拋光液
- 鈦鎳合金絲材電解拋光工藝的研究①
。 目前常用的拋光液體系為酸-醇體系［1-3］，如硝酸-正丁醇［4］、硫酸-甲醇［5］等，該體系拋光效率高、效果好，但腐蝕性強、危險系數(shù)高，在基礎(chǔ)拋光液中加入如氟化銨［6］、檸檬酸［7］、乳酸［8］、三乙醇胺［9］等添加劑能進一步優(yōu)化拋光效果。針對鈦鎳絲材粗糙表面引起的腐蝕、溶血問題，本文以酸-醇拋光液為基礎(chǔ)拋光液、有機酸和醇為添加劑，研究拋光液成分對鈦鎳合金絲材拋光效果的影響，以獲得適宜的拋光液成分，提高鈦鎳絲材的表面質(zhì)量、抗腐蝕性和生物相容性。1 實驗
礦冶工程 2023年6期2024-01-20
- 4-羥基苯甲酸對DSTI 化學(xué)機械拋光SiO2/Si3N4 去除選擇性的影響
P 過程中要求拋光液對SiO2和Si3N4具有較高的去除選擇性，以保證將溝槽外的HDP-SiO2層徹底去除，Si3N4層則被保留下來[5-7]。如圖1 所示，傳統(tǒng)STI CMP 工藝需要通過刻蝕將大塊有源區(qū)去除，操作工序復(fù)雜，并且容易導(dǎo)致嚴(yán)重的碟形化現(xiàn)象。此外，傳統(tǒng)STI 采用SiO2基研磨液，對SiO2/Si3N4的去除速率選擇比(下文用N 表示)較低，直接淺溝槽隔離(DSTI)CMP 則采用CeO2基研磨液，具有較高的SiO2/Si3N4去除速率選擇比
電鍍與涂飾 2023年13期2023-08-05
- 指向“變化觀念”的元素化合物教學(xué)
念； 硝酸； 拋光液； 實驗探究文章編號： 1005-6629（2023）02-0049-06? ??中圖分類號： G633.8? ??文獻標(biāo)識碼： B 化學(xué)乃變化之學(xué)，通過化學(xué)變化創(chuàng)造物質(zhì)是化學(xué)學(xué)科的核心及價值所在，故而“變化觀念”成為高中化學(xué)學(xué)科核心素養(yǎng)的主要內(nèi)容之一。2020年秋投入使用的蘇教版高中化學(xué)教材（以下稱“新教材”）在編排順序、內(nèi)容選擇和呈現(xiàn)方式等方面做了較大的調(diào)整，如何整合新教材內(nèi)容，合理培育“變化觀念”是我們需要面對并要解決的問題之一。
化學(xué)教學(xué) 2023年2期2023-03-08
- 工藝參數(shù)對GLSI銅互連阻擋層CMP拋光效果的影響
)銅CMP用的拋光液成分復(fù)雜，并且含有毒緩蝕劑苯并三氮唑(BTA)及其衍生物，給CMP后的清洗帶來困難，也容易造成環(huán)境污染[10]。此外，現(xiàn)有拋光液還含有易分解變質(zhì)的氧化劑H2O2等。因此開發(fā)組分簡單、穩(wěn)定、對環(huán)境污染小的拋光液及配套工藝極其重要?；谏鲜霰尘埃菊n題組研發(fā)了無緩蝕劑、無氧化劑的弱堿性阻擋層拋光液。本文主要研究了磨料質(zhì)量分?jǐn)?shù)、拋光液體積流量、拋頭轉(zhuǎn)速和拋盤轉(zhuǎn)速對阻擋層材料和圖形片拋光效果的影響。1 實驗1.1 設(shè)備和材料采用華海清科股份有限
電鍍與涂飾 2023年1期2023-02-06
- 基于響應(yīng)面法的單晶硅CMP拋光工藝參數(shù)優(yōu)化＊
CMP過程中，拋光液中的組分能夠與晶片表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，提供主要的化學(xué)作用，而拋光工藝參數(shù)則決定了磨粒與晶片之間的機械作用，也是決定拋光效果的主要因素之一[8-9]。因此，要獲得好的拋光表面質(zhì)量和較高的材料去除率，需對拋光參數(shù)進行綜合控制[10]。而CMP機理復(fù)雜，拋光參數(shù)彼此間具有交互作用，獲得最佳工藝參數(shù)有很大的難度。莫益棟等[11]通過正交試驗對TFT-LCD玻璃基板精細霧化拋光的工藝進行優(yōu)化并獲得了最佳工藝參數(shù)。季軍等[12]采用四因素三水平的正交
金剛石與磨料磨具工程 2022年6期2023-01-28
- 不銹鋼振動輔助力流變拋光
，且所用的化學(xué)拋光液與環(huán)境親和度低。EP和ECMP需要復(fù)雜的加工裝置，且電流擾動對加工過程影響大。為進一步提高拋光質(zhì)量及效率，本課題組提出了剪切增稠拋光(shear-thickening polishing, STP)[7-8]。STP是一種基于非牛頓流體拋光液的剪切增稠特性的拋光方法，已在不同合金表面取得了較好應(yīng)用[9-12]。近年來，針對更加復(fù)雜的超精密拋光需求，課題組在STP的基礎(chǔ)上提出了力流變拋光(shear rheological polishi
哈爾濱工業(yè)大學(xué)學(xué)報 2023年1期2023-01-11
- 基于穩(wěn)定pH值的硅襯底晶圓拋光液成分優(yōu)化
值的硅襯底晶圓拋光液成分優(yōu)化許寧徽，李薇薇，錢佳，孫運乾（河北工業(yè)大學(xué) 電子信息工程學(xué)院，天津 300401）目的 探究不同配比方案配制pH值相同的拋光液對拋光去除速率、拋光液壽命和表面粗糙度的影響，優(yōu)化硅襯底晶圓拋光液，使其滿足半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展要求。方法 以二氧化硅水溶膠為磨料，通過設(shè)置有機堿、pH緩沖劑、pH穩(wěn)定劑的不同配比來調(diào)節(jié)和穩(wěn)定拋光液的初始pH值（11.0～12.0），在最佳工藝參數(shù)下循環(huán)使用拋光液對2英寸（1英寸≈2.54 cm）硅襯底晶圓進
表面技術(shù) 2022年12期2023-01-09
- 銅互連CMP工藝中緩蝕劑應(yīng)用的研究進展*
