田勝僑,韋美菊
(北京科技大學(xué)化學(xué)與生物工程學(xué)院,化學(xué)與化學(xué)工程系,北京 100083)
近年來(lái),有關(guān)過(guò)渡金屬催化惰性化學(xué)鍵如C-C,C-H和C-O鍵裂解的研究較多,已經(jīng)成為有機(jī)金屬化學(xué)中最重要的研究領(lǐng)域之一[1~3].然而對(duì)于C-N 鍵的裂解,特別是過(guò)渡金屬催化的C-N 鍵裂解[4,5],起初研究進(jìn)展很緩慢.自Kwong等[6]和Wang等[7,8]提出了一種溫和且簡(jiǎn)單的方法來(lái)獲得氮源以后,相關(guān)研究明顯增多[5].過(guò)渡金屬催化劑的發(fā)展經(jīng)歷了Fe,Cu,Ru,Pd和Rh等[9~13].近年來(lái),基于過(guò)渡金屬Rh的新型催化劑在合成領(lǐng)域引起了廣泛關(guān)注[14].Rh是構(gòu)建環(huán)狀骨架的重要催化劑,其不僅放松環(huán)加成反應(yīng)對(duì)底物的限制,降低堿對(duì)底物的配位影響,而且作為內(nèi)部氧化劑[15,16]還可使反應(yīng)條件更溫和,有利于反應(yīng)的進(jìn)行.
三元環(huán)存在較大的張力,具有一定的反應(yīng)活性.因此在銠催化環(huán)化反應(yīng)中,不飽和三元環(huán)也用于構(gòu)建環(huán)狀骨架.如Zhao 等[17]研究了Rh(Ⅱ)催化[3+2]2H-吖丙因與N-磺?;?,2,3-三唑的環(huán)加成反應(yīng).當(dāng)催化劑配體或溶劑不同時(shí),反應(yīng)產(chǎn)率表現(xiàn)出巨大差異.Xu等[18]研究了Rh(I)催化取代的環(huán)丙烯在CO 氣氛下直接與羰基進(jìn)行[3+1]環(huán)加成反應(yīng),此反應(yīng)以極高的產(chǎn)率生成了一系列取代環(huán)丁烯酮產(chǎn)物.
Ding等[19],Ruvinskaya 等[20]和Baek 等[21]提出了雙Rh催化3-重氮吲哚啉-2亞胺與2H-吖丙因[3+3]環(huán)化反應(yīng)的合成方案(Scheme 1).合成產(chǎn)物吡嗪并吲哚在空穴傳輸材料和熒光發(fā)射材料等領(lǐng)域具有潛在應(yīng)用.然而,該類實(shí)驗(yàn)的理論解釋卻很有限,對(duì)關(guān)鍵中間體、過(guò)渡態(tài)等微觀結(jié)構(gòu)的理解缺乏進(jìn)一步認(rèn)識(shí).基于此,本文采用密度泛函方法研究了該反應(yīng)的反應(yīng)機(jī)理,并對(duì)產(chǎn)物的光學(xué)性質(zhì)進(jìn)行了分析,有望進(jìn)一步指導(dǎo)實(shí)驗(yàn)合成.
Scheme 1 Cyclization reaction of 3-diazoindolin-2-imines and 2H-azirines
所有計(jì)算均采用Gaussian 09程序包[22]中的密度泛函理論完成.首先對(duì)反應(yīng)過(guò)程中所有駐點(diǎn),即反應(yīng)物、催化劑、中間體、產(chǎn)物和過(guò)渡態(tài)進(jìn)行全構(gòu)型優(yōu)化和振動(dòng)頻率分析,確定極小點(diǎn)沒(méi)有虛頻而過(guò)渡態(tài)有且僅有一個(gè)虛頻.此步采用包含D3 色散校正[23]的B3LYP[24~26]泛函進(jìn)行計(jì)算,對(duì)Rh 原子使用LANL2DZ贗勢(shì)基組[27,28],對(duì)其它原子使用6-31G(d)基組.在同一水平下采用內(nèi)稟反應(yīng)坐標(biāo)(IRC)[29]方法,驗(yàn)證反應(yīng)途徑的合理性.然后對(duì)以上所有結(jié)構(gòu)進(jìn)行單點(diǎn)能計(jì)算.單點(diǎn)能計(jì)算在D3校正的密度泛函理論P(yáng)BE0[30]水平上完成,對(duì)Rh原子使用SDD贗勢(shì)基組[31],對(duì)其它原子使用def2-TZVP基組.以上計(jì)算均以異丙苯為溶劑,使用SMD[32]溶劑化模型處理.
