孫志,于曉輝,莊再裕,趙健偉
(1.嘉興學(xué)院 材料與紡織工程學(xué)院,浙江 嘉興 314001;2.嘉興銳澤表面處理技術(shù)有限公司,浙江 嘉興 314032)
導(dǎo)電漿料作為電子工業(yè)的主要原料,廣泛應(yīng)用在信息通訊、儀器電子等設(shè)備上[1-2]。雖然銅具有較高的導(dǎo)電導(dǎo)熱性,但是由于其耐腐蝕性和抗氧化性能差,導(dǎo)致現(xiàn)有的導(dǎo)電漿料仍以金、銀等貴金屬粉材為主,其中銀粉應(yīng)用最為廣泛[3]。近年來,隨著貴金屬價格的上升,相關(guān)材料制備成本也大幅提高。因此,通過簡單方法制備具有銀的特性且價格低廉的覆銀銅粉[4],成為導(dǎo)電填料的重要發(fā)展方向。
制備覆銀銅粉的方法主要有還原法和置換法兩種[5-6]。還原法是在含銀絡(luò)離子的溶液中添加還原劑,促使銀離子在基底上還原沉積[7]。常用的還原劑有抗壞血酸、甲醛、葡萄糖、水合肼[8]等。侯佳琦等人[9]利用葡萄糖還原劑制備了8.3 μm 的覆銀銅粉。李雅麗等人[10]將甲醛作為主還原劑,制備了約0.5 μm 的覆銀銅粉。馬青山等人[11]將甲醛作為還原劑制備覆銀銅粉時發(fā)現(xiàn),沉積速度隨主鹽和還原劑濃度的增加而升高,隨裝載量和銅粉粒徑的增加而降低,同時超聲波有助于提高覆銀銅粉的沉積速度。黃惠等人[12]將抗壞血酸作為還原劑,制備了1.2 μm 左右的Cu/Ag 型金屬粉,其結(jié)合強(qiáng)度大,抗氧化能力滿足導(dǎo)電漿料的使用,在太陽能電池應(yīng)用上也基本接近純銀漿料。上述這些工作雖然可以制備覆銀銅粉,但還原法仍存在一定的局限性,例如易出現(xiàn)銀層掛壁的現(xiàn)象[13]。
置換法是另一種更為便捷制備覆銀銅粉的方法[14]。它是利用銅基材作為還原劑,通過犧牲部分基材置換沉積銀層[15-16]。盧財財?shù)热薣17]利用銀離子與銅的置換反應(yīng),制備了呈樹枝狀的銀包銅粉,顆粒相對均勻。置換法優(yōu)點是,易控制銀層的結(jié)晶方式和覆蓋的均勻性,同時銀的利用率較高[18],銅離子也可以進(jìn)一步利用樹脂吸附的方法回收利用。但是由于自催化能力有限,難以加厚形成大尺度核殼結(jié)構(gòu)的金屬粉材。此外,如果處理不當(dāng),易發(fā)生原電池反應(yīng),導(dǎo)致包覆不夠完全和抗氧化性能、導(dǎo)電性能下降。
綜合比較,置換法雖有一定的缺點,但其可靠性高,具有更好的應(yīng)用價值。綜上,本文利用無氰鍍銀液開展覆銀銅粉的制備研究。該無氰鍍銀液含銀量為14.3 g/L,亦可應(yīng)用于掛鍍[19]、滾鍍和刷鍍。通過探索制備覆銀銅粉的工藝條件,獲得了包覆完整、結(jié)晶良好的覆銀銅粉材料,并進(jìn)一步考察了其在導(dǎo)電膠中的應(yīng)用,可為產(chǎn)業(yè)化打下基礎(chǔ)。
實驗所用到的試劑包括:H2SO4、HNO3、NaOH、Na2CO3、CH3(CH2)3OH 和C2H5OH,均為分析純;直徑約5 μm 的球形銅粉(北京興榮源科技有限公司);環(huán)氧樹脂(南京昊卓材料科技有限公司);溶液配制用一次水。ZHL-02 無氰鍍銀母液(嘉興銳澤表面處理技術(shù)有限公司)稀釋1 倍作為鍍銀置換液使用。