CMP過程中，拋光液起著至關(guān)重要的作用，其各個組分發(fā)揮的作用不同，各化學(xué)添加劑的選擇以及含量的變化都會極大地影響拋光效果。而拋光液中的緩蝕劑可以通過螯合成鍵、沉積保護、物理或化學(xué)等吸附方式，降低銅表面凹處的化學(xué)腐蝕與溶解，在凹凸區(qū)域形成去除速率差，進而實現(xiàn)銅互連的納米級平坦化[8]。為了滿足集成電路技術(shù)節(jié)點不斷降低對拋后表面質(zhì)量越來越高的要求，國內(nèi)外科研人員對緩蝕劑的選擇及其機制進行了大量的研究。本文作者首先介紹了銅互連CMP中緩蝕劑的作用機制，并闡述和歸
潤滑與密封 2022年12期2022-12-28
- 關(guān)于銅及銅合金化學(xué)拋光工藝的改進和提高探討
目前銅合金化學(xué)拋光液主要分為以下幾類：2.1 硝酸及硝酸鹽系列該系列拋光液是將硝酸與銅進行氧化、還原，以達到光亮、腐蝕的目的。其基本原理是：硝酸首先將銅氧化，然后讓一氧化銅與酸發(fā)生中和反應(yīng)。拋光液中的硝酸可作為緩蝕劑，硝酸可以在銅及銅合金的表面生成一層液膜，使銅和銅合金表面的凹陷部分快速溶解，使其達到光滑平整的效果。其它酸性物質(zhì)在拋光溶液中的作用是在加速溶解的同時增加表面亮度。為了解決“三酸”在拋光中所產(chǎn)生的“黃煙”，采用了一種新型的硝酸鹽化學(xué)拋光溶液。在
科海故事博覽 2022年32期2022-12-18
- 不同表面活性劑對銅互連阻擋層CMP 一致性的影響
大小、拋光墊、拋光液成分以及拋光工藝等因素都會影響晶圓表面的一致性及去除速率,可以通過調(diào)整拋光液成分和拋光工藝進行控制[8-9]。作為拋光液必要組分之一的表面活性劑,在拋光液的分散性、顆粒的吸附、拋光后清洗及金屬離子污染等方面具有積極影響,因此合理利用表面活性劑可以提高晶圓表面的平坦化性能,提高傳遞速率[10-11]。李若津等[12]研究發(fā)現(xiàn),在堿性拋光液條件下,表面活性劑在控制材料去除速率和蝶形坑修正等方面起到積極作用。Xu 等[13]研究發(fā)現(xiàn)適當(dāng)濃度的
電子元件與材料 2022年10期2022-12-03
- 聚乙二醇對淺溝槽隔離中SiO2和Si3N4化學(xué)機械拋光速率選擇性的影響
采用CeO2基拋光液，相對于SiO2拋光液而言，其具有較高的SiO2拋光速率，以及較高的SiO2和Si3N4去除速率選擇比，但依舊難以滿足SiO2和Si3N4去除速率選擇比大于30∶1的要求[9-11]。所以需要在CeO2基拋光液中添加合適的添加劑，通過降低Si3N4的去除速率來實現(xiàn)高的選擇比[12]。Cho等人[13]研究了陰離子表面活性劑聚丙烯酸(PAA)對STI CMP過程中SiO2和Si3N4去除速率選擇比的影響，發(fā)現(xiàn)pH為6.5時隨著PAA分子量
電鍍與涂飾 2022年21期2022-11-25
- 鍺化學(xué)機械拋光工藝中綠色環(huán)保氧化劑的研究
光是在不斷噴淋拋光液下，對鍺晶片進行機械拋光。拋光過程中，鍺晶片的表面與拋光液中的氧化劑發(fā)生氧化反應(yīng)，生成可溶解的氧化物；同時，在機械研磨的作用下，通過拋光墊、晶片和磨料的相對運動，把鍺表面軟的腐蝕層去除掉，使表面的鍺材料在機械研磨作用下從基材上脫落，從而實現(xiàn)表面拋光的效果。當(dāng)化學(xué)腐蝕作用和機械研磨作用達到平衡時，鍺晶片表面呈現(xiàn)出表面粗糙度極低的光亮的鏡面。由于化合物電池需要在鍺單晶襯底上進行異質(zhì)結(jié)外延GaAs等材料，所以對鍺單晶拋光片的表面質(zhì)量和幾何精度
云南化工 2022年10期2022-11-05
- 精細霧化拋光TC4鈦合金拋光液優(yōu)化研究*
O2組成的簡單拋光液。ZHANG等[9]研發(fā)了由氧化硅、去離子水、過氧化氫和檸檬酸組成的環(huán)保型拋光液，探究了過氧化氫含量和pH值對TC4鈦合金CMP的影響，并利用電化學(xué)和X射線光電子能譜(XPS)研究了拋光機制。LIANG等[10]研究了TC4鈦合金CMP中材料去除率隨拋光壓力、轉(zhuǎn)盤轉(zhuǎn)速和過氧化氫含量變化規(guī)律，并建立了等效電路來解釋鈦合金表面的動態(tài)氧化特性。拋光液是影響CMP質(zhì)量的關(guān)鍵因素之一，其一般由磨料、氧化劑、絡(luò)合劑、pH調(diào)節(jié)劑和表面活性劑等組成，各
潤滑與密封 2022年10期2022-11-03
- 拋光工藝對晶片表面粗糙度的影響
光工藝參數(shù)，如拋光液粒度、拋光壓力、拋光液流量和工作臺轉(zhuǎn)速等，最終達到降低拋光后晶圓的表面粗糙度。1 硅片表面粗糙度的評定晶片表面粗糙度是指晶片表面具有的較小間距和微小峰谷不平度。它屬于微觀幾何形狀誤差，表面粗糙度越小，則表面越光滑；反之，則表面越粗糙。粗糙度輪廓的算術(shù)平均偏差Ra——在一個取樣長度內(nèi)縱坐標(biāo)Z(x)值絕對值的算術(shù)平均值，如圖1所示。圖1 輪廓的算術(shù)平均偏差其計算公式為：式(1)中：Z(x)為取樣長度內(nèi)的硅片基體表面結(jié)構(gòu)的輪廓曲線函數(shù)；Lr為
電子工業(yè)專用設(shè)備 2022年3期2022-09-09
- 5083鋁合金綠色化學(xué)機械拋光液對表面粗糙度的影響及機理分析
金綠色化學(xué)機械拋光液對表面粗糙度的影響及機理分析宋曉明1，張振宇1,2，劉杰2，李玉彪2，趙仕程1，徐光宏2（1.齊魯工業(yè)大學(xué) 機械工程學(xué)院，濟南 250353；2. 大連理工大學(xué)，遼寧 大連 116024）為提高5083鋁合金的表面質(zhì)量，研制一種環(huán)境友好型化學(xué)機械拋光液，并分析5083鋁合金化學(xué)機械拋光液對表面粗糙度的影響及作用機理。使用綠色環(huán)保的化學(xué)機械拋光液對5083鋁合金進行化學(xué)機械拋光。采用單因素控制變量法，分析不同的pH調(diào)節(jié)劑類型、pH值以及過
