載流子
- β-Ga2O3 晶體本征缺陷誘導(dǎo)的寬帶超快光生載流子動力學(xué)*
本征缺陷誘導(dǎo)的載流子俘獲和復(fù)合等動力學(xué)進行研究.實驗發(fā)現(xiàn),由本征缺陷誘導(dǎo)的寬帶吸收光譜具有很強的偏振依賴性,特別是從不同探測偏振下的瞬態(tài)吸收光譜中可以提取出兩個缺陷態(tài)吸收響應(yīng).該缺陷誘導(dǎo)的吸收響應(yīng)歸因于從價帶到本征缺陷(鎵空位)不同電荷態(tài)的光學(xué)躍遷,利用基于單缺陷的多能級載流子俘獲模型擬合得到缺陷俘獲空穴的速率遠(yuǎn)快于俘獲電子,且缺陷態(tài)的吸收截面相較于自由載流子吸收截面大至少一個數(shù)量級.本文的研究結(jié)果不僅能明確本征缺陷與光生載流子動力學(xué)之間的關(guān)系,而且為β-
物理學(xué)報 2023年21期2023-11-24
- Cd0.96Zn0.04Te 光致載流子動力學(xué)特性的太赫茲光譜研究*
.04Te 的載流子弛豫和瞬態(tài)電導(dǎo)率特性.在中心波長800 nm的飛秒抽運光激發(fā)下,Cd0.96Zn0.04Te 的載流子弛豫過程用單指數(shù)函數(shù)進行了擬合,其載流子弛豫時間長達幾個納秒,且在一定光激發(fā)載流子濃度范圍內(nèi)隨光激發(fā)載流子濃度的增大而減小,這與電子-空穴對的輻射復(fù)合有關(guān).在低光激發(fā)載流子濃度(4.51×1016—1.81×1017 cm–3)下,Cd0.96Zn0.04Te 的太赫茲(terahertz,THz)瞬態(tài)透射變化率不隨光激發(fā)載流子濃度增大
物理學(xué)報 2023年3期2023-02-19
- Y2NT2(T=O,F,OH)的熱電性質(zhì)
預(yù)計低維材料中載流子的量子束縛效應(yīng)可以顯著提高功率因子[14]，Zhao[15]等人也發(fā)現(xiàn)二維SnSe在923 K時ZT值高達2.62，進一步證明低維材料是潛在的熱電材料[16].MXenes是一種新型的二維材料，由于其獨特的性質(zhì)，在儲能轉(zhuǎn)換、環(huán)境催化、分離膜、醫(yī)學(xué)、光學(xué)和電子等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用得到了深入的研究[17].MXenes是通過從MAX相中刻蝕A元素形成的.MAX相具有層狀結(jié)構(gòu)，其化學(xué)式為Mn+1AXn(n=1,2,3)，其中M為早期過渡金屬，A為
宜賓學(xué)院學(xué)報 2022年12期2023-01-06
- SiGe/Si異質(zhì)結(jié)PIN頂注入電光調(diào)制器的數(shù)值分析
效應(yīng)，因此通過載流子濃度改變引起折射率和吸收系數(shù)變化的等離子體色散效應(yīng)是硅基電光調(diào)制器經(jīng)常采用的一種調(diào)制機理，基于等離子體色散效應(yīng)的電光調(diào)制器具有調(diào)制速率高、傳輸損耗小等優(yōu)點，已被證明可以廣泛應(yīng)用于光互連通信系統(tǒng)。2004年Intel 報道了第一個基于等離子體色散效應(yīng)的調(diào)制器[2]，該調(diào)制器為金屬氧化物半導(dǎo)體(Metal-Oxide-Semiconductor,MOS)電容結(jié)構(gòu)，雖然最終實現(xiàn)帶寬僅 1 GHz，但它的成功研制標(biāo)志著硅基光電子學(xué)在光通信領(lǐng)域的
西安工業(yè)大學(xué)學(xué)報 2022年4期2022-08-30
- 單層 MoS2和 WS2的太赫茲近場顯微成像研究
具有較低的摻雜載流子濃度。有可見光激發(fā)時，由于光生載流子的太赫茲近場響應(yīng)，能夠測得與晶粒輪廓完全吻合的太赫茲近場顯微圖。在相同的光激發(fā)條件下， MoS2的太赫茲近場響應(yīng)強于 WS2，反映了兩者之間載流子濃度或遷移率的差異。研究結(jié)果表明， THz s-SNOM 兼具超高的空間分辨率和對光生載流子的靈敏探測能力，對二維半導(dǎo)體材料和器件光電特性的微觀機理研究具有獨特的優(yōu)勢。關(guān)鍵詞：太赫茲散射式近場光學(xué)顯微鏡;二硫化鉬;二硫化鎢;光生載流子分布;近場成像中圖分類號
光學(xué)儀器 2022年1期2022-05-09
- Sb2Se3 薄膜表面和界面超快載流子動力學(xué)的瞬態(tài)反射光譜分析*
e3具有較高的載流子遷移率,電子遷移率為15 cm2/(V·s),空穴遷移率為42 cm2/(V·s)[3].因此Sb2Se3是一種非常理想的光伏材料.近年來,Sb2Se3基太陽能電池發(fā)展十分迅速,其最高光電轉(zhuǎn)換效率達到了10%[4-6].與此同時,Sb2Se3在光熱、光電探測器、光催化領(lǐng)域的應(yīng)用也逐漸增多[7-9].Sb2Se3在上述領(lǐng)域的應(yīng)用與其光生載流子的復(fù)合動力學(xué)密切相關(guān).加深理解Sb2Se3的載流子復(fù)合特征,以及載流子復(fù)合與形貌之間的關(guān)系對于開發(fā)
物理學(xué)報 2022年6期2022-03-30
- 基于載流子猝滅模型的閃爍體發(fā)光非線性效應(yīng)理論分析及實驗驗證*
的相關(guān)理論，以載流子方程為基礎(chǔ)，量化分析了激子的二階猝滅效應(yīng)對于載流子動力學(xué)過程的影響，著重計算分析了脈沖測量場景下不同激發(fā)密度產(chǎn)生的不同初始載流子濃度對于閃爍體光衰減曲線、光產(chǎn)額以及效率的影響.接著利用光致激發(fā)實驗，研究了CeF3 閃爍體光產(chǎn)額與激發(fā)密度的關(guān)系，并利用載流子猝滅模型對實驗數(shù)據(jù)進行了擬合，擬合曲線與實驗數(shù)據(jù)一致性較高，并得到了CeF3 閃爍體10%非線性效應(yīng)對應(yīng)的能量密度閾值.通過本文研究工作建立的物理模型，結(jié)合不同的模型參數(shù)，可以實現(xiàn)多種
物理學(xué)報 2021年24期2021-12-31
