納米線
- 稀土元素Er摻雜的MoSe2垂直納米線的光致發(fā)光性能研究
Se2多層膜和納米線的發(fā)光增強(qiáng)的報(bào)道還很少。MoSe2的制備方法包括機(jī)械剝離、熱蒸鍍沉積、液相合成和化學(xué)氣相沉積[19-21]。筆者研究比較了熱蒸發(fā)法合成的未摻雜MoSe2納米線和摻雜Er3+的MoSe2納米線的光致發(fā)光特性（即用MoSe2粉末蒸發(fā)制備MoSe2納米線，具有操作簡(jiǎn)單、轉(zhuǎn)化率高、成膜均勻、污染少等優(yōu)點(diǎn)），討論了摻雜和未摻雜MoSe2納米線的晶體結(jié)構(gòu)、表面形貌、光吸收、發(fā)光特性及相關(guān)機(jī)理。1 實(shí)驗(yàn)及樣品測(cè)試采用熱蒸發(fā)方法在p-Si襯底上制備了垂
- 透明導(dǎo)電銀納米線薄膜的制備及熱穩(wěn)定性研究
和高長(zhǎng)徑比的銀納米線，在柔性和光電性能等方面表現(xiàn)優(yōu)異，且制備工藝簡(jiǎn)單，被視為最有可能替代傳統(tǒng)ITO 的柔性透明電極材料之一［10-12］。銀納米線在許多溶劑中具有良好的分散性，故其薄膜可通過印刷、涂布、凝膠和真空過濾等技術(shù)來制備。近年來，銀納米線透明導(dǎo)電薄膜已在太陽能電池［13-14］、發(fā)光二極管［15-16］、觸摸屏［17］、可穿戴設(shè)備［18-19］和柔性傳感器［20］等領(lǐng)域展示了巨大的潛力。銀納米線的制備方法眾多，包括多元醇法、紫外線照射法［21］、和
材料研究與應(yīng)用 2022年3期2022-07-04
- 退火溫度對(duì)電沉積FeNi納米線陣列結(jié)構(gòu)及磁性能的關(guān)聯(lián)性研究*
0 引 言磁性納米線陣列由于具有相互獨(dú)立并垂直于基層獨(dú)特的有序結(jié)構(gòu)，在磁性儲(chǔ)存、場(chǎng)發(fā)射器件、傳感器、自旋電子學(xué)、磁性記錄器件以及催化器件等領(lǐng)域具有潛在的應(yīng)用前景[1-3]。FeNi納米線因具有高磁導(dǎo)率和磁各項(xiàng)異性逐漸引起了廣大研究者的興趣。一般制備FeNi納米線的常用方法有模板輔助電沉積法[4]、水熱合成法[5]、磁控濺射法[6]、分子束外延法[7]和溶膠凝膠法[8]等。但是，采用有序多孔的陽極氧化鋁(AAO)模板制備磁性納米線是目前最常用的方法之一，該方
功能材料 2022年5期2022-06-02
- B36團(tuán)簇組裝一維納米線的密度泛函研究
管[9]以來，納米線、納米棒等一維結(jié)構(gòu)材料因其獨(dú)特的力學(xué)、熱學(xué)、光學(xué)、電子輸運(yùn)等特性而備受矚目[10-18]. 傳統(tǒng)上制備納米線的實(shí)驗(yàn)方法諸多，比如汽液固生長(zhǎng)法、氧化物輔助生長(zhǎng)法和碳熱反應(yīng)法等[19]. 近年來，團(tuán)簇組裝納米線方法越來越多地引起研究者的關(guān)注，以高穩(wěn)定團(tuán)簇作為結(jié)構(gòu)單元組成的一維納米結(jié)構(gòu)材料具有獨(dú)特的性能和巨大的潛在應(yīng)用價(jià)值[20,21]. 通常，單質(zhì)納米線自身的帶隙過小，限制了其在納米電子器件方面的應(yīng)用，對(duì)此，可以通過摻雜和化學(xué)修飾等方式改變
原子與分子物理學(xué)報(bào) 2022年3期2022-03-04
- 一維氧化鎢納米線的研究進(jìn)展及應(yīng)用
摻雜后的氧化鎢納米線，則是在光電性質(zhì)（如光響應(yīng)和電化學(xué)氫離子儲(chǔ)存）方面得到了顯著提高，這說明氧化鎢納米線的改性可以從摻雜這方面進(jìn)行必要性研究。而對(duì)于氧化鎢納米線的原位相變，則是與其結(jié)構(gòu)息息相關(guān)。嘗試建立起結(jié)構(gòu)—性質(zhì)的關(guān)系，在太陽能電池、超導(dǎo)、光催化和智能光學(xué)器件等方面能夠提供重要指導(dǎo)。為了更好的介紹一維氧化鎢納米線的合成和應(yīng)用，本文介紹幾種氧化鎢納米線的合成控制方法、摻雜、相變以及實(shí)際應(yīng)用，本文對(duì)一維氧化鎢納米線在未來的研究和發(fā)展提供了一定的指導(dǎo)作用。1.
