磁控濺射
- 磁控濺射技術(shù)在紡織領(lǐng)域的應(yīng)用研究進(jìn)展
邵建中摘要：磁控濺射技術(shù)作為一種生態(tài)環(huán)保的薄膜沉積技術(shù)，在紡織領(lǐng)域得到廣泛的關(guān)注。本文綜述了磁控濺射技術(shù)在紡織品功能化、紡織品仿生結(jié)構(gòu)生色以及膜-基結(jié)合穩(wěn)定性方面的研究進(jìn)展，概述了磁控濺射技術(shù)在紡織基材上的沉積原理和特點(diǎn)，靶材分類(lèi)及常見(jiàn)靶材的應(yīng)用特點(diǎn)，并指出磁控濺射技術(shù)目前存在的不足及相應(yīng)的改善策略。該技術(shù)的應(yīng)用有利于紡織染整業(yè)的可持續(xù)發(fā)展。關(guān)鍵詞：磁控濺射；紡織品；功能整理；結(jié)構(gòu)生色；薄膜干涉；結(jié)合牢度中圖分類(lèi)號(hào)：TS195.5文獻(xiàn)標(biāo)志碼：A文章編號(hào)：1
現(xiàn)代紡織技術(shù) 2023年2期2023-06-20
- V摻雜對(duì)類(lèi)金剛石薄膜性能的影響
迅摘要：通過(guò)磁控濺射的方法，使用石墨靶、V靶復(fù)合拼接靶，以氬氣作為輔助氣體，成功制備了不同原子分?jǐn)?shù)的V摻雜類(lèi)金剛石薄膜。采用拉曼光譜儀、電子探針X射線顯微分析儀、X射線光電子能譜儀、原子力顯微鏡、掃描電子顯微鏡、納米壓痕儀、薄膜應(yīng)力儀、往復(fù)摩擦磨損試驗(yàn)機(jī)等設(shè)備研究了V摻雜對(duì)類(lèi)金剛石薄膜微觀結(jié)構(gòu)、力學(xué)性能、摩擦學(xué)性能的影響。結(jié)果表明，V摻雜提高了類(lèi)金剛石薄膜的力學(xué)性能，當(dāng)薄膜中V的原子分?jǐn)?shù)為54.28%時(shí)，薄膜的硬度和彈性模量分別為14.1 GPa和147.
有色金屬材料與工程 2023年1期2023-06-20
- 電磁屏蔽織物的研究現(xiàn)狀
用化學(xué)鍍法和磁控濺射法制備電磁屏蔽織物的相關(guān)進(jìn)展;最后總結(jié)了各類(lèi)電磁屏蔽織物目前存在的一些問(wèn)題，并對(duì)其發(fā)展進(jìn)行了展望。關(guān)鍵詞：電磁屏蔽織物;金屬纖維;導(dǎo)電高聚物;石墨烯;MXene ;化學(xué)鍍;磁控濺射中圖分類(lèi)號(hào)：TS195.1文獻(xiàn)標(biāo)志碼：A文章編號(hào)：1009265X（2022）03000112Research status of electromagnetic shielding fabricsJI Yu ?LIU Yuanjun ?ZHAO Xiaomi
現(xiàn)代紡織技術(shù) 2022年3期2022-05-23
- 溝道長(zhǎng)度對(duì)IGZO薄膜晶體管性能的影響
件下采用射頻磁控濺射的方法在熱氧化SiO2襯底上生長(zhǎng)IGZO薄膜作為有源層，并將其制備為薄膜晶體管器件.研究不同的溝道長(zhǎng)度對(duì)IGZO薄膜晶體管電學(xué)性能的影響.使用場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡（SEM）表征IGZO薄膜的厚度，使用原子力顯微鏡（AFM）表征薄膜的表面形貌.實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，溝道長(zhǎng)度對(duì)IGZO薄膜晶體管有著重要影響.當(dāng)溝道長(zhǎng)度為10[μm]時(shí)，IGZO薄膜晶體管的開(kāi)關(guān)電流比達(dá)到1.07×108，載流子遷移率為3.81cm2/V，閾值電壓為27V，亞閾值擺幅
電腦知識(shí)與技術(shù) 2021年26期2021-10-18
- 鈦合金件內(nèi)外雙靶材磁控濺射鍍鋁設(shè)備改進(jìn)研發(fā)
析了真空離子磁控濺射鍍鋁設(shè)備原理結(jié)構(gòu)和設(shè)計(jì)流程，引入閉合磁場(chǎng)非平衡磁控濺射技術(shù)思路，對(duì)比直流單靶材磁控濺射和內(nèi)外雙靶材磁控濺射中的電磁場(chǎng)分布和等離子體分布，將2個(gè)直流內(nèi)單圓柱靶改制為4個(gè)磁極相對(duì)的內(nèi)外雙圓柱靶結(jié)構(gòu)，構(gòu)建內(nèi)靶磁場(chǎng)和外靶磁場(chǎng)相反的閉合磁場(chǎng)，研發(fā)滿(mǎn)足涂層綜合性能要求且適于批量生產(chǎn)的鍍鋁設(shè)備，助推國(guó)內(nèi)新型裝備高質(zhì)量發(fā)展和清潔節(jié)能生產(chǎn)。關(guān)鍵詞：磁控濺射;雙靶材;鍍鋁設(shè)備 中圖分類(lèi)號(hào)：TN305? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?