表面技術(shù) 2022年5期2022-05-28
- 磁流變拋光液制備過程中的氣泡動力學(xué)模型
024)磁流變拋光液是一種力學(xué)性能受磁場調(diào)控的固-液混合智能材料，具有綠色、環(huán)保和智能可控等優(yōu)點，成為磁流變拋光、磁射流拋光以及多物理場輔助液體助噴射拋光的關(guān)鍵介質(zhì)材料[1-2]。然而，磁流變拋光液制備時容易產(chǎn)生固相顆粒凝聚、結(jié)塊及沉降等現(xiàn)象[3]，必須輔助以顆粒分散工藝進行均質(zhì)。如何提升現(xiàn)有磁流變拋光液的制備理論及工藝已成為限制其發(fā)展的瓶頸問題。傳統(tǒng)的物理分散方法如機械葉片攪拌和球磨攪拌等，耗時長、精度低、可控制差，很難將固相顆粒均勻地分散于基液中[4]
太原理工大學(xué)學(xué)報 2022年3期2022-05-24
- 新型抑制劑對銅膜CMP 后碟形坑與蝕坑的影響
MP 過程中,拋光液的組分是獲得高質(zhì)量晶圓表面的決定性因素[5-8]。銅互連布線本身存在的凹凸結(jié)構(gòu)會導(dǎo)致CMP 后圖形片表面產(chǎn)生碟形坑、腐蝕坑等缺陷,如圖1 所示。這些缺陷會對產(chǎn)品良率造成極大的影響,因此如何解決這些缺陷至關(guān)重要,目前國際上通常采用在拋光液中加入抑制劑來解決這一難題[9-11]。苯并三氮唑(BTA) 是目前應(yīng)用最廣泛的抑制劑,在CMP 過程中,BTA 能夠與Cu 結(jié)合形成一種吸附膜附著在Cu 表面,使Cu 表面的腐蝕效果大幅減弱[12]。但
電子元件與材料 2022年12期2022-02-08
- 超聲波精細霧化拋光石英玻璃的拋光液研制*
不同工藝參數(shù)和拋光液組分對石英玻璃拋光的影響并分析了拋光過程中的材料去除機制。WAKAMATSU等[10]研究了拋光壓力和拋光液濃度對石英玻璃基片去除率和表面狀況的影響，并最終獲得了高表面質(zhì)量和高材料去除率的玻璃基片。但是這些傳統(tǒng)的拋光方式存在一定的弊端，其拋光液用量大，廢液處理成本高，回收后拋光液的拋光能力下降以及對環(huán)境污染嚴(yán)重等。超聲波精細霧化拋光已在國內(nèi)發(fā)展十余年，期間完成了陶瓷、硅片和藍寶石等材料的超精密加工[11-13]，其可在低拋光液用量下實現(xiàn)
潤滑與密封 2021年11期2022-01-17
- C面藍寶石拋光液組分優(yōu)化
，如何通過改變拋光液成分等參數(shù)來提升這兩個指標(biāo)，是研究者們共同關(guān)注的問題。近年來，國內(nèi)外學(xué)者對藍寶石拋光液進行了諸多研究。陳國美等[4]研究了兩性離子表面活性劑月桂酰胺基烷基甘氨酸(N-Lauroylsarcosine，NL)(上海國藥產(chǎn))在拋光液pH值為6～12時對A面藍寶石晶片CMP拋光效果的影響，當(dāng)拋光液pH值為12時，材料去除率達最大值2 202 nm/h，拋光表面的表面粗糙度為0.807 nm。崔雅琪等[5]研究了在拋光液中分別添加非離子表面活性
人工晶體學(xué)報 2021年12期2022-01-14
- 新型高硬度硅溶膠的制備及其在化學(xué)機械拋光中的應(yīng)用
械平坦化工藝中拋光液起重要作用[4-6]。拋光液中普遍采用納米SiO2水溶膠（簡稱硅溶膠）作為研磨料。張雷等[7]通過化學(xué)沉淀法對硅溶膠進行了鈰鋯改性，研究了不同鈰鋯摻雜量的CeO2/ZrO2硅溶膠復(fù)合磨料對藍寶石的拋光效果。王丹、Sideq Salleh 等[8-9]研究了球形和非球形硅溶膠的尺寸和形狀及其對藍寶石和鋁合金鍍鎳（Al-NiP）硬盤基板的拋光效果，發(fā)現(xiàn)非球形硅溶膠顯示出明顯更高的材料去除率。魏震等[10]介紹了硅烷偶聯(lián)劑KH550 在酸性條
表面技術(shù) 2021年11期2021-12-09
- 化學(xué)機械拋光技術(shù)研究現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢
，對拋光設(shè)備、拋光液、拋光墊的構(gòu)成及主要作用和研究現(xiàn)狀進行了綜述，對CMP技術(shù)未來的重點發(fā)展方向進行了展望．1 CMP系統(tǒng)組成和工作原理與傳統(tǒng)的純機械拋光和純化學(xué)拋光的工藝相比，CMP有效的結(jié)合了兩者的優(yōu)點，避免了由單純機械拋光造成的表面損傷及單純化學(xué)拋光造成的拋光速率低、表面平整度低和一致性差的缺點．CMP系統(tǒng)主要由拋光設(shè)備、拋光液和拋光墊三個部分組成，其工作原理如圖1所示．圖1 CMP工作原理示意圖Fig.1 The operating princip
材料研究與應(yīng)用 2021年4期2021-12-09
- AEO表面活性劑EO加成數(shù)對銅互連阻擋層拋光液的影響
活性劑用來降低拋光液的表面張力[11]。Zhang等[12]研究FA/O I型活性劑抑制Cu表面的化學(xué)反應(yīng)。Xu等[13-14]研究ADS和AEO可降低銅CMP中的WIWNU和表面粗糙度。Stoebe研究表面活性劑的親水性和鋪展性能會隨著EO基團的增加而變差[15]。本文研究了AEO不同EO數(shù)對拋光液潤濕性和分散性影響。1 實驗部分1.1 材料與儀器硅溶膠(納米SiO2，pH值約9，平均粒徑約為 61.3 nm)，湖北金偉新材料科技有限公司；AEO表面活性
應(yīng)用化工 2021年9期2021-10-18
- 檸檬酸鉀對銅、鈷和TEOS去除速率及選擇性的影響