當(dāng)代化工研究 2022年21期2022-03-01
- 降低銀納米線薄膜接觸電阻的方法研究
金屬網(wǎng)格、以銀納米線為代表的金屬納米線等。其中銀納米線具有優(yōu)異的長(zhǎng)徑比、高透光率、柔性等突出優(yōu)勢(shì),被譽(yù)為最有希望取代ITO和實(shí)現(xiàn)商業(yè)化的導(dǎo)電納米材料之一[1-5],在太陽能電池、顯示器、透明加熱器、有機(jī)發(fā)光二極管、觸摸屏等光電領(lǐng)域有重要的應(yīng)用價(jià)值。當(dāng)然,任何材料都不是十全十美的,銀納米線也存在一些不足[6],如易氧化、環(huán)境穩(wěn)定性差、接觸電阻大、表面粗糙度大、與基底的黏附牢度差等。特別是接觸電阻過大,嚴(yán)重影響了銀納米線透明導(dǎo)電薄膜的實(shí)際應(yīng)用價(jià)值。一般來說,銀
江蘇科技信息 2022年13期2022-02-18
- 乙二醇熱還原法制備超高長(zhǎng)徑比銀納米線的工藝條件研究
900)一維銀納米線在光學(xué)、電子學(xué)、熱學(xué)和催化領(lǐng)域具有獨(dú)特的性質(zhì)和多種應(yīng)用[1-6]，如納米電子器件、納米光學(xué)器件、導(dǎo)電膜、納米傳感器等[7-14]。銀納米線是制備柔性透明導(dǎo)電膜最有前途的替代材料之一[1,6-9]，在薄膜太陽能電池、有機(jī)發(fā)光二極管、傳感器、電子紙等領(lǐng)域也有著廣泛的應(yīng)用[15-19]。相比于碳納米管、石墨烯、導(dǎo)電聚合物等材料，銀納米線薄膜的導(dǎo)電性好，穩(wěn)定性強(qiáng)，純度高，并且成本可以控制在較低的水平[7-8,20]。根據(jù)文獻(xiàn)[21-22]的報(bào)道
西南科技大學(xué)學(xué)報(bào) 2021年4期2022-01-15
- Be, Si 摻雜調(diào)控GaAs 納米線結(jié)構(gòu)相變及光學(xué)特性*
. GaAs 納米線因在光子集成器件中前景廣闊而備受關(guān)注, 高質(zhì)量GaAs 納米線的可控制備是器件實(shí)用化的前提,過去的幾十年里, GaAs 基納米線的生長(zhǎng)機(jī)制得到了廣泛的研究, 通常GaAs 薄膜材料為立方閃鋅礦(zinc blende, ZB)結(jié)構(gòu), 但隨著尺寸的減小, 一維納米材料中出現(xiàn)了六方纖鋅礦(wurtzite, WZ)相[5]. WZ/ZB 混合相的存在對(duì)納米線的電學(xué)和光學(xué)性能產(chǎn)生了嚴(yán)重的影響, 顯著降低了納米線中載流子遷移率和輻射復(fù)合效率[6
物理學(xué)報(bào) 2021年20期2021-12-23
- 碳納米線圈用于微尺度物質(zhì)輸運(yùn)的力學(xué)仿真
2］，在一維微納米線上通過熱泳法驅(qū)動(dòng)水滴［3-5］和光勢(shì)阱法驅(qū)動(dòng)金屬微粒［6］，等等。作為一種典型的一維納米材料，碳納米管（Carbon Nanotube，CNT）具有極大的長(zhǎng)徑比，具有原子級(jí)平整的表面，力學(xué)特性優(yōu)異，還具有化學(xué)惰性，被視為制作“納米傳送帶”的極佳候選材料之一。前人圍繞碳納米管的物質(zhì)輸運(yùn)特性展開了諸多研究，指出碳納米材料的物質(zhì)運(yùn)輸速度可達(dá)幾到幾十米每秒，應(yīng)用潛力巨大［7-10］。但是，由于碳納米管的尺寸較小，較難實(shí)現(xiàn)重微?；虼蟪叽缫旱蔚倪h(yuǎn)距
- Si摻雜對(duì)GaAs納米線發(fā)光特性的影響
2]。GaAs納米線作為一種重要的Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體材料，具有較高的光電轉(zhuǎn)換效率和適中的直接帶隙，因此在光電探測(cè)器[3-4]、場(chǎng)效應(yīng)晶體管[5-6]、納米激光器[7]等各種光電子器件中得到了廣泛的應(yīng)用。盡管目前的GaAs納米線器件已經(jīng)表現(xiàn)出了良好的性能，但是隨著對(duì)下一代器件性能要求的不斷增長(zhǎng)，還需要提高其應(yīng)用精度。眾所周知，雜質(zhì)引入對(duì)于提高一維納米光電器件的性能起著至關(guān)重要的作用。GaAs納米線具有大的表體比和高表面態(tài)密度，使得納米線中載流子更趨向于填充
發(fā)光學(xué)報(bào) 2021年5期2021-06-08
- 金屬輔助化學(xué)刻蝕法制備硅納米線及其工藝參數(shù)優(yōu)化
00124)硅納米線是一維納米結(jié)構(gòu)的光電材料，因?yàn)槌叽绶浅Ｐ?，所以具有量子限域效?yīng)[1]、非定域量子相干效應(yīng)[2]、非線性光學(xué)效應(yīng)[2]及庫(kù)侖阻塞效應(yīng)[3],并表現(xiàn)出了較好的光致發(fā)光性能[4]、場(chǎng)發(fā)射特性[5]以及較低的熱傳導(dǎo)率等. 具有特殊性質(zhì)的硅納米線在太陽能電池、鋰離子電池、場(chǎng)效應(yīng)晶體管等光電納米器件的制備中有廣泛的應(yīng)用價(jià)值[6-9].研究之初，人們分別選用電子束平板印刷術(shù)與刻蝕技術(shù)結(jié)合法、掃描隧道顯微鏡方法制備硅納米線[10-12]，但生產(chǎn)效率很低
北京工業(yè)大學(xué)學(xué)報(bào) 2021年2期2021-03-09
- 硅(001)圖形襯底上鍺硅納米線的定位生長(zhǎng)*
100049)納米線的定位生長(zhǎng)是實(shí)現(xiàn)納米線量子器件尋址和集成的前提.結(jié)合自上而下的納米加工和自下而上的自組裝技術(shù),通過分子束外延生長(zhǎng)方法,在具有周期性凹槽結(jié)構(gòu)的硅(001)圖形襯底上首先低溫生長(zhǎng)硅鍺薄膜然后升溫退火,實(shí)現(xiàn)了有序鍺硅納米線在凹槽中的定位生長(zhǎng),鍺硅納米線的表面晶面為(105)晶面.詳細(xì)研究了退火溫度、硅鍺的比例及圖形周期對(duì)納米線形成與否,以及納米線尺寸的影響.1 引 言半導(dǎo)體量子點(diǎn)作為量子比特的載體,因具有擴(kuò)展性好[1]、容易實(shí)現(xiàn)初始化[2,3
