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    基于熱活化敏化熒光的藍(lán)光材料與器件研究進(jìn)展

    2023-02-16 10:51:28黃天宇張東東
    發(fā)光學(xué)報(bào) 2023年1期
    關(guān)鍵詞:敏化劑咔唑激子

    王 琪, 黃天宇, 張東東, 段 煉

    (清華大學(xué)化學(xué)系 有機(jī)光電子與分子工程教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室, 北京 100084)

    1 引 言

    有機(jī)發(fā)光二極管作為新一代顯示技術(shù),具有自發(fā)光、寬色域、廣視角、對(duì)比度高、響應(yīng)快等優(yōu)點(diǎn),被譽(yù)為21世紀(jì)“夢(mèng)幻顯示技術(shù)”。經(jīng)過數(shù)十年發(fā)展,OLED技術(shù)趨于成熟并成功產(chǎn)業(yè)化,被廣泛應(yīng)用于手機(jī)、電腦、電視等各類顯示器。

    OLED的研究核心在于開發(fā)高效穩(wěn)定的材料和器件。第一代OLED[1-2]基于傳統(tǒng)熒光分子,具有穩(wěn)定共價(jià)鍵、快速輻射躍遷速率(The rate ofradiative decay,kr)、低三線態(tài)(T1)能量,在電致發(fā)光器件中穩(wěn)定性較好。但由于無法利用電致激發(fā)產(chǎn)生的三線態(tài)激子,器件內(nèi)量子效率(Internal quantum efficiency, IQE)受到限制(≤25%),使得第一代OLED器件效率偏低。第二代OLED材料解決了三線態(tài)激子利用問題。磷光材料[3-4]引入Os、Ir、Pt等重金屬原子,利用重原子效應(yīng)增大T1與S0之間的旋軌耦合常數(shù)(Spin-orbit coupling,SOC),使T1激子輻射躍遷回到基態(tài)過程變?yōu)樽孕糠衷试S。器件中電致激發(fā)產(chǎn)生的單線態(tài)(S1)激子系間竄越生成T1激子隨后輻射躍遷發(fā)光,實(shí)現(xiàn)了100%的激子利用率。但磷光分子中配位鍵相對(duì)較弱且T1激子輻射躍遷緩慢,高亮度下三線態(tài)濃度顯著升高,加劇了三線態(tài)-三線態(tài)湮滅(Trip?let-triplet annihilation, TTA)及三線態(tài)-極化子湮滅(Triplet-polaron annihilation, TPA)等過程,進(jìn)而損害器件穩(wěn)定性[5]。目前,綠色和紅色磷光材料的效率及穩(wěn)定性均已滿足實(shí)際應(yīng)用需求,但藍(lán)色磷光材料由于激發(fā)態(tài)能量較高,穩(wěn)定性仍然是瓶頸問題[6],OLED顯示產(chǎn)品中只能使用低效的藍(lán)色傳統(tǒng)熒光材料。因此,開發(fā)兼具高效率與長壽命的藍(lán)光材料成為OLED研究的“圣杯”[7]。

    具有熱活化延遲熒光特性[8-9]的有機(jī)分子為解決上述問題提供了新思路。效率方面,TADF分子通過減小前線軌道重疊,降低單-三線態(tài)能量差(ΔEST)至0.2 eV以下,從而可利用環(huán)境熱使T態(tài)激子向S態(tài)激子反向系間竄越[10](Reverse intersys?tem crossing, RISC),由此實(shí)現(xiàn)100%的激子利用率。穩(wěn)定性方面,TADF分子僅含有共價(jià)鍵,其鍵能大于磷光分子中的配位鍵;此外,TADF分子反向系間竄越速率(The rate of reverse intersystem crossing,kRISC)可以超過107s-1,比磷光分子的輻射躍遷速率快一個(gè)數(shù)量級(jí)以上,能更快速利用三線態(tài)激子,有效抑制三線態(tài)激子湮滅過程,減少高能中間體的生成。經(jīng)過十余年發(fā)展,目前基于TADF材料的天藍(lán)光器件在1 000 cd/m2的亮度下效率超過20%,T97(器件亮度衰減至初始亮度97%的時(shí)間)達(dá)到110 h[11],取得了令人矚目的進(jìn)展,展現(xiàn)了良好的產(chǎn)業(yè)化潛力。

    但是,TADF材料多為電子給體-電子受體型電荷轉(zhuǎn)移態(tài)(Charge transfer, CT)分子,S1輻射躍遷較慢且發(fā)射光譜寬,限制了穩(wěn)定性與色純度提升。為了克服上述矛盾,2012年,段煉等[12-13]提出了熱活化敏化熒光機(jī)制,如圖1(a) 所示。

    圖1 (a)TSF原理及激子能量傳遞路徑; (b)藍(lán)光光譜與CIEy的關(guān)系。Fig.1 (a)Principle and exciton energy transfer path of TSF.(b)Relationship between spectrum and CIEy