.2 拋光實驗拋光液以5%的膠態(tài)二氧化硅作磨料，5 mL/L的過氧化氫，檸檬酸鉀作絡(luò)合劑，TT-LYK作抑制劑，拋光液的pH值調(diào)節(jié)劑選用了HNO3和KOH。采用E460拋光機進行拋光實驗；拋光機配備了Politex拋光墊。拋光工藝參數(shù)見表1。每次拋光前后，使用硬毛刷和去離子水對墊沖刷清洗300 s，每種材料的拋光時間均為1 min，拋光后用氮氣吹干。利用拋光前后晶圓片膜厚的差值計算其去除速率。表1 拋光工藝參數(shù)(1)其中，V為去除速率，h1指材料拋光前的厚
應(yīng)用化工 2021年9期2021-10-18
- 拋光液添加劑協(xié)同作用對銅互連阻擋層CMP 后碟形坑及蝕坑的影響
劑的堿性阻擋層拋光液中,非離子型表面活性劑脂肪醇聚氧乙烯醚(AEO)能夠有效控制碟形坑和蝕坑,提高晶圓表面的平坦化效果。在前人研究的基礎(chǔ)上,本文研究了促進劑檸檬酸鉀(CAK)和FA/O Ⅱ型絡(luò)合劑協(xié)同作用對材料去除速率、碟形坑和蝕坑修正的影響;對比四種不同濃度的磨料、絡(luò)合劑和檸檬酸鉀(CAK)拋光液的材料去除速率,提出了其協(xié)同作用的機理,對降低碟形坑和蝕坑缺陷,提高CMP 后平整度具有重要意義。1 實驗1.1 材料實驗所用晶圓為直徑12 英寸(30.48
電子元件與材料 2021年8期2021-08-29
- 磁流變拋光中表面彗尾狀缺陷的生成與演變行為
粒與拋光顆粒的拋光液在磁場的作用下在拋光輪上形成柔性拋光緞帶，拋光過程中柔性緞帶作為拋光工具隨拋光輪的旋轉(zhuǎn)運動劃過工件表面，通過拋光液緞帶中的拋光顆粒與工件的微觀剪切作用達到去除材料的目的。由于柔性接觸，拋光過程中單個拋光顆粒所受的正壓力約為10-7N，遠小于傳統(tǒng)拋光中所承受的正壓力［7］。微小的正壓力使磁流變加工脆性材料時的材料去除能保持在塑性域范圍內(nèi)，因而能最大限度地避免拋光過程中光學(xué)元件亞表面損傷的生成，保障表面質(zhì)量［8］。磁流變拋光是一種新興的超精
光學(xué)精密工程 2021年4期2021-07-03
- 不銹鋼表面拋光質(zhì)量的影響因素和改善措施
間存在的微米級拋光液研磨與腐蝕的共同作用，使被加工鋼板獲得光澤的表面[1-3]?；瘜W(xué)機械拋光過程中影響表面質(zhì)量的因素很多，要獲得無表面缺陷、光澤度高和粗糙度低的加工表面，就需要對拋光過程中易產(chǎn)生的表面缺陷和過程參數(shù)進行控制[4-5]。本文通過對生產(chǎn)實踐中拋光缺陷產(chǎn)生的原因進行分析，并通過技術(shù)改進解決和提升了拋光后的鋼板表面質(zhì)量。1 影響不銹鋼拋光板表面質(zhì)量的因素產(chǎn)生不銹鋼冷軋BA板拋光質(zhì)量差的主要原因為成品表面存在磨頭花和暗紋，表面光澤度不夠，表面粗糙度高
山西冶金 2021年2期2021-05-26
- 釔鋁石榴石晶體化學(xué)機械拋光液成分優(yōu)化研究 *
與硅溶膠的混合拋光液拋光YAG多晶，通過改變納米金剛石磨料與硅溶膠的配比調(diào)整機械作用與化學(xué)作用強弱。結(jié)果表明：使用含0.67%(質(zhì)量分?jǐn)?shù)，下同)的納米金剛石磨料和16.7%的硅溶膠混合拋光液對YAG多晶進行拋光，可以獲得表面粗糙度為0.56 nm的光滑表面。該方法雖然同時兼顧了拋光后YAG晶體的表面質(zhì)量和加工效率，但拋光后YAG晶體表面仍會存在較多的微劃痕和較大的亞表面損傷，影響激光器性能。李軍等[9]研究出了一整套的YAG晶體的加工工藝流程，首先采用28
金剛石與磨料磨具工程 2021年2期2021-05-25
- 一種電鍍錫前處理工藝
品在電鍍前通過拋光液對產(chǎn)品進行拋光，將產(chǎn)品銅材表面的油污、以及氧化層去除，能夠使得銅材表面平滑光亮，達到鍍層光亮，與基材結(jié)合力好、可焊性好的目的。目前市場上通常采用兩種方式進行拋光：①除油→拋光；②拋光（內(nèi)加除油劑）。這樣的方式增加企業(yè)的運行成本，工藝也比較繁瑣。本工藝則采用一種新型拋光液配制方法，其中內(nèi)含：電鍍錫廢液、硫酸、冰醋酸。同時電鍍廢液再利用也降低污水排放，達到了節(jié)能降耗、工藝簡化的目的。1 電鍍錫前處理工藝流程1.1 拋光液的配制工藝拋光液的配
締客世界 2020年8期2020-12-11
- 氮化硅滾子化學(xué)機械復(fù)合拋光工藝參數(shù)與表面粗糙度的關(guān)系
同溫度的磁流變拋光液，探究主軸轉(zhuǎn)速和磁流變拋光液的溫度對氮化硅陶瓷滾子表面粗糙度的影響，確定各參數(shù)對氮化硅陶瓷滾子表面粗糙度。1 實驗裝置與原料1.1 實驗裝置針對氮化硅陶瓷滾子性能，采用化學(xué)—機械復(fù)合拋光實驗機對氮化硅陶瓷滾子進行拋光處理。該復(fù)合拋光制粒機主要由超聲振動系統(tǒng)、升降系統(tǒng)、磁流變拋光液存放系統(tǒng)及輔助拋光系統(tǒng)組成，結(jié)構(gòu)簡圖如圖1 所示。(1) 超聲振動系統(tǒng)：由超聲換能器、超聲工具頭組成，用于發(fā)射超聲波對氮化硅陶瓷滾子進行作用。(2) 升降系統(tǒng)：
中國陶瓷工業(yè) 2020年5期2020-10-16
- 磨粒和拋光墊對鋁合金化學(xué)機械拋光性能的影響
]。CMP是將拋光液中各種添加劑的化學(xué)腐蝕與磨粒及拋光墊的機械磨削相互作用的超精密加工技術(shù)，其基本原理是旋轉(zhuǎn)的鋁合金樣品被壓在旋轉(zhuǎn)的拋光墊上，含有氧化劑、絡(luò)合劑的拋光液與樣品表面產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)，生成一層較軟的鈍化層，磨粒與拋光墊對鈍化層進行機械去除，樣品表面材料在拋光液的化學(xué)作用與磨粒、拋光墊機械作用下交替進行，直到達到兩者平衡。張澤芳等[3]研究了氧化鋁單一磨粒對鋁合金化學(xué)機械拋光作用的影響，隨著氧化鋁粒徑的增大，鋁合金表面的粗糙度將會增大，同時光澤度下降