物理學(xué)報(bào) 2020年2期2020-02-18
- 氧化硅納米線的研究現(xiàn)狀
118）氧化硅納米線是一種新型的半導(dǎo)體材料［1-3］，具有較為優(yōu)異的光學(xué)性能和電學(xué)性能以及高表面活性，在科學(xué)界得到了廣泛的應(yīng)用和發(fā)展［4-8］。目前，制備氧化硅納米線的方法很多，本文主要對(duì)各種制備方法及其生成的氧化硅納米線的優(yōu)缺點(diǎn)做了闡述。1 溶膠-凝膠法溶膠-凝膠法是指利用高表面活性的化合物作為前驅(qū)體，將原材料混合在一起，在溶液中形成溶膠，再經(jīng)陳化作用使得膠粒之間緩慢聚合，形成凝膠。Xu Yajie等［9］以硅片作為先驅(qū)體，金屬鎳作為催化劑，采用溶膠-凝
無機(jī)鹽工業(yè) 2020年11期2020-01-01
- 銀納米線透明導(dǎo)電薄膜的失效機(jī)理研究
10014)銀納米線(AgNW)是近年來廣受重視的一種新材料,一般為單晶結(jié)構(gòu),平均直徑在20～100 nm,平均長(zhǎng)度在20～200 μm,長(zhǎng)徑比可達(dá)1000以上。銀納米線一般由多元醇還原法制備,隨著研究的深入,銀納米線的直徑和長(zhǎng)度等已經(jīng)可以在一定范圍內(nèi)進(jìn)行調(diào)控,并且產(chǎn)率也穩(wěn)步提高。由銀納米線涂布形成的網(wǎng)絡(luò),對(duì)可見光的透過率可以高達(dá) 90%以上,而連續(xù)網(wǎng)絡(luò)可以形成有效的導(dǎo)電通道,其方塊電阻可以低至30 Ω/□以下,并且隨著銀納米線直徑的減小,網(wǎng)絡(luò)薄膜對(duì)于可見
無機(jī)材料學(xué)報(bào) 2019年12期2019-12-28
- 表面修飾對(duì)硅鍺合金納米線的內(nèi)部鍵長(zhǎng)分布及能帶影響的機(jī)理研究
引 言一維的硅納米線以成本低、工藝成熟、易產(chǎn)業(yè)化、易調(diào)控等特點(diǎn)在熱電材料[1]、光電池[2]、傳感器[3]方面都有應(yīng)用. 為進(jìn)一步調(diào)控其電子性質(zhì)，通過研究表面鈍化[4-6]、施加應(yīng)力[7]、不同晶體取向、摻雜[8]等措施，有大量的研究成果和文獻(xiàn)發(fā)表. 盡管如此，硅納米線難以滿足不同應(yīng)用對(duì)獨(dú)特性質(zhì)的要求. 為更進(jìn)一步調(diào)控納米線電子性質(zhì)，在硅中摻入鍺形成硅鍺合金納米線成為一種調(diào)控策略，由于鍺的窄禁帶寬度，高的電子遷移率，使納米線在電子能帶結(jié)構(gòu)和響應(yīng)帶速度能夠得
原子與分子物理學(xué)報(bào) 2019年6期2019-12-09
- AlN納米線陣列的光學(xué)性質(zhì)及第一原理計(jì)算*
近年來，半導(dǎo)體納米線及其陣列因具有獨(dú)特的光學(xué)性能、電學(xué)和熱學(xué)等優(yōu)異性能，在場(chǎng)發(fā)射、光電探測(cè)、電子和光電子器件等方面得到了廣泛的應(yīng)用[1-2].AlN作為一種Ⅲ-Ⅴ族半導(dǎo)體，具有超強(qiáng)的耐輻射性，較高的熱穩(wěn)定性和化學(xué)穩(wěn)定性，因而AlN納米線陣列是紫外光電探測(cè)器、發(fā)光二極管和激光器二極管的理想器件選擇材料[3-4].目前，AlN納米線已經(jīng)應(yīng)用于紫外發(fā)光二極管、激光器和一維MSM結(jié)構(gòu)的紫外光電探測(cè)器中[5-6].AlN納米線的制備方法有很多.Wang等利用分子束外
沈陽工業(yè)大學(xué)學(xué)報(bào) 2019年5期2019-09-19
- NiCo2O4納米線的原位透射電鏡研究
NiCo2O4納米線作為超級(jí)電容器電極材料，該電極材料在1.11 mA/cm2電流密度下的面積比電容高達(dá)3.12 F/cm2，且具有優(yōu)異的循環(huán)穩(wěn)定性；Yang等[12]在泡沫鎳基底上制備了NiCo2O4納米線作為鋰離子電池電極材料，在100 mA/g的電流密度時(shí),該材料放電比容量達(dá)到1 048.8 mA·h/g。然而，目前電極材料的研究主要集中在整體電極材料的微結(jié)構(gòu)與性能上，而關(guān)于電極材料的單體性能研究目前報(bào)道較少。原位TEM技術(shù)是系統(tǒng)研究納米材料單體的微
實(shí)驗(yàn)室研究與探索 2019年8期2019-09-03
- 硒化鎘納米線在應(yīng)力作用下的第一性原理研究
引 言半導(dǎo)體納米線結(jié)構(gòu)是研究在微納尺度和緯度上材料的物理和化學(xué)性質(zhì)的理想體系，其在光電探測(cè)器、太陽能電池、熱電材料和場(chǎng)效應(yīng)晶體管等方面具有十分廣泛的應(yīng)用前景。Ⅱ-Ⅵ族化合物半導(dǎo)體材料硒化鎘CdSe具有獨(dú)特的光電特性，被認(rèn)為是制作納米線的優(yōu)異材料，因而引起人們廣泛地關(guān)注。由于CdSe納米線具有較大的比表面積，因此，具有更好的電學(xué)特性[1]，其在半導(dǎo)體溝道器件領(lǐng)域具有很大的應(yīng)用潛力[2]。CdSe是直接帶隙半導(dǎo)體，其帶隙約為1.74 eV[3-4]，載流子遷
人工晶體學(xué)報(bào) 2019年7期2019-08-22
- C摻雜ZnO納米線的磁性研究
不同尺寸ZnO納米線的電子性質(zhì)和磁性質(zhì).計(jì)算結(jié)果表明C原子趨于占據(jù)納米線的表面位置.所有的摻雜納米線都顯示了半導(dǎo)體特性，并且可以觀察到C、Zn和O原子p軌道的強(qiáng)雜化.2 計(jì)算方法計(jì)算采用了Dmol軟件包中自旋極化的密度泛函理論.選擇了全電子和DND基矢.交換關(guān)聯(lián)勢(shì)選擇了GGA/PBE[12].自洽場(chǎng)計(jì)算時(shí)，總能量的收斂標(biāo)準(zhǔn)為10-6Ha，力的收斂標(biāo)準(zhǔn)0.002 Ha/?，位置移動(dòng)收斂標(biāo)準(zhǔn)為0.005 ?.Mulliken布局分析被用來分析電荷轉(zhuǎn)移和原子磁矩
原子與分子物理學(xué)報(bào) 2019年3期2019-07-08