內(nèi)燃機(jī)與配件 2021年11期2021-09-10
- 磁控濺射鍍膜技術(shù)的發(fā)展及應(yīng)用分析
合分析了當(dāng)前磁控濺射的鍍膜技術(shù)發(fā)展情況，并對(duì)該項(xiàng)鍍膜技術(shù)實(shí)踐應(yīng)用，進(jìn)行了有效性地研究，以能夠全面了解與掌握磁控濺射的鍍膜技術(shù)，將磁控濺射的鍍膜技術(shù)各項(xiàng)功能優(yōu)勢(shì)充分應(yīng)用在相應(yīng)的行業(yè)領(lǐng)域當(dāng)中，為廣大鍍膜玻璃生產(chǎn)加工企業(yè)高質(zhì)量、高標(biāo)準(zhǔn)、高效率地生產(chǎn)提供堅(jiān)實(shí)地技術(shù)保證，促進(jìn)鍍膜玻璃生產(chǎn)加工企業(yè)邁向全新的發(fā)展征程，實(shí)現(xiàn)突破性發(fā)展。[關(guān)鍵詞]磁控濺射;鍍膜;技術(shù);發(fā)展;應(yīng)用;分析;前言：磁控濺射，它屬于一種物理的氣相沉積技術(shù)，通常指處于特定真空環(huán)境之下所在輝光放電兩級(jí)
科技研究·理論版 2021年4期2021-09-10
- 專(zhuān)利名稱(chēng)：一種基于鈦片表面磁控濺射二硫化鉬生物功能涂層的制備方法
基于鈦片表面磁控濺射二硫化鉬生物功能涂層的制備方法，包括如下步驟：(1)對(duì)鈦片表面進(jìn)行堿熱處理；(2)通過(guò)磁控濺射系統(tǒng)在鈦片表面濺射二硫化鉬涂層。其優(yōu)點(diǎn)是：使用磁控濺射系統(tǒng)可在鈦片表面形成均勻的二硫化鉬涂層；且磁控系統(tǒng)的工作氣壓、沉積時(shí)間、沉積速率等的設(shè)置，可有效控制二硫化鉬圖層的形貌及厚度；本發(fā)明設(shè)備投入少、實(shí)施難度小，制備方法簡(jiǎn)單易行，并且對(duì)環(huán)境并無(wú)太大影響。
中國(guó)鉬業(yè) 2021年1期2021-04-04
- 磁控濺射納米膜與不同紡織基材的結(jié)合牢度
[2-3]。磁控濺射鍍膜技術(shù)是物理氣相沉積的一種，具有沉積速率高，對(duì)膜層損傷小，制備的薄膜純度高且致密均勻，可實(shí)現(xiàn)大面積鍍膜且厚度均勻等突出優(yōu)點(diǎn)，是目前應(yīng)用最廣泛的薄膜制備技術(shù)之一，也是實(shí)現(xiàn)紡織品多功能化的重要途徑[4]。利用磁控濺射技術(shù)在紡織品表面沉積金屬納米膜而獲得結(jié)構(gòu)生色紡織品是一種新的紡織品生態(tài)著色方法[5-6]。目前利用磁控濺射技術(shù)產(chǎn)生結(jié)構(gòu)色方面的研究報(bào)道較少，尤其是磁控濺射紡織品結(jié)構(gòu)色牢度方面的研究工作更是鮮有報(bào)道。蘇喜林等[7]申請(qǐng)了關(guān)于利用
紡織學(xué)報(bào) 2021年2期2021-03-05
- 濺射鍍膜技術(shù)與運(yùn)用淺談
鍵詞：濺射;磁控濺射;靶材;濺射特性;肖特基二極管1基本概念1.1所謂“濺射”是指荷能粒子轟擊固體表面（靶材）、使固體原子（或分子）從表面射出的現(xiàn)象。1.2濺射原子：由固體表面（靶材）射職的粒子，大多呈原子狀態(tài)，常稱(chēng)為濺射原子。1.3入射離子：用于轟擊靶的荷能粒子可以是電子、離子或中性粒子，因?yàn)殡x子在電場(chǎng)下易于加速并獲得所需動(dòng)能，因此大多采用離子作為轟擊粒子。該粒子又稱(chēng)入射離子。1.4離子濺射鍍膜：由于直接實(shí)現(xiàn)濺射的機(jī)構(gòu)是離子，所以這種鍍膜技術(shù)又稱(chēng)為離子濺
裝備維修技術(shù) 2020年5期2020-11-20
- 溫度對(duì)ZnO:Sn薄膜光電性能分析
要：運(yùn)用射頻磁控濺射技術(shù)，改變?yōu)R射溫度（50℃-300℃）在玻璃襯底上生長(zhǎng)ZnO：Sn透明導(dǎo)電樣品，采用XRD、紫外-可見(jiàn)分光光度計(jì)對(duì)薄膜進(jìn)行光電性能表征。結(jié)果發(fā)現(xiàn)：隨著溫度的增大，樣品XRD曲線由多峰轉(zhuǎn)變?yōu)椋?02）單峰，晶粒尺寸從21.9增大到31.7。紫外可見(jiàn)光光譜在400在760nm波長(zhǎng)區(qū)間平均透射率均在89%以上，薄膜帶隙寬度隨壓強(qiáng)變化不明顯，基本維持在3.33eV-3.34eV左右。關(guān)鍵詞：磁控濺射;ZnO：Sn薄膜;濺射溫度;光電特性1 引言
青年生活 2020年20期2020-10-21
- 微型熱電制冷器的結(jié)構(gòu)參數(shù)設(shè)計(jì)與制備
℃。最后利用磁控濺射設(shè)備沉積薄膜，采用Lift-off剝離工藝成功制備出來(lái)，驗(yàn)證了基于該結(jié)構(gòu)參數(shù)下微型TEC熱電偶臂工藝制備上的可行性。關(guān)鍵詞：微型TEC;參數(shù)計(jì)算;磁控濺射;Lift-off工藝中圖分類(lèi)號(hào)：TB65?文獻(xiàn)標(biāo)志碼：A文章編號(hào)：2095-5383（2020）03-0034-05Abstract：As a safe and reliable cooling method， thermoelectric coolers （TEC） are cur
成都工業(yè)學(xué)院學(xué)報(bào) 2020年3期2020-10-14
- 脈沖偏壓占空比對(duì)磁控濺射制備ITO薄膜光電性能的影響
一。實(shí)驗(yàn)利用磁控濺射方法制備了不同脈沖偏壓占空比的ITO薄膜。采用X射線衍射儀（XRD）、場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡（FESEM）、紫外-可見(jiàn)光分光光度計(jì)和霍爾效應(yīng)測(cè)量?jī)x分別對(duì)薄膜的微觀結(jié)構(gòu)、表面形貌和光電特性進(jìn)行了測(cè)試分析。結(jié)果表明：占空比變化對(duì)ITO薄膜性能有著顯著的影響。薄膜存在（211）（222）和（440）三個(gè)衍射峰，擇優(yōu)取向隨著占空比的改變而改變，而且不同的占空比導(dǎo)致薄膜的晶粒尺寸發(fā)生了明顯的變化。另外，隨著占空比增加，薄膜的透過(guò)率和電阻率呈現(xiàn)非線性
