薄膜

鎵硒(CIGS)薄膜太陽(yáng)電池具有較高的光電轉(zhuǎn)換效率、較好的太陽(yáng)光光譜響應(yīng)、較容易的光吸收層禁帶寬度調(diào)節(jié)，以及潛在的低制造成本等優(yōu)勢(shì)，是具有廣闊商業(yè)應(yīng)用前景的太陽(yáng)電池技術(shù)之一。常見的CIGS薄膜太陽(yáng)電池制備方式是采用真空技術(shù)，根據(jù)光吸收層制備方式的不同可分為多元共蒸發(fā)法和后硒化法兩種不同制備路線。目前在小面積CIGS薄膜太陽(yáng)電池最高光電轉(zhuǎn)換效率方面，采用多元共蒸發(fā)法制備的已達(dá)到22.6%[1]，采用后硒化法制備的已達(dá)到23.35%[2]，眾多研究團(tuán)隊(duì)正攜手向

ples表1制備薄膜樣品的工藝參數(shù)The optical reflectance and transmittance of the prepared samples were measured over the wavelength range 300-850 nm by using a TU-1901 UV-Vis double beam spectrophotometer，and the reflection and transmission spec

統(tǒng)采用單一ITO薄膜為觸控電極的方案[1-2]，由于觸控面板尺寸變大，電極電阻增加，難以滿足大尺寸觸控面板的應(yīng)用要求，因此急迫需要發(fā)展低電阻率的ITO透明導(dǎo)電薄膜[3-4]?，F(xiàn)有ITO薄膜通過復(fù)合電極形成ITO/metal/ITO(IMI)結(jié)構(gòu)的透明導(dǎo)電薄膜技術(shù)得以快速發(fā)展，如ITO/Ag/ITO薄膜由于光電性能優(yōu)異，是大尺寸觸控面板應(yīng)用的理想透明導(dǎo)電材料。近年來(lái)，為優(yōu)化ITO/Ag/ITO薄膜，使該薄膜的光學(xué)性能、電學(xué)性能和力學(xué)性能等各方面性能不斷滿足當(dāng)

44）功能性金屬薄膜因具有優(yōu)良的物理化學(xué)特性，在航空航天、微機(jī)電系統(tǒng)和電子等領(lǐng)域有著良好的應(yīng)用前景［1］。化學(xué)鍍具有工藝簡(jiǎn)單、成熟穩(wěn)定、鍍層均勻且厚度可控等優(yōu)點(diǎn)，相比于電鍍技術(shù)，在制備功能性金屬薄膜方面受到更多的關(guān)注。目前，化學(xué)鍍制備Ni 基薄膜（如Fe-P薄膜、Co-Fe 薄膜、Ni-W-P 薄膜等）和 Co 基薄膜（如Co-P 薄膜、Co-Ni-P 薄膜等）并對(duì)它們的性能進(jìn)行研究，已有較多報(bào)道［2-8］，主要集中在鍍液主要成分、工藝條件和后處理對(duì)薄膜結(jié)

ITO)透明導(dǎo)電薄膜的光電性能優(yōu)異，應(yīng)用廣泛，但I(xiàn)n是稀有金屬，其資源少、價(jià)格昂貴。ⅢA元素(Al，Ga，In)摻雜ZnO薄膜，因原料豐富、性能優(yōu)越、無(wú)毒等優(yōu)點(diǎn)成為最有可能取代ITO的透明導(dǎo)電材料[1]。與ⅢA陽(yáng)離子摻雜相比，F(xiàn)作為陰離子摻雜，其離子半徑(0.131 nm)與O離子半徑(0.138 nm)相近[2]，而且Zn-F的結(jié)合能大于Zn—O鍵[3]，所以F替代O后，ZnO晶格畸變較小且穩(wěn)定高。另外，F(xiàn)摻雜不僅會(huì)釋放一個(gè)自由電子，而且不會(huì)像陽(yáng)離子摻雜

les圖1 所有薄膜樣品的透射譜Fig.2 Average visible transmittanceof all the samples圖2 所有薄膜樣品的可見光平均透過率Using the transmittance spectra, the optical band gap (Eg) of the deposited films was evaluated using the following relationship[26,30]:(α·E)p=

ide，TCO）薄膜具有寬禁帶、低電阻率、可見光范圍內(nèi)高透光率和紅外光譜區(qū)高反射率等光電特性，且導(dǎo)電性能優(yōu)良，耐摩擦性和化學(xué)穩(wěn)定性好，廣泛應(yīng)用于平板顯示器件、氣體敏感器件、太陽(yáng)能電池及Low-E玻璃［1-3］等器件中。在已有的TCO薄膜體系中，氧化鎘（CdO）、氧化鋅（ZnO）、氧化錫（SnO2）和氧化銦（In2O3）這四種單體TCO薄膜已得到廣泛應(yīng)用和發(fā)展。然而，隨著各種器件的不斷出現(xiàn)，對(duì)TCO薄膜的性能要求也更加嚴(yán)格。為開發(fā)更多性能可調(diào)的TCO薄膜，研