- GaAs納米線晶體結(jié)構(gòu)及光學(xué)特性*
鎵(GaAs)納米線,對(duì)生長(zhǎng)的納米線進(jìn)行掃描電子顯微鏡測(cè)試,納米線垂直度高,長(zhǎng)度直徑均勻度好.對(duì)納米線進(jìn)行光致發(fā)光(photoluminescence,PL)光譜測(cè)試,發(fā)現(xiàn)低溫10 K下兩個(gè)發(fā)光峰P1和P2分別位于1.493 eV和1.516 eV,推斷可能是纖鋅礦/閃鋅礦(WZ/ZB)混相結(jié)構(gòu)引起的發(fā)光以及激子復(fù)合引起的發(fā)光; 隨著溫度升高,發(fā)現(xiàn)兩峰出現(xiàn)紅移,并通過Varshni公式擬合得到變溫變化曲線.對(duì)納米線進(jìn)行變功率PL光譜測(cè)試,發(fā)現(xiàn)P1位置的峰位
物理學(xué)報(bào) 2019年8期2019-05-29
- Mn摻雜ZnO納米線磁性質(zhì)的第一性原理研究
Gd摻雜ZnO納米線的磁耦合性質(zhì)，發(fā)現(xiàn)Gd原子處于相鄰的位置時(shí)，它們之間的相互作用是鐵磁性的[11]. Ghosh等人研究了Fe和Co共摻雜ZnO納米線，發(fā)現(xiàn)摻雜納米線的磁性依賴于Fe和Co的位置[12]. 張等人研究了Cr和Ni摻雜ZnO納米線的電子結(jié)構(gòu)和磁性質(zhì)，發(fā)現(xiàn)納米線的磁性依賴于摻雜位置以及納米線的生長(zhǎng)方向[13, 14]. 目前還沒有Mn摻雜ZnO納米線的相關(guān)理論研究工作. Mn原子摻雜后會(huì)對(duì)納米線的結(jié)構(gòu)和物性產(chǎn)生什么影響，需要進(jìn)行詳細(xì)的研究.本
原子與分子物理學(xué)報(bào) 2019年2期2019-04-29
- 水熱法制備納米線研究進(jìn)展
要手段。其中，納米線具有眾多優(yōu)勢(shì)：易單晶化，可降低空穴-電子復(fù)合率；大比表面積，增加了邊界效應(yīng)，降低了電導(dǎo)率；有利于器件的小型化、集成化[1-3]。納米線的制備總體上可分為物理法、化學(xué)法和綜合法[4-5]，其中化學(xué)法又分為化學(xué)氣相沉積法(CVD)[6-7]、水熱法[8-10]、模板法[11]等。而水熱法具有制備條件簡(jiǎn)單、適用面廣、具有可控性和調(diào)變性等優(yōu)點(diǎn)而備受青睞。水熱法(又稱高溫水解法)是指將一定形式的前驅(qū)物放置在高壓釜水溶液中，在高溫、高壓條件下進(jìn)行反
人工晶體學(xué)報(bào) 2019年3期2019-04-17
- 水熱法制備條件對(duì)ZnO納米線形貌影響
-4]。ZnO納米線陣列是一種新型的納米一維陣列材料，具有單晶納米線的優(yōu)良品質(zhì)，是大面積應(yīng)用的理想結(jié)構(gòu)形式。但由于ZnO納米線的形貌特征對(duì)ZnO納米線的性能起著決定性的影響，所以尋求最佳的反應(yīng)條件以優(yōu)化ZnO納米線形貌具有重要意義[5-7]。本文研究水熱法制備條件對(duì)ZnO納米線形貌的影響，以獲得最佳的ZnO納米線制備條件。1 實(shí)驗(yàn)實(shí)驗(yàn)分為兩步操作，第一步采取sol-gel法在硅基底上制備ZnO籽晶層，第二步采用水熱法在籽晶層上進(jìn)行ZnO納米線的生長(zhǎng)。生長(zhǎng)步
長(zhǎng)春師范大學(xué)學(xué)報(bào) 2019年2期2019-02-27
- 大連理工研制出新型GaN發(fā)表納米線氣體傳感器
明的無漏電流“納米線橋接生長(zhǎng)技術(shù)”，解決了納米線器件的排列組裝、電極接觸及材料穩(wěn)定性問題，研制出高可靠性、低功耗及高靈敏度的GaN納米線氣體傳感器，該傳感器可推廣至生物檢測(cè)以及應(yīng)力應(yīng)變檢測(cè)等。相較于傳統(tǒng)體材料和薄膜材料，半導(dǎo)體納米線具有許多獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。但是，納米線器件的實(shí)用化還面臨一系列問題，納米線難于操控，排列定位難，電極接觸面積非常小，造成電極接觸電阻很大，比納米線自身的電阻高出近兩個(gè)數(shù)量級(jí)等等。為解決這些問題，2004年，惠普公司與加州大學(xué)合作發(fā)明了一
傳感器世界 2019年6期2019-02-16
- 銅納米線的合成、優(yōu)化及其透明電極的應(yīng)用
晶, 孫靜?銅納米線的合成、優(yōu)化及其透明電極的應(yīng)用王曉, 王冉冉, 施良晶, 孫靜（中國(guó)科學(xué)院 上海硅酸鹽研究所, 上海 200050）隨著光伏產(chǎn)業(yè)、平板顯示技術(shù)的發(fā)展, 市場(chǎng)對(duì)于透明導(dǎo)電材料的需求量迅速增加。傳統(tǒng)的透明導(dǎo)電材料氧化銦錫(ITO)面臨著資源不足、脆性大的問題, 無法滿足市場(chǎng)需求。銅納米線透明電極導(dǎo)電性好、成本低、柔性好, 是一種有潛力的新一代透明導(dǎo)電材料。近年來, 銅納米線的合成及其在透明導(dǎo)電領(lǐng)域的應(yīng)用引起了研究人員的關(guān)注, 并取得顯著的進(jìn)
無機(jī)材料學(xué)報(bào) 2019年1期2019-01-30
- 銀納米線表面等離激元波導(dǎo)的能量損耗?
要意義.本文從納米線表面等離激元的基本模式出發(fā),介紹了它在不同條件下的場(chǎng)分布和傳輸特性,在此基礎(chǔ)上著重討論納米線表面等離激元傳輸損耗的影響因素和測(cè)量方法以及目前常用的降低傳輸損耗的思路.最后給出總結(jié)以及如何進(jìn)一步降低能量損耗方法的展望.表面等離激元能量損耗的相關(guān)研究對(duì)于納米光子器件的設(shè)計(jì)和集成光子回路的構(gòu)建有著重要作用.1 引 言隨著現(xiàn)代信息技術(shù)的飛速發(fā)展,人們對(duì)于集成器件的性能和傳輸速度要求越來越高,而傳統(tǒng)半導(dǎo)體集成電路的進(jìn)一步發(fā)展面臨瓶頸.隨著電子元件
物理學(xué)報(bào) 2018年24期2018-12-28
- 金輔助催化方法制備GaAs和GaAs/InGaAs納米線結(jié)構(gòu)的形貌表征及生長(zhǎng)機(jī)理研究?