利用S-4800 型掃描電子顯微鏡(日立,日本)在1.0 kV 條件下得到SEM 圖像;利用VHX900F 超景深光學(xué)顯微鏡(基恩士,日本)在常溫常壓下得到覆銀銅粉的形貌特征;利用D8-A25 X 射線衍射儀(BRUKER,德國)在20°~90°范圍內(nèi)連續(xù)掃描(CuK輻射);利用MRX-TM300 自動涂膜機(jī)(深圳市銘銳祥自動化設(shè)備有限公司),以0.02 m/s 的移動速度均勻涂覆在玻璃板上;利用TGA Q50 型熱重分析儀(TA,美國),以10 ℃/min的速度從20 ℃升溫至700 ℃,分析覆銀銅粉的抗氧化性;利用CHI630 型電化學(xué)工作站(辰華,中國),在常溫干燥條件下得到電阻值;利用101-1HB 型高溫干燥箱(北京市永光明醫(yī)療儀器有限公司,中國),在80 ℃條件下恒溫加熱給定時間后,測量樣品電阻。
實驗所用材料為直徑5 μm 的紅褐色球形銅粉,每次試驗取5 g,其前處理如下:首先將試樣加入到乙醇溶液中超聲清洗5~10 min,取清洗后的銅粉浸沒在5%氫氧化鈉與5%碳酸鈉的混合除油溶液中攪拌5~10 min,用去離子水清洗2~3 遍至溶液無色透明,而后轉(zhuǎn)移銅粉至濃度為5%的稀硫酸溶液中,強(qiáng)攪拌5 min 后靜置沉淀,用針管抽取上層清液,再多次用去離子水洗滌,直至溶液無色。在磁力攪拌儀攪拌作用下,將前處理后的銅粉分別置于10、20、30、40、50、60 ℃的250 mL 鍍銀置換液中反應(yīng)4 h,靜置待固液分離后,用去離子水洗凈,再用少量正丁醇浸潤。
覆銀銅粉與環(huán)氧樹脂按照55%:45%(質(zhì)量百分比)混合均勻,制成導(dǎo)電膠。利用涂覆機(jī)將導(dǎo)電膠均勻涂覆在7.5 cm×2 cm 且兩端貼有銅箔的長方形玻璃片上,導(dǎo)電膠層的涂覆厚度為1.5 mm,膠體在烘箱內(nèi)80 ℃恒溫凝固。而后連接電化學(xué)工作站,利用循環(huán)電勢掃描(CV)法測試樣品實際電阻。
微米級銅粉表面含有大量的高指數(shù)面,在不同晶面交界的棱角處具有高能量原子。這些原子的活性高,促進(jìn)了銀離子在銅顆粒表面的置換沉積。隨著銅顆粒表面被銀覆蓋,裸露的銅原子越來越少,沉積速度逐漸降低,直至沉積過程被完全阻止。上述過程可以利用簡化的一級表面化學(xué)動力學(xué)來描述(式(1))[20]:
式中,?(t)是在t時刻覆銀銅粉中的銀含量,?(∞)為經(jīng)過無窮長置換時間的飽和含量,Krep為置換反應(yīng)的速率常數(shù)。銀的置換沉積額定量關(guān)系為2Ag++Cu=2Ag+Cu2+,通過分光光度法得到溶液中Cu2+的濃度,再計算得到覆銀銅粉中銀的含量[21]。
圖1 給出了不同置換反應(yīng)溫度下,覆銀銅粉中銀的質(zhì)量分?jǐn)?shù)隨置換時間的變化。從圖中可以明顯地看出,在置換初期,銀的含量快速增加,隨后經(jīng)歷了一個緩慢的增長階段。同時,銀含量的變化速度對置換溶液的溫度依賴明顯。在較高的溫度(40~60 ℃)下,僅需30 min 的置換反應(yīng)時間,即可獲得5%以上的含銀量;而在較低的溫度(10~20 ℃)下,達(dá)到這一銀含量需要長達(dá)2.0 h 以上的置換時間。利用式(1)對圖1a 的數(shù)據(jù)進(jìn)行擬合,得到了不同溫度下的銀飽和沉積量與置換反應(yīng)速率常數(shù)。其中銀的飽和沉積量在7.0%~8.5%之間,與溫度的依賴關(guān)系不很明顯。從飽和銀含量來看,置換法不及還原法。例如唐元勛[22]利用還原法得到銀粉沉積量在5.0%~18.0%,具有較大的調(diào)整區(qū)間。但在較低含銀量時,是否能實現(xiàn)對銅的全包覆尚未報道。從應(yīng)用角度來看,如果可以實現(xiàn)對銅的全包覆,則過高的含銀量不僅不會對材料性能有明顯提升,反而增加了額外的成本。
