拓荊科技盈利反轉(zhuǎn) 半導(dǎo)體設(shè)備國(guó)產(chǎn)替代加速

7月18日，拓荊科技公布2025年二季度業(yè)績(jī)預(yù)告，該季度實(shí)現(xiàn)扣非歸母凈利潤(rùn)2.15億-2.24億元，同比增長(zhǎng)235%-249%，扭轉(zhuǎn)了一季度利潤(rùn)出現(xiàn)虧損的局面。

而從公司歷史單季盈利狀況來(lái)看，凈利潤(rùn)大多在四季度集中確認(rèn)，2021-2024年四季度盈利占全年盈利均值達(dá)65%，二季度的利潤(rùn)大增體現(xiàn)出公司盈利的拐點(diǎn)。

公司把握半導(dǎo)體設(shè)備國(guó)產(chǎn)替代的戰(zhàn)略機(jī)遇，積累薄膜沉積設(shè)備和三維集成領(lǐng)域的先進(jìn)鍵合設(shè)備及配套質(zhì)量檢測(cè)設(shè)備的技術(shù)經(jīng)驗(yàn)，其產(chǎn)品成熟度逐漸獲得市場(chǎng)認(rèn)可，滲透率不斷提升，成為國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備的龍頭之一，自2022年4月以來(lái)已較最低的40.07元/股上漲了3倍，當(dāng)前市值已接近500億元。

2025年二季度起，公司迎來(lái)營(yíng)收和盈利雙爆發(fā)，主要是基于新型設(shè)備平臺(tái)和新型反應(yīng)腔等先進(jìn)工藝薄膜設(shè)備陸續(xù)通過(guò)客戶(hù)驗(yàn)收，量產(chǎn)規(guī)模不斷擴(kuò)大。二季度毛利率環(huán)比大幅改善，期間費(fèi)用率同比下降，體現(xiàn)出規(guī)模效應(yīng)。

經(jīng)過(guò)多年的高強(qiáng)度自主研發(fā)，拓荊科技推出了數(shù)款鍵合設(shè)備，其中芯片對(duì)晶圓鍵合前表面預(yù)處理產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，在國(guó)內(nèi)具有領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。新款鍵合設(shè)備的驗(yàn)證成功為公司未來(lái)的進(jìn)一步增長(zhǎng)奠定了基礎(chǔ)。

毛利率回升 現(xiàn)金流改善

2025年一季度，拓荊科技新產(chǎn)品獲得批量驗(yàn)證，公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入7.09億元，同比增長(zhǎng)約50.22%；由于驗(yàn)證成本較高的新品銷(xiāo)售額占比達(dá)70%，公司的期間費(fèi)用同比高增，扣非歸母凈利潤(rùn)短期承壓，虧損1.80億元。

二季度，公司預(yù)計(jì)實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入12.10億-12.60億元，同比增長(zhǎng)52%-58%，預(yù)計(jì)實(shí)現(xiàn)扣非歸母凈利潤(rùn)2.15億-2.24億元，同比增長(zhǎng)235%-249%，均創(chuàng)下歷史同期新高。

公司預(yù)計(jì)2025年二季度扣非凈利潤(rùn)同比及環(huán)比均大幅增長(zhǎng)，除因營(yíng)業(yè)收入持續(xù)大幅增長(zhǎng)之外，主要原因系公司新產(chǎn)品驗(yàn)證機(jī)臺(tái)完成技術(shù)導(dǎo)入，并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)突破和持續(xù)優(yōu)化，二季度毛利率環(huán)比大幅改善，呈現(xiàn)穩(wěn)步回升態(tài)勢(shì)。期間費(fèi)用率同比下降，進(jìn)一步釋放利潤(rùn)空間。

近年來(lái)，受益于國(guó)內(nèi)下游晶圓制造廠(chǎng)對(duì)國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備的需求增加，公司新簽銷(xiāo)售訂單及出貨金額均同比大幅增加，營(yíng)業(yè)收入維持高增長(zhǎng)趨勢(shì)。公司的營(yíng)業(yè)收入由2020年的4.36億元增長(zhǎng)至2024年的41.03億元，歸母凈利潤(rùn)在2021年實(shí)現(xiàn)扭虧后保持增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。

2023年一季度至2024年四季度，公司經(jīng)營(yíng)活動(dòng)產(chǎn)生的現(xiàn)金流量?jī)纛~持續(xù)為負(fù)，主要因購(gòu)買(mǎi)商品、接受勞務(wù)支付的現(xiàn)金較多；公司的現(xiàn)金流依賴(lài)外部借款，資產(chǎn)負(fù)債率由51.55%增長(zhǎng)至65.40%。