為研究產(chǎn)物吡嗪并吲哚的光學(xué)性質(zhì),采用含時(shí)密度泛函理論(TD-DFT)B3LYP/def2-TZVP,以二氯甲烷(DCM)為溶劑,使用極化連續(xù)介質(zhì)模型(PCM)[33]計(jì)算了產(chǎn)物吡嗪并吲哚的激發(fā)態(tài)性質(zhì)以及產(chǎn)物分子的空穴重組能.還使用B3LYP,PBE0 和M06-2X[34]對(duì)分子的理論吸收光譜和熒光發(fā)射光譜進(jìn)行模擬,并對(duì)它們的計(jì)算結(jié)果進(jìn)行了比較.使用Multiwfn[35,36]程序分析了分子的電子-空穴分布、電子軌道躍遷、貢獻(xiàn)值和電子激發(fā)方式等,以探討分子的前線軌道特征、主要激發(fā)方式以及躍遷的特點(diǎn)等.
反應(yīng)物三唑類化合物和金屬活性卡賓前體重氮亞胺可相互異構(gòu)化(Scheme 2).此異構(gòu)化過(guò)程不需要過(guò)渡金屬Rh的參與,與Li等[37]在研究雙銠催化[3+3]環(huán)加成反應(yīng)的結(jié)論一致.
Scheme 2 Isomerization of triazoles and 3-diazoindolin-2-imines
圖S1(見(jiàn)本文支持信息)給出了反應(yīng)物三唑類化合物1a[R1為對(duì)甲苯磺酰基(Ts)]和1b(R1為甲基)及對(duì)應(yīng)的產(chǎn)物重氮吲哚啉2a 和2b 以及過(guò)渡態(tài)TS1a 和TS1b 的幾何結(jié)構(gòu)信息.異構(gòu)化過(guò)程的勢(shì)能面如圖1所示.1a通過(guò)異構(gòu)化轉(zhuǎn)變?yōu)?a的過(guò)程需克服42.8 kJ/mol 的能壘,且產(chǎn)物2a的能量比反應(yīng)物1a低8.9 kJ/mol,說(shuō)明此轉(zhuǎn)換過(guò)程易于發(fā)生.而當(dāng)取代基為甲基時(shí),1b 分子發(fā)生異構(gòu)化轉(zhuǎn)變需克服能壘高達(dá)103.3 kJ/mol,且產(chǎn)物2b 的能量比反應(yīng)物1b 高59.9 kJ/mol.說(shuō)明當(dāng)取代基為甲基時(shí)分子1b較穩(wěn)定,不易發(fā)生異構(gòu)化轉(zhuǎn)變.從TS1a和TS1b的最高占據(jù)軌道(HOMO)(圖S2,見(jiàn)本文支持信息)可見(jiàn),三唑類化合物取代基Ts 基團(tuán)表現(xiàn)出吸電子作用,弱化N-N 鍵,可促進(jìn)開(kāi)環(huán)反應(yīng).總之,當(dāng)三唑類化合物上的取代基R1 為Ts 基團(tuán)時(shí)更易轉(zhuǎn)化為3-重氮吲哚啉-2-亞胺,因此文獻(xiàn)中均使用Ts基團(tuán)[13,15~17].
Fig.1 Free energy profile of isomerization of triazoles and 3-diazoindolin-2-imines
Rh催化3-重氮吲哚啉-2-亞胺與2H-吖丙因反應(yīng)通常包含銠活性卡賓體形成、2H-吖丙因開(kāi)環(huán)和吲哚[3+3]內(nèi)環(huán)化3個(gè)過(guò)程.
