孫曉彤,劉 瑤,戴正亮,王 貝,黃劍豪,陳 星
(1. 合肥工業(yè)大學(xué) 資源與環(huán)境工程學(xué)院,安徽 合肥 23000;2.安慶市長虹化工有限公司,安徽 安慶246002)
水體汞污染來源多為汞的開采冶煉、氯堿、化工等工業(yè)企業(yè)排出的廢水及含汞農(nóng)藥的使用。汞在水環(huán)境中主要以單質(zhì)汞,無機汞,和有機汞的形態(tài)存在。水中膠體顆粒、懸浮物、泥土顆粒、浮游生物等都能吸附汞,而后通過重力作用沉降進入底泥,在微生物的作用下可轉(zhuǎn)變?yōu)橛袡C汞。有機汞的毒性遠大于單質(zhì)汞和無機汞,其中甲基汞形態(tài)更加危險[2, 3]。甲基汞是一種很強的神經(jīng)毒素,由于其小分子量且具有強脂溶性,很容易穿過血腦屏障和生物膜,會給人類健康造成一定的危害[4]。因此,迫切需要發(fā)展一種快速、靈敏的分析方法用于檢測水環(huán)境中的甲基汞。
目前,甲基汞的分析主要是元素分析儀器(如原子發(fā)射光譜[5]、原子熒光光譜[6]和電感耦合等離子體質(zhì)譜[7])與高效液相色譜的結(jié)合使用。這些分析方法具有操作復(fù)雜,儀器昂貴,耗時等缺點。因此,電化學(xué)分析技術(shù)以其高的靈敏度和選擇性、成本低、易操作等優(yōu)點而得到了廣泛關(guān)注。徐等采用金納米顆粒/石墨烯復(fù)合材料(AuNPs-RGO)修飾玻碳電極,通過差分脈沖伏安法(DPSV)對魚中的CH3Hg+進行了分析。CH3Hg+濃度在3-24 μg·L-1范圍內(nèi)線性關(guān)系良好,最低檢測限為0.12 μg·L-1[8]。Afonso等在酸性介質(zhì)中,采用快速掃描伏安法探究了CH3Hg+在碳纖維電極上的還原機理,并闡明甲基汞的伏安曲線與掃描速率的關(guān)系[9]。Abolllino等利用鹽酸作為電解質(zhì),在方波模式下測量甲基汞的信號,其最低檢測限為0.2 μg·L-1[10]。
眾所周知,電化學(xué)傳感器件的性能主要取決于電極材料。類石墨相氮化碳(Graphitic carbon nitride,g-C3N4)是一種具有獨特能帶結(jié)構(gòu)、優(yōu)異穩(wěn)定性和良好生物相容性的納米材料,可為生物小分子的電化學(xué)檢測提供靈敏的傳感界面[11]。同時,g-C3N4的層狀結(jié)構(gòu)可以進行靈活的修飾,進一步克服了其易團聚和導(dǎo)電性差的缺陷,一般可以通過元素摻雜或者表面修飾等方法。Wu通過水熱反應(yīng)制備了摻磷g-C3N4量子點,研究發(fā)現(xiàn)在P注入g-C3N4晶格的過程中,其帶隙明顯減小[12]。Hu等人制備了磷摻雜g-C3N4(PCN),并涂覆在Al2O3基底上制備了光催化膜反應(yīng)器。在可見光照射下,10% PCN對亞甲基藍的降解活性最高。這是因為磷的加入取代了C位并填補了C空位,在保留結(jié)構(gòu)特征的同時修復(fù)了結(jié)構(gòu)缺陷,從而減少了電荷重組,提高了導(dǎo)電率[13]。Zhou等以六氯環(huán)三磷腈為磷源,采用熱聚合法成功地合成了磷摻雜的g-C3N4,在光催化制氫方面表現(xiàn)出出優(yōu)異的光催化性能。磷原子的引入起到到頭重要的作用,共改變了g-C3N4的電子結(jié)構(gòu)性質(zhì)并抑制光生電荷的復(fù)合載體,從而提高其光催化性能[14]。綜上,在g-C3N4結(jié)構(gòu)中引入P原子,進一步利用其催化作用,有望提升甲基汞的電化學(xué)分析性能。g-C3N4是一種3D層疊材料,經(jīng)過剝離和HCl質(zhì)子化后,變?yōu)槌〖{米片,為吸附CH3Hg+提供更多的活性位點[15],質(zhì)子化還可以調(diào)節(jié)帶隙,提高g-C3N4的催化作用和離子電導(dǎo)率[16],從而可以進一步提高CH3Hg+的靈敏度。