    基于TSF機(jī)制的OLED器件選取TADF分子作為主體或敏化劑、窄光譜的硼氮分子或傳統(tǒng)熒光分子為染料,利用TADF分子快速的反向系間竄越速率實(shí)現(xiàn)三線態(tài)激子上轉(zhuǎn)換并通過F?rster能量傳遞(F?rster energy transfer, FRET)將激子能量轉(zhuǎn)移給染料,最終利用染料輻射躍遷發(fā)光。TSF機(jī)制由此實(shí)現(xiàn)發(fā)光層激子上轉(zhuǎn)換與輻射躍遷的功能分解,結(jié)合了TADF分子快速上轉(zhuǎn)換以及染料分子快速輻射躍遷優(yōu)勢(shì),激發(fā)態(tài)壽命顯著縮短,從而有利于提高器件壽命。TSF器件的另一個(gè)優(yōu)勢(shì)是可選擇窄光譜熒光染料作為最終的發(fā)光材料。如圖1(b)所示,材料發(fā)射峰值相同,隨著光譜半峰寬(Full width at half-maximum, FWHM)變窄,器件光色可由天藍(lán)光藍(lán)移至深藍(lán),TSF機(jī)制有望進(jìn)一步提升器件壽命與色純度[14]。

    近年來,隨著TADF敏化劑以及熒光染料的不斷進(jìn)步,基于TSF的藍(lán)光器件效率和穩(wěn)定性不斷提升[15]。本文圍繞穩(wěn)定藍(lán)光TADF分子的設(shè)計(jì)開發(fā)綜述了近年來該類型分子的研究進(jìn)展以及TSF藍(lán)光器件在壽命與效率方面取得的提升,并進(jìn)一步指出未來發(fā)展的目標(biāo)及面臨的挑戰(zhàn)。

    2 高效穩(wěn)定藍(lán)光TADF分子開發(fā)

    TADF分子在TSF器件中具有激子上轉(zhuǎn)換功能,是實(shí)現(xiàn)三線態(tài)激子高效利用的關(guān)鍵,需要兼具較好的本征穩(wěn)定性與快速的反向系間竄越速率。穩(wěn)定性方面,由于藍(lán)光對(duì)應(yīng)激發(fā)態(tài)能量較高,僅含有較穩(wěn)定C—H、C—C、C—N化學(xué)鍵的氰基、1,3,5-三嗪、9H-咔唑等剛性基團(tuán)及其衍生物被遴選出來,作為電子受體、電子給體應(yīng)用于藍(lán)光敏化劑分子的構(gòu)筑,衍生出三嗪-咔唑、苯腈-咔唑兩大體系。激子利用方面,由于藍(lán)光染料輻射躍遷速率普遍可以超過1×108s-1,遠(yuǎn)大于TADF分子反向系間竄越速率[16],上轉(zhuǎn)換過程成為發(fā)光層激子利用的決速步。

    加速激子利用、抑制三線態(tài)激子湮滅對(duì)提升器件穩(wěn)定性至關(guān)重要。如圖2所示,在純有機(jī)TADF分子中,三線態(tài)激子上轉(zhuǎn)換至單線態(tài)受自旋禁阻限制為動(dòng)力學(xué)緩慢過程,其壽命達(dá)到微秒量級(jí)。高亮度下長壽命三線態(tài)激子濃度上升,通過短程Dexter能量傳遞(Dexter energy transfer,DET)發(fā)生三線態(tài)-三線態(tài)湮滅、三線態(tài)-極化子湮滅等過程產(chǎn)生高能中間態(tài),進(jìn)而使材料化學(xué)鍵裂解、器件老化。因此研究者一方面引入惰性位阻基團(tuán)屏蔽發(fā)光核心,減小相鄰分子間前線軌道重疊抑制DET;另一方面則增大TADF分子反向系間竄越速率,加快三線態(tài)激子上轉(zhuǎn)換動(dòng)力學(xué)過程,降低三線態(tài)激子濃度,從根本上抑制激子湮滅過程,進(jìn)而降低效率滾降(Roll-off),提高器件穩(wěn)定性。但是,電子給體-受體型TADF分子在光色藍(lán)移與提高反向系間竄越速率之間存在矛盾:光色藍(lán)移要求降低給受體的給電子與吸電子能力,并需要一定程度上減小給受體平面之間的扭轉(zhuǎn)角抑制分子內(nèi)電荷轉(zhuǎn)移;高效上轉(zhuǎn)換過程要求保持較強(qiáng)的分子內(nèi)電荷轉(zhuǎn)移,增大TADF分子前線軌道分離程度保證較小的ΔEST。如何平衡乃至解決這個(gè)矛盾成為高效藍(lán)光TADF分子開發(fā)的關(guān)鍵科學(xué)問題。本文選取近年來具有代表性的藍(lán)光TADF分子,總結(jié)了在該科學(xué)問題上取得的進(jìn)展以及藍(lán)光OLED器件在色純度、穩(wěn)定性與效率等方面取得的突破。

    圖2 TADF分子的激發(fā)態(tài)失活過程示意圖。S0代表基態(tài),S1/T1代表最低能量單線態(tài)/三線態(tài),S*/T*代表高能單線態(tài)/三線態(tài)。Fig.2 Schematic diagram of excited state deactivation process of TADF molecule.S0 represents the ground state, S1/T1 represents the lowest energy singlet /triplet, and S*/T* represents the high energy singlet /triplet.