為代表的半導(dǎo)體納米線結(jié)構(gòu)在新一代光電子器件的研究及制備領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景[1?6],近年來一直是國(guó)內(nèi)外的研究熱點(diǎn).在GaAs基材料中,InGaAs材料因其窄帶寬、復(fù)合中心少及載流子遷移率高等特性而被以異質(zhì)結(jié)的形式應(yīng)用到納米線結(jié)構(gòu)中.然而,由于生長(zhǎng)機(jī)理復(fù)雜、失配和應(yīng)變等原因,會(huì)導(dǎo)致納米線結(jié)構(gòu)呈現(xiàn)“錐狀”和“扭折”等現(xiàn)象[7?10],不利于控制樣品形貌.為了獲得高質(zhì)量的納米線結(jié)構(gòu),當(dāng)前多采用遵循氣-液-固(vapor-liquid-soild,VLS)機(jī)理
物理學(xué)報(bào) 2018年18期2018-10-26
- 基于硅納米線的場(chǎng)效應(yīng)晶體管電學(xué)性質(zhì)仿真
料，而半導(dǎo)體硅納米線具有優(yōu)良的光電性質(zhì)和成熟的制備技術(shù)。多年以來，人們對(duì)硅納米線的制備及相關(guān)器件應(yīng)用進(jìn)行了大量而卓有成效的研究，取得了豐富的研究成果。研究結(jié)果發(fā)現(xiàn)，半導(dǎo)體硅納米線在電子器件[1-2]、光電器件[3-4]、生物及化學(xué)傳感器[5]、能量?jī)?chǔ)存及轉(zhuǎn)換等器件[6]方面都有非常廣泛的應(yīng)用前景。而基于半導(dǎo)體硅納米線的光電器件、電子器件、傳感器件應(yīng)用是以硅納米線的電學(xué)性質(zhì)為基礎(chǔ)的，因此硅納米線的電學(xué)特性是其中關(guān)鍵因素。而硅納米線的電學(xué)特性取決于納米線制備過
電子世界 2018年17期2018-09-14
- 多晶面銀納米線拉伸形變的分子動(dòng)力學(xué)模擬
4001)金屬納米線因其獨(dú)特的機(jī)械性質(zhì)、光電性質(zhì)、熱學(xué)性質(zhì)和磁性質(zhì)等，被廣泛應(yīng)用于電極材料、光學(xué)材料和催化材料等領(lǐng)域[1-5].這些優(yōu)異的性能與納米線中的表面結(jié)構(gòu)密切相關(guān)，尤其當(dāng)納米線尺度小于10nm時(shí)，納米線表面和界面應(yīng)力將成為控制納米線形變的主導(dǎo)因素[6-7].為了構(gòu)建高強(qiáng)度納米線，研究表面形貌對(duì)金屬納米線的形變影響顯得十分必要.理論上通常借助分子動(dòng)力學(xué)模擬來研究不同表面形貌對(duì)納米線強(qiáng)度的影響機(jī)制.大量的模擬研究表明，表面形貌能控制金屬納米線的力學(xué)性質(zhì)
復(fù)旦學(xué)報(bào)（自然科學(xué)版） 2018年4期2018-09-12
- GaAs一維納米結(jié)構(gòu)生長(zhǎng)控制及表面改性方面的研究進(jìn)展
點(diǎn)的GaAs基納米線具有比體材料更出眾的光電性質(zhì)，成了為近年來低材料研究中的熱點(diǎn)。然而GaAs納米線材料走向?qū)嶋H應(yīng)用就必須要解決生長(zhǎng)過程中的形貌可控以及高質(zhì)量生長(zhǎng)。在GaAs材料體系中，由于表面態(tài)引起的費(fèi)米能級(jí)釘扎是影響材料光電性質(zhì)的重要原因。在納米線材料中，當(dāng)材料的表面積體積比增大，表面態(tài)問題變得越加顯著。本文中闡述了納米線的核殼結(jié)構(gòu)、表面鈍化處理和量子點(diǎn)敏華處理的機(jī)理與應(yīng)用。2 GaAs納米線的生長(zhǎng)控制1964年，Wagner和Ellis為了解釋Au納
電子世界 2018年4期2018-03-20
- 碳納米線的拉伸應(yīng)變傳感特性
碳納米薄膜和碳納米線應(yīng)變傳感器方面的研究?；谔?span id="j5i0abt0b" class="hl">納米線的研究[8-10]已經(jīng)顯示出其作為原位傳感器用于監(jiān)測(cè)連續(xù)纖維增強(qiáng)復(fù)合材料耐損傷和應(yīng)變的潛力。在國(guó)外，利用碳納米線進(jìn)行復(fù)合材料的結(jié)構(gòu)健康監(jiān)測(cè)大都采用鋪層或黏貼方式[11-12]，未見有將碳納米線與增強(qiáng)纖維共同編織對(duì)三維編織復(fù)合材料進(jìn)行結(jié)構(gòu)健康監(jiān)測(cè)的報(bào)道；在國(guó)內(nèi)，將碳納米線用于三維編織復(fù)合材料結(jié)構(gòu)健康監(jiān)測(cè)的研究結(jié)果表明，作為一種新的綜合和分布式技術(shù)，碳納米線傳感器應(yīng)用于三維編織復(fù)合材料結(jié)構(gòu)健康監(jiān)測(cè)是可行的，
紡織學(xué)報(bào) 2018年3期2018-03-16
- 表面鈍化效應(yīng)對(duì)GaAs納米線電子結(jié)構(gòu)性質(zhì)影響的第一性原理研究?