圖1a 表明,置換反應(yīng)的速率常數(shù)隨溫度(T)升高而顯著增加。按照Arrhenius 的經(jīng)驗公式,可以計算置換反應(yīng)的活化能:
圖1 銀的沉積量隨時間的變化和擬合置換反應(yīng)速率常數(shù)圖Fig.1 The graph of the change of the amount of silver deposition with time and the fitted displacement reaction rate constant: a) the relationship between the mass percentage of silver and the replacement time at different temperatures; b) the relationship between the fitted rate constants of the displacement reaction and the reciprocal of the temperature at different temperatures
式中,Ea為置換反應(yīng)的活化能;A為指前因子,與具體的置換反應(yīng)體系有關(guān);R為常數(shù)。置換反應(yīng)速率常數(shù)Krep的自然對數(shù)與1/T呈線性關(guān)系,如圖1b所示。由直線斜率得到該反應(yīng)的活化能Ea為4.10×104J/mol。黃浩[23]利用乙二胺四乙酸和氨水體系研究了純銅片表面的銀置換反應(yīng),得到了置換反應(yīng)的活化能為1.45×104J/mol,約為本文結(jié)果的1/3。說明在溶液中添加劑的作用下,銀在銅微粉表面發(fā)生置換反應(yīng)時有更大阻力。
你說說,時為國家電網(wǎng)公司生產(chǎn)技術(shù)部主任的鄧永輝會缺錢嗎?肯定不缺!然而,鄧永輝卻以買房缺錢的名義,向北京澤源惠通科技公司老板劉某提出借款300萬元。劉某當(dāng)然清楚,這是鄧永輝在訛他,明知是個當(dāng)也得裝憨去上哇,因為他要依靠鄧永輝在國家電網(wǎng)的地位牽線做業(yè)務(wù)。因此,劉某先后5次送給鄧永輝362萬元和一套價值34.7萬元的紅木家具。
圖2 給出了不同溫度下經(jīng)2 h 置換反應(yīng)后的覆銀銅粉的XRD 圖譜。利用鍍層的含銀量和銅粉的幾何尺寸,可以推算出銀層的平均厚度約為0.8 μm。以往研究表明,當(dāng)銀層厚度小于3 μm 時,無法遮蔽基底銅的衍射峰[24]。從圖2 中還可以看出,Ag(111)的峰比(200)、(220)和(311)的峰明顯要強(qiáng),另外Ag 衍射峰的半峰寬比Cu 衍射峰要寬1/3 以上,意味著銀的晶粒尺寸更小。Scherrer 于1918 年提出了利用衍射峰寬估算晶粒尺寸的公式(式(4)):
式中,Dv為垂直于反射面方向的晶粒尺寸,下標(biāo)v代表體積權(quán)重;θ為布拉格角;βc為衍射峰的半峰寬(以弧度為單位);K為固定常數(shù)(K=0.9);λ為入射X 射線的波長。本研究中利用的是CuKα 射線,λ為1.54。利用上述參數(shù)計算得到各峰面的晶粒尺寸,列于表1。
圖2 不同溫度下制備的覆銀銅粉的XRD 圖譜Fig.2 XRD patterns of silver-plated copper powder prepared at different temperatures
