探索優(yōu)化光電極中載流子傳輸?shù)牟呗?/h1>

2017-02-14 03:07:14黃輝庭李朝升鄒志剛

中國(guó)材料進(jìn)展訂閱 2017年1期 收藏

關(guān)鍵詞：光電流載流子半導(dǎo)體

黃輝庭，李朝升，鄒志剛

(南京大學(xué)現(xiàn)代工程與應(yīng)用科學(xué)學(xué)院，江蘇 南京 210093)

特約專(zhuān)欄

探索優(yōu)化光電極中載流子傳輸?shù)牟呗?/p>

黃輝庭，李朝升，鄒志剛

(南京大學(xué)現(xiàn)代工程與應(yīng)用科學(xué)學(xué)院，江蘇 南京 210093)

將太陽(yáng)能轉(zhuǎn)化成氫能來(lái)發(fā)展氫能源經(jīng)濟(jì)是人類(lèi)社會(huì)可持續(xù)發(fā)展的必由之路。光電化學(xué)分解水制氫是太陽(yáng)能-氫能轉(zhuǎn)換中具有重要應(yīng)用前景的技術(shù)。經(jīng)過(guò)近50年的發(fā)展，光電化學(xué)分解水制氫技術(shù)遇到了瓶頸，主要是缺乏高效穩(wěn)定的光電極。近年來(lái)，通過(guò)沉積TiOx保護(hù)層的策略，部分光電極的穩(wěn)定性得到了顯著提升，因此，提高光電極的太陽(yáng)能-氫能轉(zhuǎn)換效率成為一項(xiàng)愈加重要的任務(wù)。其中，改善光電極載流子傳輸能夠有效地提高太陽(yáng)能-氫能轉(zhuǎn)換效率。著重討論了幾種改善光電極中載流子傳輸?shù)牟呗?制備有利于載流子擴(kuò)散和遷移的納米結(jié)構(gòu)；通過(guò)摻雜提高材料的導(dǎo)電性；通過(guò)制備工藝的優(yōu)化減少阻礙載流子傳輸?shù)娜毕?；?gòu)建半導(dǎo)體結(jié)；使用與材料多子輸運(yùn)匹配的導(dǎo)電襯底或引入少子阻隔層等。

光電極；太陽(yáng)能；水分解；太陽(yáng)能-氫能轉(zhuǎn)換效率；載流子傳輸

1 前 言

太陽(yáng)能轉(zhuǎn)化成氫能為實(shí)現(xiàn)氫能源經(jīng)濟(jì)奠定了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)，能夠緩解乃至解決即將到來(lái)的能源枯竭以及嚴(yán)峻的環(huán)境問(wèn)題，是人類(lèi)社會(huì)得以可持續(xù)發(fā)展的必由之路。目前，太陽(yáng)能轉(zhuǎn)化成氫能主要通過(guò)光熱轉(zhuǎn)換、電解水以及光電化學(xué)分解水等途徑。其中，通過(guò)太陽(yáng)能光熱轉(zhuǎn)換，如聚焦太陽(yáng)能、太陽(yáng)能熱化學(xué)循環(huán)，能夠達(dá)到很高的轉(zhuǎn)換效率，然而其占地面積極大，并且對(duì)材料的耐腐蝕性要求高[1]。通過(guò)光伏轉(zhuǎn)換為電能再由電解水獲得氫氣，其中商業(yè)光伏轉(zhuǎn)化率較高，并且生產(chǎn)每瓦電的成本已經(jīng)低于1美元(2012年)，但存在著轉(zhuǎn)換二次損耗以及制造加工過(guò)程能耗、污染大等問(wèn)題[2-3]。而光電化學(xué)分解水則直接吸收太陽(yáng)光并將水分解成氫氣和氧氣，以其潛在的低成本、高轉(zhuǎn)換效率、系統(tǒng)構(gòu)造簡(jiǎn)單等優(yōu)勢(shì)獲得了世界各國(guó)的關(guān)注[4]。這項(xiàng)技術(shù)經(jīng)過(guò)近50年的發(fā)展，仍處于實(shí)驗(yàn)室研究階段，主要是因?yàn)槠渲械年P(guān)鍵部件——光電極，仍未達(dá)到同時(shí)具備高的太陽(yáng)能-氫能轉(zhuǎn)換效率和長(zhǎng)期的穩(wěn)定性。

2014年，Hu等[5]成功利用無(wú)定形的TiO2保護(hù)層將光陽(yáng)極的穩(wěn)定性大幅度提高，為光電極的穩(wěn)定性問(wèn)題帶來(lái)了可行的解決方案。那么，為實(shí)現(xiàn)光電化學(xué)分解水的應(yīng)用就要解決目前光電極的轉(zhuǎn)換效率較低的問(wèn)題。對(duì)于特定的光電極材料，其帶隙、理論光電流值已經(jīng)確定，那么限制其達(dá)到理論值的一個(gè)重要的原因是光生載流子在材料中的傳輸受限，因此，本文著重討論了近年來(lái)提高光電極中載流子傳輸?shù)牟呗浴?/p>

2 優(yōu)化光電極中載流子傳輸?shù)牟呗?/h2>

優(yōu)化光電極中載流子傳輸?shù)牟呗灾饕校孩僦苽溆欣谳d流子擴(kuò)散和遷移的納米結(jié)構(gòu)；②通過(guò)摻雜提高材料的導(dǎo)電性；③通過(guò)制備工藝的優(yōu)化減少阻礙載流子傳輸?shù)娜毕?；④?gòu)建半導(dǎo)體結(jié)；⑤使用與材料多子輸運(yùn)匹配的導(dǎo)電襯底或引入少子阻隔層等。