效應(yīng)對(duì)GaAs納米線電子結(jié)構(gòu)性質(zhì)影響的第一性原理研究?張勇1)?施毅敏1)包優(yōu)賑1)喻霞1)謝忠祥1)?寧鋒2)1)(湖南工學(xué)院數(shù)理科學(xué)與能源工程學(xué)院,衡陽 421002)2)(廣西師范學(xué)院物理與電子工程學(xué)院,南寧 530001)納米線表面存在大量的表面態(tài),它們能夠引起電子分布在納米線表面,使得納米線的電學(xué)性質(zhì)對(duì)表面條件變得更加敏感,嚴(yán)重地制約器件的性能.表面鈍化能夠有效地移除納米線的表面態(tài),進(jìn)而能夠有效地優(yōu)化器件的性能.采用基于密度泛函理論的第一性原理計(jì)
物理學(xué)報(bào) 2017年19期2017-10-23
- 一種制備二氧化鈦納米線薄膜的方法
種制備二氧化鈦納米線薄膜的方法本發(fā)明涉及一種二氧化鈦納米線薄膜的制備方法。以鈦粉（純度99.5%~99.8%）為原材料，通過兩次熱蒸發(fā)在襯底上制備二氧化鈦納米線薄膜。二氧化鈦納米線密集且分布均勻，其長(zhǎng)度為50~1 000 nm，直徑為1~100 nm。采用熱蒸發(fā)法制備二氧化鈦納米線，其制備工藝簡(jiǎn)單可控，制備的二氧化鈦納米線結(jié)晶性好，雜質(zhì)元素少。可適用于涂料分散劑、光催化、染料敏化太陽能電池等領(lǐng)域。CN，105016383B
無機(jī)鹽工業(yè) 2017年7期2017-03-10
- 銻化物納米線研究取得重要進(jìn)展
InAsSb）納米線制備及機(jī)理研究方而取得了系列重要進(jìn)展，為未來制備高度集成的III-V族納米器件開拓了新的技術(shù)路線。相關(guān)研究成果發(fā)表在Nano Letters，2016，16（2），877-882上。III-V族半導(dǎo)體納米線因其獨(dú)特的準(zhǔn)一維結(jié)構(gòu)和物理特性可應(yīng)用于納米晶體管、納米傳感器和納米光電探測(cè)器等方面，是當(dāng)前國(guó)際研究的熱點(diǎn)。其中，InAsSb納米線不僅具有超高的載流子遷移率和極小的有效質(zhì)量，還具有可調(diào)的帶隙，是紅外探測(cè)器的理想材料。日前，國(guó)際上廣泛采
科學(xué) 2016年2期2016-05-30
- 納米銀和二氧化鈦協(xié)同修飾氧化鋅納米線陣列及制備方法
協(xié)同修飾氧化鋅納米線陣列及制備方法本發(fā)明涉及一種納米銀和二氧化鈦協(xié)同修飾的氧化鋅納米線陣列及制備方法，該陣列結(jié)構(gòu)為：ZnO納米線為內(nèi)芯，在ZnO納米線表面負(fù)載納米Ag，納米Ag最外部修飾TiO2膜層，其中ZnO納米線陣列長(zhǎng)為10 μm，二氧化鈦層為5～10 nm。采用水熱法制備ZnO納米線陣列，以AgNO3溶液作為前驅(qū)體，通過光照還原法在ZnO納米線陣列表面負(fù)載納米Ag，然后將其放入六氟鈦酸胺和硼酸的混合液中，采用浸沒法在陣列表面形成TiO2膜層。該結(jié)構(gòu)的
無機(jī)鹽工業(yè) 2016年4期2016-03-15
- 硅基納米線太陽電池電極接觸性能的改善
1]。近年，硅納米線結(jié)構(gòu)因具有超低的光反射和較強(qiáng)的光吸收而受到了重視[2-5]。硅納米線的制備方法主要包括：激光燒蝕[6]、氣液固相沉積(VLS)[7-8]、反應(yīng)離子刻蝕(RIE)[4，9]和濕法腐蝕等[10-11]。在300～1 000 nm光波長(zhǎng)范圍，硅納米線陣列具有超低的光反射率(＜5%)。但與傳統(tǒng)的金字塔結(jié)構(gòu)晶硅電池相比，盡管納米線結(jié)構(gòu)具有超低的反射損失，納米線晶硅太陽電池的轉(zhuǎn)換效率仍不高[12]。這主要有兩方面原因：一是納米線具有大的表面積，從而
電源技術(shù) 2015年6期2015-11-21
- 壓電納米線尺寸與機(jī)電轉(zhuǎn)換性能的有限元研究
2].利用壓電納米線受力應(yīng)變時(shí)產(chǎn)生的壓電勢(shì)，可向外電路輸出脈沖式的高電壓信號(hào)并對(duì)LED和低功耗傳感器等微納器件進(jìn)行供電，獲得自供電系統(tǒng)［3-4].在微納壓電發(fā)電器件中，機(jī)電轉(zhuǎn)換效率是影響器件電輸出能力的關(guān)鍵因素.通過提高材料的性能參數(shù)、優(yōu)化器件的結(jié)構(gòu)構(gòu)型，可對(duì)器件的機(jī)電轉(zhuǎn)換效率進(jìn)行優(yōu)化.依納米線形貌的不同，可將壓電納米線發(fā)電元件分為納米線陣列、納米線網(wǎng)絡(luò)和納米線復(fù)合物3種［5-7].受制于復(fù)雜的材料生長(zhǎng)和器件組裝工藝，有關(guān)器件結(jié)構(gòu)與機(jī)電轉(zhuǎn)換效率關(guān)聯(lián)性的實(shí)驗(yàn)
- 用高溫氧化法制備氧化鎳納米線及氧化機(jī)制研究
化法制備氧化鎳納米線及氧化機(jī)制研究楊 攀，魏曉偉*，王 劍，羊 凡，鄭曉宇(西華大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院，四川 成都 610039)為獲得晶粒尺寸可控的氧化鎳(NiO)納米線，用高溫氧化法制備NiO納米線，并通過XRD、SEM、TGA和HRTEM的手段分析氧化機(jī)制。微結(jié)構(gòu)分析表明，Ni納米線在400 、600 、800 ℃氧化5 h獲得的NiO納米線的平均晶粒尺寸分別為12 、16 、21 nm，說明隨著氧化溫度的升高，晶粒尺寸增大。SEM分析顯示，NiO納
- 有限長(zhǎng)金屬納米線調(diào)控納米線波導(dǎo)的傳輸特性研究
9）有限長(zhǎng)金屬納米線調(diào)控納米線波導(dǎo)的傳輸特性研究龐紹芳1，屈世顯2，張永元1，解 憂1，郝麗梅1（1西安科技大學(xué)理學(xué)院，陜西西安710054；2陜西師范大學(xué)物理學(xué)與信息技術(shù)學(xué)院，陜西西安710119）基于有限元方法，通過改變有限長(zhǎng)金屬納米線的長(zhǎng)度、半徑、介質(zhì)有效折射率以及有限長(zhǎng)金屬納米線和波導(dǎo)之間的距離，研究了有限長(zhǎng)金屬納米線對(duì)納米線波導(dǎo)傳輸特性的調(diào)控效果。結(jié)果表明：沿有限長(zhǎng)金屬納米線長(zhǎng)度方向，表面等離極化激元在兩金屬納米線耦合區(qū)域內(nèi)形成共振。隨著有限長(zhǎng)金
