇合理的晶面/晶向[11?14].目前,有關(guān)單軸應(yīng)變PMOS溝道反型層遷移率晶面/晶向排序結(jié)論已有相關(guān)文獻(xiàn)[15]報(bào)道(見(jiàn)圖1).圖1(a)—(c)為弛豫情況下Si PMOS反型層載流子遷移率隨晶面/晶向變化圖,當(dāng)未施加應(yīng)力時(shí),Si PMOS反型層的空穴遷移率排序?yàn)?110)＞(111)＞(001),最大的空穴遷移率出現(xiàn)在(110)晶面沿[10]晶向的溝道方向. 圖1(d)—(f)為應(yīng)力作用下的情況,由
物理學(xué)報(bào) 2018年6期2018-03-26
- α-HgI2晶體附著能的計(jì)算
) 根據(jù)步驟2中晶面(hkl)，利用切面法中的cleave surface對(duì)晶面切面 (注：所切晶面位置、大小即厚度的隨機(jī)性會(huì)導(dǎo)致步驟4計(jì)算結(jié)果不唯一)；圖1 切面合理性判定流程通過(guò)封端將非收斂結(jié)構(gòu)法轉(zhuǎn)換為收斂結(jié)構(gòu)時(shí)，由于改變了晶體的對(duì)稱性并刪除了原結(jié)構(gòu)的部分化學(xué)鍵，從而減少了結(jié)構(gòu)原本的化學(xué)鍵能，因此通過(guò)生長(zhǎng)形態(tài)法計(jì)算的收斂結(jié)構(gòu)的附著能結(jié)果錯(cuò)誤，如圖1虛線所示.但該操作會(huì)附帶顯示對(duì)應(yīng)的唯一二維晶面結(jié)構(gòu)圖，觀察其分子間的位置關(guān)系(排列順序和對(duì)稱關(guān)系)，在切面
西安工業(yè)大學(xué)學(xué)報(bào) 2018年6期2018-02-13
- 2,3-二羥甲基-2,3-二硝基-1,4-丁二醇四硝酸酯的合成、晶形控制及其與HTPB推進(jìn)劑組份的相容性
體系下，溶劑和各晶面的結(jié)合能Eint[6-8]。實(shí)驗(yàn)研究了乙酸乙酯/石油醚結(jié)晶體系下SMX的重結(jié)晶，通過(guò)掃描電鏡結(jié)果對(duì)比結(jié)晶前后晶形變化，并與理論預(yù)測(cè)結(jié)果進(jìn)行對(duì)比。用DSC法分析了SMX與丁羥推進(jìn)劑體系組分間的相容性。2 合成2.1 試劑與儀器試劑: 2-羥甲基-2-硝基-1,3-丙二醇(98%，TCI); 三氟化硼乙醚、氫氧化鈉、過(guò)硫酸鈉、丙酮、濃鹽酸、甲醇、98%硝酸、醋酸、醋酸酐、乙酸乙酯、石油醚等，均為國(guó)產(chǎn)分析純。儀器: Equinox 55型傅里
含能材料 2017年4期2017-05-07
- 《固體物理學(xué)》中基于Matlab的動(dòng)態(tài)晶面標(biāo)示
只給出一些典型的晶面，且觀察視圖的角度是固定的。本文利用Matlab的圖形顯示功能，通過(guò)開(kāi)發(fā)Matlab源程序，不但可實(shí)時(shí)顯示任意設(shè)定的晶面，而且能對(duì)視圖做三維旋轉(zhuǎn)，從不同角度來(lái)觀察晶面，增加了課程教學(xué)的生動(dòng)性、直觀性和交互性。關(guān)鍵詞：固體物理；晶面；Matlab中圖分類號(hào)：G642.3 文獻(xiàn)標(biāo)志碼：A 文章編號(hào)：1674-9324（2017）16-0213-02固體物理學(xué)是研究固體的結(jié)構(gòu)及由結(jié)構(gòu)決定的固體的熱學(xué)、電學(xué)、光學(xué)和磁學(xué)等性質(zhì)并闡明其用途的一門科