科技智囊 2020年8期2020-09-17
- 磁控濺射鍍膜技術(shù)的研究及發(fā)展趨勢(shì)*
問(wèn)題。當(dāng)前，磁控濺射鍍膜技術(shù)已經(jīng)成為應(yīng)用最為廣泛的一種濺射沉積薄膜方法，其主要表現(xiàn)在磁控濺射鍍膜技術(shù)的沉積速率比其它濺射鍍膜方法要高出一個(gè)數(shù)量級(jí)。首先要?dú)w功于磁場(chǎng)中電子的電離度較高，這樣有效地提高了靶材電流密度和濺射效率，而靶材電壓則因氣體電離度的提升而大幅度降低。其次還由于在低壓下濺射逸出的原子被氣體分子散射的概率較小。由于磁場(chǎng)的存在有效地增加了氣體分子與運(yùn)動(dòng)電子的碰撞概率，因而可以使工作氣壓降低到二極濺射氣壓的1/20，即可由10Pa降低至0.5Pa。
合成材料老化與應(yīng)用 2020年2期2020-05-28
- 銦摻雜對(duì)氧化鋅薄膜的結(jié)構(gòu)和光致熒光特性的影響
要：采用反應(yīng)磁控濺射方法，在Si（100）基片上制備了銦摻雜的氧化鋅薄膜。利用X射線衍射、電子探針、光致熒光光譜等表征方法，研究了薄膜的結(jié)構(gòu)、銦含量和光致熒光性能。結(jié)果表明，薄膜具有六方纖鋅礦結(jié)構(gòu)和高c軸擇優(yōu)取向。通過(guò)光致熒光光譜的測(cè)量，只發(fā)現(xiàn)了紫外帶邊發(fā)射峰，未發(fā)現(xiàn)明顯的深能級(jí)缺陷發(fā)光，因此In的摻雜改善了薄膜的深能級(jí)缺陷。關(guān)鍵詞：In摻雜ZnO;磁控濺射;結(jié)構(gòu);光致熒光DOI：10.16640/j.cnki.37-1222/t.2019.23.031氧
山東工業(yè)技術(shù) 2019年23期2019-08-26
- 鉬(鎢)基氮化物硬質(zhì)及超硬涂層的微觀結(jié)構(gòu)及綜合性能
利用直流反應(yīng)磁控濺射技術(shù)，在不銹鋼和硅襯底上分別制備了三元MoCN、MoSiN、MoAlN、MoWN、WTaN 及四元MoAlSiN、MoSiCN、WSiCN涂層。利用XRD、XPS、TEM、SEM等方法分析了薄膜的微觀結(jié)構(gòu)和表面形貌;利用納米壓痕儀、劃痕儀、摩擦磨損測(cè)試儀、以及熱重分析法測(cè)試了薄膜的硬度、膜基結(jié)合力、摩擦系數(shù)、及抗氧化溫度。結(jié)果表明四元MoSiCN、WSiCN 涂層具有更加優(yōu)異的綜合性能，可望向工業(yè)領(lǐng)域轉(zhuǎn)化。關(guān)鍵詞：磁控濺射 ?硬質(zhì)涂層
科技資訊 2019年31期2019-01-14
- 基于氣敏元件的ZnO薄膜的RF制備及表征
要：本文用磁控濺射的方法在片上沉積薄膜，探討了襯底溫度、氧氬比和退火處理和薄膜的結(jié)晶速率、結(jié)晶質(zhì)量和電阻率的關(guān)系，為沉積符合氣敏元件的敏感薄膜提供研究參考。關(guān)鍵詞：薄膜；磁控濺射；氣敏元件；電阻率DOI：10.16640/j.cnki.37-1222/t.2018.18.0411 引言作為新型寬帶半導(dǎo)體材料，具有很好的光電、壓電、氣敏、壓敏特性以及很高的化學(xué)穩(wěn)定性與熱穩(wěn)定性，又因其原材料來(lái)源豐富、價(jià)格低廉和無(wú)毒等特點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用在表面波器件、太陽(yáng)能電池和
山東工業(yè)技術(shù) 2018年18期2018-10-31
- 關(guān)于應(yīng)用型人才培養(yǎng)背景下大型設(shè)備實(shí)驗(yàn)教學(xué)及考核的思考
院材料類(lèi)專(zhuān)業(yè)磁控濺射鍍膜實(shí)驗(yàn)教學(xué)的經(jīng)驗(yàn)，提出了充分利用各個(gè)實(shí)踐環(huán)節(jié)，分階段多次安排實(shí)驗(yàn)，通過(guò)合理設(shè)置各階段實(shí)驗(yàn)內(nèi)容并有針對(duì)性進(jìn)行考核，達(dá)到在應(yīng)用型人才培養(yǎng)背景下讓學(xué)生充分掌握該項(xiàng)技能的目的。這套方案可以借鑒到其他大型設(shè)備的實(shí)驗(yàn)教學(xué)改革上，克服大型設(shè)備教學(xué)不能充分應(yīng)用到學(xué)生技能培養(yǎng)所面臨的問(wèn)題。關(guān)鍵詞：應(yīng)用型人才；大型設(shè)備；磁控濺射；實(shí)驗(yàn)教學(xué)中圖分類(lèi)號(hào)：G642.0 文獻(xiàn)標(biāo)志碼：A 文章編號(hào)：1674-9324（2018）30-0274-03當(dāng)前，地方高校面
教育教學(xué)論壇 2018年30期2018-09-25
- 氧化鈦納米顆粒薄膜制備技術(shù)及制氫應(yīng)用進(jìn)展研究
；薄膜制備；磁控濺射；制氫技術(shù)中圖分類(lèi)號(hào)：O484文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼：Adoi：10.14031/j.cnki.njwx.2018.05.001Abstract： As a renewable clean energy， solar energy will greatly ease or improve the energy crisis if the radiation part of the Earth is truly effective and ratio
農(nóng)機(jī)使用與維修 2018年5期2018-07-05
- 耐高壓?jiǎn)紊玅LED器件制備
要】本文通過(guò)磁控濺射和有機(jī)蒸鍍的方法分別制備了量子點(diǎn)LED（QLED）的ZnO電子傳輸層和NPB空穴傳輸層，構(gòu)建了基于CdSe/CdS/ZnS量子點(diǎn)作為發(fā)光層的紅光QLED。通過(guò)優(yōu)化電子傳輸層和空穴傳輸層制備工藝得到了穩(wěn)定的耐高壓?jiǎn)紊骷?，測(cè)試結(jié)果表明該器件在10-15V范圍均可持續(xù)穩(wěn)定地發(fā)出紅光。【關(guān)鍵詞】量子點(diǎn)；發(fā)光二極管；磁控濺射；有機(jī)蒸鍍中圖分類(lèi)號(hào)： O472 文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼： A 文章編號(hào)： 2095-2457（2018）04-0124-003Man