異光電性能的導(dǎo)電薄膜，維持顯示界面的清晰度。在此背景下，研究人員提出在現(xiàn)有的ITO 薄膜的基礎(chǔ)上，應(yīng)用Ag 材料，聯(lián)合制備Ag-ITO 納米顆粒復(fù)合薄膜，從而借助該薄膜，強(qiáng)化各類顯示器件的功能架構(gòu)。1 Ag-ITO納米顆粒復(fù)合薄膜概述Ag-ITO 納米顆粒復(fù)合薄膜中的Ag 是指某種金屬材料，其在可見光范圍內(nèi)反射率較高，光電性能優(yōu)異，可作為可見光波段中應(yīng)用價(jià)值較高的反射材料。不僅如此，Ag 電阻率通常為10-6Ω·cm，導(dǎo)電性能突出，可同時(shí)作為電極材料。IT

mples表1 薄膜樣品的制備工藝參數(shù)The transmittance(T) and absorbance (A) spectra of the deposited samples were measured at room temperature with a double-beam ultraviolet-visible spectrophotometer (TU-1901) in the wavelength (λ) region of 300-8

粒摻雜對(duì)YBCO薄膜性能影響的研究王雅, 索紅莉, 劉敏, 王田田, KAUSAR Shaheen, 徐燕, 馬麟(北京工業(yè)大學(xué) 材料科學(xué)與工程學(xué)院, 新型功能材料教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室, 北京 100124)利用低氟MOD工藝制備了Ba2YTaO6(BYTO)單一納米顆粒摻雜及BYTO和LaAlO3(LAO)雙納米顆粒共摻雜的YBCO復(fù)合薄膜。研究表明BYTO在YBCO薄膜中的最優(yōu)摻雜量為6mol%, 此時(shí)薄膜的自場(chǎng)c為1.25 MA/cm2, 在1.2 T下

d NPB圖2 薄膜AlQ, BAlQ和NPB的透射譜Fig.3 Absorbance of the thin films AlQ, BAlQ and NPB圖3 薄膜AlQ, BAlQ和NPB的吸光度Fig.3 shows the optical absorbance spectra of all the thin films as a function of wavelength. The absorption coefficientαwas calc

熱塑性薄膜和包裝該發(fā)明涉及一種具有增強(qiáng)的撕裂和抗穿刺性能的熱塑性薄膜。該熱塑性薄膜具有多元的壓花區(qū)域，包含很多平行和線性凸起。該多元的壓花區(qū)域可使直線在熱塑性薄膜中橫穿時(shí)至少和一個(gè)多元壓花區(qū)域進(jìn)行交叉，從而防止其繼續(xù)延伸。（Poly-America，L.P.）/US 20150191599 A1，2015-07-09

閔樂誠(chéng)收 薄膜育苗后應(yīng)及時(shí)收集，揭膜時(shí)應(yīng)小心輕揭。特別是地膜比較薄，不要用力過猛，以免扯破，造成不應(yīng)有的損失。洗 把揭開的薄膜集中放在冷水里浸泡，及時(shí)清洗，忌用手揉搓和用棒捶打。晾 洗凈后，應(yīng)敞開攤放在陰涼通風(fēng)處晾干，不要暴曬，并防止風(fēng)吹刮破薄膜或內(nèi)濕外干。補(bǔ) 晾干后儲(chǔ)藏前，將薄膜進(jìn)行一次全面檢查，如有破損的地方及時(shí)補(bǔ)好。方法是剪一塊稍大破損面的同質(zhì)地的薄膜或地膜，加墊后互相補(bǔ)平，壓緊，粘合，以提高利用率。卷 用一圓滑木棒作卷心，把薄膜鋪平捆卷，每卷一層撒

氧化物（TCO）薄膜被廣泛應(yīng)用于光電子器件，如液晶平板顯示、觸摸屏、太陽(yáng)能電池薄膜等.錫摻雜氧化銦（ITO）薄膜是一種應(yīng)用最廣的TCO透明導(dǎo)電薄膜[1].隨著人們對(duì)顯示技術(shù)要求的提高，顯示器的柔韌性、可彎曲等性能提出了更高的要求，這就要求ITO薄膜要在彈性的聚合物基底上低溫制備（50～150°C）.這對(duì)ITO薄膜的光學(xué)和電學(xué)性能提出了挑戰(zhàn)，因?yàn)镮TO薄膜優(yōu)異的光學(xué)和電學(xué)性能需要經(jīng)過高溫（100～350°C）的退火之后才能得到[2-3].為了優(yōu)化ITO薄膜的