- 通過插層Cu 實現(xiàn)SnSe2 的高效熱電性能*
一種利用其內(nèi)部載流子的微觀運動實現(xiàn)熱能與電能相互轉(zhuǎn)換的新型能源材料, 其發(fā)電或制冷效率由無量綱熱電優(yōu)值ZT=S2σT/κtot來衡量, 其中σ是電導(dǎo)率,S是Seebeck 系數(shù),T是絕對溫度,κtot是總熱導(dǎo)率[2-7]. 因此, 性能優(yōu)異的熱電材料應(yīng)具有良好的電傳輸性能(功率因子, PF =S2σ)和低的熱導(dǎo)率(κtot). 但是, 熱電參數(shù)之間存在復(fù)雜的耦合關(guān)系, 使得采用單一的調(diào)控手段很難實現(xiàn)ZT值的優(yōu)化. 于是, 尋找具有本征性能優(yōu)異(如高功率因子
物理學(xué)報 2021年20期2021-12-23
- 單光子計數(shù)法對光生載流子壽命的測量與分析
半導(dǎo)體中的光生載流子壽命對半導(dǎo)體太陽電池的光電轉(zhuǎn)換效率、半導(dǎo)體探測器的探測率和發(fā)光二極管的發(fā)光效率等都有影響，因此光生載流子壽命的學(xué)習(xí)是光電信息類學(xué)生的學(xué)習(xí)重點和難點，為了讓學(xué)生更好地理解和掌握有關(guān)光生載流子壽命抽象的公式、定理、概念等理論知識，掌握半導(dǎo)體中光生載流子壽命的測量方法是十分必要的。不同材料的光生載流子壽命不盡相同，有的較短有的較長，因此針對不同材料特點，測量光生載流子壽命的方法有許多種，主要分為瞬態(tài)法和穩(wěn)態(tài)法兩大類。瞬態(tài)法是利用閃光在半導(dǎo)體中
實驗室研究與探索 2021年8期2021-09-09
- 高壓大功率晶閘管反向恢復(fù)物理過程建模與計算*
晶閘管內(nèi)部過剩載流子的轉(zhuǎn)移引起，其對換流閥開通暫態(tài)特性具有重要影響[4-6].岳珂等[7]通過將反向恢復(fù)電流等效為解析電路模型研究了晶閘管閥關(guān)斷過程中電壓分布情況；孫瑋等[8]研究了反向恢復(fù)特性分散性對串聯(lián)晶閘管換流閥電壓分布、最小觸發(fā)電壓以及最小關(guān)斷角的影響；黃華等[9]基于反向恢復(fù)電荷特性數(shù)據(jù)，采用電路解析計算的方法研究了故障電流下?lián)Q流閥的反向電壓特性.國內(nèi)外研究人員對晶閘管反向恢復(fù)特性和換流閥工作特性的研究多從器件或閥體設(shè)計的角度出發(fā)，多采用半理論模
沈陽工業(yè)大學(xué)學(xué)報 2021年3期2021-05-24
- 射頻磁控濺射制備(In, Co)共摻ZnO薄膜的電學(xué)和磁學(xué)性質(zhì)
從而同時獲得高載流子濃度和高居里溫度的方法開始引起人們的關(guān)注. Shatnawi等通過固相反應(yīng)法制備了Co摻雜的ZnO薄膜，并指出束縛磁性元素之間的相互作用可以解釋ZnO∶Co中的磁性行為[20].Siddheswaran等通過濕法化學(xué)制備了Al、Co共摻的ZnO薄膜，發(fā)現(xiàn)(Al, Co)-ZnO表現(xiàn)出鐵磁特性，而這一特性在純ZnO中并未發(fā)現(xiàn)[21]. Kumar等利用脈沖激光沉積制備了(Al, Fe)共摻的ZnO薄膜，發(fā)現(xiàn)自由載流子在經(jīng)過與磁性粒子的相互
工程科學(xué)學(xué)報 2021年3期2021-03-29
- 基于可見光通信的LED載流子清除電路設(shè)計
完全熄滅是因為載流子無法及時釋放，導(dǎo)致LED端電壓無法快速下降。為解決該問題，Tanaka設(shè)計了一種用于可見光通信的高速LED載流子清除電路，在LED熄滅瞬間導(dǎo)通MOS管，使LED正負(fù)端短路而形成載流子快速釋放回路。該設(shè)計雖然可快速縮短LED端電壓下降時間，但該電路使用3個大功率高速MOS管驅(qū)動LED，不僅價格昂貴，且功耗較大。隨后Halbritter等[7]提出一種基于電容峰值技術(shù)的LED驅(qū)動電路，雖然也可快速釋放載流子，但該電路為獲取峰值瞬間電流，要求
大連工業(yè)大學(xué)學(xué)報 2021年1期2021-03-01
- 激光干擾探測器飽和面積非線性效應(yīng)研究
型”來描述光生載流子的擴散方式，并推導(dǎo)出飽和像元在積分前期數(shù)量增長的線性模型，但結(jié)果并不能準(zhǔn)確描述整個積分過程的非線性關(guān)系。根據(jù)激光作用CCD探測器后載流子隨積分時間的非線性增長方式以及載流子在CCD像元間擴散時，超過像元勢阱容量的載流子被CCD特有通道導(dǎo)出的特性，針對已有的“水桶模型”存在的誤差對該模型進行修正，從而獲得符合實際干擾情況的非線性關(guān)系，且仿真結(jié)果與實驗數(shù)據(jù)吻合良好,豐富了激光對CCD干擾的研究。1 CCD工作原理和干擾機理電荷耦合器件的突出
激光技術(shù) 2021年1期2021-01-09
- Ge 摻雜GaN 晶體雙光子誘導(dǎo)超快載流子動力學(xué)的飛秒瞬態(tài)吸收光譜研究*
輻射復(fù)合會縮短載流子壽命從而嚴(yán)重影響發(fā)光器件的效率[8]. 另外,線位錯(threading dislocations, TDs)和表面缺陷的存在對載流子傳輸和復(fù)合也起著重要的作用[9].因此, 要設(shè)計基于GaN 的先進光學(xué)和電子器件,探測和控制非平衡載流子壽命, 對載流子動力學(xué)機制的清晰認(rèn)識都是至關(guān)重要的.Si 是GaN 最常見的n 型摻雜劑, 但是在外延層中出現(xiàn)顯著的拉伸應(yīng)變導(dǎo)致Si 摻雜GaN 的總?cè)毕菝芏仍黾? 最近, 幾個研究小組發(fā)現(xiàn), 使用鍺(
物理學(xué)報 2020年16期2020-08-29
- 載流子壽命對n型背結(jié)晶硅太陽能電池性能的影響