    2.1 三嗪‐咔唑體系

    根據(jù)費(fèi)米黃金定則,分子kRISC可由以下公式進(jìn)行計(jì)算[17-18]:

    其中,||為 S1與 T1之間的 SOC 矩陣元;ρFC為弗蘭克-康登加權(quán)態(tài)密度(Franck-condon-weighted density),該項(xiàng)化簡后正比于 exp(-ΔEST/kBT),ΔEST表示單線態(tài)-三線態(tài)能量差,kB為玻爾茲曼常數(shù)。因此,相關(guān)分子設(shè)計(jì)策略圍繞減小ΔEST、增大SOC展開。

    2011 年,Endo等[8]在Appl.Phys.Lett.發(fā)表了第一個(gè)應(yīng)用于OLED的TADF材料PIC-TRZ。但該類型分子電子給體強(qiáng)度較大,難以實(shí)現(xiàn)光色藍(lán)移,后續(xù)藍(lán)光分子多以2,4,6-三苯基-1,3,5-三嗪為電子受體,電子給體鍵連在苯環(huán)上。圖3中結(jié)構(gòu)式a所示的藍(lán)光TADF分子Cz-TRZ摻雜在DPEPO薄膜中,S1能級(jí)高達(dá) 3.18 eV,ΔEST接近 0.4 eV,器件最大外量子效率僅為4.5%。因此后續(xù)工作主要集中于在9H-咔唑的3,6位置連入取代基團(tuán)(結(jié)構(gòu)通式b)、對(duì)1,3,5-三嗪與9H-咔唑間橋連基團(tuán)進(jìn)行修飾(結(jié)構(gòu)通式c)以及引入多給體(結(jié)構(gòu)通式d),從而適當(dāng)?shù)厥构馍t移并降低ΔEST,提高器件效率與穩(wěn)定性。

    圖3 開發(fā)高效穩(wěn)定三嗪-咔唑體系藍(lán)光TADF分子策略Fig.3 Development strategy of efficient and stable blue emission TADF molecules for Triazine-Carbazole sys?tem

    2014年,Hirata等[19]以9H-咔唑、3,6-二苯基-9H-咔唑?yàn)槿〈O(shè)計(jì)合成了2c(R1= 9H-咔唑,R2=H)、2b(R1=R2= 9H-咔唑)、2a(R1=R2= 3,6-二苯基-9H-咔唑)一系列藍(lán)光TADF分子。如圖4所示,電子給體π共軛體系的延展導(dǎo)致了HOMO的離域化,增強(qiáng)了電子振動(dòng)耦合并降低了前線軌道重疊程度,從而減小ΔEST,加快反向系間竄越過程。由于取代基接入2a等分子相較于Cz-TRZ光色稍有紅移,2b、2c甲苯溶液中發(fā)射峰為458 nm,2a為457 nm,但ΔEST顯著減小,其中2a僅為0.09 eV。以2a為染料、DPEPO為主體的器件取得了最優(yōu)性能,器件色坐標(biāo)CIE為(0.19, 0.35),為天藍(lán)光發(fā)射,最大外量子效率超過20%,1 000 cd/m2亮度下外量子效率仍接近11%,展現(xiàn)出較小的效率滾降。

    圖4 2a/2b/2c結(jié)構(gòu)式與前線軌道分布Fig.4 Chemical structure of 2a/2b/2c and their frontier orbit?al distribution

    2015年,Kim等[20]利用相同的策略分別在苯環(huán)上以間位連接的方式接入2個(gè)/4個(gè)9H-咔唑基團(tuán),設(shè)計(jì)了兩個(gè)穩(wěn)定藍(lán)光TADF分子DCzTrz、DDCzTrz,通過促進(jìn)HOMO離域化降低ΔEST。兩個(gè)分子ΔEST相近,約為0.25 eV,相較于Cz-TRZ大幅度降低。以DPEPO為主體,DCzTrz、DDCzTrz為染料的器件最大外量子效率分別為17.8%、18.9%,色坐標(biāo) CIE分別為(0.15, 0.16)、(0.16,0.22)。為提升器件穩(wěn)定性,研究者進(jìn)一步選用mCBP為主體,DCzTrz、DDCzTrz為染料,對(duì)比器件以光色相近的磷光分子為染料,發(fā)光層為mCBP∶Ir(dbi)3。500 cd/m2初始亮度下,DDCzTrz器件T80達(dá)到52 h,是對(duì)比器件的3倍,展現(xiàn)出三嗪-咔唑體系TADF分子良好的穩(wěn)定性。

    2017年,崔林松等[21]以甲基為位阻基團(tuán),設(shè)計(jì)合成了一系列具有TADF性質(zhì)的深藍(lán)光分子,如圖 5(a)所示,其中R3=Me,R4=R5=R6=H 記為 Cz-TRZ1;R3=R6=Me,R4=R5=H 記為 Cz-TRZ2;R3=R4=Me,R5=R6=H 記 為 Cz-TRZ3;R3=R4=R5=Me,R6=H記為Cz-TRZ4。在9H-咔唑1,8位置引入甲基一定程度上增強(qiáng)了電子給體能力,Cz-TRZ3甲苯溶液中發(fā)射峰紅移至465 nm,而橋連基團(tuán)修飾對(duì)光色影響較小,Cz-TRZ1、Cz-TRZ3、Cz-TRZ4甲苯溶液發(fā)射峰基本相同。位阻基團(tuán)的引入增大了給受體平面的扭轉(zhuǎn)角,其中Cz-TRZ1二面角僅為49.8°,而Cz-TRZ2、Cz-TRZ3、Cz-TRZ4分別為86.7°、71.3°、82.3°。分子構(gòu)型扭曲化促進(jìn)HOMO-LUMO分離,降低ΔEST,加快反向系間竄越速率。未經(jīng)修飾的為Cz-TRZ1為0.43 eV,相近光色的Cz-TRZ3、Cz-TRZ4分別為0.17 eV、0.15eV,反向系間竄越速率達(dá)到 1.53×104s-1與 2.83×104s-1,是 Cz-TRZ1 的 51倍與94倍。以Cz-TRZ3為染料、DPEPO為主體的器件取得了最優(yōu)性能,器件最大外量子效率為19.2%,色坐標(biāo) CIE為(0.148, 0.098),接近標(biāo)準(zhǔn)深藍(lán)光發(fā)射。

    圖5 CZ-TRZ1~4的結(jié)構(gòu)式(a)與優(yōu)化構(gòu)型(b)Fig.5 Chemical structures(a), optimized geometries(b) for molecules Cz-TRZ1-4.