Fig.2 Optimized molecular geometry of Rh2(OAc)4
2.2.1 Rh卡賓體形成過(guò)程 催化劑乙酸銠通常以二聚體雙銠Rh2(OAc)4形式存在,呈燈籠狀四方構(gòu)型.優(yōu)化得到的乙酸銠二聚體Rh2(OAc)4的分子結(jié)構(gòu)見(jiàn)圖2.Rh1-Rh2鍵鍵長(zhǎng)為0.239 nm,Rh-O 鍵鍵長(zhǎng)為0.206 nm.相鄰氧原子與雙銠成垂直構(gòu)型,O-Rh-O鍵角為90°.
反應(yīng)途徑中各個(gè)駐點(diǎn)的結(jié)構(gòu)見(jiàn)圖3.絡(luò)合物COM-I1和過(guò)渡態(tài)TS-I1是乙酸銠二聚體與重氮吲哚啉亞胺形成卡賓體過(guò)程中的關(guān)鍵中間體和過(guò)渡態(tài).絡(luò)合物COM-I1中的乙酸銠基團(tuán)基本保持了原來(lái)的燈籠狀四方結(jié)構(gòu),Rh1-Rh2鍵鍵長(zhǎng)為0.241 nm;兩個(gè)分子通過(guò)Rh-C(0.248 nm)絡(luò)合在一起.當(dāng)轉(zhuǎn)變?yōu)檫^(guò)渡態(tài)TS-I1結(jié)構(gòu)后,Rh-C距離縮短至0.207 nm.重氮的N-C鍵鍵長(zhǎng)由0.133 nm伸長(zhǎng)至0.180 nm,且N-N-C鍵角為149°,不再保持線性結(jié)構(gòu).過(guò)渡態(tài)結(jié)構(gòu)有利于脫出N2分子.隨著Rh1-C鍵鍵長(zhǎng)縮短,Rh1-Rh2鍵鍵長(zhǎng)增加,羧酸根配體與Rh的距離減小.說(shuō)明只有一個(gè)Rh1作為活性位點(diǎn)與C連接.
Fig.3 Optimized molecular geometries of intermediates and transition states of the formation of rhodium metal carbene
考慮到該過(guò)程形成銠卡賓體能壘較高及溶劑中的水等影響因素,再討論另一條銠卡賓體形成途徑.相關(guān)的絡(luò)合物COM-I2 和過(guò)渡態(tài)TS-I2 的結(jié)構(gòu)如圖3 所示.絡(luò)合物COM-I2 與COM-I1 為同分異構(gòu)體,乙酸銠與重氮吲哚啉亞胺接近時(shí),其結(jié)構(gòu)偏離了燈籠四方構(gòu)型,乙酸根配體僅配位在Rh2 上,讓Rh1 產(chǎn)生空位.有利于Rh1 進(jìn)攻重氮吲哚啉亞胺上的碳原子.絡(luò)合物COM-I2 和過(guò)渡態(tài)TS-I2 中Rh1-Rh2 的鍵長(zhǎng)沒(méi)有變化,均為0.246 nm.過(guò)渡態(tài)TS-I2中Rh1-C 鍵鍵長(zhǎng)為0.200 nm,重氮的N-C鍵鍵長(zhǎng)為0.173 nm,N-N-C 鍵角為152°.與TS-I1 相比,TS-I2 中的Rh1-C 鍵鍵長(zhǎng)更短,更易成鍵,可降低反應(yīng)能壘.產(chǎn)物INT-I2的能量更低.形成銠卡賓體INT-I2的能壘(36.3 kJ/mol)明顯低于形成銠卡賓體INT-I1 的能壘(70.8 kJ/mol)(圖4).另外形成INT-I2 反應(yīng)放出了大量熱,Gibbs 自由能降低很大.因此,形成INT-I2的途徑為該反應(yīng)的優(yōu)勢(shì)反應(yīng)途徑.