本文以脲素為前驅(qū)體,磷酸二氫銨為磷源,通過高溫熱聚合法制備磷摻雜g-C3N4。其中,磷元素的摻入改變了g-C3N4的電子性質(zhì)和帶隙寬度。進一步通過鹽酸酸化處理得到質(zhì)子化的磷摻雜g-C3N4(PCN),改性后PCN表現(xiàn)出良好的分散性和大的表面積,其有利于電荷的轉(zhuǎn)移與分離。采用PCN構(gòu)建電化學(xué)傳感界面用于CH3Hg+的檢測,同時考察了不同P摻入量對CH3Hg+檢測的影響。此外,還探究了該電化學(xué)敏感界面的抗干擾性能和在實際水環(huán)境中CH3Hg+分析的應(yīng)用。結(jié)果表明,PCN修飾電極具有很高的靈敏度、可靠性和穩(wěn)定性,在解決實際水環(huán)境檢測方面具有巨大的應(yīng)用潛力。
脲素(CH4N2O)、磷酸二氫銨(NH4H2PO4)和氯化甲基汞(CH3HgCl)均為分析純,購自上海國藥試劑有限公司,無需進一步純化即可用于本研究。通過混合0.1 M乙酸和0.1 M乙酸鈉溶液制備0.1 M乙酸-乙酸鈉緩沖溶液,均為分析純,購自天津市大茂化學(xué)試劑廠。通過稀釋重金屬離子的標準溶液來制備不同濃度的重金屬離子溶液。其他試劑均為分析純,購買自于中國國藥集團化學(xué)試劑有限公司。
所有電化學(xué)實驗都在CHI760E電化學(xué)工作站(中國上?;瘜W(xué)儀器公司)上進行,使用配備有金電極、鉑絲電極和氯化銀電極的三電極系統(tǒng)。表征儀器有:場發(fā)射掃描電子顯微鏡(SEM,美國 FEI 公司)、場發(fā)射透射電子顯微鏡(TEM,日本Hitachi公司)、傅里葉變換紅外光譜儀(FT-IR,美國Thermo Nicolet公司)、X射線光電子能譜儀(XPS,美國 Thermo公司)、X射線衍射儀(XRD,日本里加公司)、紫外-可見光譜儀(UV-vis,美國Agilent公司)。
磷摻雜g-C3N4通過高溫熱聚合方法制備[17]。首先,取20 g脲素置于氧化鋁(Al2O3)陶瓷坩堝中,放入馬弗爐550 ℃加熱2 h,以10 ℃每分鐘的速度升溫,反應(yīng)結(jié)束后,將坩堝冷卻至室溫,將制備好的g-C3N4命名為CN。然后,將一定量的脲素(19、18、17 g)和磷酸二氫銨(1、2、3 g)溶于50 mL水中,并在60 ℃水浴中攪拌1 h,之后將混合溶液在60 ℃的烘箱中干燥12 h,然后將干燥后的復(fù)合物轉(zhuǎn)移到Al2O3陶瓷坩堝中,并在馬弗爐550 ℃加熱2 h,以10 ℃每分鐘的速度升溫,反應(yīng)結(jié)束后,將坩堝冷卻至室溫[17]。將材料進行剝離并用濃鹽酸(37%)質(zhì)子化處理。將2 g復(fù)合材料放入20 mL去離子水中,超聲處理16 h,超聲頻率為90 Hz,每20 min換水一次,保持水溫在25 ℃以下。然后在10000 r/min下離心5 min,然后在60 ℃下干燥12 h,得到剝離的復(fù)合材料。將剝離的材料放入HCl(37%)中,在室溫下攪拌3 h,得到不透明的分散體。用去離子水洗滌三次,在60 ℃烘箱中干燥12 h,得到HCl質(zhì)子化后的復(fù)合材料。根據(jù)前驅(qū)體(磷酸二氫銨和脲素混合物)中磷酸二氫銨所占的質(zhì)量百分比(5%、10%、15%),制備出含不同磷摻雜量的g-C3N4,并將其命名為PCNx,分別為PCN5、PCN10、PCN15。
金電極的預(yù)處理:首先要對金電極的表面進行拋光處理,具體操作為用1.0、0.3、0.05 μm的氧化鋁粉末對金電極的表面進行打磨,直至表面光滑呈現(xiàn)鏡面為止,然后依次使用無水乙醇和去離子水超聲2 min,電極在常溫下晾干備用。在電極使用之前,將電極在0.5 mol/L硫酸中活化。