    但是,甲基化學(xué)活性較強(qiáng)不利于分子電化學(xué)穩(wěn)定性,作為替代,更穩(wěn)定且具有剛性結(jié)構(gòu)的苯環(huán)被引入以調(diào)控分子的發(fā)光性質(zhì)。2021年,Jeon等[22]選用苯環(huán)作為位阻基團(tuán)設(shè)計(jì)合成了一系列TADF分子,其中R3=R4=R5=Ph,R6=H記為PPCz?Trz;R3=Ph,R4=R5=R6=H記為PCzTrz。苯環(huán)的引入同樣增大了給受體平面扭轉(zhuǎn)角從而提高了分子TADF性質(zhì),PPCzTrz分子ΔEST為0.16 eV,kRISC達(dá)到 8.02×104s-1;作為對(duì)比 ,PCzTrz分子 ΔEST為0.23 eV,kRISC僅為 1.44×104s-1。值得一提的是,該項(xiàng)工作以PPCzTrz、PCzTrz為敏化劑,v-DABNA為染料制備了OLED器件,發(fā)光機(jī)制以及能量轉(zhuǎn)移路徑如圖6所示。

    圖6 Jeon等工作的光物理特性(a)與發(fā)光機(jī)制(b),插圖為敏化劑PPCzTrz的結(jié)構(gòu)式。Fig.6 Photophysical characteristics(a) and emission mecha?nisms(b) of Jeon et al.’s work.Inset shows the chemi?cal structure of the sensitizer PPCzTrz.

    上述器件中主體三線態(tài)能量低于TADF敏化劑三線態(tài)能量、高于染料三線態(tài)能量。主體承擔(dān)激子傳輸與復(fù)合功能,TADF敏化劑完成三線態(tài)激子上轉(zhuǎn)換過程與三線態(tài)激子分配,部分三線態(tài)激子能量傳遞給主體再傳遞給染料,染料兼顧發(fā)光并輔助激子上轉(zhuǎn)換,由此保障器件高效率的同時(shí)降低主體三線態(tài)激子能量,提高器件穩(wěn)定性。該機(jī)制激子利用關(guān)鍵步驟為TADF敏化劑承擔(dān)的三線態(tài)激子上轉(zhuǎn)換過程。以PPCzTrz為TADF敏化劑、v-DABNA為染料制備的器件性能最優(yōu),最大外量子效率超過33%,色坐標(biāo)CIEy=0.17,1 000 cd/m2初始亮度下T95約 3 h,T50超過 150 h。

    El-Sayed規(guī)則指出[23-24],為保持總角動(dòng)量守恒,具有相同構(gòu)型特征的S1和T1之間的ISC和RISC是自旋禁阻的。因此,若TADF分子S1和T1構(gòu)型均為電荷轉(zhuǎn)移態(tài)(分別為1CT和3CT),即使降低ΔEST,kRISC提高仍有限,這是大多數(shù)D-A型TADF分子kRISC難以突破106s-1的原因。為解決這個(gè)問題,研究者在橋連基團(tuán)上連入多重給體,一方面使HOMO離域化,減小ΔEST同時(shí)增強(qiáng)態(tài)混合,增大S1與T1之間的SOC;另一方面構(gòu)建能級(jí)接近簡并的激發(fā)態(tài),增加三線態(tài)激子上轉(zhuǎn)換通道。

    2020年,崔林松等[25]利用該策略設(shè)計(jì)合成了一系列分子。當(dāng)圖3通式d中Ds均為9H-咔唑時(shí),記為5Cz-TRZ。該分子ΔEST僅為0.06 eV,兼具LE與 CT態(tài)的 T1使得 SOCS1-T1達(dá)到 0.4 cm-1,相較于常規(guī)TADF分子提升超過4倍。如圖7所示,T2-T1間能量差低至 0.24 eV,SOCS1-T2則超過 1 cm-1,使得T2-S1成為三線態(tài)激子反向系間竄越的有效通道。疊加以上因素,該分子kRISC達(dá)到1.5×107s-1。以5Cz-TRZ為染料、mCBP為主體構(gòu)建的驗(yàn)證器件,實(shí)現(xiàn)了486 nm的天藍(lán)光發(fā)射,器件EQEmax=29.3%,5 000 cd/m2亮度下 EQE=27%,效率滾降低于10%;壽命方面,高效快速的三線態(tài)激子上轉(zhuǎn)換抑制了TTA、TPA等過程,1 000 cd/m2初始亮度下器件T90接近600 h。另外,研究者以5Cz-TRZ為敏化劑、傳統(tǒng)熒光分子TBPe為染料制備了天藍(lán)光器件,得益于敏化劑快速上轉(zhuǎn)換速率,器件最大外量子效率超過20%且效率滾降較小。

    圖7 多通道反向系間竄越能級(jí)示意圖Fig.7 Schematic diagram of multi-channel reverse inter sys?tem crossing