p型基極中光生載流子可通過擴散輸運到電池前表面被有效分離，進而實現(xiàn)光電轉(zhuǎn)換.據(jù)國際光伏技術(shù)路線圖(ITRPV)報道，p型晶硅太陽電池的市場占有率較高[4].而傳統(tǒng)的p型晶硅太陽電池采用p型晶體硅為原料，其內(nèi)部硼氧復(fù)合體在光照下逐漸被激活，形成陷阱中心，相應(yīng)電池的光電轉(zhuǎn)換效率降低，晶硅光伏組件的光衰減嚴(yán)重[5].以n型晶體硅為原料制作的太陽能電池光衰減較低，能夠避免傳統(tǒng)p型晶硅太陽電池的光衰減問題.其制造流程設(shè)計需要結(jié)合當(dāng)前標(biāo)準(zhǔn)晶硅太陽電池的產(chǎn)線工藝，以有效
湖州師范學(xué)院學(xué)報 2020年2期2020-04-23
- 1.152 Mbps速率的紅外通信驅(qū)動電路設(shè)計
射管內(nèi)部PN結(jié)載流子運動分析，對傳統(tǒng)驅(qū)動電路進行改進，并設(shè)計紅外接收電路，搭建紅外通信系統(tǒng)進行實驗分析.1 紅外發(fā)射速率受限原因分析IRED通常是由紅外輻射效率高的砷化鎵GaAs制成二極管PN結(jié)[3]，如圖1所示，當(dāng)使用三極管驅(qū)動時，隨著基極輸入脈沖的頻率增高，會出現(xiàn)IRED還未完全“熄滅”，下一周期高電平已到來，進入下一次“亮”的過程.即：其端電壓還未下降至低電平，又立即上升為高電平，這將直接導(dǎo)致紅外發(fā)射信號的“1”和“0”變得“模糊”，進而嚴(yán)重影響信息
湖南工程學(xué)院學(xué)報（自然科學(xué)版） 2020年1期2020-03-26
- 非絕熱分子動力學(xué)模擬A位陽離子對鈣鈦礦熱載流子弛豫的影響
875)影響熱載流子能量弛豫的因素有外界的實驗條件[14]、材料本體的性質(zhì)[3,15]以及組分調(diào)控[16,17]等. Yang等[14]通過瞬態(tài)吸收光譜研究了激發(fā)光的強度對于熱載流子能量弛豫的影響,增加激發(fā)光的強度能夠延長熱載流子能量弛豫時間. Zhu等[3]提出了大極化子的形成能夠延緩熱載流子能量弛豫,提高鈣鈦礦太陽能電池的效率. Fu等[15]認(rèn)為熱聲子瓶頸和俄歇熱效應(yīng)是延緩熱載流子能量弛豫的2個關(guān)鍵因素,并提出中等載流子濃度時熱聲子瓶頸效應(yīng)起主導(dǎo)作用
高等學(xué)?；瘜W(xué)學(xué)報 2020年3期2020-03-12
- 載流子帶正負(fù)電時的安培力的起源及其霍爾效應(yīng)
于許多讀者對于載流子為電子的常規(guī)情況有所誤解，所以先對其進行解釋。下面是幾種常見的解釋，但其中或多或少都存在一些問題：1 通過碰撞來傳遞的解釋由于導(dǎo)體中的電流是由自由電子的定向移動形成的，在磁場中電子受到洛倫茲力作用而向側(cè)向漂移，與晶格上的正離子進行碰撞，把力傳給導(dǎo)線，所以載流導(dǎo)線在磁場中也要受到磁力的作用，把這個力叫做安培力。對于這種解釋有以下幾個比較矛盾的地方：首先，電子手洛倫茲力，而洛倫茲力并不能改變電子動量的大小，所以也就無法給晶格提供動量，并且由
知識文庫 2020年1期2020-01-17
- 以霍爾效應(yīng)為背景的試題分類剖析
磁場內(nèi)導(dǎo)體中的載流子(正電荷、負(fù)電荷)在導(dǎo)體內(nèi)部運動時，會受到洛倫茲力的作用而發(fā)生偏轉(zhuǎn)。由于載流子的偏轉(zhuǎn)而在導(dǎo)體上下表面堆積，形成一個新的靜電場，同時載流子會受到新形成電場的靜電力作用。隨著上、下表面電荷逐漸增加，靜電場不斷增強，當(dāng)載流子受到的靜電力與洛倫茲力相等時，載流子不再發(fā)生偏轉(zhuǎn)，于是在導(dǎo)體的上、下表面就形成了一個穩(wěn)定的電勢差，即霍爾電壓。圖22 以霍爾效應(yīng)為背景試題的常見模型分析以霍爾效應(yīng)為背景的高中物理試題，按載流子導(dǎo)電類型不同，可分為兩種常見模
物理之友 2019年12期2020-01-16
- 基于第一性原理的AlGaN合金熱電性質(zhì)研究
主要由于高溫下載流子跨越帶隙，導(dǎo)致塞貝克系數(shù)降低，因此在高溫區(qū)域熱電材料需要有寬帶隙防止載流子激發(fā)[2]。氮化物材料具有禁帶寬度大、熱穩(wěn)定性好、電導(dǎo)率以及塞貝克系數(shù)高的優(yōu)點，因此在熱電材料領(lǐng)域具有巨大的應(yīng)用潛力?；诤辖鸹痆3-4]，摻雜[5]等方法可以改變材料的輸運性質(zhì)，為了提高材料的熱電優(yōu)值，論文采用合金化方法對GaN合金化，進而對其熱電性質(zhì)進行優(yōu)化。在2009年，Hua等[6]研究了AlInN的熱電性質(zhì)，其結(jié)果表明AlInN熱電性能的提高可能是由于熱
人工晶體學(xué)報 2019年12期2020-01-13
- Effect of radio-frequency power on the characteristics of MgO doped gallium-zinc oxide thin films
7 功率對樣品載流子濃度的影響Fig.8 Influence of radio-frequency power on Hallmobility of the deposited samples圖8 功率對樣品載流子遷移率的影響3 ConclusionIn this study, the thin films of MgO doped gallium-zinc oxide were prepared by magnetron sputtering metho
中南民族大學(xué)學(xué)報（自然科學(xué)版） 2019年4期2019-12-26
- 一種測量石墨烯載流子濃度的光學(xué)方法
烯層，化學(xué)勢由載流子濃度決定。載流子的摻雜能夠通過在石墨烯上加一個偏置電壓來實現(xiàn)。電壓的大小，決定了載流子的濃度，因此通過所加的偏置電壓能夠測定石墨烯的載流子濃度，而該方法僅適合載流子濃度分布均勻的石墨烯，也就是說：此方法用任意兩點的偏置電壓來計算整個石墨烯面上的載流子濃度。所以，當(dāng)載流子分布不均，上述方法顯然檢測效率低下、速度較慢和較大誤差等缺點。而本文提出的石墨烯紅外相差顯微鏡克服了以上缺點，能夠?qū)κ┢?span id="j5i0abt0b" class="hl">載流子濃度進行二維、快速和簡便的檢測。2 原