教育教學(xué)論壇 2017年16期2017-04-20
- 不同晶體模型的微波布拉格衍射
單立方(100)晶面微波衍射圖出現(xiàn)2級(jí)衍射和3級(jí)衍射所需的條件. 將簡(jiǎn)單立方模型改造成四方模型，討論了四方晶體模型的衍射峰隨晶面間距的變化規(guī)律. 設(shè)計(jì)了體心和底心立方模型，并觀察到了(100)晶面的消光現(xiàn)象. 采用有限點(diǎn)陣?yán)碚撃M計(jì)算結(jié)果也與實(shí)驗(yàn)測(cè)量數(shù)據(jù)一致.微波;布拉格衍射;晶體模型;晶面間距微波光學(xué)與布拉格衍射是近代物理實(shí)驗(yàn)的重要內(nèi)容[1]. X射線布拉格衍射實(shí)驗(yàn)，技術(shù)含量高，自動(dòng)化程度高，但也存在不足：成本高，學(xué)生的參與度低，對(duì)實(shí)驗(yàn)儀器各部件了解不足
物理實(shí)驗(yàn) 2017年3期2017-03-29
- PAH模板調(diào)控六棱片狀碳酸鈰形成機(jī)理的研究
對(duì)碳酸鈰晶體不同晶面的取向吸附有關(guān).采用材料模擬軟件Material Studio對(duì)PAH與碳酸鈰晶面的靜電吸附過(guò)程進(jìn)行了模擬，從而揭示了PAH模板調(diào)控碳酸鈰形貌的機(jī)理.模板劑；聚烯丙基氯化銨；調(diào)控；吸附; 六棱片狀二氧化鈰是一種用途廣泛的稀土氧化物，可用于汽車尾氣凈化、紫外吸收、化學(xué)機(jī)械拋光、燃料電池、光催化等多個(gè)研究領(lǐng)域[1].二氧化鈰的形貌、尺寸、結(jié)構(gòu)、分散性、表面性能等決定了其應(yīng)用前景，例如，球狀氧化鈰因具有較大的儲(chǔ)存氧能力、較高的熱穩(wěn)定性以及良好
- 1,1′-二羥基-5,5′-聯(lián)四唑二羥胺鹽的晶形計(jì)算及控制
習(xí)性，分析了主導(dǎo)晶面的表面結(jié)構(gòu)特征；采用實(shí)驗(yàn)方法驗(yàn)證了模擬計(jì)算方法。結(jié)果表明，各穩(wěn)定晶面在分子間距離、晶面電荷分布上存在很大區(qū)別。選擇分子結(jié)構(gòu)中具有負(fù)電子作用基團(tuán)的晶體生長(zhǎng)控制劑對(duì)其晶體形貌進(jìn)行控制，可縮短快生長(zhǎng)面和慢生長(zhǎng)面之間生長(zhǎng)速率的差距，減小晶體的形狀系數(shù)。選擇分子結(jié)構(gòu)中含有富電子芳環(huán)的離子型表面活性劑為晶形控制劑，制備出了晶體形貌規(guī)整、呈多面體顆粒狀、長(zhǎng)徑比明顯變小的TKX-50晶體，試驗(yàn)結(jié)果驗(yàn)證了理論預(yù)測(cè)的正確性。關(guān)鍵詞：物理化學(xué)；1, 1′-二
火炸藥學(xué)報(bào) 2016年2期2016-05-27
- 2,6-二氨基-3,5-二硝基吡啶-1-氧化物晶體形貌的MD模擬
預(yù)測(cè)模型，如考慮晶面間距對(duì)生長(zhǎng)速率影響的Bravis-Friedel- Donnay- Harker(BFDH)法則[11]，依據(jù)晶體平衡形態(tài)由0K時(shí)表面最小表面能決定的Equilibrium Morphology法[12]，晶面螺旋生長(zhǎng)的Burton-Cabrera-Frank(BCF)機(jī)制[13]及基于晶體晶面生長(zhǎng)速率與附著能絕對(duì)值成正比的附著能(AE)模型[14]等，國(guó)內(nèi)外學(xué)者基于晶體形貌預(yù)測(cè)模型成功地預(yù)測(cè)了醫(yī)藥品[15]、炸藥[16]、有機(jī)顏料[1