科學(xué)技術(shù)與工程 2020年16期2020-06-30
- 3D玻璃拋光液的制備及其性能研究
目前3D 玻璃拋光液的制備有3 種技術(shù)方案：第1 種是CeO2拋光粉直接加水稀釋至所需使用濃度；第2種是將拋光粉與分散劑、懸浮劑、表面活性劑、拋光助劑、pH 調(diào)節(jié)劑等配制成所需使用濃度的拋光液；第3種是將拋光粉與分散劑、懸浮劑、表面活性劑、拋光助劑、pH 調(diào)節(jié)劑等配制成濃縮液，再稀釋成所需濃度。1 原理影響CeO2拋光效果的因素有：CeO2顆粒的粒徑，形貌、硬度、晶型及顆粒在漿液中的懸浮性、分散性。帶有棱角的片狀CeO2顆粒對玻璃表面的磨削作用強，拋光效果
化工設(shè)計通訊 2020年4期2020-05-15
- 讓鋁合金閃閃發(fā)亮
1，將鋁件放入拋光液，并將拋光液放入水浴鍋進行拋光。用等離子水清洗鋁件表面，出光。之后再用等離子水清洗鋁件表面后用烘箱烘干，稱量鋁塊質(zhì)量 m 2。五、實驗結(jié)果1. 酸的選擇及酸含量比例對拋光液拋光效果的影響傳統(tǒng)化學(xué)拋光液中含有硝酸，拋光時會產(chǎn)生氮氧化物氣體，不僅影響人的健康，還會污染環(huán)境，所以我想改用雙酸（即磷酸、硫酸）。通過查閱文獻得知，雙酸的含量比例決定了拋光溶液的效果。硫酸能使拋光更加平整化、均勻化，但過量會產(chǎn)生白色麻點，拋光效果不理想。而磷酸對實驗
發(fā)明與創(chuàng)新·中學(xué)生 2020年2期2020-04-13
- 讓鋁合金閃閃發(fā)亮
——鋁合金表面形貌與結(jié)構(gòu)調(diào)控工藝條件優(yōu)化與性能測試
1，將鋁件放入拋光液，并將拋光液放入水浴鍋進行拋光。用等離子水清洗鋁件表面，出光。之后再用等離子水清洗鋁件表面后用烘箱烘干，稱量鋁塊質(zhì)量m2。稱量藥品五、實驗結(jié)果1.酸的選擇及酸含量比例對拋光液拋光效果的影響傳統(tǒng)化學(xué)拋光液中含有硝酸，拋光時會產(chǎn)生氮氧化物氣體，不僅影響人的健康，還會污染環(huán)境，所以我想改用雙酸（即磷酸、硫酸）。通過查閱文獻得知，雙酸的含量比例決定了拋光溶液的效果。硫酸能使拋光更加平整化、均勻化，但過量會產(chǎn)生白色麻點，拋光效果不理想。而磷酸對實
發(fā)明與創(chuàng)新 2020年6期2020-01-09
- 單晶硅同質(zhì)互拋實驗研究
P)技術(shù)是利用拋光液中的化學(xué)成分與拋光件表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成氧化層，并通過拋光液中磨粒的磨削作用去除硬度較小的氧化層，通過不斷地重復(fù)上述過程，最終得到光滑的表面[6]。CMP技術(shù)幾乎是目前唯一的全局平面化技術(shù)，且已得到了廣泛的應(yīng)用。盡管CMP技術(shù)發(fā)展的速度很快，但需要解決的理論及技術(shù)問題還很多，如CMP加工材料去除機理，以及拋光液、拋光墊、工件三者之間的物理化學(xué)作用、接觸力學(xué)作用、化學(xué)腐蝕和氧化作用、潤滑作用和機械作用的平衡關(guān)系等。關(guān)于硅襯底拋光工藝面臨的
中國機械工程 2019年23期2019-12-17
- 硫系紅外玻璃的拋光工藝研究*
拋光。通過分析拋光液pH值、拋光盤轉(zhuǎn)速、拋光液磨料濃度、拋光壓力、拋光時間和拋光液流量等參數(shù)對化學(xué)機械拋光的影響，得到ZnSe晶片拋光后的表面粗糙度Ra為0.578 nm，平面面形誤差小于1.8 μm。文獻[12]對硫化鋅晶體進行磨削加工，采用正交實驗法對影響加工參數(shù)進行優(yōu)化，最終得到的硫化鋅晶體表面粗糙度Ra最小值為7.6 nm，面形誤差為0.185～0.395 μm。文獻[13]使用化學(xué)機械拋光技術(shù)對硫化鋅晶體拋光，拋光墊使用聚氨酯和毛氈，拋光液使用A
西安工業(yè)大學(xué)學(xué)報 2019年4期2019-08-05
- 水基拋光液的分散性改善方法和應(yīng)用研究綜述
料、水基性復(fù)合拋光液等。在化學(xué)機械拋光(CMP)中，納米粒子的機械研磨作用與拋光液的腐蝕作用相協(xié)同，對材料表面進行超精密加工，可實現(xiàn)被加工器件表面的全局平面化。采用CMP技術(shù)時，拋光液的性能對拋光的表面質(zhì)量有顯著影響。目前，國內(nèi)用于CMP的拋光液以進口為主，急需開發(fā)國產(chǎn)新型拋光液并提高拋光液的質(zhì)量。水基復(fù)合拋光液是現(xiàn)在應(yīng)用較多的環(huán)保型拋光液，主要由水、磨料和分散劑組成，有的還含有氧化劑、表面活性劑、絡(luò)合劑、潤滑劑、抑制劑等。很多光學(xué)器件、光伏材料、光學(xué)玻璃
中原工學(xué)院學(xué)報 2019年1期2019-03-15
- 霧化施液同質(zhì)硬脆晶體互拋CMP工藝研究
果表明僅僅改進拋光液中化學(xué)物質(zhì)的組分和改變拋光參數(shù)提高機械摩擦作用對無損傷超光滑表面的形成的幫助是遠不夠的[8]。事實上也證明，拋光液中磨料納米顆粒的團聚劃傷以及在拋光過程中基片上過量的拋光液的不均勻腐蝕作用，也正是造成基片表面質(zhì)量不高的主要緣由之一，必須加以控制和改進[9]。針對傳統(tǒng)化學(xué)機械拋光過程中存在的諸多問題如團的聚納米漿料粒子易劃傷拋光表面，拋光墊表面磨粒分布不均勻，被拋光工件表面殘留漿料不易清洗，拋光成本高，漿料廢液難處理、污染環(huán)境等[10]問
人工晶體學(xué)報 2019年2期2019-03-15
- 化學(xué)機械拋光（CMP）用拋光液中CeO2磨料專利申請趨勢分析