科技視界 2018年10期2018-04-12
- 銀納米顆粒薄膜表面等離子共振特性研究
域。本文采用磁控濺射技術(shù)制備銀納米顆粒薄膜，并通過(guò)紫外-可見(jiàn)分光光度計(jì)對(duì)其表面等離子共振特性進(jìn)行表征，研究濺射功率、退火溫度等條件對(duì)薄膜表面等離子共振特性的影響規(guī)律。關(guān)鍵詞：銀納米顆粒薄膜；磁控濺射；表面等離子共振；光選擇中圖分類(lèi)號(hào)：TB383.1 文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼：A 文章編號(hào)：1671-2064（2018）24-0192-03在金屬表面的微觀尺度上普遍存在自由電子密度起伏，并且通過(guò)庫(kù)侖勢(shì)的長(zhǎng)程作用將整個(gè)系統(tǒng)中的電子運(yùn)動(dòng)耦合起來(lái)，在正離子背景中形成了等離子體振
中國(guó)科技縱橫 2018年24期2018-02-23
- 磁控濺射在金屬表面強(qiáng)化中的應(yīng)用
王藝霖摘要：磁控濺射是在近似真空的環(huán)境下，利用低壓氣體放電產(chǎn)生的正離子在電場(chǎng)作用下轟擊靶材，使濺射出來(lái)的原子沉積在基片上的過(guò)程。它有低溫、高速、低損傷的特點(diǎn)，且鍍膜的質(zhì)量高。該技術(shù)用于許多領(lǐng)域，例如光學(xué)、電子通訊等。金屬表面強(qiáng)化是降低金屬損耗，增加金屬材料壽命，降低成本的重要技術(shù)。本文在描述磁控濺射與金屬表面強(qiáng)化的基礎(chǔ)上，重點(diǎn)闡述了磁控濺射在金屬表面強(qiáng)化中的應(yīng)用。關(guān)鍵詞：磁控濺射 表面強(qiáng)化 鋁合金強(qiáng)化 鎂合金強(qiáng)化濺射技術(shù)從1852年格洛夫（Grove）發(fā)現(xiàn)
祖國(guó) 2018年23期2018-01-22
- 石墨靶功率對(duì)BCN薄膜質(zhì)量的研究
積方法（射頻磁控濺射）來(lái)制備一種硬質(zhì)薄膜（BCN），通過(guò)選擇合適的靶材（碳靶）和通入理想的氣體（甲烷和氮?dú)猓┻M(jìn)行實(shí)驗(yàn)，通過(guò)XRD衍射，臺(tái)階儀以及原子力顯微鏡對(duì)薄膜進(jìn)行表征分析其薄膜的質(zhì)量?！娟P(guān)鍵詞】磁控濺射；BCN薄膜；靶材0 引言BCN薄膜是很多研究者長(zhǎng)期研究的課題，因?yàn)槠浣Y(jié)構(gòu)與金剛石結(jié)構(gòu)很相似，所以研究者們認(rèn)為它應(yīng)該具備金剛石的特點(diǎn)，硬度極高，抗摩擦特性很好，而且具備優(yōu)良的電學(xué)光學(xué)性能。眾多科研人員首先建立模型，通過(guò)模擬其結(jié)構(gòu)進(jìn)行理論分析，發(fā)現(xiàn)其硬度可
科技視界 2017年21期2017-11-21
- 磁控濺射氮化鉭工藝的等離子體發(fā)射光譜分析
段。關(guān)鍵詞：磁控濺射 等離子發(fā)射光譜 氮化鉭中圖分類(lèi)號(hào)：TB383 文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼：A 文章編號(hào)：1674-098X（2017）09（a）-0011-08Abstract： The possibility and potential of utilizing the Plasma Optical Emission Spectroscopy （Plasma OES）， as a Device-Independent characteristic， in the
科技創(chuàng)新導(dǎo)報(bào) 2017年25期2017-11-07
- Fe3N薄膜研究進(jìn)展、制備及基本結(jié)構(gòu)
鐵氮化合物；磁控濺射；MOCVD中圖分類(lèi)號(hào)：O612 文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼：A 文章編號(hào)：1671-2064（2017）16-0251-021 引言在傳統(tǒng)的電子學(xué)中，人們只關(guān)心電子的質(zhì)量、電荷這兩種屬性，完全忽略了自旋這一內(nèi)稟屬性，而自旋電子學(xué)正是利用了電子自旋這一屬性，從而產(chǎn)生了一門(mén)新的學(xué)科。1988年，F(xiàn)ert和Grunberg兩個(gè)科研小組分別獨(dú)立地在人工納米結(jié)構(gòu)（鐵/鉻多層膜）中發(fā)現(xiàn)了高達(dá)50%的磁電阻效應(yīng)，相較之前的各向異性磁電阻效應(yīng)（Anisotropic
中國(guó)科技縱橫 2017年16期2017-09-13
- AZO薄膜理想表面形貌的制備與加工工藝優(yōu)化
通過(guò)優(yōu)化前段磁控濺射鍍膜工藝和后段濕化學(xué)蝕刻工藝，用以平衡AZO薄膜的光電性能和霧度，從而獲得具有理想表面形貌的AZO導(dǎo)電玻璃，使其成為理想的非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池的基板材料。實(shí)驗(yàn)表明，經(jīng)工藝優(yōu)化后制作的AZO導(dǎo)電玻璃可提升光電轉(zhuǎn)換效率。關(guān)鍵詞： AZO薄膜； 磁控濺射； 濕法刻蝕； 表面形貌； 非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池中圖分類(lèi)號(hào)： TU 73 文獻(xiàn)標(biāo)志碼： A doi： 10.3969/j.issn.1005-5630.2017.03.015Preparati
光學(xué)儀器 2017年3期2017-07-08
- 磁控濺射偏壓對(duì)Cr薄膜密度以及表面形貌的影響