2025年一季度，經(jīng)營(yíng)性現(xiàn)金流量?jī)纛~增長(zhǎng)至1093萬(wàn)元，二季度經(jīng)營(yíng)活動(dòng)產(chǎn)生的現(xiàn)金流量?jī)纛~預(yù)計(jì)為14.80億-15.80億元，經(jīng)營(yíng)性?xún)衄F(xiàn)金流大幅轉(zhuǎn)正有利于改善公司的資金狀況。

隨著技術(shù)水平、產(chǎn)品先進(jìn)性及市場(chǎng)地位的提高，拓荊科技的綜合毛利率在2021-2023年經(jīng)歷了穩(wěn)步提升，2023年達(dá)到51.01%。

2024年起毛利率波動(dòng)，主要系新產(chǎn)品及新工藝收入占比大幅提升，前期客戶(hù)驗(yàn)證成本較高，公司的產(chǎn)品從簽訂訂單到交付的周期通常為3-6個(gè)月。目前，新產(chǎn)品在客戶(hù)端已驗(yàn)證成熟，毛利率預(yù)計(jì)會(huì)呈現(xiàn)明顯改善趨勢(shì)。

研發(fā)驅(qū)動(dòng)增長(zhǎng)

拓荊科技的主要產(chǎn)品為薄膜沉積設(shè)備，包含等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（下稱(chēng)“PECVD”）、原子層沉積（下稱(chēng)“ALD”）、次常壓化學(xué)氣相沉積、高密度等離子體化學(xué)氣相沉積以及流動(dòng)性化學(xué)氣相沉積等品類(lèi)?？梢灾芜壿嬓酒⒋鎯?chǔ)芯片中所需的全部介質(zhì)薄膜材料的約100多種工藝應(yīng)用。

薄膜是芯片結(jié)構(gòu)內(nèi)的功能材料層，在芯片制造過(guò)程中需求量巨大，且直接影響芯片的性能。在FLASH存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域，隨著主流制造工藝已由2D NAND發(fā)展為3D NAND結(jié)構(gòu)，結(jié)構(gòu)的復(fù)雜化導(dǎo)致對(duì)于薄膜沉積設(shè)備的需求量逐步增加。而隨著3D NAND閃存芯片的堆疊層數(shù)不斷增高，逐步向更多層及更先進(jìn)工藝發(fā)展，對(duì)于薄膜沉積設(shè)備的需求提升的趨勢(shì)亦將延續(xù)。

在90nm CMOS芯片工藝中，大約需要40道薄膜沉積工序。在FinFET工藝產(chǎn)線(xiàn)，大約需要超過(guò)100道薄膜沉積工序，涉及的薄膜材料由6種增加到近20種，對(duì)于薄膜顆粒的要求也由微米級(jí)提高到納米級(jí)，進(jìn)而拉動(dòng)晶圓廠(chǎng)對(duì)薄膜沉積設(shè)備需求量的增加。

據(jù)推算，2024年全球薄膜沉積設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模約為230億美元，約占晶圓制造設(shè)備市場(chǎng)的22%，中國(guó)大陸薄膜沉積設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模約為97億美元，但國(guó)產(chǎn)化率不足15%。

在薄膜沉積設(shè)備市場(chǎng)中，應(yīng)用材料、泛林半導(dǎo)體和東京電子三大廠(chǎng)商占據(jù)了全球約70%的市場(chǎng)份額。在三維集成領(lǐng)域，先進(jìn)鍵合設(shè)備市場(chǎng)主要由EV Group公司、東京電子、博思、先進(jìn)科技等公司高度壟斷，這些廠(chǎng)商占據(jù)全球絕大部分的市場(chǎng)份額。

國(guó)內(nèi)設(shè)備商則各有所長(zhǎng)，北方華創(chuàng)布局多款薄膜沉積設(shè)備，例如低真空化學(xué)氣相沉積、金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積、原子層沉積等系列產(chǎn)品；中微公司鎢系列薄膜沉積產(chǎn)品可覆蓋存儲(chǔ)器件所有鎢應(yīng)用，現(xiàn)已完成多個(gè)鎢設(shè)備的樣品驗(yàn)證；微導(dǎo)納米半導(dǎo)體原子層沉積、化學(xué)氣相沉積設(shè)備已取得批量重復(fù)訂單。

拓荊科技的研發(fā)費(fèi)用占公司營(yíng)業(yè)收入的20%左右，投入力度超過(guò)同行。通過(guò)高強(qiáng)度的研發(fā)保持細(xì)分領(lǐng)域技術(shù)領(lǐng)先的同時(shí)，不斷豐富薄膜沉積設(shè)備及三維集成設(shè)備產(chǎn)品的品類(lèi)。2024年研發(fā)人員共有648名，占員工總數(shù)的42.30%。