含能材料 2016年1期2016-05-11
- 單粒子半導(dǎo)體材料光催化活性的空間分辨表面增強(qiáng)拉曼光譜研究
1}和{010}晶面光催化降解行為的反應(yīng)動(dòng)力學(xué)過(guò)程差異，發(fā)現(xiàn)在{011}晶面上光催化的降解速率常數(shù)是{010}晶面的2倍。另外，光氧化探針輔助的單粒子熒光成像進(jìn)一步佐證了該結(jié)果，熒光探針?lè)肿釉诠饧ぐl(fā)下主要在{011}晶面上被氧化。關(guān)鍵詞：光催化；BiVO4單晶；晶面；空間分辨；SERS熒光成像1引言BiVO4半導(dǎo)體光催化材料由于其較窄的帶隙以及優(yōu)良的光催化活性和穩(wěn)定性[1]被人們廣泛研究[2-5]。BiVO4具有三種物相結(jié)構(gòu)：白鎢礦、四方以及單斜，其中單斜
光散射學(xué)報(bào) 2016年1期2016-04-19
- 具有高活性{010}晶面單斜BiVO4光催化劑的研究進(jìn)展
高活性{010}晶面單斜BiVO4光催化劑的研究進(jìn)展劉 偉1,2,趙國(guó)升3,常立民3,安茂忠1(1.哈爾濱工業(yè)大學(xué)化工與化學(xué)學(xué)院,哈爾濱 150001;2.吉林師范大學(xué)環(huán)境科學(xué)與工程學(xué)院,四平 136000;3.吉林師范大學(xué)化學(xué)學(xué)院,四平 136000)開(kāi)發(fā)高效穩(wěn)定的具有高活性{010}晶面單斜釩酸鉍基光催化劑是當(dāng)前的研究熱點(diǎn)之一。本文綜述了具有高活性{010}晶面單斜釩酸鉍以及改性具有高活性{010}晶面單斜釩酸鉍光催化劑的研究進(jìn)展,著重介紹了光催化劑在
硅酸鹽通報(bào) 2016年9期2016-03-17
- 納米銀液相可控制備的研究進(jìn)展
液相；可控制備；晶面；配體1前言納米材料因其小尺寸效應(yīng)而呈現(xiàn)出其體相并不具備的新的理化特性, 在工業(yè)和生活的眾多領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。納米銀是一類新興的銀基功能材料，又稱為銀納米顆粒，其特征尺寸至少有一維處于1~100 nm(即納米尺度)的范圍內(nèi)。隨著21世紀(jì)初以來(lái)液相納米制備技術(shù)的持續(xù)進(jìn)步，納米銀基于表面等離激元共振的光學(xué)特性、電學(xué)特性以及廣譜抗菌和抗病毒的生物活性得以充分地研究，并被應(yīng)用于光學(xué)傳感、表面增強(qiáng)拉曼、電子工程和生物醫(yī)學(xué)等多個(gè)領(lǐng)域[1-2]
中國(guó)材料進(jìn)展 2016年1期2016-03-04
- 三種有機(jī)膦酸阻垢劑對(duì)碳酸鈣晶面吸附作用的分子動(dòng)力學(xué)研究