0049)?磁控濺射偏壓對(duì)Cr薄膜密度以及表面形貌的影響孫鋼杰,伊福廷,王煥華,賈全杰，張?zhí)鞗_(中國(guó)科學(xué)院 高能物理研究所 多學(xué)科中心，北京100049)摘要：利用磁控濺射技術(shù)，在不同偏壓條件下在Si(001)基底上沉積了金屬Cr薄膜樣品。用同步輻射裝置對(duì)樣品進(jìn)行了X-射線反射率測(cè)試，采用X-射線反射率分析法研究了不同偏壓下Cr薄膜密度的變化。發(fā)現(xiàn)當(dāng)偏壓小于300V時(shí)，偏壓對(duì)所沉積的薄膜起到緊致的效果，偏壓為300V時(shí)薄膜密度最大；當(dāng)偏壓大于300V時(shí)，薄
電鍍與精飾 2016年7期2016-08-12
- 磁控濺射CrAlCN涂層的結(jié)構(gòu)與性能研究*
0065)?磁控濺射CrAlCN涂層的結(jié)構(gòu)與性能研究*郭盛1，熊計(jì)1，趙海波2，杜昊1，鮮廣1(1. 四川大學(xué) 制造科學(xué)與工程學(xué)院， 成都 610065; 2. 四川大學(xué) 分析測(cè)試中心， 成都 610065)摘要：采用離子化增強(qiáng)磁控濺射設(shè)備在硬質(zhì)合金(YG8)基體表面沉積CrAlCN涂層，通過(guò)控制碳靶電流的大小，從而改變涂層中的碳含量。沉積后的涂層進(jìn)行了納米硬度、掃描電鏡、X射線衍射、電子能譜和洛氏硬度結(jié)合力檢測(cè)。隨著碳靶電流的升高，涂層中的碳含量呈線性上
功能材料 2016年7期2016-08-11
- 氬氣流量對(duì)(a-C：Fe)/Al2O3/Si異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池光伏效應(yīng)的影響研究
要：采用射頻磁控濺射法在n-Si(100)襯底上依次沉積氧化鋁膜(Al2O3)和鐵摻雜非晶碳薄膜(a-C：Fe)，制成(a-C：Fe)/Al2O3/Si異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池，研究了氬氣流量對(duì)光伏性能的影響．在20 sccm到40 sccm范圍內(nèi)調(diào)節(jié)氬氣流量，結(jié)果表明，氬氣流量的大小對(duì)異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池的光伏性能有顯著的影響，合適的氬氣流量能顯著增大(a-C：Fe)/Al2O3/Si異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池的開(kāi)路電壓和短路電流密度，進(jìn)而增大異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換效率．
- 淺議汽車(chē)車(chē)窗玻璃膜中的金屬膜
——真空蒸鍍膜和磁控濺射膜的優(yōu)劣
真空蒸鍍膜和磁控濺射膜的優(yōu)劣文：初慶宇走進(jìn)汽車(chē)美容裝潢店或4S店，汽車(chē)車(chē)窗貼膜是不可或缺的汽車(chē)美容項(xiàng)目。在琳瑯滿(mǎn)目的產(chǎn)品、演示及介紹中，很多品牌產(chǎn)品會(huì)強(qiáng)調(diào)自己的產(chǎn)品是磁控濺射金屬膜，屬于高端膜，不同于真空蒸鍍膜。那么什么是真空蒸鍍金屬膜，什么是磁控濺射金屬膜，他們有什么共同點(diǎn)，各自有何優(yōu)缺點(diǎn)？這正是本文要向讀者朋友介紹的內(nèi)容。所謂的金屬膜，即在聚酯（PET）基材上涂覆金屬涂層而實(shí)現(xiàn)隔熱的汽車(chē)車(chē)窗膜。其中使用磁控濺射工藝的即可稱(chēng)之為磁控濺射金屬膜，相應(yīng)的使用
汽車(chē)與駕駛維修(維修版) 2016年8期2016-07-31
- 射頻磁控濺射MgZnO合金薄膜結(jié)構(gòu)和光學(xué)性能研究*1
00)?射頻磁控濺射MgZnO合金薄膜結(jié)構(gòu)和光學(xué)性能研究*1張繼德，馬宏源，于卓，董振江，辛春雨(白城師范學(xué)院 物理學(xué)院，吉林 白城 137000)摘要:采用射頻磁控濺射技術(shù)在SiO2襯底上制備了MgZnO合金薄膜，分別用X-射線衍射儀、紫外-可見(jiàn)分光光度計(jì)、熒光光譜儀分析了薄膜的結(jié)構(gòu)、吸收特性和光致發(fā)光特性隨Mg組分改變的影響.研究結(jié)果顯示：所有MgZnO合金薄膜均表現(xiàn)為六角釬鋅礦結(jié)構(gòu)，(002)衍射峰峰位隨Mg組分的增加向大角度方向移動(dòng)；所有薄膜在可見(jiàn)
通化師范學(xué)院學(xué)報(bào) 2016年4期2016-07-21
- 退火溫度對(duì)Ni51.33Mn33.23In15.43薄膜微觀結(jié)構(gòu)和磁性能的影響*
要：采用射頻磁控濺射方法在Si(100)襯底沉積Ni-Mn-In磁性形狀記憶合金薄膜。系統(tǒng)研究了退火溫度對(duì)Ni51.33Mn33.23In15.43薄膜顯微組織結(jié)構(gòu)和磁性能的影響。研究表明，退火溫度為873K時(shí)薄膜已完全結(jié)晶，隨退火溫度增加，薄膜表層顆粒細(xì)化。退火后薄膜的X射線衍射圖表明，Ni51.33Mn33.23In15.43薄膜均由立方L21奧氏體母相和14M調(diào)制馬氏體相組成。Ni51.33Mn33.23In15.43薄膜母相晶格常數(shù)、馬氏體相的晶胞
功能材料 2016年6期2016-07-16
- 金屬電阻率Cu/Cu2O半導(dǎo)體彌散復(fù)合薄膜的制備及其偏壓效應(yīng)
采用平衡直流磁控濺射技術(shù)，通過(guò)改變襯底偏壓在玻璃襯底上制備了Cu/Cu2O彌散復(fù)合薄膜，并利用掃描電子顯微鏡、X射線衍射儀、四探針測(cè)試儀和紫外-可見(jiàn)分光光度計(jì)等進(jìn)行表征與分析。研究發(fā)現(xiàn)，Cu/Cu2O彌散復(fù)合薄膜表現(xiàn)出金屬和半導(dǎo)體雙特性，其電阻率范圍為(5.23～9.98)×10-5Ω·cm，禁帶寬度范圍為2.23～2.47 eV。同時(shí)，研究還發(fā)現(xiàn)襯底偏壓對(duì)Cu/Cu2O彌散復(fù)合薄膜的形貌、結(jié)構(gòu)、電學(xué)和光學(xué)性能都產(chǎn)生了較大的影響，特別是當(dāng)襯底偏壓為-100