2025年二季度，公司生產(chǎn)的薄膜設(shè)備公司先進(jìn)制程的驗(yàn)證機(jī)臺(tái)已順利通過(guò)客戶(hù)認(rèn)證，逐步進(jìn)入規(guī)?；慨a(chǎn)階段。基于新型設(shè)備平臺(tái)和新型反應(yīng)腔的先進(jìn)工藝設(shè)備，陸續(xù)通過(guò)客戶(hù)驗(yàn)收，量產(chǎn)規(guī)模不斷增加。ALD設(shè)備持續(xù)擴(kuò)張，2025年二季度銷(xiāo)售收入超過(guò)2024年度收入規(guī)模。

打造第二增長(zhǎng)極

隨著芯片制程持續(xù)縮小并接近物理極限，單純依賴(lài)平面工藝極限已無(wú)法實(shí)現(xiàn)性能迭代，技術(shù)路徑逐步轉(zhuǎn)向新的架構(gòu)設(shè)計(jì)及芯片堆疊方式，三維集成技術(shù)則是這一技術(shù)創(chuàng)新和發(fā)展趨勢(shì)的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力，而先進(jìn)鍵合設(shè)備憑借其突破性技術(shù)優(yōu)勢(shì)成為三維集成技術(shù)領(lǐng)域的核心設(shè)備。

應(yīng)用于三維集成領(lǐng)域的設(shè)備是實(shí)現(xiàn)三維集成芯片、芯粒等芯片堆疊的關(guān)鍵，同時(shí)也是先進(jìn)邏輯和先進(jìn)存儲(chǔ)等芯片從2D向3D芯片設(shè)計(jì)架構(gòu)發(fā)展的技術(shù)基礎(chǔ)。

先進(jìn)鍵合設(shè)備及配套的檢測(cè)設(shè)備作為三維集成中的核心裝備，可以提供鍵合面小于1微米互聯(lián)間距以實(shí)現(xiàn)芯片或晶圓的堆疊，使芯片間的通信速度提升至業(yè)界更高水平，有效打破“通信墻”，從而提高系統(tǒng)性能。

拓荊科技研發(fā)并推出了應(yīng)用于三維集成領(lǐng)域的先進(jìn)鍵合設(shè)備及配套使用的質(zhì)量檢測(cè)設(shè)備，包括混合鍵合、熔融鍵合設(shè)備。拓展了晶圓對(duì)晶圓熔融鍵合設(shè)備、芯片對(duì)晶圓混合鍵合設(shè)備，以及配套使用的鍵合套準(zhǔn)精度量測(cè)設(shè)備、鍵合強(qiáng)度檢測(cè)設(shè)備，這些產(chǎn)品已取得客戶(hù)訂單或重復(fù)訂單。

特別是芯片對(duì)晶圓鍵合前表面預(yù)處理產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，據(jù)介紹，該產(chǎn)品是目前國(guó)內(nèi)唯一應(yīng)用在芯片對(duì)晶圓生產(chǎn)線(xiàn)上的同類(lèi)型設(shè)備。

混合鍵合首先商用應(yīng)用于圖像傳感器，也在3D存儲(chǔ)器領(lǐng)域進(jìn)入商業(yè)量產(chǎn)階段。高帶寬存儲(chǔ)器（下稱(chēng)“HBM”）有望成為混合鍵合未來(lái)重要市場(chǎng)，隨著存儲(chǔ)帶寬、功率效率等要求提升，以及堆疊帶來(lái)的減薄需求，HBM制造商預(yù)計(jì)將在HBM4上開(kāi)始應(yīng)用混合鍵合工藝。

公司應(yīng)用于三維集成領(lǐng)域的先進(jìn)鍵合設(shè)備作為高精度專(zhuān)用裝備，鍵合精度達(dá)百納米級(jí)，當(dāng)前仍處于產(chǎn)業(yè)化初期，是高帶寬存儲(chǔ)器、三維閃存芯片、3D內(nèi)存、異構(gòu)集成芯片等領(lǐng)域的核心支撐技術(shù)。

在產(chǎn)業(yè)應(yīng)用完成規(guī)模化驗(yàn)證之前，公司也在2024年報(bào)中表示，存在定制化需求攀升的技術(shù)風(fēng)險(xiǎn)，使研發(fā)投入超預(yù)期增長(zhǎng)及驗(yàn)證周期延長(zhǎng)，導(dǎo)致收入確認(rèn)及回款周期延后，加劇資金鏈壓力，對(duì)財(cái)務(wù)穩(wěn)健性構(gòu)成潛在風(fēng)險(xiǎn)。