電子技術(shù)與軟件工程 2019年17期2019-10-09
- 鈣鈦礦CsPbBr3中光生載流子的動力學(xué)行為
、量子效率高、載流子遷移率高以及電子帶隙可調(diào)等優(yōu)點，引起廣泛關(guān)注[1-5]．其用于太陽能電池[6]、發(fā)光二級管[7]、光探測器以及激光器等半導(dǎo)體器件領(lǐng)域已取得很大突破[8-9]．半導(dǎo)體光電器件的性能取決于3個瞬態(tài)物理過程：載流子的生成、復(fù)合以及輸運．鈣鈦礦型半導(dǎo)體中光生載流子的動力學(xué)過程決定了基于該材料所制作的光電器件的運行機理及性能．如鈣鈦礦型半導(dǎo)體被光激發(fā)后，熱載流子的弛豫時間會決定其應(yīng)用方向．若光生載流子的弛豫時間較長，則該材料適用于太陽能電池，因為
深圳大學(xué)學(xué)報（理工版） 2019年5期2019-09-19
- 低溫生長鋁鎵砷光折變效應(yīng)的研究*
重點實驗室采用載流子壽命為2.5 ps的低溫生長砷化鎵/鋁鎵砷(GaAs/AlGaAs)多量子阱結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體作為成像系統(tǒng)的響應(yīng)材料,獲得時間分辨率為3 ps的六分幅成像結(jié)果[7].半導(dǎo)體光折變效應(yīng)是成像系統(tǒng)的設(shè)計基礎(chǔ)[4-7],對其光折變效應(yīng)進行系統(tǒng)的研究尤為重要.半導(dǎo)體在受到光激發(fā)后產(chǎn)生非平衡載流子,導(dǎo)致其折射率等光學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化[8],該變化的時間由光生載流子壽命決定.低溫生長的鋁鎵砷(LT-AlGaAs)同時具備超短載流子壽命和能帶可調(diào)節(jié)的優(yōu)點[9],
物理學(xué)報 2019年16期2019-08-29
- 基于甲胺鉛碘鈣鈦礦太陽電池中有效載流子產(chǎn)率的厚度擬合優(yōu)化分析
子激發(fā)；(2)載流子解離與輸運；(3)電荷的抽取與收集。上述三點描述了鈣鈦礦太陽電池從光子吸收到電荷輸出的基本過程。為了進一步提高鈣鈦礦太陽能電池的效率，很多科學(xué)研究都耗費在厚度或結(jié)構(gòu)的優(yōu)化中。然而，鈣鈦礦太陽能電池的發(fā)展體系仍不完備，許多理論仍有待總結(jié)。其中，各層的厚度優(yōu)化就是一個非常值得研究的課題。目前，在該課題中的研究成果仍主要來自實驗研究，而對其進行的計算研究仍然缺乏。本文從自由載流子的角度出發(fā)，研究鈣鈦礦太陽能電池的厚度組合。利用有效載流子最大值
人工晶體學(xué)報 2019年7期2019-08-23
- 光子重吸收對硅片的光載流子輻射特性影響的理論研究*
10021）光載流子輻射技術(shù)已廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體材料性能的表征,本文基于一種包含光子重吸收效應(yīng)的光載流子輻射理論模型,對單晶硅中光子重吸收效應(yīng)對光載流子輻射信號的影響進行了詳細(xì)的理論分析.分析結(jié)果表明,光子重吸收效應(yīng)對光載流子輻射信號的影響主要取決于樣品摻雜濃度、過剩載流子濃度和過剩載流子的分布.由于過剩載流子濃度及其分布與材料電子輸運特性密切相關(guān),電子輸運參數(shù)的變化將導(dǎo)致光子重吸收效應(yīng)的影響隨之變化.進一步分析了光子重吸收效應(yīng)對具有不同電子輸運特性的樣品的
物理學(xué)報 2019年4期2019-03-16
- 雙波長自由載流子吸收技術(shù)測量半導(dǎo)體載流子體壽命和表面復(fù)合速率?
采用雙波長自由載流子吸收技術(shù)同時測量半導(dǎo)體材料載流子體壽命和前表面復(fù)合速率的方法.通過數(shù)值模擬,定性分析了不同載流子體壽命和前表面復(fù)合速率對信號的影響,同時對測量參數(shù)的可接受范圍和不確定度進行計算并與傳統(tǒng)頻率掃描自由載流子吸收方法測量結(jié)果進行比較.結(jié)果表明:提出的雙波長自由載流子吸收方法可明顯減小載流子體壽命和前表面復(fù)合速率的測量不確定度,提高參數(shù)測量精度;表面雜質(zhì)和缺陷越多的樣品,其前表面復(fù)合速率測量不確定度越小.進一步分析表明,此現(xiàn)象與不同波長激光抽運
物理學(xué)報 2018年21期2018-12-02
- Bi/TiO2復(fù)合催化劑制備及其用于降解羅丹明B研究
于TiO2光生載流子利用率較低，絕大多數(shù)載流子在參與光催化反應(yīng)之前便已經(jīng)發(fā)生了復(fù)合[2]。因此，為了提高TiO2的載流子利用率，本文采用光沉積法，在TiO2納米片表面沉積Bi金屬顆粒，通過調(diào)節(jié)沉積時間來優(yōu)化Bi/TiO2的催化活性，使其達到最優(yōu)催化效果。采用羅丹明B模擬有機污染物，對所得樣品光催化活性進行測試，實驗結(jié)果表明：當(dāng)沉積時間為1h時，樣品TiO2-1H活性最好，此時TiO2表面Bi顆粒大小為6 nm，根據(jù)Langmuir-Hinshelwood公
四川化工 2018年3期2018-08-29
- 酞菁銅I睼特性研究
取決于酞菁銅內(nèi)載流子遷移率的大小。本文詳細(xì)介紹了酞菁銅薄膜熱蒸發(fā)工藝，制作了ITO/CuPc/金屬結(jié)構(gòu)，測試了其電流-電壓特性，并分析了在不同薄膜面積下其導(dǎo)電能力的變化。關(guān)鍵詞：酞菁銅；薄膜；載流子；遷移率；熱蒸發(fā)1 概述酞菁銅是一種常見的化學(xué)染料，其結(jié)構(gòu)與血紅素、葉綠素等生物的基本結(jié)構(gòu)具有相似之處，在顏料、染料和油墨等工業(yè)中占有重要地位。由于酞菁銅分子具有大的共軛體系使其不僅具有優(yōu)異的化學(xué)穩(wěn)定性、熱穩(wěn)定性、難燃性以及耐光、耐輻射性能，而且還具有導(dǎo)電性、光
科技風(fēng) 2018年9期2018-05-14
- 太赫茲輻射場下的石墨烯光生載流子和光子發(fā)射?