光（CMP）用拋光液中CeO2磨料相關(guān)技術(shù)的全球?qū)＠暾埣爸袊鴮＠暾堖M行了分析，探討了CeO2磨料在全球及中國的申請量趨勢、全球及在華不同國家申請量比例和重點申請人的申請趨勢及排名等，以期為國內(nèi)研究者提供有價值的專利信息參考。關(guān)鍵詞：化學(xué)機械拋光；拋光液；CeO2磨料中圖分類號：TG580 文獻標(biāo)識碼：A 文章編號：1003-5168（2018）07-0140-03Analysis of the Trend of Patent Application a
河南科技 2018年7期2018-09-10
- 化學(xué)機械拋光304不銹鋼用拋光液成分研究
學(xué)機械拋光中，拋光液是重要組成部分，對拋光效果起關(guān)鍵作用，且其成本占總拋光成本的60%～70%。因此，研究環(huán)保高效的化學(xué)機械拋光液是化學(xué)機械拋光中研究的重點。目前，國內(nèi)外對化學(xué)機械拋光不銹鋼方面的研究，集中在溫度、壓力、轉(zhuǎn)速、時間等拋光工藝參數(shù)，拋光液pH值，氧化劑，緩蝕劑等方面來提高拋光速率和表面質(zhì)量[14-15]。本研究采用單因素實驗研究不同氧化劑在不同pH值下的材料去除率和表面粗糙度，找出最佳的pH值；在此pH值下，研究各氧化劑含量對拋光效果的影響，
金剛石與磨料磨具工程 2018年2期2018-05-11
- 哈氏合金基帶電化學(xué)拋光液的制備及性能
2500電化學(xué)拋光液。近年來，國內(nèi)也研制出多種電化學(xué)拋光液[10-12]，但它們對這類帶材合金的拋光效果較差，往往會出現(xiàn)弱拋或過拋現(xiàn)象，使哈氏合金基帶產(chǎn)生較多的缺陷，拋光效果不理想。針對上述問題，筆者研制了一種用于第二代高溫超導(dǎo)帶材的電化學(xué)拋光液，并已獲得專利授權(quán)[13]。本文在前期研究和查閱電化學(xué)拋光液相關(guān)文獻[14-15]的基礎(chǔ)上，采用自制拋光液對哈氏合金基帶進行電化學(xué)拋光，并與EP2500拋光液的拋光效果進行了對比。1 哈氏合金基帶的電化學(xué)拋光工藝1
電鍍與涂飾 2018年8期2018-05-09
- 精細霧化拋光氮化硅陶瓷的拋光液配制參數(shù)優(yōu)化
和水基二氧化鈰拋光液濃度對氮化硅陶瓷表面粗糙度的影響[5]；鄧朝暉等應(yīng)用化學(xué)機械拋光在數(shù)控坐標(biāo)磨床上對氮化硅陶瓷回轉(zhuǎn)曲面零件進行了超精密加工工藝實驗研究[6]。但是這些傳統(tǒng)的拋光也存在著一些問題：拋光液的成本較高，消耗較大，造成資源的浪費；未經(jīng)處理的拋光液大量排放到自然界會造成環(huán)境污染；拋光液在工件表面的團聚影響了工件表面的加工質(zhì)量[7-8]。本課題組改進傳統(tǒng)CMP的施液方式，提出了超聲精細霧化CMP的工藝方法，其霧化拋光效果與傳統(tǒng)拋光效果接近，但拋光液用
材料科學(xué)與工程學(xué)報 2018年2期2018-05-08
- 專利名稱：一種Cr-Mo鋼EBSD樣品的制備方法
同粒度的金剛石拋光液以及三氧化二鋁拋光液拋光，再采用線切割機將機械拋光后的試樣厚度減薄為3 mm，用無水乙醇清洗去除試樣上的油污，之后采用50 nm粒度的拋光液將上述試樣的待測面繼續(xù)拋光1～4 min，將拋光好的試樣放入無水乙醇中清洗，吹干，得到用于EBSD分析的試樣。本發(fā)明工藝簡單，試樣的制備只采用機械拋光即可，不需要專用電解拋光設(shè)備，制樣成本低，樣品符合EBSD分析要求。
中國鉬業(yè) 2018年2期2018-01-30
- 不銹鋼CMP拋光液的研制
CMP過程中，拋光液中的氧化劑會與工件的表面發(fā)生化學(xué)腐蝕，形成一層較薄且容易去除的膜，拋光液中的磨料和拋光墊可以與該薄膜摩擦，使其脫離工件表面，從而實現(xiàn)表面材料的去除。由于工件表面凸起和凹陷區(qū)域的機械作用有所不同，凸起處的摩擦作用大、去除率高，而凹陷處摩擦作用小、去除率低，從而逐漸達到表面平整光滑的效果。將CMP技術(shù)用于不銹鋼的表面加工，可獲得納米甚至亞納米級的表面粗糙度[3-4]。在CMP中，最為主要的耗材就是拋光液，它占整個工藝成本的百分之四十左右，是
機械設(shè)計與制造 2018年1期2018-01-19
- 醫(yī)用鎳鈦合金的電解拋光進展
流行的三類電解拋光液體系:酸-酸體系、酸-醇體系和醇-鹽體系以及其主要成分,分析了在不同電解拋光液體系成分下電解拋光液濃度、拋光溫度和拋光電壓等條件的改變對拋光效果(粗糙度、耐腐蝕)以及拋光效率的影響,進一步比較了不同電解拋光液體系的優(yōu)缺點,并綜述了電解拋光原理機制及其技術(shù)的新發(fā)展.鎳鈦合金; 電解拋光; 電解拋光液; 原理鎳鈦合金具有獨特的形狀記憶性、超彈性、良好的力學(xué)性能、耐摩擦、耐腐蝕性能以及生物相容性,使得其成為醫(yī)學(xué)上制造血管支架的理想材料,日益受
有色金屬材料與工程 2017年5期2017-11-13
- 用氟化鈉脫除失效磷酸基拋光液中鋁的研究*
脫除失效磷酸基拋光液中鋁的研究*郭昌明，吳君，崔學(xué)民，黎鉉海，韋柳團（廣西大學(xué)化學(xué)化工學(xué)院，廣西南寧530004）研究利用氟化鈉與失效磷酸基拋光液中的鋁形成難溶的氟化物，從而脫除拋光液中的鋁使其再生。在反應(yīng)溫度為60℃、反應(yīng)時間為40min、氟化鈉用量為化學(xué)計量的1.3倍、靜置時間為1.5 d條件下，失效磷酸基拋光液中鋁的脫除率可達98%以上。該脫鋁工藝操作簡便，鋁脫除率高，還可副產(chǎn)工業(yè)級冰晶石，具有良好的應(yīng)用前景。失效磷酸基拋光液；氟化鈉；鋁磷酸基化學(xué)拋
無機鹽工業(yè) 2017年6期2017-06-24