    2.2 苯腈‐咔唑體系

    文獻(xiàn)中最早報(bào)道的苯腈-咔唑類藍(lán)光TADF分子為2CzPN[9],該分子在器件中發(fā)射峰約470 nm,最大外量子效率未超過10%。由于苯二腈作為電子受體過強(qiáng),難以實(shí)現(xiàn)光色藍(lán)移,單苯腈-咔唑成為該體系中高效藍(lán)光代表性分子。由于圖8結(jié)構(gòu)式a所示分子2CzBN-1[26]甲苯稀溶液發(fā)射峰過藍(lán),ΔEST高達(dá)0.31 eV,且氮?dú)夥諊翽LQY僅有13%,后續(xù)優(yōu)化工作主要集中于引入多重給體(結(jié)構(gòu)通式b)、引入第二給體(結(jié)構(gòu)通式c)、氰基對(duì)位鍵連受體(結(jié)構(gòu)通式d),從而使光色適當(dāng)紅移、降低ΔEST提升反向系間竄越速率、抑制非輻射躍遷提升PLQY等。

    圖8 開發(fā)高效穩(wěn)定苯腈-咔唑體系藍(lán)光TADF分子策略Fig.8 Development strategy of efficient and stable blue emission TADF molecules for Benzonitrile-Carbazole system

    2016年,段煉課題組[27]率先報(bào)道了單苯腈咔唑類藍(lán)光材料,并引入多重給體,獲得了一系列從天藍(lán)光到深藍(lán)光TADF分子,圖8通式b中D1=9H-咔唑,R1=D2=H記為4CzBN;D1=3,6-二叔丁基-9H-咔唑,R1=叔丁基,D2=H記為4TCzBN;D1=D2=9H-咔唑,R1=H記為5CzBN;D1=D2=3,6-二叔丁基-9H-咔唑,R1=叔丁基記為5TCzBN(5TCzBN)。如圖9(a)所示,由于線性D-π-D結(jié)構(gòu)有助于形成Cz+2自由基,該自由基與BN-相互作用形成離域激發(fā)態(tài)并增強(qiáng)1CT與3LE電子振動(dòng)耦合,因此可以增大分子反向系間竄越速率[28]。

    另外,基于B3LYP雜化密度泛函的計(jì)算表明,存在多個(gè)中間三線態(tài)陳列于整體分子S1-T1之間,這些中間三線態(tài)可能對(duì)激子上轉(zhuǎn)換有一定幫助。以 5CzBN 為例,如圖 9(b)所示,源自 m-3Cz?BN和4CzBN的中間三重態(tài)位于整體分子5CzBN的S1-T1之間,可能是5CzBN具有較大反向系間竄越速率的因素之一。2019年,Adachi 團(tuán)隊(duì)[29]通過瞬態(tài)吸收證實(shí)了中間三線態(tài)的存在,它們來自于具有多重給受體分子的部分分子結(jié)構(gòu),為理論計(jì)算提供了實(shí)驗(yàn)證據(jù)。結(jié)合以上因素,4CzBN、4TC?zBN、5CzBN、5TCzBN反向系間竄越速率均有一定提升,其中5CzBN達(dá)到1.13×105s-1,5TCzBN達(dá)到1.81×105s-1,且由于多重給體導(dǎo)致分子結(jié)構(gòu)擁擠剛性增強(qiáng),抑制了非輻射躍遷,5CzBN、5TCzBN分子的PLQY均超過70%。值得注意的是,位阻基團(tuán)叔丁基的引入屏蔽發(fā)光核心,進(jìn)一步抑制了三線態(tài)激子湮滅。如圖10(a)所示,5TCzBN分子HOMO分布被嚴(yán)格限制在咔唑上,并未分布到咔唑的3,6位取代基,這意味著叔丁基作為惰性位阻基團(tuán),不僅增大了分子間距離,也減小了相鄰分子前線軌道重疊,對(duì)抑制三線態(tài)激子湮滅過程起到重要作用。以5CzBN、5TCzBN為染料,mCBP為主體制備的驗(yàn)證器件光色上兩者色坐標(biāo)幾乎一致(CIEy≈0.40),都呈現(xiàn)天藍(lán)光發(fā)射;效率上5TCzBN器件EQEmax=21.2%,為5CzBN器件的1.26倍,證明引入叔丁基減少了電致激發(fā)下三線態(tài)激子的損失;而器件壽命對(duì)比更為明顯(如圖10 (b)),5TCzBN器件500 cd/m2初始亮度下T50達(dá)到770 h,是5Cz?BN器件的5倍。這是首個(gè)高效率、長壽命TADF天藍(lán)光材料,該策略也被廣泛應(yīng)用于后續(xù)TADF分子設(shè)計(jì)。

    圖9 (a)5CzBN分子中離域CT態(tài)和線性D-π-D結(jié)構(gòu)形成示意圖;(b)5CzBN衍生物的分子結(jié)構(gòu)及能級(jí)圖。Fig.9 (a)Schematic illustration of the formation of delocal?ized CT states and the linearly positioned donors in the 5CzBN molecule.(b)Molecular structure of 5Cz?BN derivatives along with the energy diagrams.

    圖10 5CzBN及5TCzBN的化學(xué)結(jié)構(gòu)及HOMO分布(a)、器件壽命對(duì)比(b)。Fig.10 Comparison of chemical structure and HOMO distri?bution(a) and device lifetime(b) of 5CzBN and 5TCzBN.