在金電極表面修飾PCNx納米材料采用滴涂法,即取2 mg的PCNx納米材料置于試管中,加入4 mL的去離子水,制得0.5 g/L的PCNx懸浮液,再用微量移液槍吸取5 μL的懸浮液于預(yù)處理后的金電極表面。修飾過后的電極在自然環(huán)境中放置待干。
采用差分脈沖伏安法(DPV)對緩沖溶液中甲基汞離子進行電化學(xué)檢測,緩沖溶液中的甲基汞離子在富集電壓為-0.9 V,富集時間為800 s的條件下沉積在修飾金電極的表面,離子還原為零價。然后在DPV下,電化學(xué)窗口0-1 V內(nèi)出現(xiàn)電化學(xué)響應(yīng)峰,共峰電流隨著離子的濃度的增加而增加。隨后,在電極表面施加+1.2 V,時間150 s用來去除電極表面被還原的金屬,以便于接下來的實驗。根據(jù)汞離子的電化學(xué)響應(yīng)電流峰值與濃度之間的關(guān)系,利用相關(guān)軟件進行擬合,對甲基汞離子進行定量分析。
圖1是CN和PCN10的掃描電鏡圖(SEM)、透射電鏡圖(TEM)和能量色散X射線光譜(EDS),從圖1(a),(b)中可以觀察到CN和PCN10納米片的聚集體。在形態(tài)上,CN和PCN10的結(jié)構(gòu)非常相似,說明磷摻雜并沒有改變其形貌[18],觀察其孔隙,發(fā)現(xiàn)CN的團聚現(xiàn)象得到抑制,PCN10納米片更薄。圖1(c)中顯示PCN10納米片由薄納米片構(gòu)成,具有層狀結(jié)構(gòu)和孔道,孔結(jié)構(gòu)可以促進傳質(zhì),為催化反應(yīng)提供更多的活性位點。為了確定這些樣品的氧化態(tài)和化學(xué)鍵,還進行了EDS分析以確認組成,并清楚地揭示了碳、氮和磷的存在。從圖1(d-g)可以看出,C和N是g-C3N4的兩種組成元素,均勻分布在PCN10樣品中,摻雜元素P和O也均勻分布。
圖1 (a)CN; (b)PCN10的掃描電鏡圖(SEM); (c)PCN10的透射電鏡圖(TEM)和(d)-(g)PCN10的能譜圖
通過X射線光電子能譜(XPS)來研究樣品內(nèi)元素的化學(xué)狀態(tài),分析結(jié)果如圖2所示。從圖2(a)可以看出,所有樣品都由C、N和O這三種元素所組成,在全譜中均可觀察到P的特征峰,說明P成功摻雜進g-C3N4中,PCN5、PCN10及 PCN15中磷元素的占比分別為8.6%、12.09%和14.06%。圖2(b)中的C1s光譜在結(jié)合能為284.8、286.3、288.1 eV時顯示出三個特征峰。284.8 eV的特征峰歸因于無定形碳原子,286.3 eV的峰對應(yīng)C-NH2,288.1 eV的特征峰是g-C3N4晶格中的三氮基C-(N)3[20]。圖2(c)中的N1s位于特征能區(qū)399.1 eV的特征峰,可歸因于三嗪環(huán)的雜化氮原子(C=N-C),402.1 eV處的弱峰與帶有氫原子和叔氮的氨基(C-N-H)有關(guān),存在于N-(C)3基團的特征峰中。本實驗中最重要的是,如圖2(d)所示,在PCN10樣品中可以觀察到位于134 eV處的特征峰,歸因于摻雜過程中形成的P-N鍵[13],表明P取代C位點與相鄰位點的g-C3N4骨架的庚嗪環(huán)內(nèi)的N形成共價鍵。元素分析如:C 26.12%、N 51.68%、O 8.14%、P 14.06%。
圖2 (a) CN、PCN5、PCN10和PCN15; (b)、(c) PCN10復(fù)合材料的C1s、N1s和(d) CN、PCN5、PCN10和PCN15的P2p的XPS光譜