法研究其與碳酸鈣晶面之間的吸附作用，探討其阻垢能力的強(qiáng)弱和吸附作用的本質(zhì)，為闡述阻垢機(jī)理提供理論依據(jù)。1 模擬由于多晶硅生產(chǎn)的實(shí)際循環(huán)冷卻水系統(tǒng)的pH 值大約在8～10之間，水溫約為70 ℃左右，在此條件下有機(jī)膦酸基團(tuán)會(huì)發(fā)生脫氫，形成質(zhì)子化PO2－3基團(tuán)。NTMP、EDTMP 和DTPMP 去質(zhì)子化分子結(jié)構(gòu)如圖1所示。圖1 3種有機(jī)膦酸阻垢劑的去質(zhì)子化分子結(jié)構(gòu)Fig.1 The deprotonated molecular structures of th
化學(xué)與生物工程 2015年6期2015-12-28
- 立方晶格晶面間距的計(jì)算
明650500)晶面間距是固體物理學(xué)中的一個(gè)很重要的參數(shù)，研究晶體結(jié)構(gòu)時(shí)往往會(huì)用到它.在《X射線衍射分析》和《材料科學(xué)》的不少教材中常常采用下式來(lái)計(jì)算立方晶格的晶面間距［1－3］:式中，a為立方系晶胞(單胞)的邊長(zhǎng)(即晶格常數(shù))，而(hkl)是晶面的密勒指數(shù)，d為相應(yīng)的晶面間距.在教學(xué)實(shí)踐中常?？吹?，在計(jì)算簡(jiǎn)單立方晶格的晶面間距時(shí)，(1)式是正確無(wú)誤的，但在計(jì)算面心立方(FCC)晶格和體心立方(BCC)晶格的晶面間距時(shí)，(1)式所得出的結(jié)果有時(shí)是錯(cuò)誤的.例
- 工業(yè)應(yīng)用γ-Al2O3載體表面酸性與微觀結(jié)構(gòu)的關(guān)系
0)，(111)晶面；氧化鋁-1(110)，(100)，(111)晶面所占比例分別為68%，6%，26%；氧化鋁-2(110)，(100)，(111)晶面所占比例分別為63%，19%，18%；氧化鋁-3(110)，(100)，(111)晶面所占比例分別為59%，19%，22%；γ-Al2O3表面晶面比例的不同導(dǎo)致其具有不同的表面酸性，氧化鋁-1(110)晶面含量較高，其強(qiáng)酸和中強(qiáng)酸含量相對(duì)較高；氧化鋁-2、氧化鋁-3(100)晶面含量較高，其弱酸含量相對(duì)較
石油煉制與化工 2015年10期2015-09-03
- 雙(2,2,2-三硝基乙基)胺的晶體形貌預(yù)測(cè)及控制
態(tài)學(xué)上重要的生長(zhǎng)晶面及其表面結(jié)構(gòu),預(yù)測(cè)了可能的溶劑分子和BTNA主要生長(zhǎng)面之間的相互作用,為BTNA溶液結(jié)晶過(guò)程中溶劑的選擇和得到形貌規(guī)整,長(zhǎng)徑比較小的結(jié)晶產(chǎn)品提供理論依據(jù)。并采用弱極性的二氯甲烷重結(jié)晶BTNA,得到重結(jié)晶前后的掃描電鏡照片,和理論預(yù)測(cè)結(jié)果進(jìn)行對(duì)比。2 實(shí)驗(yàn)部分2.1 試劑及儀器原材料: 4, 6-二羥基嘧啶、多聚甲醛、醋酸銨、二氯甲烷、四氯化碳,均為國(guó)產(chǎn)分析純?cè)噭＜t外光譜分析(FT-IR)采用德國(guó)Bruker公司產(chǎn)Equinox55型傅
含能材料 2015年8期2015-05-10
- 高指數(shù)表面晶面納米γ-Al2O3的合成及表征
01）高指數(shù)表面晶面納米γ-Al2O3的合成及表征郭慶梅1,2，沈智奇2，凌鳳香2，楊衛(wèi)亞2，郭長(zhǎng)友2，季洪海2，胡琦1,2 （1．遼寧石油化工大學(xué)，遼寧 撫順 113001； 2. 中國(guó)石化撫順石油化工研究院，遼寧 撫順 113001）采用水熱法合成了具有高指數(shù)表面晶面的扁六角片狀納米氧化鋁，并用 XRD、TEM、SAEDP、HRTEM以及N2吸附－脫附等技術(shù)對(duì)樣品進(jìn)行了表征，采用電子衍射和高分辨圖像對(duì)其微觀結(jié)構(gòu)和顯露晶面進(jìn)行了研究。結(jié)果表明，合成的樣品