功能材料 2016年3期2016-05-25
- 濺射制備CdS薄膜及其在CdTe電池中的應(yīng)用
要：采用射頻磁控濺射方法分別在石英玻璃和TCO玻璃上制備了不同厚度的CdS薄膜，研究了CdS薄膜厚度對(duì)薄膜結(jié)構(gòu)和光學(xué)性質(zhì)的影響。在不同厚度的CdS/TCO襯底上， 進(jìn)一步制備成CdTe薄膜太陽(yáng)電池。結(jié)果表明，CdS薄膜厚度的增加有利于薄膜的生長(zhǎng)與結(jié)晶；110 nm的薄膜具有禁帶寬度為2.41 eV的最大值；測(cè)試電池性能，得到CdS厚度為110 nm的電池具有11.42%的最高轉(zhuǎn)換效率。關(guān)鍵詞：磁控濺射；CdS薄膜；CdS/CdTe電池0引言由于CdTe 電
功能材料 2016年3期2016-05-25
- 氬氧比對(duì)常溫磁控濺射制備HfO2薄膜性能的影響*
氬氧比對(duì)常溫磁控濺射制備HfO2薄膜性能的影響*王釗1，2，惠迎雪1，賀愛(ài)鋒2，吳慎將1 （1.西安工業(yè)大學(xué)光電工程學(xué)院，西安710021；2.陜西應(yīng)用物理化學(xué)研究所應(yīng)用物理化學(xué)國(guó)家級(jí)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，西安710061）摘 要：為了得到HfO2薄膜性能與工藝參數(shù)之間的關(guān)系，采用直流反應(yīng)磁控濺射法在室溫下沉積HfO2薄膜.通過(guò)正交實(shí)驗(yàn)分析了靶功率、靶基距和氬氧比對(duì)薄膜性能的影響程度，分析了影響最大的因素氬氧比對(duì)薄膜組分、力學(xué)性能及光學(xué)性能的影響規(guī)律.研究結(jié)果表明：
西安工業(yè)大學(xué)學(xué)報(bào) 2016年2期2016-05-25
- 硼摻雜氧化鋅透明導(dǎo)電薄膜性能的研究*
摘要：用射頻磁控濺射技術(shù)改變工作壓強(qiáng)(0.1～9 Pa)在玻璃襯底上制備B摻雜ZnO薄膜，用X射線衍射儀、紫外-可見(jiàn)分光光度計(jì)、四探針測(cè)試儀及粗糙度測(cè)試儀分別對(duì)薄膜進(jìn)行微結(jié)構(gòu)及其光電性能表征。結(jié)果發(fā)現(xiàn)，所有薄膜樣品在420～900 nm區(qū)間內(nèi)的平均透光率>91%；ZnO∶B晶粒尺寸隨工作壓強(qiáng)增大有先增大后減小，而電阻率先減小后增大的趨勢(shì)。工作壓強(qiáng)為0.5 Pa時(shí)電阻率達(dá)到最低1.53×10(-3) Ω·cm，所有薄膜樣品禁帶寬度相對(duì)于本征ZnO出現(xiàn)藍(lán)移現(xiàn)象
功能材料 2016年2期2016-05-17
- 摻鈦氧化鋅納米薄膜微結(jié)構(gòu)及其光電性能研究*
要：采用射頻磁控濺射法，以不同保溫時(shí)間的摻鈦氧化鋅為靶材在普通玻璃襯底上制備了TZO(摻鈦氧化鋅)薄膜樣品，測(cè)試其微結(jié)構(gòu)和光電性能，從而獲得制備性能優(yōu)越的TZO薄膜所需靶材的最佳條件。測(cè)試結(jié)果表明，所有樣品均為具有c軸擇優(yōu)取向的六角鉛鋅礦多晶納米薄膜；靶材燒結(jié)溫度和保溫時(shí)間對(duì)薄膜微結(jié)構(gòu)和光電性能有較大影響；以經(jīng)1 500 ℃燒結(jié)并保溫6 h的靶材所制備的薄膜光電性能較好，具有較大晶粒尺寸，在可見(jiàn)光區(qū)(400～760 nm)有較高的平均透過(guò)率91.16%，較
功能材料 2016年1期2016-05-17
- 鎵鋅氧化物半導(dǎo)體薄膜的晶粒生長(zhǎng)特性及其微結(jié)構(gòu)研究
料，利用射頻磁控濺射技術(shù)在玻璃基片上制備了鎵鋅氧化物(GaZnO)半導(dǎo)體薄膜.基于X射線衍射儀的測(cè)試表征，研究了薄膜厚度對(duì)GaZnO樣品晶粒生長(zhǎng)特性和微結(jié)構(gòu)性能的影響.研究結(jié)果表明：所制備的GaZnO樣品為多晶薄膜，并且都具有六角纖鋅礦型結(jié)構(gòu)和(002)晶向的擇優(yōu)取向生長(zhǎng)特性；其(002)取向程度、結(jié)晶性能和微結(jié)構(gòu)參數(shù)等均與薄膜厚度密切相關(guān).隨著薄膜厚度的增大，GaZnO樣品的(002)擇優(yōu)取向程度和晶粒尺寸表現(xiàn)為先增大后減小，而位錯(cuò)密度和晶格應(yīng)變則表現(xiàn)為
- 界面改性對(duì)SiCp/Cu復(fù)合材料導(dǎo)熱性能的影響*
)摘要：采用磁控濺射法結(jié)合結(jié)晶化熱處理工藝在SiC顆粒表面成功制備了金屬M(fèi)o涂層，分析Mo涂層的成分和形貌；采用熱壓燒結(jié)工藝制備SiCp/Cu復(fù)合材料，重點(diǎn)對(duì)比分析Mo界面阻擋層厚度對(duì)復(fù)合材料導(dǎo)熱性能的影響。結(jié)果表明：磁控濺射法能夠在SiC顆粒表面沉積得到Mo 涂層，隨濺射時(shí)間的延長(zhǎng)，Mo涂層的厚度增加、粗糙度增大，且磁控濺射后SiC顆粒表面直接得到的Mo涂層為非晶態(tài)，結(jié)晶化熱處理后，變?yōu)橹旅芷秸木B(tài)Mo涂層。磁控濺射時(shí)間對(duì)Mo涂層厚度和復(fù)合材料導(dǎo)熱性能
國(guó)防科技大學(xué)學(xué)報(bào) 2016年1期2016-04-08
- 微流控芯片的制備及其對(duì)糖類(lèi)物質(zhì)的檢測(cè)
-濕法刻蝕和磁控濺射鍍膜技術(shù)制備出了集成有金屬膜電極的玻璃基片，將二者經(jīng)過(guò)等離子體處理，進(jìn)行鍵合后獲得了集成有電化學(xué)檢測(cè)器的PDMS-玻璃微流控芯片.以市售蜂蜜為待測(cè)物質(zhì)，研究了該芯片對(duì)蜂蜜中糖類(lèi)物質(zhì)的分離檢測(cè)性能.結(jié)果表明：在分離電壓為850 V，電解液為50 mmol/L氫氧化鈉條件下，使用該P(yáng)DMS玻璃微流控芯片成功地在3 min內(nèi)實(shí)現(xiàn)了對(duì)葡萄糖、蔗糖和果糖的有效分離和檢測(cè).關(guān)鍵詞：微流控芯片；磁控濺射；電泳分離；電化學(xué)檢測(cè)；糖1 引 言微流控芯片通