- 碲鋅鎘晶體化學(xué)機械拋光液的研究
鎘晶體化學(xué)機械拋光液的研究敖孟寒1,2，朱麗慧1，孫士文2（1. 上海大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院，上海 200072；2.中國科學(xué)院紅外成像材料與器件重點實驗室，上海 200083）本文以硅溶膠為磨料顆粒、次氯酸鈉（NaClO）為氧化劑制備適用于CZT晶片的化學(xué)機械拋光液。采用XPS能譜分析CZT表面元素化學(xué)態(tài)，研究CZT化學(xué)機械拋光過程中拋光液的化學(xué)作用機理，使用激光干涉儀、原子力顯微鏡研究拋光液中NaClO含量對晶片拋光速率、晶片表面PV值及表面粗糙度Ra
紅外技術(shù) 2017年1期2017-03-26
- 拋光介質(zhì)對鎂合金化學(xué)機械拋光的影響*
涉儀研究了堿性拋光液中不同有機溶劑與無機溶劑包括乙二醇、聚乙二醇、去離子水和1%磷酸氫二鈉水溶液對鎂合金化學(xué)機械拋光效果的影響，測試了材料的去除率。結(jié)果表明，當(dāng)采用乙二醇、聚乙二醇等有機溶劑作為拋光液的拋光介質(zhì)時，能夠有效改善鎂合金在拋光過程中的點蝕現(xiàn)象，但材料去除率較低；采用去離子水作為拋光介質(zhì)時，雖然材料去除率較高，但拋光后鎂合金表面點蝕現(xiàn)象嚴(yán)重；采用去離子水作為拋光介質(zhì)并添加1%的緩蝕劑磷酸氫二鈉時，能夠在保證材料去除率的同時，有效改善鎂合金拋光后的
制造技術(shù)與機床 2016年6期2016-09-13
- 鋁柵化學(xué)機械拋光工藝
130）探討了拋光液組成和機械拋光工藝參數(shù)(包括拋光壓力、轉(zhuǎn)速、拋光液流速和拋光時間)對鋁柵化學(xué)機械拋光過程中鋁的去除速率的影響，確定拋光液的組成為：氧化劑H2O2 1.0%(體積分?jǐn)?shù)，下同)，螯合劑FA/O II 0.4%，非離子表面活性劑FA/O I 2.0%，納米硅溶膠磨料12%，pH 10。粗拋工藝參數(shù)為：拋光壓力3.0 psi，轉(zhuǎn)速50 r/min，拋光液流速250 mL/min，拋光時間240 s。精拋工藝參數(shù)為：拋光壓力2.0 psi，轉(zhuǎn)速4
電鍍與涂飾 2015年21期2015-12-29
- 鋁合金弱侵蝕鏡面化學(xué)拋光工藝研究
高拋光效果，而拋光液中鋁離子含量對溶鋁量及過腐蝕均有顯著影響，鋁離子含量高，拋光液粘度大，溶鋁量小，拋光速度慢，過腐蝕的傾向下降。鋁合金；化學(xué)拋光；工藝因鋁合金具有質(zhì)輕、易于加工、耐腐蝕性好等優(yōu)點，使其成為民用制品尤其是電子電器框架、外殼等部件的主要材料[1,2]。電子電器產(chǎn)品的鋁合金框架、外殼等多要求鏡面光亮，這類產(chǎn)品的加工量大，特別適宜自動化生產(chǎn)[3,4]。機械拋光和化學(xué)拋光是提高鋁制品光亮度的主要方法[5,6]，其中，化學(xué)拋光工藝簡單、快速、處理面積
武漢紡織大學(xué)學(xué)報 2014年3期2014-12-24
- 磁流變拋光液磁性顆粒體積分?jǐn)?shù)在線檢測裝置研制*
流失等，會造成拋光液中的水分損失，引起磁流變拋光液成分變化，進而導(dǎo)致拋光的去除函數(shù)變化，影響加工精度。文獻[2]采用“標(biāo)準(zhǔn)”磁流變拋光液拋光3 h，水分質(zhì)量分?jǐn)?shù)降低約0.5 %，導(dǎo)致峰值去除率增加約9 %。因此，必須對磁流變拋光液的成分進行穩(wěn)定控制，為磁流變拋光的確定性加工提供保障。水和磁性顆粒是磁流變拋光液的主要組成成分，二者體積之和占到拋光液總體積的95 %以上，其中磁性顆粒體積分?jǐn)?shù)一般在35 %～40 %之間，所以,可以通過拋光液中水分或者磁性顆粒的
傳感器與微系統(tǒng) 2014年3期2014-09-20
- 電解質(zhì)等離子拋光液中硫酸銨含量的檢測方法
中性鹽溶液作為拋光液，拋光液中鹽的質(zhì)量分?jǐn)?shù)減小后可以直接補充拋光鹽循環(huán)使用，能有效解決電解拋光和化學(xué)拋光中可能存在的污染以及廢液難于處理的問題［1-3］，可以取代很多傳統(tǒng)的拋光方法［4-5］.電解質(zhì)等離子拋光是將金屬工件浸入一定溫度的中性鹽溶液中，并對其施加正極性電壓(250～400 V)，拋光液首先進入電解狀態(tài)，同時整個電路會形成瞬時短路，在極短的時間產(chǎn)生以水蒸氣為主的大量氣體，在工件周圍形成環(huán)繞工件表面的氣層.由于氣層的電阻遠大于工件和拋光液，形成局部
材料科學(xué)與工藝 2014年2期2014-09-16
- 黃銅保持架的電拋光工藝
1.2 電拋光拋光液的組成：磷酸 60%～65%，硫酸 6%～10%，鈍化劑 4%～8%，光亮劑A 5%～8%，光亮劑B 8%～10%，蒸餾水余量。(1)拋光工藝配制拋光液→拋光液通電預(yù)處理→工件拋光→流動自來水漂洗→Na2CO3溶液中和殘留的拋光液→蒸餾水漂洗→乙醇脫水→鈍化處理→成品。(2)工藝參數(shù)溫度：30 ℃以下，電流密度：4～7 A/dm2,拋光時間：5～10 min，陰極為鉛板。(3)拋光液預(yù)處理新配制的拋光液需要在低電流(1～2 A/dm2)
軸承 2014年11期2014-07-21
- 一種研磨拋光機供液系統(tǒng)的設(shè)計
不斷的提供研磨拋光液，才能使工件持續(xù)、均勻地進行研磨拋光[1-2]。而含有磨料的研拋液需要被壓緊在工件被加工表面上，通過這些磨料對加工表面的研磨達到研磨拋光的效果。因此研磨拋光液中的磨料是否均勻?qū)τ诠ぜ募庸け砻尜|(zhì)量至關(guān)重要。由于研磨拋光液中含有磨料，當(dāng)拋光液流動一段距離或者停止流動，這些磨料往往會沉淀到底部，這樣就會造成拋光液中的磨料太少，研磨效果不夠或者研磨拋光液磨料混合不夠均勻，在拋光時工件表面加工力度不一[3]。研磨拋光機的供液系統(tǒng)，在其工作時要求