2.2.2 2H-吖丙因攻擊銠活性卡賓三元環(huán)開(kāi)環(huán)及[3+3]內(nèi)環(huán)化反應(yīng)過(guò)程 親核試劑2,3-二苯基-2H-吖丙因(3a)攻擊銠卡賓INT-I2 直接形成兩性離子中間體INT-Ⅱ(圖3).為研究反應(yīng)取向或活性位點(diǎn),采用Multiwfn[35,36]給出的銠活性卡賓INT-I2 和化合物3a在Isovalue=0.001時(shí)的靜電勢(shì)圖(圖S3,見(jiàn)本文支持信息).圖中分子表面藍(lán)色越深表明靜電勢(shì)越負(fù),紅色越深則表明靜電勢(shì)越正;小球表示曲面靜電勢(shì)極值點(diǎn).由圖S3(A)可知,銠卡賓INTI2 的負(fù)靜電勢(shì)主要分布在Rh1 頂部與Ts 基團(tuán)之間.正靜電勢(shì)主要集中在苯并吡咯里側(cè)及一些甲基上.化合物3a 的靜電勢(shì)分布如圖S3(B)所示.化合物3a的負(fù)靜電勢(shì)主要集中在三元環(huán)N原子以及N-C 單鍵一側(cè).表明化合物3a 開(kāi)環(huán)時(shí)容易從C-N單鍵活化斷裂.另外,化合物3a中N原子攻擊Rh 活性卡賓的方向應(yīng)該為苯并吡咯里側(cè)與銠連接的C原子處,因?yàn)樵撎庫(kù)o電勢(shì)正值較大.
可能由于銠卡賓中間體INT-I2不穩(wěn)定,導(dǎo)致其很容易與化合物3a發(fā)生反應(yīng).因此,這步反應(yīng)不需要過(guò)渡態(tài).柔性掃描計(jì)算也證明了這一點(diǎn).二者反應(yīng)直接形成一個(gè)兩性離子中間體鎓鹽INT-Ⅱ(圖3).化合物3a上N原子與銠卡賓上C原子在形成中間體INT-Ⅱ之后,距離為0.145 nm,說(shuō)明Rh-C已經(jīng)成鍵.三元環(huán)中C-N鍵鍵長(zhǎng)分別為0.127和0.151 nm.INT-Ⅱ中三元環(huán)的C-N鍵易發(fā)生裂解開(kāi)環(huán)反應(yīng).開(kāi)環(huán)過(guò)渡態(tài)TS-Ⅱ的結(jié)構(gòu)如圖3 所示.其中三元環(huán)上N 與原卡賓分子中C 的鍵長(zhǎng)由0.145 nm 減小至0.139 nm,Rh1-C鍵鍵長(zhǎng)由0.209 nm拉長(zhǎng)至0.213 nm,三元環(huán)開(kāi)環(huán)后3個(gè)原子的角度為91°.對(duì)TS-Ⅱ進(jìn)行IRC分析,發(fā)現(xiàn)催化劑逐漸遠(yuǎn)離.表明催化劑Rh2(OAc)4在這一步離去,完成催化劑的復(fù)原,并形成中間體INT-Ⅲ.中間體INT-Ⅲ再經(jīng)由過(guò)渡態(tài)TS-Ⅲ環(huán)化形成化合物4a.化合物3a開(kāi)環(huán)和吲哚[3+3]內(nèi)環(huán)化反應(yīng)的勢(shì)能面如圖5所示.化合物3a與銠活性卡賓INT-I2反應(yīng)形成兩性離子中間體鎓鹽INT-Ⅱ,能量降低38.9 kJ/mol.再經(jīng)由能壘為40.1 kJ/mol 的過(guò)渡態(tài)TS-Ⅱ,乙酸銠催化劑Rh2(OAc)4離去,并形成中間體INT-Ⅲ,該步產(chǎn)物的能量降低了78.9 kJ/mol.最后中間體INT-Ⅲ發(fā)生[3+3]環(huán)化反應(yīng)形成六元環(huán)結(jié)構(gòu),該過(guò)程的能壘為73.3 kJ/mol,在整個(gè)反應(yīng)過(guò)程中該步能壘最高.由此可知,吲哚啉[3+3]環(huán)化反應(yīng)過(guò)程為整個(gè)反應(yīng)的速率控制步驟.雙銠催化劑Rh2(OAc)4在反應(yīng)過(guò)程中催化作用體現(xiàn)在促進(jìn)銠卡賓中間體INT-I2中的C原子與2H-吖丙因中的N原子偶聯(lián)成鍵,并讓三元環(huán)發(fā)生開(kāi)環(huán)反應(yīng).