武漢工程大學(xué)學(xué)報(bào) 2016年1期2016-04-07
- 二氧化硅微球制備及銀膜等離子體共振特性研究
值.關(guān)鍵詞：磁控濺射;二氧化硅;核殼;表面等離子共振表面等離子共振是金屬納米顆粒一項(xiàng)很重要的光學(xué)特性，這使得該類(lèi)材料受到了眾多科研人員的重視與青睞，并被廣泛用于微電子、光電子、能源、化工、醫(yī)藥等諸多領(lǐng)域.雖然金屬納米顆粒材料有著這樣突出的特性，但其實(shí)際應(yīng)用中受到了特殊的限制，那就是其表面等離子共振效應(yīng)受到自身結(jié)構(gòu)的過(guò)分制約，難以調(diào)諧，從而使共振產(chǎn)生的吸收峰被限制在一個(gè)相對(duì)狹小的波長(zhǎng)范圍內(nèi)[1-2].而以電介質(zhì)為核、金屬為殼的帽狀納米粒子其表面等離子共振頻率
- 調(diào)制中頻高功率脈沖磁控濺射電源的設(shè)計(jì)
制脈沖高功率磁控濺射MPP（Modulated pulsed power），普通高功率磁控濺射系統(tǒng)中的直流部分可以用低頻脈沖來(lái)代替，盡可能減少低頻脈沖占空比并且可以確保充分預(yù)處理，使高功率脈沖占空比盡可能最大，提高系統(tǒng)的濺射效率。關(guān)鍵詞：調(diào)制脈沖；磁控濺射；HPPMS；MPP近年來(lái)，國(guó)外發(fā)展了HPPMS（高功率脈沖磁控濺射）技術(shù)，并且這種技術(shù)具備一定高的離化率和很好的薄膜性能，因此在技術(shù)領(lǐng)域有一定的影響力。HPPMS的峰值功率高出普通磁控濺射達(dá)2個(gè)數(shù)量級(jí)；
無(wú)線互聯(lián)科技 2015年18期2016-03-07
- 磁控濺射沉積氣致變色WO3薄膜研究進(jìn)展
0044)?磁控濺射沉積氣致變色WO3薄膜研究進(jìn)展溫佳星，王美涵，彭洋，王新宇，侯朝霞，王少洪，胡小丹(沈陽(yáng)大學(xué)機(jī)械工程學(xué)院，遼寧 沈陽(yáng) 110044)摘要：氧化鎢薄膜因其特殊的物理化學(xué)性質(zhì)，在智能窗、傳感器等諸多新領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。為使WO3薄膜氣致變色特性得到良好的應(yīng)用，需要制備新型納米結(jié)構(gòu)氧化鎢薄膜。磁控濺射是工業(yè)制備WO3薄膜的有效方法之一。掠射角磁控濺射是在傳統(tǒng)磁控濺射基礎(chǔ)上發(fā)展的新型薄膜制備技術(shù)，通過(guò)將襯底傾斜一定角度，可制備出具有高結(jié)晶
中國(guó)材料進(jìn)展 2016年1期2016-03-04
- 磁控濺射法制備ZnO:Ga薄膜的結(jié)晶質(zhì)量及其應(yīng)力研究
磁控濺射法制備ZnO:Ga薄膜的結(jié)晶質(zhì)量及其應(yīng)力研究鐘志有1,2，蘭椿1，龍路1，陸軸1(1 中南民族大學(xué) 電子信息工程學(xué)院，武漢 430074; 2 中南民族大學(xué) 智能無(wú)線通信湖北省重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室, 武漢 430074)摘要以氧化鋅(ZnO)摻雜氧化鎵(Ga2O3)的陶瓷靶作為濺射靶材，采用射頻磁控濺射技術(shù)在玻璃襯底上制備了透明導(dǎo)電的摻鎵氧化鋅(ZnO:Ga)薄膜.通過(guò)X射線衍射儀測(cè)試研究了襯底溫度對(duì)薄膜結(jié)晶性能及其殘余應(yīng)力的影響.研究結(jié)果表明：所有ZnO:
- 納米銀局域表面等離激元共振———環(huán)境傳感、分子識(shí)別及光物質(zhì)相互作用增強(qiáng)
要:基于利用磁控濺射方法制備的納米銀顆粒，研究了納米銀顆粒局域表面等離激元對(duì)介質(zhì)環(huán)境的敏感程度，作為媒介提高光與物質(zhì)相互作用的可能性．研究結(jié)果表明:傳感靈敏度最大可達(dá)到約931 nm/RIU，石墨烯拉曼信號(hào)可提高約40倍，可見(jiàn)光吸收提高約10倍．該研究表明制備簡(jiǎn)單、光學(xué)響應(yīng)靈敏的納米銀顆粒在傳感、光電探測(cè)及分子識(shí)別等領(lǐng)域具有潛在的應(yīng)用價(jià)值．關(guān)鍵詞:表面光學(xué);表面等離激元共振;可見(jiàn)及拉曼光譜測(cè)量;納米銀顆粒;磁控濺射;石墨烯0引言金屬材料中處于費(fèi)米能級(jí)附近的
- 共濺射制備WxSi1—x/Si多層膜應(yīng)力的實(shí)驗(yàn)研究
： 采用直流磁控濺射技術(shù)制備了周期厚度為27.5 nm的W/Si多層膜，使用實(shí)時(shí)應(yīng)力測(cè)量裝置對(duì)其應(yīng)力特性進(jìn)行了研究。為降低膜層應(yīng)力，采用W、Si共濺射技術(shù)制備WxSi1-x膜層替換W膜層，制備出WxSi1-x/Si多層膜，與W/Si多層膜的應(yīng)力特性進(jìn)行了比較研究。結(jié)果表明，W/Si多層膜為較大的壓應(yīng)力，測(cè)量值為-476.86 MPa，WxSi1-x/Si周期多層膜為較小的壓應(yīng)力，測(cè)量值為-102.84 MPa。因此采用共濺射制備WxSi1-x代替W可以顯著
光學(xué)儀器 2015年4期2015-09-24
- 濺射時(shí)間對(duì)Ni/SiO2玻璃光衰減片衰減性能的影響
果，采用真空磁控濺射法，利用真空磁控濺射儀制備納米級(jí)厚度的Ni/SiO2玻璃光衰減片.利用X-射線衍射（XRD）、原子能譜、掃描電鏡和722分光光度計(jì)等表征手段，研究濺射時(shí)間（5、10、15、20、25 min）對(duì)透光率、微觀結(jié)構(gòu)的影響.實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明：當(dāng)濺射工作壓力為0.4Pa，濺射時(shí)間為25 min時(shí)，金屬Ni在siO，玻璃基片上形成（111）和（200）晶面取向的鍍Ni薄膜；SiO2玻璃基片上沉積的薄膜平整，顆粒分布均勻、排列緊密；試樣的透光率達(dá)到0.