    雖然D-π-D結(jié)構(gòu)幫助增強(qiáng)了1CT與3LE電子振動(dòng)耦合,但受限于3LE與3CT間較大的能量差,氰基咔唑體系進(jìn)一步增大反向系間竄越速率仍有困難[30]。

    2018年,Noda等[11]嘗試引入具有較低3LE能級(jí)的第二給體。如圖11所示,以5CzBN為原型分子,分別引入 3,6-二甲基-9H-咔唑(meCz)和 3,6-二苯基-9H-咔唑(DPhCz)作為第二給體設(shè)計(jì)合成了一系列藍(lán)光TADF材料,圖8結(jié)構(gòu)通式c中D3=3,6-二甲基-9H-咔唑,D4=9H-咔唑,R1=H 記為3Cz2DMeCzBN;D3=3,6-二苯基-9H-咔唑,D4=9H-咔唑,R1=H記為3Cz2DPhCzBN;D3=9H-咔唑,D4=3,6-二苯基-9H-咔唑,R1=Ph記為2Cz3DPhCzBN。通過調(diào)整第二給體的數(shù)目和給電子能力,3LE態(tài)能級(jí)得到有效調(diào)節(jié),顯著降低了3LE-3CT能量差。與5CzBN相比,所有具有第二受體的分子均顯示出PLQY的增加和TADF性質(zhì)的改善。其中,3Cz2DPhCzBN分子3LE-3CT能量差為0.16 eV,相較5CzBN降低了0.16 eV,在ΔEST幾乎沒有變化的情況下該分子甲苯溶液中反向系間竄越速率達(dá)到 7.2×105s-1,超過 5CZBN 的 6 倍。以 3Cz2DPh?CzBN為染料的藍(lán)色OLED器件EQEmax=20.9%,色坐標(biāo)CIE為(0.21, 0.44),呈天藍(lán)光發(fā)射,初始亮度 1 000 cd/m2下T97=110 h。

    圖11 (a)3Cz2DPhCzBN及 2Cz3DPhCzBN分子結(jié)構(gòu)式;(b)1CT1、3CT1和 3LE1能級(jí)排列示意圖。Fig.11 (a)Chemical structure of 3Cz2DPhCzBN and 2Cz3-DPhCzBN.(b)Schematic illustration of 1CT1, 3CT1,and 3LE1 energy level alignment for RISC.

    2021年,Chan等[31]利用相同的策略設(shè)計(jì)合成了天藍(lán)光敏化劑HDT-1,分子結(jié)構(gòu)為圖8結(jié)構(gòu)通式 c中D3=3,6-二苯基-9H-咔唑,D4=間三聯(lián)苯,R1=H。該分子摻雜在mCBP薄膜中呈485 nm天藍(lán)光發(fā)射,PLQY為86%,反向系間竄越速率達(dá)到9.2×105s-1。以HDT-1為染料、mCBP為主體的器件最大外量子效率為 22%,CIE為(0.19, 0.40),初始亮度1 000 cd/m2下T95=28 h。為進(jìn)一步提高器件色純度,以HDT-1為敏化劑、v-DABNA為染料構(gòu)建了TSF器件。

    圖12展示了典型的TSF器件能級(jí)排布與激子能量傳遞路徑。實(shí)現(xiàn)“天藍(lán)光敏化深藍(lán)光”的原因有兩點(diǎn):一是具有CT性質(zhì)的敏化劑激發(fā)態(tài)能量分布廣泛;二是v-DABNA分子小的斯托克斯位移使染料吸收光譜與敏化劑發(fā)射光譜間有較大重疊,建立了高效的FRET。較好的材料搭配降低了體系激發(fā)態(tài)能量,結(jié)合敏化劑、染料良好的本征穩(wěn)定性與快速激子利用速率,驗(yàn)證器件EQEmax≈27%、CIEy=0.20、1 000 cd/m2初 始 亮 度 下T95=11 h。

    圖12 Chan等工作的光物理特性(a)與發(fā)光機(jī)制(b),插圖為敏化劑HDT-1的結(jié)構(gòu)式。Fig.12 Photophysical characteristics(a) and emission mechanisms(b) of Chan et al.’s work.Inset shows the chemical structure of the sensitizer HDT-1.

    然而,多重給體帶來的問題在于光色過度紅移,上轉(zhuǎn)換速率較快的分子幾乎都紅移至天藍(lán)光發(fā)射,色純度較差。如何保持高反向系間竄越速率的同時(shí)使光色藍(lán)移仍存在挑戰(zhàn)。

    降低3LE與3CT間能量差的另一個(gè)策略為弱化電子給體強(qiáng)度,提升3CT能量。2020年,段煉課題組[32]提出使用苯腈代替氰基,弱化給體使光色藍(lán)移的同時(shí),抬升1CT、3CT能量。由于3LE能量不受電子受體強(qiáng)弱影響,因此同樣起到了減小3LE-3CT能量差的作用。如圖13所示,p4TCz?PhBN的1CT能級(jí)與3LE能級(jí)相同,均為2.98 eV,而3CT也提升至2.88 eV,兩者間能量差僅為0.1eV。另外,p4TCzPhBN同樣具有線性 D-π-D、A-π-A結(jié)構(gòu),電致激發(fā)下形成的Cz2+自 由基 與 BN-相互作用形成離域激發(fā)態(tài),增強(qiáng)1CT與3LE電子振動(dòng)耦合,對(duì)增大kRISC亦有幫助。此外,值得注意的是,多重給受體引入使得p4TCzPhBN激發(fā)態(tài)能量接近簡并狀態(tài),計(jì)算顯示p4TCzPhBN分子具有較小 ΔEST的同時(shí),T2、T3能量位于 S1-T1之間,T2-S1、T3-S1可能成為輔助三線態(tài)激子反向系間竄越的有效通道。