，從而產(chǎn)生光生載流子,可以有效地提高光生載流子的壽命,并實現(xiàn)快速的光響應(yīng).這種基于石墨烯的探測器具有83 A/W的高響應(yīng)率,以及600 ns的超快響應(yīng)速度[15].西班牙的研究人員首次實現(xiàn)了互補金屬氧化物半導(dǎo)體集成電路與石墨烯的單片集成,生產(chǎn)了基于石墨烯和量子點的數(shù)十萬光電探測器組成的高分辨率圖像傳感器[16].韓國的研究人員第一次將石墨烯制成的電極成功集成在有機發(fā)光二極管面板襯底上,這種只有5 nm厚的石墨烯結(jié)構(gòu)具有高度的靈活性、抗損傷性和高性能的特點.
物理學(xué)報 2018年2期2018-03-18
- 有機光電材料載流子遷移率的研究方法與技術(shù)
及到電子、空穴載流子的產(chǎn)生、傳輸及復(fù)合等一系列物理過程。對于OLED，要保證發(fā)光層中電子、空穴的有效復(fù)合， 必須滿足器件層間的能帶匹配、厚度匹配和載流子遷移率匹配等；對于OPV，載流子遷移率影響著器件的光電轉(zhuǎn)換效率。因此對有機光電材料中載流子遷移率的研究與測量是有機光電器件研究中的重要內(nèi)容[1-2]，對提高有機發(fā)光器件的效率具有重要意義。在無機半導(dǎo)體中載流子的遷移率相對較高，可以采用霍爾效應(yīng)法，但這一方法不適合遷移率較低的有機半導(dǎo)體材料，所以有機半導(dǎo)體材料
實驗技術(shù)與管理 2018年1期2018-01-30
- 總劑量輻照與熱載流子協(xié)同效應(yīng)特性分析★
時，也會由于熱載流子效應(yīng)的影響而使得器件的壽命降低。在進行地面模擬試驗時，一般采用單機理的試驗?zāi)M方式，但空間總劑量輻照效應(yīng)對器件熱載流子效應(yīng)甚至其使用壽命的影響究竟如何，國內(nèi)外卻研究得較少。本文針對特征尺寸為0.35 μm的NMOS器件，研究總劑量輻照效應(yīng)對NMOS器件熱載流子測試的影響，結(jié)果發(fā)現(xiàn)：在經(jīng)過總劑量輻照后進行熱載流子測試，閾值電壓隨著總劑量的增大而減小，隨著熱載流子測試時間的增大而增大，并且變化值遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過未經(jīng)過總劑量輻照的器件。1 試驗結(jié)果試
電子產(chǎn)品可靠性與環(huán)境試驗 2017年6期2018-01-13
- 8-羥基喹啉鋁本征薄膜的制備與性質(zhì)研究
8-羥基喹啉鋁載流子輸運動力學(xué)信息，在恒溫條件下制備了8-羥基喹啉鋁薄膜，采用X射線衍射分析方法對薄膜的性質(zhì)進行了分析，采用渡越時間方法對影響其載流子遷移率的實驗條件進行了理論分析和實驗驗證。結(jié)果表明，在308K～338K溫度范圍內(nèi)，8-羥基喹啉鋁的載流子輸運規(guī)律符合淺陷阱模型;取樣電阻小于15kΩ及光脈沖能量低于3.5μJ時，載流子渡越時間保持恒定，測試結(jié)果可靠。這一結(jié)果對有機太陽能電池的制備是有幫助的。光電子學(xué)；輸運動力學(xué)；渡越時間方法；遷移率引 言隨
激光技術(shù) 2018年1期2018-01-02
- 低溫生長砷化鎵的超快光抽運-太赫茲探測光譜?
aAs)中光生載流子的超快動力學(xué)過程.光激發(fā)LT-GaAs薄層電導(dǎo)率峰值隨抽運光強增加而增加,最后達到飽和,其飽和功率為54μJ/cm2.當(dāng)載流子濃度增大時,電子間的庫侖相互作用將部分屏蔽缺陷對電子的俘獲概率,從而導(dǎo)致LT-GaAs的快速載流子俘獲時間隨抽運光強增加而變長.光激發(fā)薄層電導(dǎo)率的色散關(guān)系可以用Cole-Cole Drude模型很好地擬合,結(jié)果表明LT-GaAs內(nèi)部載流子的散射時間隨抽運光強增加和延遲時間(產(chǎn)生光和抽運光)變長而增加,主要來源于電
物理學(xué)報 2017年8期2017-08-12
- 基于有限元方法的有機薄膜晶體管性能分析
件的電位分布和載流子密度分布趨勢與實驗得到的特性基本一致,尤其是夾斷現(xiàn)象的產(chǎn)生,與實際情況基本吻合。有機薄膜晶體管(OTFT); 有限元法;載流子密度; 器件模擬有機薄膜晶體管由于在電子標(biāo)簽、射頻識別卡和平板顯示的驅(qū)動電路等中的潛在應(yīng)用而獲得了廣泛的關(guān)注[1-2]。特別是對一些基礎(chǔ)而關(guān)鍵問題的研究,例如,有機和無機材料的接觸處能級的排列、不同基底沉積出的有機薄膜的分子排列以及在同一基底上不同沉積條件對有機薄膜分子排列的影響等取得了一定的進展[3-6]。近年
沈陽師范大學(xué)學(xué)報(自然科學(xué)版) 2017年2期2017-06-07
- 載流子選擇性接觸:高效硅太陽電池的選擇?