本實驗中CN、PCN5、PCN10和PCN15的XRD圖譜如圖3(a)所示,在g-C3N4的XRD圖譜中可以觀察到在13.1°和27.1°附近有兩個基本衍射峰。13.1°處的衍射峰是三嗪環(huán)單元的平面封裝結(jié)構(gòu),對應(yīng)于g-C3N4的(100)晶面。27.1°附近的強衍射峰對應(yīng)于CN的芳香單元的層間堆積,對應(yīng)于g-C3N4的(002)晶面[14]。由圖中看出PCNx(0.323 nm)的晶面間距較短。這可能是由于脲素中額外的殘余氧促進了縮合過程,使g-C3N4的晶體結(jié)構(gòu)更加穩(wěn)定。這兩個峰值不會隨時間而移動或改變,增加磷含量,揭示了g-C3N4的晶體結(jié)構(gòu)在磷摻雜后得到很好的保留。
圖3 CN、PCN5、PCN10和PCN15的(a)XRD圖譜和(b) FTIR圖譜
使用傅里葉變換紅外光譜(圖3(b))研究了PCNx樣品的模式。在1200-1600 cm-1范圍內(nèi)的峰值代表碳氮雜環(huán)體系的伸縮振動,以及在804 cm-1處的峰代表著可以分配給七嗪環(huán)的伸縮振動。3000-4000 cm-1附近的寬帶可歸因于分別來自表面吸附的H2O和未凝聚胺基的羥基和氮氫振動。PCNx樣品顯示出石墨sp2鍵的三-s-三嗪環(huán)。隨著過量的磷摻雜進g-C3N4中(PCN15),F(xiàn)TIR的強度略有下降,表明g-C3N4的結(jié)構(gòu)被破壞,這可能導(dǎo)致磷摻雜的g-C3N4的光催化活性降低。
圖4(a)為所有樣品的紫外可見漫反射光譜,與CN的能帶邊緣相比,PCN10具有紅移,這可能是因為P的摻雜導(dǎo)致捕獲更多的光能以產(chǎn)生更多的光致電子空穴電荷[22]。磷原子在g-C3N4基體中的引入對與其密切相關(guān)的能帶結(jié)構(gòu)和電子性質(zhì)有顯著影響,這與半導(dǎo)體的光吸收有關(guān)。如圖4(b)-(d)所示,根據(jù)Kubelka-Munk公式,吸附CH3Hg+前的CN和PCN10的帶隙寬度分別計算為2.71、2.63 eV,吸附后的帶隙寬度為2.68、2.57 eV,顯示出PCN10的帶隙要比CN窄,吸附CH3Hg+后CN、PCN10的帶隙比吸附前窄??梢缘贸鯬CN10的帶隙較窄,說明P摻雜確實可以調(diào)節(jié)帶隙,提高電導(dǎo)率。磷摻雜的g-C3N4吸附CH3Hg+后也可以更好的調(diào)節(jié)帶隙,提高電導(dǎo)率。
圖4 與甲基汞吸附前所有樣品的(a)紫外可見漫反射光譜以及(b) (αhν)1/2與光子能量關(guān)系圖,與甲基汞吸附后所有樣品的(c)紫外可見漫反射光譜以及(d) (αhν)1/2與光子能量關(guān)系圖
圖5中顯示了不同比例的磷摻雜g-C3N4修飾電極對15 μg·L-1CH3Hg+的電化學(xué)檢測性能。在沉積過程中,當CH3Hg+在金電極表面還原為單質(zhì)汞時,可能會發(fā)生剝離過程。CH3Hg+還原在裸金電極、CN和PCNx修飾電極上產(chǎn)生的溶出電流幾乎相似。因此,為了確定摻磷g-C3N4的最佳比例,采用PCN5、PCN10和PCN15復(fù)合材料對金電極進行改性。CH3Hg+的最大峰值電流是用PCN10修飾的金電極獲得的。說明磷摻雜g-C3N4與裸金電極相比具有優(yōu)異的檢測性能,這可歸因于摻雜磷復(fù)合材料的優(yōu)越性。因此在本電化學(xué)實驗中,我們使用PCN10材料修飾金電極構(gòu)建敏感界面從而進行后面所有的研究。
圖5 裸金電極和不同比例摻磷g-C3N4復(fù)合樣品(CN、PCN5、PCN10和PCN15)修飾電極在 0.1 M HAc-NaAc(pH=5.0)中對標定15 μg·L-1 CH3Hg+的(a)微分脈沖伏安法響應(yīng)圖和(b)所有樣品的柱狀圖比較