Fig.4 Free energy profile for forming active Rh metallocarbene intermediates
Fig.5 Free energy profile for the reaction of 3-diazoindolin-2-imines and 2,3-diphenyl-2H-azirine
2.2.3 2H-吖丙因R2 取代基對(duì)吲哚[3+3]環(huán)化的影響 因?yàn)檫胚徇?+3]環(huán)化反應(yīng)過(guò)程為整個(gè)反應(yīng)的速率控制步驟,所以有必要討論取代基對(duì)吲哚啉環(huán)化反應(yīng)的影響,即討論當(dāng)2H-吖丙因三元環(huán)一個(gè)碳上的取代基由苯基改為H原子時(shí)的環(huán)化過(guò)程.此步涉及到的中間體和過(guò)渡態(tài)的結(jié)構(gòu)如圖6所示.此步環(huán)化過(guò)程分別考慮了經(jīng)由六元環(huán)過(guò)渡態(tài)TS-Ⅲ-H 的[3+3]環(huán)加成途徑或經(jīng)由五元環(huán)過(guò)渡態(tài)TS-Ⅲ-H 的[3+2]環(huán)加成途徑.勢(shì)能面(圖S4,見(jiàn)本文支持信息)表明經(jīng)過(guò)五元環(huán)過(guò)渡態(tài)的反應(yīng)能壘高達(dá)97.5 kJ/mol,故不易發(fā)生[3+2]環(huán)加成反應(yīng).因此,吲哚啉環(huán)化過(guò)程應(yīng)為經(jīng)由六元環(huán)過(guò)渡態(tài)的[3+3]環(huán)加成.為便于比較,圖S4中還包含了R2取代基為苯基的能量變化.對(duì)比得知,在[3+3]環(huán)加成反應(yīng)中,R2位置上取代基為H 原子時(shí)的能壘(54.0 kJ/mol)低于取代基為苯基時(shí)的能壘(73.3 kJ/mol).表明底物2H-吖丙因上R2取代基對(duì)[3+3]環(huán)化反應(yīng)的能壘存在較大影響,可能主要是歸因于苯基較大的空間位阻.
Fig.6 Optimized molecular geometries of intermediates and transition states in the [3+3] cyclization when 2H-azirine with only one phenyl(the bond lengths are in nm)
環(huán)化后的4a脫掉Ts基團(tuán)后,生成含有吡嗪并吲哚類主體官能團(tuán)結(jié)構(gòu)的產(chǎn)物5a,其醫(yī)藥活性和光電特性備受關(guān)注,如強(qiáng)熒光發(fā)射性質(zhì)[38].另外,該產(chǎn)物還在熱激活延遲熒光、空穴傳輸材料等領(lǐng)域表現(xiàn)出潛在應(yīng)用價(jià)值[39~41].因此分析了兩種吡嗪并[2,3-b]吲哚啉化合物5a和5b(圖7)的基態(tài)幾何結(jié)構(gòu)、分子表面基本性質(zhì)、分子前線軌道(FMO)及能隙(Eg)、重組能、激發(fā)態(tài)、吸收和熒光發(fā)射光譜性質(zhì)具有重要理論意義.