處的復(fù)合損失.載流子選擇性接觸被看成是接近硅太陽電池理論效率極限的最后障礙之一[4],這種接觸可以實現(xiàn)低少子復(fù)合和有效多子輸運.這里少子指的是接觸處的少子,不是要收集的載流子,不是體材料中的少子;多子指的是需要收集的載流子,多子收集損失僅限于歐姆損失,即多子接觸電阻必須很低[5].圖1是硅太陽電池載流子選擇性接觸物理模型示意圖,其中EFn和EFp分別為電子和空穴的準(zhǔn)費米能級,準(zhǔn)費米能級分裂即(EFn-EFp)決定了硅太陽電池能夠獲得的隱含開路電壓(iVoc
物理學(xué)報 2017年15期2017-04-26
- 抗輻射0.18 μm NMOS器件熱載流子效應(yīng)研究
NMOS器件熱載流子效應(yīng)研究謝儒彬，張慶東，紀(jì)旭明，吳建偉，洪根深（中國電子科技集團公司第58研究所，江蘇無錫 214072）基于0.18 μm CMOS工藝開發(fā)了抗總劑量輻射加固技術(shù)，制備的1.8 V NMOS器件常態(tài)性能良好，器件在500 krad(Si)劑量點時，閾值電壓與關(guān)態(tài)漏電流無明顯變化。研究器件的熱載流子效應(yīng)，采用體電流Isub/漏電流Id模型評估器件的HCI壽命，壽命達到5.75年，滿足在1.1 Vdd電壓下工作壽命大于0.2年的規(guī)范要求。
電子與封裝 2017年4期2017-04-24
- Influence of Carrier Distribution on The Frequency Behavior for GaN-based LEDs
033303)載流子分布對GaN基LED頻率特性的影響吳春暉1,2, 朱石超1*, 付丙磊1,3， 劉 磊1， 趙麗霞1， 王軍喜1， 陳宏達2(1. 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 半導(dǎo)體照明研發(fā)中心， 北京 100083；2. 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 集成光電子學(xué)國家重點實驗室， 北京 100083；3. 中電科電子裝備集團有限公司， 北京 100070)分別在直流偏置和交流偏置下，對大功率GaN基LED的電學(xué)和光學(xué)特性進行了研究。結(jié)果顯示，通過改變靠近p型層
發(fā)光學(xué)報 2017年3期2017-04-15
- 二維平面異質(zhì)結(jié)構(gòu)實現(xiàn)光生載流子快速分離和傳輸
質(zhì)結(jié)構(gòu)實現(xiàn)光生載流子快速分離和傳輸吳凱(北京大學(xué)化學(xué)與分子工程學(xué)院，北京100871)隨著全球經(jīng)濟和技術(shù)的快速發(fā)展，傳統(tǒng)的化石能源的過度消耗引起了嚴(yán)重的環(huán)境污染和能源短缺等世界性問題，開發(fā)新型能源技術(shù)已成為當(dāng)前人類發(fā)展所面臨的重要目標(biāo)1。利用光催化水分解把太陽能轉(zhuǎn)變?yōu)闅淠艿姆绞奖黄毡檎J(rèn)為是解決人類未來能源的有效途徑之一，這亟需高效、穩(wěn)定和廉價的太陽能水分解制氫催化劑材料。然而，在體相材料的光催化水分解過程中，長的遷移距離、緩慢的遷移速率使得大量光生電子-空
物理化學(xué)學(xué)報 2017年3期2017-03-11
- InGaN/GaN 多量子阱LED載流子泄漏與溫度關(guān)系研究
多量子阱LED載流子泄漏與溫度關(guān)系研究劉詩濤1,2,3， 王 立1,2,3*， 伍菲菲1,2,3， 楊 祺1,2,3， 何沅丹1,2,3， 張建立1,2,3， 全知覺1,2,3， 黃海賓1,2,3 (1. 南昌大學(xué) 材料科學(xué)與工程學(xué)院， 江西 南昌 330031； 2. 南昌大學(xué) 國家硅基LED工程技術(shù)研究中心， 江西 南昌 330047； 3. 南昌大學(xué) 光伏研究院， 江西 南昌 330031)通過測量光電流，直接觀察了InGaN/GaN量子阱中載流子的
發(fā)光學(xué)報 2017年1期2017-02-15
- 基于載流子抽取模型的Trench Gate/Field-stop IGBT驅(qū)動器有源箝位功能分析
0027）基于載流子抽取模型的Trench Gate/Field-stop IGBT驅(qū)動器有源箝位功能分析陳玉香，羅皓澤，李武華，何湘寧（浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院，杭州310027）針對Trench gate/Field-stop IGBT結(jié)構(gòu)特有的關(guān)斷過程中集電極電流下降率不可控問題，引入了載流子抽取模型來模擬器件關(guān)斷過程中的集電極電流下降階段器件內(nèi)部載流子的動態(tài)行為特性，并以此為基礎(chǔ)分析了驅(qū)動器為適應(yīng)Trench gate/Field-Stop IGBT結(jié)
電源學(xué)報 2016年6期2016-12-19
- CH3NH3PbI3薄膜的光致發(fā)光增強效應(yīng)
增強效應(yīng)及其對載流子復(fù)合動力學(xué)的影響.實驗結(jié)果表明，增加光浴功率密度有助于提高薄膜的光致發(fā)光增強速率，O2環(huán)境有利于薄膜的光致發(fā)光增強.CH3NH3PbI3薄膜光浴處理引入的光致發(fā)光增強效應(yīng)源于薄膜內(nèi)缺陷態(tài)濃度降低.同時利用微波吸收介電譜技術(shù)，表征了CH3NH3PbI3薄膜光浴前后，自由載流子和淺能級束縛載流子的復(fù)合動力學(xué).發(fā)現(xiàn)光浴后，薄膜的自由載流子和淺能級束縛載流子濃度明顯提高.CH3NH3PbI3；光致發(fā)光增強；缺陷；載流子復(fù)合動力學(xué)有機金屬鹵化物鈣
河北大學(xué)學(xué)報（自然科學(xué)版） 2016年5期2016-12-15
- 缺陷周圍載流子分布的時域GUI演示
70）缺陷周圍載流子分布的時域GUI演示陳鳳翔，許偉康，汪禮勝（武漢理工大學(xué)理學(xué)院物理科學(xué)與技術(shù)系，湖北武漢 430070）半導(dǎo)體材料中的微量缺陷能夠在很大程度上影響其光電特性，不同類型的缺陷造成的影響也不一樣.本文以數(shù)學(xué)物理方法中的差分解法為基礎(chǔ)，對半導(dǎo)體物理中的連續(xù)性方程進行離散處理，同時借助Matlab中的GUI界面作為演示工具，分別展示了局域光照和均勻全域光照下，點缺陷、線缺陷對半導(dǎo)體中非平衡載流子空間分布的影響.通過相關(guān)參數(shù)的選擇設(shè)置及物理圖像的
大學(xué)物理 2016年9期2016-10-18
- 半絕緣GaAs半導(dǎo)體開關(guān)的傳輸特性研究