哈爾濱理工大學(xué)學(xué)報(bào) 2015年1期2015-06-23
- 薄膜厚度對(duì)AZO薄膜光電性能的影響
要：通過(guò)射頻磁控濺射技術(shù)在玻璃襯底上制備AZO薄膜，研究膜層厚度對(duì)AZO薄膜光電特性的影響。發(fā)現(xiàn)隨著膜層厚度的增加，AZO薄膜在可見(jiàn)光區(qū)的平均透射率略微增長(zhǎng)，而方塊電阻和電阻率卻顯著遞減，導(dǎo)致其品質(zhì)因子隨厚度增加而增加。在薄膜厚度為395 nm時(shí)，獲得電阻率為3.24×10-3Ωcm，可見(jiàn)光區(qū)平均透射率為85.52%，品質(zhì)因子為25.52×10-4Ω-1的光電性能良好的透明導(dǎo)電薄膜。本文制備的薄膜具有較優(yōu)的透明導(dǎo)電性，可以廣泛應(yīng)用于太陽(yáng)能電池、平板顯示器等
陶瓷學(xué)報(bào) 2015年1期2015-05-28
- 磁控濺射LaB6薄膜光學(xué)性能研究
0054)?磁控濺射LaB6薄膜光學(xué)性能研究吳華杰，林祖?zhèn)?，王小菊，鄧江(電子科技大學(xué)光電信息學(xué)院，成都610054)摘要:采用磁控濺射法在玻璃基片上沉積LaB6薄膜。通過(guò)改變?yōu)R射功率參數(shù)，獲得最佳制備工藝條件。采用XPS、X射線衍射儀和分光光度計(jì)研究薄膜的成分、結(jié)構(gòu)、晶向以及透過(guò)率。當(dāng)濺射功率為44 W，氬氣氣壓為1.5 Pa，氬氣流量為27 sccm時(shí)制備的LaB6薄膜表面相對(duì)平整，結(jié)構(gòu)致密。XRD數(shù)據(jù)也表明，此時(shí)LaB6薄膜結(jié)晶度最高且(110)晶
電子器件 2015年3期2015-02-26
- 氧分壓對(duì)直流磁控濺射氧化鎢薄膜結(jié)構(gòu)和組成的影響
氧分壓對(duì)直流磁控濺射氧化鎢薄膜結(jié)構(gòu)和組成的影響王美涵, 溫佳星, 龍海波, 侯朝霞(沈陽(yáng)大學(xué) 機(jī)械工程學(xué)院, 遼寧 沈陽(yáng)110044)摘要:采用直流反應(yīng)磁控濺射,在不同氧分壓條件下制備了氧化鎢薄膜,并對(duì)薄膜進(jìn)行了熱處理.通過(guò)X射線衍射(XRD)、場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡(FE-SEM)、能譜(EDS)、X射線光電子能譜(XPS)和紫外-可見(jiàn)光譜(UV-VIS)等手段表征了氧化鎢薄膜的晶體結(jié)構(gòu)、表面形貌、化學(xué)組成以及透射率.結(jié)果表明:沉積所得氧化鎢薄膜均為無(wú)定形
- 固定化MexOy-TiO2/活性炭催化劑的應(yīng)用研究
要：利用射頻磁控濺射工藝在AZ31鎂合金表面濺射了TiO2薄膜，并對(duì)薄膜的特性進(jìn)行了研究。掃描電鏡觀察顯示制備態(tài)的TiO2薄膜結(jié)構(gòu)致密，表面無(wú)缺陷。對(duì)薄膜經(jīng)過(guò)200 ℃保溫30分鐘、常溫冷卻或者85 ℃保持一小時(shí)后放到常溫保持15分鐘，連續(xù)實(shí)施4次該操作的兩種熱處理工藝后，觀察到薄膜表面致密結(jié)構(gòu)沒(méi)有發(fā)生變化，表面也沒(méi)有缺陷生成。這表明了薄膜具有熱穩(wěn)定性。薄膜表面硬度特性研究表明薄膜表面的顯微硬度為1.51 GPa。最后，研究了表面鍍有TiO2薄膜的AZ31
上海第二工業(yè)大學(xué)學(xué)報(bào) 2012年1期2012-08-17
- 平面圓形磁控濺射靶槍的磁場(chǎng)分析
張喜鳳摘要：磁控濺射靶槍中磁通量密度的橫向分布情況對(duì)靶材的利用率、沉積薄膜的質(zhì)量及磁控濺射過(guò)程的穩(wěn)定性等都有重大的影響。利用有限元理論對(duì)靶表面磁通量密度的橫向分量進(jìn)行了模擬分析。同時(shí)，也使用高斯計(jì)對(duì)靶表面磁場(chǎng)強(qiáng)度的橫向分布進(jìn)行了實(shí)際測(cè)量。比較得知，模擬結(jié)果和實(shí)際測(cè)量結(jié)果在很高的精度上是一致的。這個(gè)結(jié)果對(duì)于優(yōu)化磁控濺射靶槍的設(shè)計(jì)及提高膜層的特性等方面都具有很高的實(shí)用價(jià)值。關(guān)鍵詞：磁控濺射；有限元；橫向分量；磁通量密度中圖分類(lèi)號(hào)：TB43文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼：A文章編號(hào)
現(xiàn)代電子技術(shù) 2009年13期2009-08-31