當(dāng)代化工 2015年5期2015-03-26
- γ-氧化鋁表面性質(zhì)與晶面特性關(guān)系研究
[7,9]以不同晶面取向的MgAl2O4為基底，采用電子束蒸發(fā)法制備不同晶面取向的氧化鋁薄膜，并以該氧化鋁薄膜為載體制備加氫催化劑，研究了氧化鋁晶面取向?qū)α蚧瘧B(tài)Mo/Al2O3催化劑微觀結(jié)構(gòu)的影響。Sakashita等[8]以{110}晶面族為主要晶面取向(片狀)及{111}和{100}晶面族為主要取向(球狀)的兩種不同晶面取向的氧化鋁為載體制備了加氫催化劑，研究了晶面取向與催化劑活性之間的關(guān)系。齊和日瑪?shù)萚10]以兩種商品氧化鋁為載體，制備了Co-Mo/
精細(xì)石油化工 2014年5期2014-03-14
- 一種單晶光學(xué)晶體的晶面偏角及偏向測(cè)算方法
的方式對(duì)棒料任意晶面的晶體定向準(zhǔn)確度不高，有一定的局限性，而用現(xiàn)階段的方式又比較繁瑣，不易掌握，且價(jià)格昂貴，這就迫切需要找出一種快速、簡(jiǎn)捷、方便、便宜的晶體定向方式。晶體定向的目的是因?yàn)榫w材料具有各向異性的特性，在不同的方位具有不同的力學(xué)、光學(xué)、電學(xué)或其它性能，所以在單晶的制造加工、外延生長(zhǎng)以及器件制作等方面，都需要考慮晶體定向的影響。本文利用YX-2型X射線晶體定向儀，隨意測(cè)出實(shí)際切割晶面不在同一直線上三點(diǎn)的衍射角，并分別記下所測(cè)三點(diǎn)的位置，建立實(shí)際切
中國(guó)新技術(shù)新產(chǎn)品 2014年4期2014-03-12
- 氧化物納米晶形貌控制與催化應(yīng)用進(jìn)展
0）和（110）晶面氨形成的速率比為418∶25∶1。這一發(fā)現(xiàn)使科學(xué)家認(rèn)識(shí)到催化劑的催化性能與催化劑的暴露晶面有密切的關(guān)系，并使催化劑的晶面控制與催化效應(yīng)研究成為多相催化領(lǐng)域一個(gè)新的熱點(diǎn)。金屬氧化物作為多相催化過(guò)程最重要的催化劑與催化劑載體，其晶面控制和性能的研究備受關(guān)注。尤其是最近10年間，借助于理論計(jì)算和發(fā)展的合成方法，設(shè)計(jì)合成了棒、片、帶和多面體等優(yōu)先暴露不同晶面的金屬氧化物納米晶，并將其作為催化劑和催化劑載體應(yīng)用于催化反應(yīng)，發(fā)現(xiàn)其催化性能與氧化物納
化學(xué)反應(yīng)工程與工藝 2013年6期2013-11-18
- 對(duì)微波布拉格衍射實(shí)驗(yàn)中產(chǎn)生衍射極大值晶面的討論
總可以測(cè)量到多個(gè)晶面的衍射極大值。國(guó)內(nèi)外文獻(xiàn)中對(duì)該實(shí)驗(yàn)中可以產(chǎn)生衍射極大值的晶面只有（100）及（110）兩個(gè)晶面有報(bào)道［1-3］，其它可以產(chǎn)生衍射極大值的晶面尚未查到相關(guān)的報(bào)道。我們通過(guò)理論推導(dǎo)得出所有產(chǎn)生衍射極大值的晶面，并對(duì)這些晶面的特點(diǎn)進(jìn)行分析討論。掌握這些可以產(chǎn)生衍射極大值的晶面，有利于深入開(kāi)展微波布拉格衍射實(shí)驗(yàn)的教學(xué)與研究，也有利于更深入地了解和認(rèn)識(shí)X射線入射真實(shí)晶體衍射情況。為人們探索物質(zhì)微觀結(jié)構(gòu)奠定良好的基礎(chǔ)。1 實(shí)驗(yàn)原理微波布拉格衍射實(shí)驗(yàn)