表1 由XRD 數(shù)據(jù)計算得到的鍍銀層的晶粒結(jié)構(gòu)參數(shù)Tab.1 Structural parameters of the silver coating calculated from the XRD data
分析比較數(shù)據(jù)可以看出,不同溫度條件下,銀(111)、(200)、(220)和(311)面的晶粒尺寸分別為(54±5)、(34±7)、(41±11)、(40±12) nm。其中,由(200)晶面取向得到的晶粒尺度較小。應(yīng)注意的是,由于鍍銀層較薄和基底Cu 晶面的干擾,高斯函數(shù)擬合過程會帶來一定的誤差。此外,不同溫度下鍍銀層的晶粒尺寸波動較大,目前尚難以確定兩者之間有明確的相關(guān)性。
利用晶面的織構(gòu)指數(shù)N,也可以從圖2 的衍射圖中獲得鍍銀層中不同晶面的擇優(yōu)取向[25-26]。其中,{111}面的織構(gòu)指數(shù)N{111}可按式(5)計算:
式中,IFR{111}是無擇優(yōu)取向的標(biāo)準(zhǔn)樣品晶面衍射峰的相對強(qiáng)度,IF{111}是{111}晶面衍射峰的相對強(qiáng)度,可按公式(6)計算。
式中,I{hkl}為hkl 晶面的衍射峰強(qiáng)度[27]。計算得到各晶面的織構(gòu)指數(shù),匯總于表1。上述討論的四個晶面的織構(gòu)指數(shù)分別為(1.03±0.07)、(0.92±0.20)、(1.12±0.17)和(0.90±0.30)。當(dāng)織構(gòu)指數(shù)大于1.0 時,表明鍍層中該織構(gòu)晶面占比較高,而織構(gòu)指數(shù)最大的面為擇優(yōu)取向面。比較上述數(shù)據(jù)可以發(fā)現(xiàn),不同條件下,各晶面的織構(gòu)指數(shù)都在1.0 附近,因此無特定擇優(yōu)取向的晶面。
用滴管汲取2~3 滴覆銀銅粉分散于正丁醇中的樣品鋪展在載玻片上,用于顯微形貌觀察。圖3a 給出了利用景深擴(kuò)展的光學(xué)顯微鏡獲得的在不同制備溫度下置換4 h 的覆銀銅粉的形貌。從圖中可以看出,在本文所研究的六個溫度下,銀層覆蓋完全,沒有發(fā)現(xiàn)褐色的基底銅裸露的現(xiàn)象。作為對比,也動態(tài)觀察了在40 ℃置換不同時間的覆銀銅粉的形貌,如圖3b所示。從圖中可以看出,置換未發(fā)生時,基底銅粉呈紅褐色;在較短的置換時間(例如10 min)內(nèi),有少部分紅褐色的銅裸露,說明短時間的包覆尚不完全;而置換30 min 以上,在大面積的視野內(nèi)很難再觀察到有外露紅褐色的顆粒,說明已包覆完全。由圖3b可知,純銅粉的分散性較好,經(jīng)過后續(xù)的置換反應(yīng),覆銀銅粉仍然保留了純銅粉的顆粒特征,說明置換過程并沒有對分散性產(chǎn)生較大的影響。此外,還進(jìn)一步考察了其他溫度條件下樣品的分散特征。對于不同置換溫度下制備的樣品,通過比較不同的涂覆位置,可以觀察到在樣品稀疏的區(qū)域,覆銀銅粉均呈現(xiàn)彼此獨立的顆粒狀態(tài),保留了與原始純銅粉類似的分散特征,說明覆銀銅粉樣品的分散性好,并且該分散性受置換反應(yīng)的溫度影響較小。這一結(jié)果說明,置換法制備的覆銀銅粉要優(yōu)于還原法制備的覆銀銅粉[28]。