- 單根氮化硅納米線壓阻效應(yīng)研究
4)單根氮化硅納米線壓阻效應(yīng)研究畢精會(huì)(太原科技大學(xué)，太原 030024)為了實(shí)現(xiàn)惡劣環(huán)境下的精密儀器和精確測(cè)量，適應(yīng)于惡劣環(huán)境下的壓力傳感器的需求大大增加。首次報(bào)道單根氮化硅納米線的橫向壓電效應(yīng)。在不同壓力負(fù)載下，采用導(dǎo)電原子力顯微鏡(CAFM)對(duì)單根氮化硅納米線進(jìn)行壓阻效應(yīng)測(cè)量。計(jì)算得到橫向壓電效應(yīng)的系數(shù)在1.8～7.5×10-11Pa-1范圍內(nèi)。壓電電阻系數(shù)和負(fù)載壓力之間的關(guān)系幾乎是線性的。穩(wěn)定和可重復(fù)的電流-電壓曲線通過多次循環(huán)往復(fù)測(cè)量完成，表明氮
太原科技大學(xué)學(xué)報(bào) 2015年4期2015-05-25
- Pt-Ag合金納米線熱力學(xué)性質(zhì)的分子動(dòng)力學(xué)模擬研究
Pt-Ag合金納米線熱力學(xué)性質(zhì)的分子動(dòng)力學(xué)模擬研究曾 冰, 王新強(qiáng)(重慶大學(xué)物理學(xué)院, 重慶 401331)基于原子嵌入勢(shì)(EAM),采用分子動(dòng)力學(xué)方法,對(duì)臨界尺寸下的Pt0.95Ag0.05合金納米線多邊形結(jié)構(gòu)的熔化行為進(jìn)行了計(jì)算模擬.結(jié)果表明:徑向尺寸對(duì)Pt0.95Ag0.05合金納米線的熔點(diǎn)影響較為顯著,而長(zhǎng)度對(duì)其影響較小;引入林德曼因子得到的熔點(diǎn)和用勢(shì)能-溫度變化曲線找到的熔點(diǎn)基本一致;合金納米線的染色原子由外向內(nèi)運(yùn)動(dòng);綜合分析發(fā)現(xiàn)Pt0.95Ag
原子與分子物理學(xué)報(bào) 2015年6期2015-03-22
- ZnO納米線陣列生長(zhǎng)參數(shù)及光學(xué)性質(zhì)
定性等優(yōu)點(diǎn)，其納米線陣列在太陽能電池、探測(cè)器、光催化、發(fā)光二極管、納米發(fā)電機(jī)等領(lǐng)域具有非常大的應(yīng)用潛力［1-5］.ZnO納米線陣列是構(gòu)建ZnO基異質(zhì)結(jié)構(gòu)納米線陣列的基礎(chǔ)，異質(zhì)結(jié)構(gòu)具備單一ZnO材料不具備的特性，更具有使用價(jià)值［6-7］.為了實(shí)現(xiàn)ZnO及其異質(zhì)結(jié)構(gòu)納米線陣列的應(yīng)用，必須實(shí)現(xiàn)對(duì)ZnO納米線陣列進(jìn)行可控生長(zhǎng).本文報(bào)道利用水熱法合成ZnO納米線陣列，研究生長(zhǎng)參數(shù)對(duì)樣品形貌的影響，對(duì)樣品的晶體結(jié)構(gòu)及光學(xué)性質(zhì)進(jìn)行分析.1 實(shí)驗(yàn)方法將二水合乙酸鋅溶于無水
大連交通大學(xué)學(xué)報(bào) 2015年1期2015-02-18
- 9,10-二(3,5-二氟苯乙烯基)蒽有機(jī)納米線的制備與性質(zhì)表征
乙烯基)蒽有機(jī)納米線的制備與性質(zhì)表征王 穎1,2, 趙紀(jì)紅1, 劉連慶2, 徐 斌3(1.吉林大學(xué) 電子科學(xué)與工程學(xué)院, 集成光電子學(xué)國(guó)家重點(diǎn)聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室, 長(zhǎng)春 130012; 2.中國(guó)科學(xué)院 沈陽自動(dòng)化研究所, 機(jī)器人學(xué)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室, 沈陽 110016; 3.吉林大學(xué) 超分子結(jié)構(gòu)與材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室, 長(zhǎng)春 130012)利用再沉淀法制備9,10-二(3,5-二氟苯乙烯基)蒽(TFDSA)有機(jī)納米線, 并通過掃描電子顯微鏡(SEM)、透射電子顯微鏡(
吉林大學(xué)學(xué)報(bào)（理學(xué)版） 2014年6期2014-09-06
- Al/CuO納米線陣列材料的制備及表征
棟Al/CuO納米線陣列材料的制備及表征孫 星， 張 方， 王燕蘭， 張 蕾， 張植棟（陜西應(yīng)用物理化學(xué)研究所應(yīng)用物理化學(xué)國(guó)家級(jí)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，陜西 西安，710061）對(duì)基于熱氧化法的CuO納米線陣列的生長(zhǎng)進(jìn)行了研究，考察了熱氧化溫度、時(shí)間、鍍膜工藝和熱退火等因素對(duì)納米線生長(zhǎng)的影響，得到了適合CuO納米線生長(zhǎng)的最佳條件，并推測(cè)了可能的生長(zhǎng)規(guī)律和生長(zhǎng)機(jī)理。此外，將PVD技術(shù)和硅基平面工藝相結(jié)合制備了Al/CuO納米線含能陣列，并進(jìn)行了表征和點(diǎn)火測(cè)試。亞穩(wěn)態(tài)分子
火工品 2014年1期2014-07-11
- 液相還原法可控高產(chǎn)率單晶銅納米線制備方法
678000)納米線由于自身的小尺寸效應(yīng)以及結(jié)構(gòu)上的各向異性，表現(xiàn)出許多不同于傳統(tǒng)塊體材料的物理化學(xué)性質(zhì)。在眾多的納米線當(dāng)中，金屬納米線因其金屬屬性，在用于微、納裝置的結(jié)構(gòu)單元以及單元間的連接材料等方面具有潛在的應(yīng)用前景[1]。由于銅具有比鋁更好的導(dǎo)電性和抗電遷移性能，有利于提高裝置運(yùn)行頻率，允許更大密度的電流通過，因而銅納米線的制備引起了人們的廣泛關(guān)注[2]。到目前為止，人們提出了很多制備銅納米線的方法，主要有電化學(xué)反應(yīng)[3]、固相還原法[4]、真空蒸發(fā)
湖北工程學(xué)院學(xué)報(bào) 2014年3期2014-04-24
- 不同成分和結(jié)構(gòu)的CoCu納米線陣列的沉積規(guī)律