長(zhǎng)春理工大學(xué)學(xué)報(bào)（自然科學(xué)版） 2013年5期2013-09-18
- 對(duì)微波布拉格衍射實(shí)驗(yàn)中產(chǎn)生衍射極大值晶面的討論
總可以測(cè)量到多個(gè)晶面的衍射極大值。國(guó)內(nèi)外文獻(xiàn)中對(duì)該實(shí)驗(yàn)中可以產(chǎn)生衍射極大值的晶面只有（100）及（110）兩個(gè)晶面有報(bào)道［1-3］，其它可以產(chǎn)生衍射極大值的晶面尚未查到相關(guān)的報(bào)道。我們通過(guò)理論推導(dǎo)得出所有產(chǎn)生衍射極大值的晶面，并對(duì)這些晶面的特點(diǎn)進(jìn)行分析討論。掌握這些可以產(chǎn)生衍射極大值的晶面，有利于深入開(kāi)展微波布拉格衍射實(shí)驗(yàn)的教學(xué)與研究，也有利于更深入地了解和認(rèn)識(shí)X射線入射真實(shí)晶體衍射情況。為人們探索物質(zhì)微觀結(jié)構(gòu)奠定良好的基礎(chǔ)。1 實(shí)驗(yàn)原理微波布拉格衍射實(shí)驗(yàn)
長(zhǎng)春理工大學(xué)學(xué)報(bào)（自然科學(xué)版） 2013年5期2013-09-18
- 由面心立方(111)面間距談幾何晶體學(xué)的幾個(gè)基本概念*①
密勒指數(shù)，而不是晶面指數(shù).因此，不能將晶面指數(shù)代入此公式計(jì)算面間距.為此，需要先導(dǎo)出采用晶面指數(shù)計(jì)算面間距的公式.如圖1所示，選取面心立方晶體的固體物理學(xué)原胞的初基矢量為(2)圖1 面心立方晶體的原胞坐標(biāo)系式中i,j,k分別表示笛卡兒正交坐標(biāo)系中三個(gè)坐標(biāo)軸的單位矢量.根據(jù)倒易點(diǎn)陣的定義式計(jì)算其倒格子的初基矢量，得(3)(4)通常所使用的面間距公式(1)中面指數(shù)(hkl)是在晶胞坐標(biāo)系a,b,c中確定的密勒指數(shù).這就涉及到對(duì)晶胞和固體物理學(xué)原胞等概念的辨析.
物理通報(bào) 2012年2期2012-01-23
- 脈沖銅沉積層織構(gòu)及形貌的研究
度下為(200)晶面擇優(yōu)取向，高電流密度下為(111)晶面擇優(yōu)取向，頻率越高則擇優(yōu)取向越強(qiáng)。低頻脈沖下制備的沉積層平整致密。脈沖；銅沉積層；織構(gòu)；形貌1 前言在金屬電沉積過(guò)程中，常常出現(xiàn)晶面擇優(yōu)取向(織構(gòu))現(xiàn)象，即沉積層中，相當(dāng)數(shù)量的晶粒表現(xiàn)出某種共同的取向特征。如果晶粒的取向高度集中于某個(gè)方向，則稱高擇優(yōu)取向。高擇優(yōu)取向的電沉積層具有特殊的力學(xué)、電學(xué)、光學(xué)、磁學(xué)和催化等性能。作為超結(jié)構(gòu)的底層材料，以電沉積工藝制備的高擇優(yōu)取向銅超結(jié)構(gòu)膜可望取代價(jià)格昂貴的單
電鍍與涂飾 2010年3期2010-11-14