    圖 13 (a)CzBNs和 CzPhBNs的相對(duì)能級(jí)圖;(b)p4TCzPhBN化學(xué)結(jié)構(gòu)與該分子1CT1、3CT1和3LE1能級(jí)排列示意圖。Fig.13 (a)The relatively energy level diagram of CzBNs and CzPhBNs.(b)Chemical structure of p4TCzPhBN and the energy levels of p4TCzPhBN obtained from the spectra measured in toluene.

    綜合以上因素,p4TCzPhBN分子kRISC超過2.3×106s-1,發(fā)射峰在甲苯稀溶液中藍(lán)移至456 nm。以該分子為染料、DPEPO為主體制備的驗(yàn)證器件 EQEmax=22.8%,CIEy<0.2,在 1 000 cd/m2亮度下EQE仍超過20%,展現(xiàn)出極小的效率滾降。為進(jìn)一步提升色純度,以mCPCz為主體、p4TCz?PhBN為敏化劑、t-DABNA為染料構(gòu)建了TSF器件,最大外量子效率為32.5%,色坐標(biāo)CIE為(0.13,0.12),100 cd/m2初始亮度下器件T80超過 3 000 h。

    另外,多重給體導(dǎo)致分子量偏大,且分子構(gòu)型擁擠,整體呈球形,一定程度上影響了光取出率。

    2022年,段煉課題組[33]提出延展受體π共軛體系策略,設(shè)計(jì)合成了一系列深藍(lán)光TADF分子,圖8結(jié)構(gòu)通式d中R1=Ph,A為苯環(huán)記為2PCzBN-Ph;R1=Ph,A為對(duì)叔丁基苯記為2PCzBN-tPh;R1=Ph,A為對(duì)氟苯記為2PCzBN-FPh。該策略通過減少咔唑受體數(shù)量增強(qiáng)分子平面性,提升了材料發(fā)光偶極水平取向,同時(shí)在氰基對(duì)位引入吸電子基團(tuán)擴(kuò)大受體共軛,增大LUMO離域程度,提升了材料TADF性質(zhì)。LU?MO離域化一方面使前線軌道重疊減小,從而降低ΔEST,另一方面增強(qiáng)了1CT與3LE電子振動(dòng)耦合,如圖14所示。據(jù)此設(shè)計(jì)的2PCzBN-FPh反向系間竄越速率達(dá)到8.31×105s-1,超過多重給體型分子5CzBN的7倍,且甲苯溶液中光色藍(lán)移至454 nm,分子水平取向達(dá)到84%,PLQY超過90%。

    圖14 2PCzBN衍生物的前線軌道分布與計(jì)算能級(jí)排布(a)、化學(xué)結(jié)構(gòu)(b)。Fig.14 The calculated distributions of their frontier molecular orbitals as well as the energy levels(a), and the structures(b) of the 2PCzBN derivatives.

    以2PCzBN-FPh為染料摻雜在主體PPF中構(gòu)建的驗(yàn)證器件 EQEmax=35.7%,CIEy=0.25,1 000 cd/m2下器件 EQE≈25%,T50超過 100 h,展現(xiàn)出較小的效率滾降與較好的器件壽命,為氰基/咔唑體系開發(fā)提供了新的范例,實(shí)現(xiàn)了性能突破。

    2.3 其他穩(wěn)定藍(lán)光TADF分子

    傳統(tǒng)D-A結(jié)構(gòu)的TADF材料給體與受體之間的共軛效應(yīng)會(huì)產(chǎn)生能量低的分子軌道,光色顯著紅移,不利于藍(lán)光材料開發(fā)。空間扭曲的D-A結(jié)構(gòu)[34]以及非共軛的σ橋連的D-σ-A結(jié)構(gòu)[35]是抑制共軛保持藍(lán)光的常用策略。然而,上述結(jié)構(gòu)均難以兼顧藍(lán)光材料效率和穩(wěn)定性。

    2022年,張東東等[36]提出了D-Void-A的抑制D/A共軛效應(yīng)新策略:由于分子軌道的形成需要給體和受體各自軌道電子云的空間重疊,而理論計(jì)算表明占噸酮3號(hào)碳原子上沒有HOMO以及HOMO-1軌道的分布,給體基團(tuán)與C3鍵連時(shí)能有效抑制給體-受體間HOMO共軛,轉(zhuǎn)而與能級(jí)更深的受體HOMO-2形成分子軌道從而拉大發(fā)光帶隙(圖15)。相較于引入σ鍵打斷共軛,D-Void-A結(jié)構(gòu)的分子具有一定的HOMO-LUMO重疊,振子強(qiáng)度更大且具有較強(qiáng)的分子骨架剛性,有效抑制了非輻射躍遷?;谠摬呗栽O(shè)計(jì)的33PCX光色藍(lán)移至440 nm,PLQY達(dá)到92%,反向系間竄越速率為4.3×105s-1。以33PCX為染料、PPF為主體的器件最大外量子效率為27.5%,CIEy=0.252。為進(jìn)一步提升器件色純度,以33PCX為敏化劑、v-DABNA為染料構(gòu)建了敏化器件,色坐標(biāo)CIEy=0.19,100 cd/m2初始亮度下T95超過 650 h,證實(shí)了占噸酮單元作為TADF分子受體的良好穩(wěn)定性,為后續(xù)工作提供了新的分子設(shè)計(jì)思路。