光注入方式產(chǎn)生載流子，而對材料的電阻率控制來實現(xiàn)器件功能的。其工作原理是利用半導(dǎo)體的本征耐壓特性或pn結(jié)反向耐壓特性，使半導(dǎo)體開關(guān)能夠承受高電壓，然后以光注入或電注入的觸發(fā)方式，在極短的時間內(nèi)產(chǎn)生大量的非平衡載流子，致使開關(guān)得以導(dǎo)通。這種光電導(dǎo)開關(guān)具有可靠性高、使用壽命長、工作頻率高等優(yōu)點，具有傳統(tǒng)高功率脈沖器件不具備的優(yōu)良性能，廣泛地應(yīng)用于高功率微波、超快電子學(xué)等領(lǐng)域，在產(chǎn)生高功率脈沖領(lǐng)域有很大發(fā)展?jié)摿1]。迄今為止，GaAs仍是制作光導(dǎo)開關(guān)的主流材料
渭南師范學(xué)院學(xué)報 2016年12期2016-09-23
- p-n結(jié)結(jié)深對臺面型InSb光伏型探測器性能的影響
區(qū)產(chǎn)生的光生載流子向材料內(nèi)部進行擴散，到達p-n 結(jié)界面，由于空間電場的存在，電子被pn 結(jié)勢壘阻擋，大部分駐留在n 區(qū)，空穴則加速到p 區(qū)?；谏鲜鑫锢憩F(xiàn)象，在半導(dǎo)體光電作用的分析中，需要求解載流子的輸運方程，包括泊松方程和電子、空穴的連續(xù)方程［1，8－9，12］。仿真中采用載流子的傳輸方程為漂移－擴散傳輸方程。電子和空穴的電流密度:式中:Jn和Jp分別為電子和空穴電流密度;n 和p分別為電子和空穴濃度;μn和μp分別為電子和空穴的遷移率;Dn和Dp分
航空兵器 2015年5期2015-11-15
- InSb光電導(dǎo)太赫茲源材料性質(zhì)及輻射場研究
度的光電導(dǎo)材料載流子遷移率及光電導(dǎo)材料的表面瞬態(tài)電流等因素。當(dāng)使用不同性質(zhì)飛秒激光脈沖時，產(chǎn)生的THz波電場強度也會不同。本文中重點分析銻化銦(InSb)光電導(dǎo)材料載流子遷移率、光電導(dǎo)材料表面瞬態(tài)電流，探討不同性質(zhì)抽運激光器對產(chǎn)生的太赫茲近場強度的影響，并比較了基于InSb和GaAs材料的THz波功率譜。1 光電導(dǎo)輻射太赫茲波原理光電導(dǎo)天線是目前產(chǎn)生和探測太赫茲波最常用的方法之一。它是利用光子能量大于半導(dǎo)體材料禁帶寬度的超短脈沖激光抽運半導(dǎo)體材料，使材料內(nèi)
激光技術(shù) 2015年4期2015-03-18
- Tips－PEN薄膜載流子遷移率的穩(wěn)態(tài)SCLC與阻抗譜法測量的研究
的新材料合成和載流子傳輸層對發(fā)光效率的影響等方面也進行了深入的研究［1－2］。溶液法制備有機半導(dǎo)體薄膜具有價格低廉、適用于大面積柔性襯底等優(yōu)點，是最有希望的有機電子器件工藝之一。然而，溶液法制備的有機半導(dǎo)體薄膜是無序結(jié)構(gòu)，荷電載流子在分子或聚合物鏈的局域態(tài)中跳躍傳輸，導(dǎo)致了載流子遷移率強烈的依賴溫度、電場強度和載流子濃度，這種依賴性主要取決于材料的態(tài)密度分布［3－4］。遷移率是研究材料中荷電載流子輸運過程以及器件電學(xué)特性等重要的輸運參數(shù)。目前，各種方法已用
液晶與顯示 2014年6期2014-11-09
- 固態(tài)等離子體S-PIN二極管仿真設(shè)計*
究固態(tài)等離子體載流子濃度、載流子遷移率等參數(shù)性質(zhì)，計算出二極管導(dǎo)通狀態(tài)下的電導(dǎo)率。對二極管結(jié)構(gòu)進行優(yōu)化設(shè)計，使二極管導(dǎo)通情況下載流子濃度能夠達到1018cm-3，導(dǎo)電性能類似金屬。這種高密度載流子聚集的現(xiàn)象被稱為固態(tài)等離子體現(xiàn)象。仿真設(shè)計并排級聯(lián)的S-PIN二極管陣列，得到類似金屬導(dǎo)電性的連續(xù)固態(tài)等離子體區(qū)域，能夠取代金屬材料制備射頻微波天線。固態(tài)等離子體天線;S-PIN二極管;可重構(gòu)天線;電信號控制隨著信息技術(shù)的飛速發(fā)展及其在軍事領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用，電子偵察
電子器件 2014年2期2014-09-26
- Novel lateral insulated gate bipolar transistor on SOI substrate for optimizing hot-carrier degradation
一種新型優(yōu)化熱載流子退化效應(yīng)的SOI-LIGBT黃婷婷 劉斯揚 孫偉鋒 張春偉(東南大學(xué)國家ASIC系統(tǒng)工程技術(shù)研究中心, 南京 210096)提出了一種新型絕緣體上硅橫向絕緣柵雙極型晶體管(SOI-LIGBT),該晶體管在溝道下方的P型體區(qū)旁增加了一個特殊的低摻雜P型阱區(qū),在不增加額外工藝的基礎(chǔ)上減小了器件線性區(qū)電流的退化．分析了低摻雜P阱的寬度和深度對SOI-LIGBT器件熱載流子可靠性的影響．通過增加低摻雜P型阱區(qū)的寬度,可以減小器件的縱向電場峰值和
Journal of Southeast University(English Edition) 2014年1期2014-09-06
- 矩形激光脈沖輻照下半導(dǎo)體溫度場理論研究
模型中沒有考慮載流子表面復(fù)合速率的影響，且1維模型不能很好地和實驗條件相符合。此外，以往關(guān)于階躍光激勵光熱技術(shù)的理論研究均局限于溫度瞬態(tài)分布的上升沿部分，對下降沿的情況沒有進行討論。本文中根據(jù)半導(dǎo)體的光電效應(yīng)和熱傳導(dǎo)規(guī)律建立了矩形激光脈沖輻照下半導(dǎo)體材料的3維理論模型，明確地給出了等離子體波和溫度分布隨時間變化的具體解析形式。通過數(shù)值模擬研究了矩形激光脈沖輻照下半導(dǎo)體內(nèi)光生載流子濃度和溫度的變化規(guī)律，對不同半導(dǎo)體參量如光生載流子復(fù)合速度、光生載流子壽命以及
激光技術(shù) 2014年4期2014-07-13
- 寬度和長度縮減對體硅和SOI n MOSFETs熱載流子效應(yīng)的影響＊
0）1 引言熱載流子效應(yīng)HCE（Hot Carrier Effect）是n MOSFETs退化的一個重要原因［1］。隨著器件尺寸的不斷縮小，器件內(nèi)部的溝道場強和氧化層場強增加，使得熱載流子效應(yīng)增強［2，3］；而現(xiàn)在工藝廣泛采用STI隔離技術(shù)，這種STI結(jié)構(gòu)的短寬度器件的熱載流子效應(yīng)將會更加嚴(yán)重［4］。在深亞微米工藝下，熱載流子效應(yīng)導(dǎo)致的退化越來越引起學(xué)者們的關(guān)注。幾十年來，人們對熱載流子效應(yīng)產(chǎn)生機理的爭議主要體現(xiàn)在以下兩個方面：一是電子和空穴的作用。最開始