Fig.7 Optimized molecular geometries of compounds 5a and 5b
2.3.1 基態(tài)結(jié)構(gòu)與性質(zhì) 分子前線軌道與電子的得失密切相關(guān).圖S5(見(jiàn)本文支持信息)給出了化合物5a和5b的前線分子軌道圖.化合物5a最高占據(jù)分子軌道(HOMO)(-5.766 eV)主要分布在氮雜六元環(huán)和苯并吡咯部分,最低未占據(jù)分子軌道(LUMO)(-1.820 eV)主要分布在氮雜六元環(huán)部分,均表現(xiàn)出一定的電子離域特性,有利于電荷的傳輸.兩者能級(jí)差(3.95 eV)較大,表明成鍵能力較強(qiáng),不容易被激發(fā),熱穩(wěn)定性較好.化合物5b HOMO(-5.605 eV)主要分布在苯并吡咯部分,LUMO(-1.797 eV)則主要分布在氮雜六元環(huán)部分,離域特征更明顯,說(shuō)明激發(fā)過(guò)程中苯并吡咯上電荷易于轉(zhuǎn)移傳輸.
在非晶體系中,通常用重組能來(lái)定性描述分子的電荷轉(zhuǎn)移傳輸性能.同時(shí),重組能也是Marcus理論[42]計(jì)算電子轉(zhuǎn)移速率的重要參數(shù).采用Marcus 理論計(jì)算得到化合物5a 和5b 的空穴重組能分別為0.321 和0.253 eV.與典型的空穴傳輸材料N,N'-diphenyl-N,N'-bis(3-methlphenyl)-(1,1'-biphenyl)-4,4'-diamine(TPD,空穴重組能為0.290 eV)[43]相比,化合物5b的空穴重組能小于TPD,而化合物5a反之.說(shuō)明化合物5b在失去電子過(guò)程中引起分子振動(dòng)結(jié)構(gòu)變化所克服的勢(shì)壘低于典型的空穴傳輸材料TPD,因此化合物5b是一種優(yōu)良的空穴傳輸材料.另外,化合物5b的電荷傳輸性能僅略小于新型空穴傳輸材料螺二芴(空穴重組能為0.24 eV).考慮到合成的可行性及產(chǎn)物收率,化合物5b仍具有作為空穴傳輸材料的價(jià)值.
2.3.2 激發(fā)態(tài)性質(zhì) 采用TD-DFT 理論B3LYP/def2-TZVP 水平,使用PCM 溶劑模型模擬計(jì)算了在二氯甲烷溶劑中分子的激發(fā)態(tài)性質(zhì),并通過(guò)Multiwfn程序進(jìn)行解析.
電子激發(fā)過(guò)程通常伴隨著大量分子軌道(MO)躍遷.首先探究該類躍遷的組態(tài)系數(shù)及貢獻(xiàn)值.表1列出了化合物5a 和5b 的分子軌道躍遷主要方式、組態(tài)系數(shù)(Configuration factor)、貢獻(xiàn)值(Contribution value)、Sr指數(shù)(Srindex)、D指數(shù)(Dindex)、t指數(shù)(tindex)及H指數(shù)(Hindex)等[35,36].
Table 1 Parameters of the electronic excitation process of compounds 5a and 5b
Sr指數(shù)用于描述電子與空穴分布之間的重疊,.Sr取值范圍在0~1之間.Sr指數(shù)越大,說(shuō)明空穴和電子的重疊程度越高.D指數(shù)可衡量空穴和電子質(zhì)心之間的距離.D=(其中,Dx,Dy和Dz分別是電子和空穴在x,y和z3 個(gè)方向的坐標(biāo)差值,如Dx=H指數(shù)體現(xiàn)了電子與空穴的總體平均分布廣度.σ指數(shù)有x,y和z3個(gè)分量,相當(dāng)于空穴或電子在x,y,z方向上分布的均方根偏差(RMSD),體現(xiàn)了彌散程度.如σhole,x=t指數(shù)用于衡量空穴和電子的分離程度.t=D-HCT.HCT用于衡量在電荷轉(zhuǎn)移(CT)方向上空穴和電子的平均延展程度,H就是H指數(shù)在x,y和z3 個(gè)方向Hx,Hy,Hz組成的矢量,uCT是CT方向上的單位矢量.由以上定義可知,t大于零,則空穴和電子在電荷轉(zhuǎn)移方向上分離很充分.反之,若t小于零,則可認(rèn)為在電荷轉(zhuǎn)移方向上空穴和電子沒(méi)有顯著分離.