法制備一維磁性納米線具有設(shè)備簡(jiǎn)單、操作方便等優(yōu)點(diǎn)而為人們經(jīng)常采用［1］。目前，在磁性納米線陣列的研究中，磁性特征優(yōu)于一般單一成分的鐵磁－非鐵磁性合金系統(tǒng)(包括CoCu)引起了人們的廣泛關(guān)注［2～11］。先前的工作報(bào)道表明，利用電化學(xué)沉積方法制備二元系統(tǒng)納米線陣列的過程中，通過調(diào)節(jié)沉積條件可以得到不同成分和結(jié)構(gòu)的納米線陣列［3～7］。目前對(duì)于Co-Cu二元系統(tǒng)大多數(shù)的研究都集中在CoCu多層膜［8，9］和單一面心立方(fcc)結(jié)構(gòu)的 CoCu合金上［10，1
河北科技師范學(xué)院學(xué)報(bào) 2014年4期2014-03-09
- 不同孿晶界密度銀納米線拉伸形變行為的分子動(dòng)力學(xué)模擬
)1 引言金屬納米線的研究在基礎(chǔ)物理學(xué)、微納器件1和材料學(xué)等方面占有重要地位,是材料物理化學(xué)的重要分支.金屬納米線特殊的機(jī)械性質(zhì)、2,3光電性質(zhì)、4熱力學(xué)性質(zhì)5,6和磁性7等使其具有廣泛的應(yīng)用價(jià)值.構(gòu)建高強(qiáng)度納米線是研究的熱點(diǎn),孿晶界對(duì)金屬納米材料的物理化學(xué)性質(zhì)影響顯著,因此研究孿晶對(duì)納米線形變的影響至關(guān)重要.在實(shí)驗(yàn)研究方面,目前研究較多的是觀察孿晶對(duì)[111]晶向的銅、銀和金納米線強(qiáng)度的影響.8-10Lu等11-14用脈沖電沉積技術(shù)制備出銅孿晶結(jié)構(gòu)樣品,
物理化學(xué)學(xué)報(bào) 2014年11期2014-02-18
- 模板法制備GdMn x O y納米線陣列及熒光性能
特性，納米管、納米線材料得到了世界的普遍關(guān)注，涌現(xiàn)出大量關(guān)于制備納米管、納米線材料的報(bào)道，例如Yuan等［2］通過氧化鋁模板合成了NdxNi1－xOy納米管陣列并研究了其磁性能;Wu等［3］使用水熱法制備出了Y(OH)3和Y2O3納米管并研究了其光致發(fā)光性能;Wang等［4］用溶膠凝膠法合成了Bi3.25La0.75Ti3O12納米管.稀土元素?fù)碛歇?dú)特的4f電子構(gòu)型，4f電子層有著很多未成對(duì)電子，同時(shí)稀土元素具有十分廣泛的電子能級(jí)，電子可以在各個(gè)能級(jí)間躍遷
- 選區(qū)發(fā)射在硅基納米線陣列太陽電池中的應(yīng)用
宇一 引言硅基納米線陣列太陽電池是下一代新型高效太陽電池結(jié)構(gòu)之一，作為國(guó)際光伏領(lǐng)域的研究前沿，得到了廣泛關(guān)注[1～3]。硅基納米線陣列太陽電池具有超低的表面反射率，能極大地提高傳統(tǒng)晶體硅太陽電池的光吸收特性，并且其具有一維載流子輸運(yùn)特性，具備了未來高效晶體硅太陽電池的潛在特點(diǎn)。因此，納米線陣列可取代傳統(tǒng)電池結(jié)構(gòu)中的金字塔結(jié)構(gòu)形成納米線陣列太陽電池。目前，關(guān)于硅基納米線陣列太陽電池結(jié)構(gòu)可根據(jù)p-n位置分為三類：硅納米線陣列絨面晶體硅太陽電池、徑向p-n結(jié)納米
太陽能 2012年21期2012-10-22
- 溫度對(duì)單根氧化鋅納米線真空傳感器的影響*
維納米結(jié)構(gòu)，如納米線［1］、納米帶［2］、納米管等得到了更多的關(guān)注，大量文獻(xiàn)報(bào)道了多種ZnO納米結(jié)構(gòu)的電致發(fā)光、光電探測(cè)、壓電效應(yīng)等特性［3-4］.由于納米結(jié)構(gòu)材料比表面積較大，所以有很高的靈敏度.正是由于這一點(diǎn)，許多研究者制備了氣體傳感器［5］、光傳感器［6］、濕度傳感器、真空傳感器［7］.在對(duì)真空傳感器的研究中，研究者對(duì)不同氣體環(huán)境下的傳感器的特性進(jìn)行了研究［7］，但很少有研究者研究了溫度對(duì)傳感器的影響，特別是高溫情況.該文主要闡述了ZnO納米線的制備
- 基于可控Cd摻雜In2O3納米線的電學(xué)特性研究
摻雜In2O3納米線的電學(xué)特性研究郭慧爾， 葛 焱， 王春來， 李琳瓏， 于永強(qiáng)（合肥工業(yè)大學(xué) 電子科學(xué)與應(yīng)用物理學(xué)院，安徽 合肥 230009）文章利用化學(xué)氣相沉積法合成了不同摩爾比的Cd摻雜的In2O3納米線，制備了基于單根In2O3納米線的底柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管，并研究了其電輸運(yùn)特性。結(jié)果表明，相對(duì)未摻雜的In2O3納米線，In2O3∶Cd納米線的電導(dǎo)率有1～2個(gè)數(shù)量級(jí)變化，載流子遷移率高達(dá)58.1cm2／（V·s），載流子濃度高達(dá)3.7×1018cm－3
- Sb2S3納米線合成和表征
黑色Sb2S3納米線.1.2 測(cè)試和表征方法電鏡制樣過程為：取少量樣品倒入適量酒精，在超聲波處理下分散，然后滴在覆蓋有碳膜的銅網(wǎng)上晾干.2 實(shí)驗(yàn)結(jié)果與討論2.1 Sb2S3納米線形貌和成分分析圖1是兩張樣品的電鏡照片，顯示樣品外觀形貌.其中圖1(a)是一張樣品的低倍掃描電鏡照片，從圖中我們可以看到，樣品中含有大量的一維線狀物質(zhì)，這些一維線狀物質(zhì)的長(zhǎng)度達(dá)到幾個(gè)毫米，為了進(jìn)一步說明納米線的形貌，我們選取其中的一根做透射電鏡分析.圖1(b)是單根樣品的透射電鏡照
陜西科技大學(xué)學(xué)報(bào) 2012年5期2012-02-16
- 熱蒸發(fā)SiO大量合成硅納米線及其可控p型摻雜
）0 引 言硅納米線作為一種典型的準(zhǔn)一維半導(dǎo)體納米材料，與體硅材料相比，在電輸運(yùn)、表面活性、場(chǎng)發(fā)射特性和量子效應(yīng)等方面具有與眾不同的優(yōu)異性［1－2］，因而在低維納米器件的應(yīng)用方面受到越來越廣泛的關(guān)注。在過去數(shù)年間，隨著Si納米線場(chǎng)效應(yīng)晶體管［3］、納米生物傳感器［4－5］、太陽能電池等一系列硅納米原型器件的實(shí)現(xiàn)［6－7］，硅基納米器件的制備和應(yīng)用研究取得了引人矚目的進(jìn)展。Si納米線的制備方法有許多種，從生長(zhǎng)方式上可以大致分為物理法、化學(xué)法和綜合法，如化學(xué)氣