計算機工程與科學(xué) 2014年5期2014-03-23
- 離子輻照缺陷對太赫茲波發(fā)射性能的影響
m)以及很好的載流子遷移率(100?300 cm2·V?1·s?1)[3]，能夠用于制備優(yōu)良的太赫茲波發(fā)射源。然而，由于低溫生長的砷化鎵的性質(zhì)非常敏感地依賴于其生長溫度以及退火條件，因而在工業(yè)生產(chǎn)中不易有效地控制產(chǎn)品的質(zhì)量?？紤]到離子輻照技術(shù)能夠通過調(diào)控輻照離子的種類、能量以及劑量來調(diào)控材料微觀結(jié)構(gòu)和宏觀性能，人們開始嘗試通過離子輻照技術(shù)來制備太赫茲波發(fā)射所需要的光電導(dǎo)材料[4?7]。已有的研究結(jié)果表明，輻照法制備的光電導(dǎo)材料能夠具有和低溫生長的砷化鎵幾乎
核技術(shù) 2014年4期2014-03-22
- 形狀參數(shù)對霍爾效應(yīng)性能影響的理論研究
率;μ為元件中載流子遷移率)，由此可知金屬導(dǎo)體和絕緣體的霍爾效應(yīng)很弱，半導(dǎo)體的較為明顯[2-3]。另外,霍爾元件的形狀參數(shù)對霍爾效應(yīng)也有較大影響，但目前對形狀參數(shù)的研究多側(cè)重于實驗，理論分析和研究很少[4-5]。本文從理論角度,并盡可能簡單地闡述該因素對霍爾效應(yīng)的影響機理。1 霍爾效應(yīng)產(chǎn)生原理置于磁場中的載流導(dǎo)體，當(dāng)它的電流方向與磁場方向不一致時，載流導(dǎo)體上與電流方向和磁場方向所在平面的平行的兩個表面之間會產(chǎn)生電動勢，這種現(xiàn)象就稱為霍爾效應(yīng)，產(chǎn)生的電動勢稱
實驗室研究與探索 2014年12期2014-02-09
- 全無機膠體量子點太陽能電池中少數(shù)載流子壽命測量*
小調(diào)制，較高的載流子遷移率，能夠與有機共軛聚合物混合等特性使其在光伏器件的制備中有著極具潛力的應(yīng)用價值［1］。近年來，基于膠體量子點等納米材料的太陽能電池已成為廣泛研究的熱點［1-3］。雖然目前，量子點太陽能電池的效率還比較低，但是由于量子點具有可溶液處理、可作為量子點敏化分子以及窄帶隙的 PbSe［4-5］、PbS［5］等量子點可產(chǎn)生“多激子”的特性，勢必會在未來得到更廣泛的應(yīng)用。開路電壓衰減法被廣泛的用來測量器件中少數(shù)載流子的壽命［6-7，13］。特別
電子器件 2012年3期2012-12-28
- P型4H-SiC少數(shù)載流子壽命的研究
1-2]。少數(shù)載流子壽命是半導(dǎo)體材料和半導(dǎo)體器件的一個重要參數(shù)，直接反映了材料的質(zhì)量以及器件的特性是否符合要求。對于主要是依靠少數(shù)載流子輸運（擴散為主）來工作的雙極型半導(dǎo)體器件，為了保證少數(shù)載流子在基區(qū)的復(fù)合盡量少（以獲得較大的電流放大系數(shù)），要求基區(qū)的少數(shù)載流子壽命越長越好。而對IGBT開關(guān)器件，則壽命減少的直接效果使器件拖尾延遲變小，開關(guān)速度提高。目前國內(nèi)對碳化硅材料和器件的研究正處于起步階段，因此，研究4H-SiC的少數(shù)載流子壽命，是評價其晶體質(zhì)量的
中國測試 2012年1期2012-11-15
- N－LDMOSFET的摻雜分布與熱載流子效應(yīng)
FET溝道中的載流子在強電場的作用下將獲得額外的高能量，這種具有很高能量的載流子稱為“熱載流子”。載流子通過聲子發(fā)射越過Si／SiO2界面勢壘進入SiO2氧化層，在界面處產(chǎn)生了界面陷阱，在氧化層中產(chǎn)生了氧化層陷阱，從而使得器件的許多電性參數(shù)退化，如閾值電壓漂移，導(dǎo)通電阻漂移等，這就是熱載流子效應(yīng)［1］。熱載流子效應(yīng)是影響LDMOSFET可靠性的重要因素，LDMOSFET熱載流子效應(yīng)的程度受器件LDD區(qū)雜質(zhì)分布、溝道區(qū)雜質(zhì)分布、LDD區(qū)結(jié)構(gòu)、場板結(jié)構(gòu)、氧化工
- 微波反射光電導(dǎo)衰減法測少子壽命演示實驗
出平衡態(tài)的過剩載流子．這些比熱平衡狀態(tài)多出來的過剩載流子就是非平衡載流子．相對于非平衡多數(shù)載流子，非平衡少數(shù)載流子對半導(dǎo)體器件的影響處于主導(dǎo)、決定的地位，所以在一般情況下所討論的非平衡載流子是指非平衡少子．非平衡載流子產(chǎn)生后，通過復(fù)合作用而消失，每個非平衡載流子從產(chǎn)生到復(fù)合，都有一定的生存時間，但各不相同，所有非平衡載流子的平均生存時間稱為非平衡載流子壽命，又稱少子壽命［1］．少子壽命是半導(dǎo)體電流連續(xù)方程的基本參量之一，對半導(dǎo)體器件特性的精確描述起著重要作
物理實驗 2012年3期2012-01-26
- 數(shù)學(xué)物理方法在半導(dǎo)體PN結(jié)分析中的應(yīng)用
導(dǎo)體 PN結(jié);載流子擴散電流;電荷的連續(xù)方程1 前言數(shù)學(xué)物理方法:將數(shù)學(xué)思想方法應(yīng)用于現(xiàn)代高科技各專業(yè)技術(shù)領(lǐng)域,并構(gòu)建成典型的(物理)模型和解決問題的方法,從而形成科學(xué)研究中實用性很強的數(shù)學(xué)物理方法.半導(dǎo)體PN結(jié)的模型:在純凈的硅晶體內(nèi)摻入特定雜質(zhì)形成雜質(zhì)半導(dǎo)體,例如摻入雜質(zhì)磷元素形成電子型半導(dǎo)體,摻入雜質(zhì)硼元素形成空穴型半導(dǎo)體.在電子型半導(dǎo)體和空穴型半導(dǎo)體的交界面附近由于電子和空穴的擴散運動而相遇中和,不能移動的雜質(zhì)離子形成的空間電荷區(qū),成為半導(dǎo)體PN結(jié)
物理與工程 2010年2期2010-09-06
- VB-GaAs單晶中摻Si濃度的控制
致沿軸向的有效載流子濃度分布不均勻，形成了頭部高、尾部低的非均勻性分布[2]。在GaAs中重?fù)诫sSi除了上述作用外，還有兩個主要目的：一是根據(jù)器件的要求，用于制作歐姆接觸，減少體電阻；二是根據(jù)雜質(zhì)硬化效應(yīng)(Impurity hardening)，提高GaAs材料生成位錯的臨界應(yīng)力，降低材料中的位錯密度，提高晶體完整性。我們知道，在GaAs熔體中Si的摻雜劑量與載流子濃度之間的理論關(guān)系式可表示為：式中：WSi—摻雜元素Si的質(zhì)量；n—所要求的GaAs材料的載
電子工業(yè)專用設(shè)備 2010年11期2010-03-23