湖北開放大學(xué)學(xué)報 2013年5期2013-10-11
- 藍寶石化學(xué)機械拋光液作用機制研究
藍寶石化學(xué)機械拋光液作用機制研究邢 星1,2,3,王良詠2,3,劉衛(wèi)麗2,3,謝華清1,宋志棠2,3,蔣 莉4,邵 群4,程 繼4,熊世偉4,劉洪濤4(1.上海第二工業(yè)大學(xué)城市建設(shè)與環(huán)境工程學(xué)院,上海201209;2.中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所信息功能材料國家重點實驗室,上海200050;3上海新安納電子科技有限公司,上海201506;4.中芯國際集成電路制造(上海)有限公司,上海201203)研究了以硅溶膠為磨料的藍寶石化學(xué)機械拋光液在拋光過程
上海第二工業(yè)大學(xué)學(xué)報 2013年3期2013-08-16
- CMP拋光液供給及分布系統(tǒng)的研究
光材料的特性、拋光液、拋光墊等多種因素相關(guān)，這些因素對CMP過程的影響并不是孤立的，而是一個復(fù)雜的交互作用過程[1，2]。在CMP加工過程中，拋光液是影響加工質(zhì)量最為關(guān)鍵的因素之一，必須精準(zhǔn)控制和嚴(yán)格的分析[3]。在絕緣材料和金屬材料的化學(xué)機械拋光（CMP）工藝中，拋光液的供給及分布系統(tǒng)會直接影響其流速及顆粒造成的缺陷。因此根據(jù)產(chǎn)品的技術(shù)節(jié)點選擇合適的拋光液供給系統(tǒng)是十分關(guān)鍵的。拋光液供給最基本的要求：(1)要求供給系統(tǒng)不能對拋光液造成額外的污染；(2)供
電子工業(yè)專用設(shè)備 2013年6期2013-08-09
- SiC（0001）面和（000-1）面 CMP拋光對比研究
i面使用堿性的拋光液、C面使用酸性的拋光液更有利于提高材料去除速率，也未能給出合理的實驗解釋[5]。本文將著重研究SiC襯底（0001）Si面和（000-1）C面在CMP工藝過程中使用酸、堿性改性拋光液時表現(xiàn)出來的拋光去除率和表面質(zhì)量的差異，并合理分析產(chǎn)生這種差異原因。1 實驗CMP拋光實驗用晶片規(guī)格為：直徑75 mm，晶向On-axis，晶型6H。實驗所用的SiC晶體材料由本單位自行研制。碳化硅晶錠經(jīng)多線切割、研磨、金剛石機械粗拋光等工序處理后得到本實驗
電子工業(yè)專用設(shè)備 2013年4期2013-08-09
- 靜電自組裝制備復(fù)合磨粒及其對銅的拋光特性研究
種高質(zhì)、高效的拋光液。包含固、液兩相的拋光液影響CMP的化學(xué)腐蝕效應(yīng)和機械去除效應(yīng)，是晶片全局平坦化的一個關(guān)鍵因素。Yano等[1]較早地采用基于靜電吸附的無機/有機復(fù)合磨粒拋光液對Al、Nb材料進行了CMP試驗，彌補了單一磨粒拋光液材料去除率低、表面容易產(chǎn)生劃痕等不足。陳志剛等[2]則采用液相沉淀工藝制備了粒徑在150～200 nm的CeO2/PS復(fù)合磨粒，用于硅熱氧化片表面的拋光。Armini等[3]的研究表明，通過靜電作用形成的PMMA/SiO2復(fù)合
中國工程科學(xué) 2012年10期2012-08-18
- 拋光液中硝酸的測定
215211）拋光液中硝酸的測定楊斌（艾諾曼帝（蘇州）金屬包裝有限公司江蘇215211）鋁制品表面處理加工中拋光液的硝酸主要起到鈍化作用，延緩鋁制品在處理中的酸侵蝕，起到保護的作用。因而硝酸的分析方法就顯得尤為重要。本實驗主要是用硫酸亞鐵銨標(biāo)準(zhǔn)溶液滴定生產(chǎn)中使用的拋光液中硝酸，以進一步考察確定此分析方法是否適用于拋光液中硝酸的測定。硝酸硫酸亞鐵銨標(biāo)準(zhǔn)溶液拋光液我公司拋光液中硝酸控制在2%～4%。因此，本實驗考察范圍為2%～4%硝酸測定的可行性和重現(xiàn)性?；?/div>
天津科技 2011年1期2011-10-13
- 氮化硅陶瓷回轉(zhuǎn)曲面零件化學(xué)機械拋光工藝實驗研究*
:水基CeO2拋光液濃度為(5%～20%);拋光輪轉(zhuǎn)速為6 000～10 500 r/min;拋光液流量為0.4～1 L/min;拋光總時間為4 h，粗拋為聚氨酯拋光輪，拋光時間為3 h;精拋為無紡布拋光輪，拋光時間為1 h;拋光過程中粗拋和精拋選用相同的工藝參數(shù)。自旋工作臺轉(zhuǎn)速為100 r/min。拋光過程中拋光輪始終與氮化硅表面之間保持一定的接觸。表1 氮化硅陶瓷力學(xué)性能實驗檢測設(shè)備如下:JB－4C精密粗糙度測試儀，測量精度達到0.001 μm，能實現(xiàn)制造技術(shù)與機床 2011年6期2011-09-28
- 氮化鈦阻擋層化學(xué)機械拋光液的研究
]。1 氮化鈦拋光液的選擇拋光液是影響CMP質(zhì)量的決定性因素，它既影響CMP的化學(xué)作用過程，又影響機械作用過程。拋光液的化學(xué)成分，能控制CMP過程中的pH，影響氧化物表面的帶電類型和電荷量，決定表面水和過程等化學(xué)反應(yīng)的過程；拋光液中的磨料，在壓力的作用下與表面摩擦，影響反應(yīng)物的去除速率。總之拋光速率，拋光后的表面質(zhì)量，平整度等關(guān)鍵參數(shù)都很大程度上依賴于拋光液成分的組成。所以拋光液的配置是CMP工藝中的重要組成部分。在國際上，按pH分類，主要采用兩類，即酸性電子設(shè)計工程 2011年16期2011-03-28
- 氮化硅陶瓷回轉(zhuǎn)曲面零件化學(xué)機械拋光工藝實驗研究*