為了使得PCN10修飾電極傳感器檢測CH3Hg+獲得最佳的電化學(xué)檢測結(jié)果,對本實驗中主要影響因子如電解質(zhì)類型、pH、預(yù)濃縮時間和富集電位進行條件優(yōu)化。所有優(yōu)化都是在CH3Hg+濃度為15 μg·L-1時進行。圖6(a)所示,緩沖溶液分別是pH=5的檸檬酸-檸檬酸鈉溶液、磷酸氫二鈉-磷酸二氫鉀(PBS)溶液、乙酸-乙酸鈉溶液(HAc-NaAc),CH3Hg+還原在HAc-NaAc中的響應(yīng)電流最高,所以選擇HAc-NaAc做為緩沖溶液。圖6(b)所示,使用pH=4、5、6的0.1M HAc-NaAc溶液,結(jié)果顯示pH=5時響應(yīng)電流最高,故緩沖溶液選擇pH=5的HAc-NaAc溶液。圖6(c)顯示 CH3Hg+的響應(yīng)電流值隨著時間的增加而快速提升,當時間超過800 s后,溶出電流峰值開始增加的較為緩慢??紤]到節(jié)約實驗所用的時間,選取800 s作為實驗優(yōu)化時間。如圖6(d)所示,富集電壓選擇了-1.0、-0.9、-0.8、-0.7、-0.6 V共5個電壓進行電化學(xué)檢測,可以看出富集電壓在-0.9 V時達到最高,所以選擇-0.9 V的富集電壓。因此在本實驗中,電解質(zhì)采用HAc-NaAc緩沖液,pH值為5,富集電壓為-0.9 V,富集時間為800 s。
圖6 PCN10修飾電極檢測15 μg·L-1的CH3Hg+優(yōu)化實驗(a)緩沖溶液;(b)pH值;(c)預(yù)濃縮時間;(d)富集電壓
電極表面甲基化汞化合物的還原分兩步進行。在恒電位下,CH3Hg+的電還原首先產(chǎn)生甲基汞自由基(CH3Hg·)。CH3Hg·要么被還原為Hg0(處于負電位),要么被歧化為(CH3)2Hg。在短時間內(nèi),不同有機汞化合物的二聚速率取決于R-Hg的氧化還原和絡(luò)合反應(yīng)[25]。根據(jù)電化學(xué)氧化還原機理,在CH3Hg·之后,Hg0沉積及溶出過程繼續(xù)進行。
在最優(yōu)的實驗條件下,用PCN10納米材料修飾金電極采用DPV對標定的CH3Hg+進行電化學(xué)檢測分析,濃度范圍為0-25 μg·L-1,裸金電極用作對照。圖7中顯示出電化學(xué)伏安溶出峰電流與CH3Hg+濃度之間的關(guān)系曲線。如圖7.a所示為裸金電極線性回歸模型,其線性方程為Ip(μA) = 0.231C(μg·L-1) +0.107 (n=9,R2=0.998)。圖7(b)顯示,Ip(μA)= 0.337C(μg·L-1)-0.099 (n=9,R2= 0.993),說明與裸金電極相比,未質(zhì)子化的PCN10修飾的金電極對CH3Hg+檢測的靈敏度明顯提升。通過對材料進行鹽酸質(zhì)子化處理,以獲得更好的靈敏度,如圖7(c)所示,峰值電流與CH3Hg+之間的線性關(guān)系Ip(μA)=0.42C(μg·L-1)+0.066 (n=9,R2=0.986),靈敏度達到0.42 μA/(μg·L-1),檢測限為0.182 μg·L-1。表1列出了之前通過不同電化學(xué)方法和材料檢測CH3Hg+??梢?,PCN10修飾金電極具有較高的靈敏度和較低的檢測限。
圖7 在最優(yōu)的實驗條件下(a)裸金電極;(b)未質(zhì)子化的PCN10納米材料改性電極對CH3Hg+微分脈沖伏安法 (DPV)和(c)HCl質(zhì)子化后的PCN10納米材料改性電極對CH3Hg+微分脈沖伏安法(DPV)