掃描電鏡圖給出了樣品更為微觀的結(jié)晶狀態(tài)的細(xì)節(jié),如圖4 所示。作為對比,圖4a 給出了純銅粉的掃描電鏡圖。從圖中可以看出,銅粉表面相對光滑。而經(jīng)過置換反應(yīng)沉積銀層之后,原始的表面結(jié)構(gòu)特征發(fā)生了顯著的變化。在所有溫度下置換4 h 的樣品表面均呈現(xiàn)出細(xì)小的層狀結(jié)構(gòu),表明置換層的結(jié)晶良好。這也與前面XRD 數(shù)據(jù)的結(jié)果一致。樣品具有低指數(shù)面,并保留了良好的結(jié)晶狀態(tài),這預(yù)示了該覆銀銅粉樣品具有更為優(yōu)良的導(dǎo)電性和穩(wěn)定性。
圖3 不同溫度條件下制備的覆銀銅粉形貌與微米顆粒隨置換反應(yīng)時間的形貌變化Fig.3 The morphology of silver-coated copper powder prepared under different temperature conditions and the morphology changes of micron particles with the replacement reaction time: a) morphology of Ag-coated copper powder prepared at different replacement temperatures for 4 h; b) the dynamic morphology observation of the sample prepared at 40 ℃
圖4 純銅粉與不同制備溫度條件下覆銀銅粉的SEM 圖像Fig.4 SEM of (a) pure copper powder and (b) silver-coated copper powder under different preparation temperature conditions
圖5 銅粉和覆銀銅粉的熱重分析曲線Fig.5 Thermogravimetric analysis curve of copper powder and silver-coated copper powder
為了考察銅粉被銀層的包覆情況,在40 ℃條件下,改變置換時間,獲得了一系列的覆銀銅粉樣品。進(jìn)一步將其在20%的HNO3溶液中浸泡20 min,溶液的顏色如圖6 所示。從圖中可以看出,隨著置換時間的增加,溶液的顏色逐漸變淺,說明銅粉表面逐漸被銀層覆蓋,遮擋了銅離子的溶出。當(dāng)置換時間超過3 h時,溶液幾乎變?yōu)闊o色,說明置換時間在3 h 以上時,銅粉可以完全被銀層包覆,銅溶解的現(xiàn)象不再發(fā)生。
圖6 不同置換時間下獲得的覆銀銅粉在20%的HNO3 溶液中浸泡20 min 后溶液的顏色變化Fig.6 Color change of the 20% HNO3 solution in which the copper powder fabricated at different time was immersed for 20 minutes
將40 ℃條件下置換4 h 制備的樣品與環(huán)氧樹脂混合,并利用涂覆機(jī)制備7.5 cm×2.0 cm×1.5 mm 的導(dǎo)電膠測試樣品,在80 ℃條件下固化后,測試其導(dǎo)電性。同時,利用純銅粉和純銀粉以相同的條件制備測試樣品,以作比較。銀包銅粉樣品的電阻為0.74 ?,略小于純銅粉樣品的電阻2.44 ?,但與純銀樣品的電阻(~0.9 ?)相當(dāng)。