由表1 可見(jiàn),化合物5a 主要發(fā)生前線軌道HOMO→LUMO(88→89)激發(fā)躍遷,還存在一定去激發(fā)躍遷88←89.化合物5aSr指數(shù)較大(Sr=0.698),表明電子空穴重合度較好.D指數(shù)(0.334)表述了電子空穴質(zhì)心距離,遠(yuǎn)小于C-C鍵長(zhǎng).t指數(shù)(-1.853)遠(yuǎn)小于0.說(shuō)明電子和空穴沒(méi)有發(fā)生顯著的分離.可見(jiàn),化合物5a激發(fā)方式為局域激發(fā)(Localized excitations).同樣得知化合物5b也主要發(fā)生局域激發(fā).
圖S6(見(jiàn)本文支持信息)為化合物5a 和5b 激發(fā)態(tài)的電子-空穴分布圖.在苯平面上電子明顯存在節(jié)面,且電子空穴呈現(xiàn)出一定交錯(cuò)相疊特性,體現(xiàn)了π-π特征的局域激發(fā).化合物5a 中88 號(hào)軌道(HOMO)對(duì)空穴的貢獻(xiàn)達(dá)91.50%,89號(hào)軌道(LUMO)對(duì)電子的貢獻(xiàn)達(dá)97.46%.化合物5b中96號(hào)軌道(HOMO)對(duì)空穴的貢獻(xiàn)達(dá)98.04%,97號(hào)軌道(LUMO)對(duì)電子貢獻(xiàn)達(dá)98.07%.
2.3.3 光譜模擬分析 通常在理論模擬光譜時(shí)需考慮前線分子軌道能級(jí)差(ELUMO-EHOMO)和激子結(jié)合能.激子結(jié)合能的計(jì)算受泛函中Hartree Fock(HF)比例的影響較大,故需選擇合適HF成分的泛函進(jìn)行計(jì)算.
受文獻(xiàn)[44,45]啟發(fā),含HF 成分較高的泛函容易高估激發(fā)能,使光譜藍(lán)移.而用純泛函時(shí)偏紅移.因?yàn)榛衔?a和5b以局域激發(fā)為主,將采用常用的B3LYP(含20%HF)泛函計(jì)算化合物5a和5b的光譜性質(zhì).另外,也采用PBE0(含25%HF)和M06-2X(含54%HF)泛函進(jìn)行計(jì)算以作對(duì)比.
圖8(A)為采用B3LYP,PBE0和M06-2X 3種泛函理論計(jì)算得到的化合物5a的吸收光譜圖.該吸收光譜曲線是在半峰全寬(FWHM)為0.25 eV時(shí),由離散線(振子強(qiáng)度f(wàn))通過(guò)高斯展寬函數(shù)擬合而得.由圖8(A)可知,采用B3LYP 計(jì)算的吸收光譜在305,342 和374 nm 處出現(xiàn)3 個(gè)較大吸收峰.實(shí)驗(yàn)測(cè)得兩個(gè)較大吸收峰(339和375 nm)[19].由于實(shí)驗(yàn)所測(cè)光譜在300 nm附近不完整,主要比較后兩個(gè)峰.理論計(jì)算的光譜和實(shí)驗(yàn)觀測(cè)的光譜峰型相似,波長(zhǎng)相差僅2~3 nm左右.由此可見(jiàn),B3LYP理論可較好地模擬化合物5a的吸收光譜.圖8(A)也給出了采用PBE0和M06-2X泛函計(jì)算的光譜,波形均較B3LYP泛函結(jié)果發(fā)生一定藍(lán)移.采用PBE0泛函計(jì)算所得光譜與實(shí)驗(yàn)光譜的峰型相對(duì)應(yīng),而采用M06-2X 泛函計(jì)算結(jié)果欠佳.
