Abstract:Aimingattheelasticarraymicroporousfilmsneededfororganchipresearch,methodsformaking polydimethylsiloxane(PDMS)-basedfilmswithhighdensityarrymicroapertureswerestudied,includingtheinfluenceofsuface propertiesofsilicon-basedtemplates,pouringandcuringofthePDMSfilms.Condionsandpelingoftheflms fromthe silicon-basedtemplates.Accordingtovisualobservationandlaserscannerdetectionresults,thesilicon-basedtemplatecoated withSiO2onthesurfacewastreatedwithfluorosilane.Basedonacuratelycontroling thepouringamountandcuring temperature,itwasfurthersubjectedtogravity-asistedpressure-retainingcuring,andcoveredwith PDMSThePCfilmcured togetheron the PDMS completely peeled offthearray microporous PDMS film from the silicon template.
Keywords:polydimethylsiloxane;porous membrane;silicon wafer; silanization; experimental equipment
聚二甲基硅氧烷(Polydimethylsiloxane,PDMS)多孔薄膜,是近年來(lái)備受關(guān)注的器官芯片的關(guān)鍵組件,用作細(xì)胞共培養(yǎng)的支撐載體或物質(zhì)交換的通道等[I-3]。盡管目前一些商品化的多孔薄膜,如聚碳酸酯(PC)或聚對(duì)苯二甲酸乙二酯(PET)基底的多孔膜也被用于器官芯片,這類薄膜采用核徑跡法(Tracketching)制造,工業(yè)化效率高,但孔徑大小和孔的分布不均勻,一定程度上影響細(xì)胞的生長(zhǎng)和代謝的一致性,同時(shí)此類膜有一定熒光本底,在高靈敏度成像研究中可能干擾檢測(cè),因此,PDMS微孔薄膜仍然是器官芯片研究的首選。隨著薄膜厚度的降低,PDMS與硅片或玻璃之間的剝離變得困難,馬文哲等利用氫氟酸浸泡硅片以增加其親水性,并通過(guò)三甲基氯硅烷進(jìn)行表面疏水改性,使PDMS薄膜的剝離得以改善。當(dāng)模板上有微柱時(shí),薄膜的成形與剝離更為困難。針對(duì)高密度微孔薄膜成型和剝離,本實(shí)驗(yàn)對(duì)模板表面性質(zhì)進(jìn)行了表征,同時(shí)通過(guò)對(duì)環(huán)境更為友好的等離子體表面活化及含氟硅烷化處理,實(shí)現(xiàn)易脫模的PDMS高密度多孔薄膜。
1實(shí)驗(yàn)
1.1實(shí)驗(yàn)材料
微柱硅片模板購(gòu)自蘇州漢驊半導(dǎo)體有限公司,微柱區(qū)域尺寸 45mm×45mm ,通過(guò)MEMS工藝刻蝕有直徑7μm ,高 50μm ,間距 40μm 的均勻陣列微柱,如圖1所示;三氯( 1H,1H,2H,2H -全氟辛基)硅烷化試劑購(gòu)自Sigma-Aldrich,CAS號(hào)78560-45-9;高純氧氣(純度大于等于 99.999% )購(gòu)自深圳市潤(rùn)眾耗材發(fā)展有限公司;PDMS,型號(hào)Sylgard184購(gòu)自道康寧;PC薄膜購(gòu)自At-lantic Gasket。
1.2實(shí)驗(yàn)設(shè)備
真空等離子體清洗機(jī)(NE-PE100F)購(gòu)自深圳納恩科技有限公司;真空泵及干燥器購(gòu)自臺(tái)州藤原工具有限公司;接觸角測(cè)量?jī)x(SDC-200S)購(gòu)自東莞市晟鼎精密儀器有限公司;混勻機(jī)(HM600D)購(gòu)自深圳市哈賽科技有限公司;烘箱購(gòu)自德國(guó)Binder公司。
1.3接觸角測(cè)定
對(duì)等離子體及硅烷化前后的硅片表面進(jìn)行接觸角測(cè)定,將硅片微柱面水平放置在測(cè)量?jī)x載物臺(tái)上,以硅片邊緣向內(nèi) 3mm 區(qū)域?yàn)闄z測(cè)區(qū)域,設(shè)置水滴量為 2μL 進(jìn)行測(cè)量。
1.4等離子表面活化
將硅片微柱面向上,水平放置于等離子體機(jī)內(nèi),調(diào)節(jié)設(shè)備參數(shù),包括功率、氧氣流量及活化時(shí)間,如圖2所示。
1.5硅烷化處理
將真空泵和干燥器相連接,并放置于潔凈室通風(fēng)櫥內(nèi),如圖3所示。此硅烷化試劑具有一定毒性和腐蝕性,操作中需注意個(gè)人防護(hù)及保持通風(fēng)櫥排風(fēng)良好,使用完成后及時(shí)擦拭臺(tái)面及器皿。
如圖4所示,取 5cm×4cm 玻片放置于干燥器底部,用玻璃滴管吸取硅烷化試劑6~8滴,滴至玻片表面,其上放離心管架一個(gè),避免管架底部與硅烷化試劑直接接觸,放置2片經(jīng)等離子處理的硅片,微柱面向上。蓋上干燥器蓋子,打開真空泵,抽真空 2min 左右,關(guān)閉連接真空泵的三通閥,保持干燥器密閉狀態(tài) 10min 。旋轉(zhuǎn)三通接通空氣,取出硅片,進(jìn)行接觸角測(cè)定及PDMS薄膜制作。
1.6PDMS薄膜制作