如圖8所示,Hg2+、Cu2+、Cd2+、Pb2+、Bi3+和As3+等陽離子對CH3Hg+的干擾情況。根據(jù)CH3Hg+的電化學(xué)還原機理,無機Hg2+對CH3Hg+的測定有顯著的影響,這是由于存在重疊的響應(yīng)電位。圖8(a)顯示在0.1 M pH=5的HAc-NaAc溶液中添加15 μg·L-1CH3Hg+,加入SnCl2選擇性還原Hg2+,SnCl2只還原Hg2+,不影響CH3Hg+,因此可以消除Hg2+對檢測CH3Hg+的影響。實驗中先在緩沖溶液中加入15 μg·L-1的CH3Hg+離子,然后按15 μg·L-1的5倍、10倍、15倍、20倍、25倍的比例分別加入待檢測的干擾陽離子,在添加了其他重金屬離子后,仍能靈敏地檢測到CH3Hg+,峰值電流保持穩(wěn)定。如圖8(b)所示,Cu2+、Cd2+、Pb2+、Bi3+和As3+等陽離子不會使CH3Hg+的峰值電流變化超過5%[29]。因此,天然水樣中常見的金屬離子不會顯著干擾該材料修飾電極檢測CH3Hg+。
圖8 不同金屬離子對15 μg·L-1 CH3Hg+的峰值電流的影響
PCN10修飾金電極作為一種電化學(xué)傳感器,穩(wěn)定性和重現(xiàn)性對于其性能來說十分重要。所以在本研究實驗在最優(yōu)條件下考察了PCN10修飾金電極傳感器的穩(wěn)定性和重現(xiàn)性。使用PCN10材料修飾5個金電極(編號為1-5)對CH3Hg+(15 μg·L-1)進行電化學(xué)檢測,電化學(xué)響應(yīng)如圖9(a)所示,其RSD 計算為3.67%,低于5%。另一方面,用PCN10修飾電極對CH3Hg+(15 μg·L-1)進行循環(huán)5 D的重現(xiàn)性電化學(xué)檢測,如圖9(b)所示,在重復(fù)測量期間,CH3Hg+電化學(xué)剝離電流峰值并沒有發(fā)生明顯的波動,相對標準差(RSD)計算為2.49%。綜上討論,該PCN10修飾電極傳感器界面具有良好的穩(wěn)定性和重現(xiàn)性能,這為實際水樣中甲基汞離子的電化學(xué)分析檢測提供了可靠性支撐。
圖9 PCN10納米材料修飾電極對CH3Hg+的電化學(xué)檢測(a)穩(wěn)定性和(b)重現(xiàn)性研究
用磷摻雜g-C3N4電化學(xué)傳感器檢測了安徽省合肥市合肥工業(yè)大學(xué)斛兵塘和安徽省合肥市南淝河實際水樣中CH3Hg+的測定分析。電化學(xué)檢測前,樣品以1:19的比例混合在0.1 M HAc-NaAc緩沖液(pH=5)中,取混合溶液10 mL進行CH3Hg+的電化學(xué)檢測,兩個水樣中均未檢測到CH3Hg+污染。如表2所示,向水樣中分別添加CH3Hg+溶液10和15 μg·L-1,CH3Hg+的加標回收率在94.7%-104.4%之間。數(shù)據(jù)表明,新方法不受天然水樣中基質(zhì)成分的影響。新的CH3Hg+檢測方法可以有效地用于環(huán)境樣品的甲基汞監(jiān)測[30]。
表2 實際水樣中甲基汞離子的檢測分析結(jié)果
綜上,采用類石墨相氮化碳(g-C3N4)作為原材料,通過簡單的化學(xué)合成方法制備出不同摻磷比例的g-C3N4,并將其作為電化學(xué)電極修飾材料。比較了不同摻磷比例的g-C3N4納米結(jié)構(gòu)材料修飾金電極對CH3Hg+的電化學(xué)檢測性能。針對PCN10修飾電極體系進行相關(guān)實驗條件的優(yōu)化,該電極對重金屬CH3Hg+具有較高的靈敏度和低的檢測限,分別為0.42 μA/(μg·L-1),檢測限為0.182 μg·L-1。采用PCN10修飾電極傳感器對CH3Hg+的檢測進行一系列的抗干擾實驗,發(fā)現(xiàn)在金屬離子干擾下,該電極體系對CH3Hg+檢測的靈敏度具有一定程度上的降低,但是相對偏差都穩(wěn)定在5%以內(nèi),可以說明其他重金屬離子對該材料檢測甲基汞無明顯影響。該傳感器具有良好的穩(wěn)定性與重現(xiàn)性,有望在實際水樣分析中進行應(yīng)用。