    圖15 D-void-A結(jié)構(gòu)示意圖及占噸酮-咔唑敏化劑分子Fig.15 Structure diagram of D-void-A and xanthone-carba?zole sensitizers

    3 總結(jié)與展望

    圍繞藍(lán)光敏化劑分子開發(fā)和TSF器件優(yōu)化兩個(gè)核心課題,研究人員為構(gòu)建高效穩(wěn)定藍(lán)光OLED器件付出了諸多努力,在多個(gè)子課題上取得突破。提高材料本征穩(wěn)定性方面,利用重水將TADF分子中C—H鍵氘代為C—D鍵,抑制因化學(xué)鍵振動(dòng)造成的非輻射躍遷并淺化激發(fā)態(tài)勢(shì)能面,提高PLQY同時(shí)抑制分子處于高能激發(fā)態(tài)時(shí)的化學(xué)鍵裂解,從而提高敏化劑的穩(wěn)定性[37];高效敏化劑開發(fā)方面,通過增強(qiáng)態(tài)混合、減小1CT-3CT-3LE能量差、構(gòu)筑多重通道三線態(tài)激子上轉(zhuǎn)換、開發(fā)新給受體[38]、引入空間電荷轉(zhuǎn)移[39]等策略,打破TADF分子光色藍(lán)移與提高上轉(zhuǎn)換速率之間的制約,深藍(lán)光TADF敏化劑kRISC達(dá)到甚至超過106s-1,有效降低高電流密度下三線態(tài)激子濃度,抑制了激子湮滅過程;窄光譜染料設(shè)計(jì)方面,于稠環(huán)芳烴結(jié)構(gòu)中引入硼(B)、氮(N)、氧(O)等多種或單一雜原子,降低前線軌道在化學(xué)鍵上的分布來抑制鍵長變化導(dǎo)致的振動(dòng)耦合與構(gòu)型弛豫,開發(fā)了新型高發(fā)光效率、窄光譜多重共振(Multiple resonance, MR)分子,提高了器件色純度;抑制發(fā)光層激子損失方面,引入剛性大位阻基團(tuán)屏蔽發(fā)光核心,減小相鄰分子間前線軌道重疊,抑制Dexter能量傳遞,減少發(fā)光及能量傳遞過程中的激子損失;器件優(yōu)化設(shè)計(jì)方面,合理設(shè)計(jì)發(fā)光層材料搭配優(yōu)化器件能級(jí)排布,避免激子直接被染料捕獲、降低體系激子能量,提高器件效率的同時(shí)延長器件壽命。目前基于氘代敏化劑的深藍(lán)光TSF器件 CIEy~0.19,1 000 cd/m2亮度下T80超過 450 h,外量子效率達(dá)到16%,由于疊層器件、頂發(fā)光設(shè)計(jì)等器件工程能進(jìn)一步優(yōu)化發(fā)光色純度、提高器件效率、延長器件壽命[40],全氘代器件結(jié)合器件工程將助力藍(lán)光TSF OLED向產(chǎn)業(yè)化目標(biāo)邁出一大步。

    當(dāng)然,TSF OLED產(chǎn)業(yè)化仍面臨巨大挑戰(zhàn)。為了滿足高分辨率4K/8K顯示器的廣色域標(biāo)準(zhǔn),藍(lán)光OLED色坐標(biāo)要求降低至(0.131, 0.046),這需要在目前工作的基礎(chǔ)上進(jìn)一步藍(lán)移,開發(fā)發(fā)射峰小于470 nm、反向系間竄越速率大于106s-1的穩(wěn)定敏化劑,光譜半峰寬小于18 nm、發(fā)射峰在460 nm左右的高效發(fā)光染料,以及與之適配的寬帶隙雙極性主體。從與現(xiàn)有工藝的匹配而言,二元而非三元TSF系統(tǒng)值得進(jìn)一步研究。二元TSF系統(tǒng)主體兼具激子傳輸、復(fù)合與敏化功能,從而簡化器件制備工藝、減少發(fā)光層激子能量傳遞造成的能量損失,降低器件工作電壓。另外,作為競爭機(jī)制,近年來藍(lán)色磷光OLED器件與磷光輔助的熱活化敏化熒光(Phosphor-assisted TADF-sensitized fluorescence, TPSF)器件發(fā)展迅速,目前效能最好的藍(lán)色磷光OLED器件[41]CIEy~0.2,在1 000 cd/m2亮度下外量子效率超過23%,T95達(dá)到150 h;效能最好的藍(lán)色TPSF器件[42]CIEy~0.17,在1 000 cd/m2亮度下外量子效率近26%,T95達(dá)到73 h,成為藍(lán)光TSF OLED產(chǎn)業(yè)化的重要競爭對(duì)手。不過,TSF OLED在材料成本、元素豐度等方面具有磷光材料無法比擬的優(yōu)勢(shì),為藍(lán)色磷光OLED以及TPSF器件開發(fā)的穩(wěn)定的主體及傳輸層材料亦可提高TSF OLED的性能。相信三者之間的競爭將促進(jìn)高效、穩(wěn)定的藍(lán)光OLED產(chǎn)業(yè)化。

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