將PDMS套裝A、B組分按10:1重量比稱重,放入混勻器進(jìn)行混勻和脫泡 30min 。用 1mL 注射器吸取500μL PDMS混合液,保持注射器垂直于硅片中心,緩緩擠出 100μL ,靜止 5min ,在其上放置一片經(jīng)等離子活化的PC薄膜,靜置 40min ,待PDMS緩緩在硅模板上平鋪,上加 30g 重物,放置于烤箱, 60°C2h ,自然冷卻后取出,去掉重物,用手緩緩剝離塑料薄膜,PDMS薄膜隨塑料薄膜一起剝離,觀察剝離難易及氣泡等缺陷,如圖5所示。
注:(1)為確認(rèn)真空干燥器密封良好;(2)為底部加入硅烷化試劑;(3)為放置待處理硅片于置物架上。
2結(jié)果與討論
2.1模板表面
模板是薄膜成孔的重要基礎(chǔ),實(shí)驗(yàn)采用2種經(jīng)過(guò)氣相刻蝕的硅片:一種為單晶硅,一種為 SiO2 鍍層的硅片,微柱規(guī)格一致,直徑 7μm ,高 50μm ,間距 40μm 。
因微柱間有空氣,水滴在微柱表面受重力影響不穩(wěn)定,無(wú)法在測(cè)量期間保持穩(wěn)定的形貌,因此,本實(shí)驗(yàn)對(duì)接觸角的表征均以不含微柱結(jié)構(gòu)的邊緣部分進(jìn)行測(cè)量。結(jié)果顯示,單晶硅和 SiO2 鍍層的表面性質(zhì)相似,接觸角在65°~73° ,略偏親水。
2.2 等離子體表面活化
通過(guò) 02 等離子體放電,可使硅表面Si-Si鍵斷裂,與空氣中的 H2O 分子形成Si-OH,促進(jìn)硅烷化過(guò)程。等離子體活化參數(shù),包括功率 Ω2 流量和活化時(shí)間對(duì)表面性質(zhì)有重要影響。硅片表面經(jīng)過(guò)30s活化時(shí)間,接觸角由 73° 降低至 17° ,再次進(jìn)行 30s 活化,接觸角未繼續(xù)發(fā)生變化,相關(guān)數(shù)據(jù)見表1。然而, SiO2 表層經(jīng)過(guò) 1min 以上的等離子體活化后,表層顏色變淺,有脫落的跡象。為了便于比較,后續(xù)實(shí)驗(yàn)均保持30s等離子體活化時(shí)間。接觸角說(shuō)明,等離子對(duì)硅片表面的活化與氫氟酸相當(dāng),但操作更簡(jiǎn)單,無(wú)須試劑,環(huán)境友好。
2.3 硅烷化
所用三氯(1H,1H,2H,2H-全氟辛基)硅烷是一種含氟氯硅烷,可在多種基材上形成自組裝單層膜(SAM),形成超疏水性表面,疏水表面的低表面能降低PDMS薄膜在微柱表面的黏附,硅烷化處理前后的親水角如圖6所示。本實(shí)驗(yàn)采用的硅基模版上的微柱具有7:1的深寬比,在PDMS固化成型后具有較強(qiáng)的黏附,不進(jìn)行硅烷化處理則薄膜剝離過(guò)程容易撕裂無(wú)法脫模。對(duì)Si和 SiO2 進(jìn)行硅烷化后進(jìn)行PDMS澆筑,薄膜固化后的剝離結(jié)果如圖7所示。其中Si硅烷化后仍然容易和PDMS薄膜局部粘連,雖可以脫模,但局部區(qū)域有褶皺,而 SiO2 表面經(jīng)硅烷化后,雖局部也有少許缺陷,如小氣泡等,但沒(méi)有出現(xiàn)如Si表面硅烷化后的大褶皺,缺陷相對(duì)較少。通過(guò)高倍激光掃描顯微鏡表征,如圖8所示,通過(guò)硅烷化后的SiO2 模板制作出的薄膜微孔清晰,均勻,一致性好。
注:(1)為PDMS滴液;(2)為表面覆蓋PC薄膜;(3)為固化,標(biāo)記缺陷;(4)為揭膜。
3結(jié)論
實(shí)驗(yàn)表明在陣列多孔PDMS薄膜制作過(guò)程中,模板表面性質(zhì)及硅烷化處理對(duì)此類薄膜脫模的影響及其重要性。硅模板表面經(jīng)過(guò) SiO2 鍍層的相較單晶Si表面更適合高密度陣列的PDMS薄膜的制作及剝離。此方法制作的薄膜可以為后續(xù)薄膜在器官芯片研究中的應(yīng)用提供更高的薄膜利用率和良品率。
參考文獻(xiàn):
[1]KESHTIBAN M M,ZAND M M,EBADI A,et al. PDMSbased porous membrane for medical applications:design,development,andfabrication[JJ.BiomedicalMaterials,2O23,18 (4):45012.
[2]BANIKS,UCHILAA,KALSANGT,etal.The revolution of PDMSmicrofluidics in cellular biology [J].Critical Reviews in Biotechnology,2023,43(3):465-483.
[3]MELIKHANT,SAVAST.Viablecell culture in PDMS-based microfluidic devices[J].Methods in Cell Biology,2018,148:3- 33.
[4]ROSS B,HANSEUPK.Characterization of a microfluidic in vitro model of the blood-brain barrier( μ BBB)[J].Lab on a Chip,2012(10):1784-1792.
[5]馬文哲,桑勝波,胡杰,等.聚二甲基硅氧烷薄膜的襯底硅烷化及 測(cè)試分析[J].現(xiàn)代化工,2013(9):142-145.
[6]TANGK C,LIAO E,ONG WL,et al.Evaluation of bonding between oxygen plasma treated polydimethyl siloxane and passivated silicon,Journal of Physics[J]. Conference Series, 2006,34:155-161.