Fig.8 Simulative absorption spectra for compounds 5a(A)and 5b(B)
類似的,分別使用B3LYP 和PBE0 兩種泛函計(jì)算模擬了化合物5b 在DCM 溶液中吸收光譜[圖8(B)].實(shí)驗(yàn)所測(cè)光譜在300 nm附近不完整,譜圖中僅在352 nm處出現(xiàn)一個(gè)最大吸收峰[19].若采用B3LYP泛函計(jì)算則在305和353 nm處出現(xiàn)兩個(gè)較強(qiáng)吸收;若采用PBE0泛函計(jì)算則在343 nm和更短波長(zhǎng)處出現(xiàn)較強(qiáng)吸收.總體峰型曲線與實(shí)驗(yàn)光譜基本一致,峰位與實(shí)驗(yàn)光譜相比最小僅差1 nm,最大相差9 nm.表明所選擇的泛函方法和基組能定性描述該光譜吸收的性質(zhì).
化合物5b與化合物5a的差別僅是在2號(hào)位上用甲氧基取代氫,結(jié)果導(dǎo)致分子的強(qiáng)吸收峰發(fā)生明顯紅移.造成此現(xiàn)象的重要原因?yàn)榛衔?b中甲氧基中的氧與苯環(huán)連接形成p-π共軛結(jié)構(gòu),活化苯環(huán).在圖S5(B)中化合物5b的HOMO軌道分布圖中也能看出此共軛結(jié)構(gòu).
圖9給出了在B3LYP和PBE0泛函水平下計(jì)算得到的化合物5b的熒光發(fā)射光譜.由圖9 可以看出,分別在496和510 nm 處有最高峰,與實(shí)驗(yàn)光譜的501 nm 處的峰相對(duì)應(yīng)[19].因此B3LYP和PBE0 泛函對(duì)該類分子描述基本可行.另外,化合物5b 吸收光譜與熒光發(fā)射光譜存在較大的斯托克斯位移,達(dá)150 nm 左右,因此化合物5b 具有作為熒光材料的潛在應(yīng)用價(jià)值.
Fig.9 Simulative fluorescence emission spectra for compound 5b
采用包含D3色散校正的密度泛函理論研究了雙銠催化3-重氮吲哚啉-2-亞胺與2H-吖丙因[3+3]環(huán)化反應(yīng)過(guò)程.主要包含雙銠金屬卡賓體形成、C-N鍵活化裂解和吲哚[3+3]內(nèi)環(huán)化反應(yīng)3個(gè)過(guò)程.結(jié)果表明,雙銠催化劑含有重要異構(gòu)體.銠催化劑整體表現(xiàn)出偶聯(lián)作用,促進(jìn)C-N 偶聯(lián)和2H-吖丙因C-N鍵裂解;在反應(yīng)過(guò)程中雙銠催化劑中的一個(gè)銠原子Rh1充當(dāng)活性位點(diǎn),另一個(gè)銠原子Rh2與羧酸根整體協(xié)調(diào)Rh1-C 的變化.反應(yīng)控速步驟為吲哚[3+3]內(nèi)環(huán)化反應(yīng)過(guò)程,且底物上取代基對(duì)吲哚環(huán)化反應(yīng)影響較大,空間位阻影響不可忽視.銠催化劑在[3+3]環(huán)化前脫出,未參與吲哚[3+3]內(nèi)環(huán)化的反應(yīng).產(chǎn)物5b具有較低空穴重組能(0.253 eV),采用B3LYP和PBE0 兩種方法計(jì)算得到的吸收光譜與熒光發(fā)射光譜存在較大斯托克斯位移(150 nm),因此,5b具有作為空穴傳輸材料和熒光發(fā)射材料的潛在應(yīng)用價(jià)值.
支持信息見(jiàn)http://www.cjcu.jlu.edu.cn/CN/10.7503/cjcu20200803.