銀與銅屬于IB 族金屬,均為fcc 結(jié)構(gòu),兩者之間可形成固溶體[29]。當(dāng)鍍銀層較薄時,在較高的溫度烘烤下,內(nèi)核的銅原子會加速向表面擴(kuò)散,并與銀形成合金。圖7 給出了導(dǎo)電膠測試樣品在80 ℃烘烤不同時間后測量的電阻值。從圖中可以看出,在40 h以內(nèi),樣品的電阻值保持不變。這是由于高溫雖加速銅原子的熱運動,提高了其向表面擴(kuò)散的能力,但是在到達(dá)銀表面之前,對樣品導(dǎo)電性起主要貢獻(xiàn)的還是表面銀層,因此這段時間的銅原子擴(kuò)散尚不能對樣品的電阻值產(chǎn)生影響。而40 h 以后,電阻值逐漸升高,65 h 以后,電阻值達(dá)到一個新的平臺后就不再發(fā)生變化。40~65 h 這段變化區(qū)間對應(yīng)了銅原子擴(kuò)散到表面形成Cu-Ag 合金的過程。合金的面積占比逐漸擴(kuò)大,電阻也隨之增加,直至整個顆粒表面合金化電阻達(dá)到一個新的穩(wěn)定值。這一過程可以由式(7)的動力學(xué)方程來描述。
式中,R(t)、RAlloy和RAg分別為t時刻測得的樣品電阻值、完全合金化后樣品的電阻值和覆銀銅粉的電阻值。t0對應(yīng)了一半鍍銀層轉(zhuǎn)為合金的時刻。kdif為合金在表面擴(kuò)散的速率常數(shù),t0和kdif均間接反映了銅的擴(kuò)散速度,其不同點在于,t0反映了銅原子由內(nèi)向表面的擴(kuò)散速度,kdif則體現(xiàn)了表面合金化生長的速度。
圖7 導(dǎo)電膠在80 ℃下烘烤不同時間后的電阻值Fig.7 Resistance value of conductive adhesive after baking at 80 ℃ for different time
利用式(7)擬合圖7 中的數(shù)據(jù),得到覆銀銅粉導(dǎo)電膠樣品的電阻RAg為0.73 ?,Cu-Ag 合金樣品的電阻RAlloy為1.77 ?,轉(zhuǎn)變時間t0為52.8 h,表面合金化速度常數(shù)k為6.22/h,擬合相關(guān)系數(shù)為0.990。作為對比,也考察了利用純銅粉和銀粉所制備的導(dǎo)電膠的穩(wěn)定性,發(fā)現(xiàn)銅粉導(dǎo)電膠的穩(wěn)定性差,在80 ℃條件下烘烤20 h 后,電阻值由最初的2.44 ? 增到1000 ?以上。純銀導(dǎo)電膠具有優(yōu)良的熱穩(wěn)定性,在最初數(shù)小時的烘烤下,電阻不僅不增加,反而略有下降,而后近100 h 的烘烤時間內(nèi),電阻基本保持不變??梢姼层y銅粉若要獲得與純銀粉相接近的熱穩(wěn)定性,仍需進(jìn)一步增加覆銀層厚度。
通過置換反應(yīng)在微米級銅粉上沉積薄層銀。改變不同的置換時間,獲得了銀沉積的速率常數(shù),通過擬合置換反應(yīng)速率常數(shù)與溫度倒數(shù)的關(guān)系,得到該置換反應(yīng)的活化能為4.1×104J/mol。X 射線衍射儀、光學(xué)顯微鏡和掃描電鏡表征證實了該覆銀銅粉具有良好的覆蓋度。銀層晶態(tài)結(jié)晶細(xì)膩,制備的導(dǎo)電膠的導(dǎo)電性與純銀粉導(dǎo)電膠相當(dāng),均優(yōu)于純銅粉導(dǎo)電膠。該覆銀銅粉具有良好的熱力學(xué)穩(wěn)定性,在80 ℃的條件下烘烤40 h 后,其導(dǎo)電性不改變,即使烘烤到100 h 以上,樣品電阻也僅增加1.4 倍,遠(yuǎn)優(yōu)于純銅粉導(dǎo)電膠,表現(xiàn)出良好的應(yīng)用價值。