2.1 調(diào)控光電極的微納結(jié)構(gòu)改善載流子的傳輸

提高耗盡層在光電極結(jié)構(gòu)中的比例從而促進(jìn)光生載流子的遷移，是構(gòu)建微納結(jié)構(gòu)的出發(fā)點(diǎn)之一。相對(duì)于平板結(jié)構(gòu)，納米線陣列、納米管陣列、納米棒陣列、納米錐陣列等增加了半導(dǎo)體材料與電解液的接觸面積，從而顯著增加耗盡層的比例以及提高光生少子遷移到界面的概率。

如圖1所示，Zhao等[6]比較了平板以及蠕蟲(chóng)狀的BiVO4電極的性能差異，發(fā)現(xiàn)了后者大大地促進(jìn)了電荷的分離效率。Kayes等[7]通過(guò)理論計(jì)算模擬比較了納米棒陣列與平板電極的器件物理。Boettcher等[8]通過(guò)VLS生長(zhǎng)(Vapor-Liquid-Solid)的方法制備了規(guī)整的Si納米線陣列，發(fā)現(xiàn)其效率隨入射光的角度而變化。Xu等[9]利用化學(xué)刻蝕的方法制備了Si納米線陣列光陰極，降低了開(kāi)啟電勢(shì)。Lin等[10]為克服氧化鐵空穴遷移距離短的問(wèn)題，在TiSi2納米網(wǎng)絡(luò)上制備了一層薄的氧化鐵吸收層。Kay等[11]通過(guò)噴霧熱裂解制備了菜花狀的Si摻雜氧化鐵電極，同時(shí)解決了氧化鐵所需光吸收長(zhǎng)度長(zhǎng)與空穴遷移距離短的難題。Wang等[12-13]利用陽(yáng)極氧化制備了Ta3N5的納米管陣列，提高了Ta3N5光陽(yáng)極的性能。Li等[14]利用模板陽(yáng)極氧化后氮化的方法制備了Ba摻雜Ta3N5的納米棒

圖1 (a)多孔以及(b)致密的Mo摻雜的BiVO4薄膜的載流子分離效率比較示意圖[6]Fig.1 Schematics of charge separation of (a) the porous and (b) the dense Mo doped BiVO4 films[6]

陣列，降低了開(kāi)啟電勢(shì)同時(shí)提高了光電流。

2.2 通過(guò)摻雜提高光電極的導(dǎo)電性

半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電性可以表示為式(1)：

σ=neμe+nhμh

(1)其中n為載流子濃度，μ為載流子的遷移率。一般通過(guò)提高材料中的載流子濃度來(lái)提高其導(dǎo)電性。可以利用金屬或非金屬元素對(duì)半導(dǎo)體材料進(jìn)行摻雜。對(duì)光電極材料進(jìn)行摻雜主要考慮摻雜元素對(duì)于基體材料的晶體結(jié)構(gòu)相容性以及能帶結(jié)構(gòu)的匹配性，具體如下：不等價(jià)(更高價(jià)或更低價(jià))摻雜元素與取代元素的尺寸相容性，以及與基體晶格結(jié)構(gòu)的相容性，避免形成不利于載流子傳輸?shù)牡诙?；選取的摻雜濃度應(yīng)形成淺能級(jí)，避免過(guò)高的摻雜濃度形成深能級(jí)或簡(jiǎn)并半導(dǎo)體。此外，還可以考慮間隙或多元素?fù)诫s等。

目前，對(duì)于n型過(guò)渡金屬半導(dǎo)體材料的金屬元素?fù)诫s更多的選擇是更高價(jià)態(tài)的過(guò)渡金屬元素，例如，對(duì)于BiVO4中的V位有效的摻雜元素為Mo和W。某些金屬元素的摻雜可能影響材料的價(jià)帶，如Bi3+、Sn2+。如圖2所示，Luo等[15]通過(guò)Mo摻雜BiVO4，通過(guò)Mott-Schottky測(cè)試證明了Mo摻雜能顯著提高其載流子濃度，從而提高光電流。Zhang等[16]通過(guò)Si-Ti共摻的α-Fe2O3，降低了單種元素?fù)诫s引起的晶格參數(shù)不匹配，進(jìn)一步提高了光電流。Emeline等[17]討論了通過(guò)不同濃度的Nb摻雜對(duì)于TiO2薄膜的半導(dǎo)體-簡(jiǎn)并半導(dǎo)體的轉(zhuǎn)變及其對(duì)光電流的影響。Abdi等[18]制備了W梯度摻雜的BiVO4獲得了低的開(kāi)啟電勢(shì)以及大光電流。Shinde等[19]討論了在熱處理過(guò)程中來(lái)自透明導(dǎo)電襯底(FTO)的Sn摻雜對(duì)α-Fe2O3的開(kāi)啟電勢(shì)影響。Wang等[20-22]通過(guò)DFT計(jì)算得到了Ta3N5制備中O不可除盡的原因，并提出了通過(guò)不等價(jià)摻雜提高其導(dǎo)帶的策略。Feng等[23]根據(jù)前述的策略制備出摻雜不同金屬元素的Ta3N5，并獲得了性能的提高。Seo等[24]通過(guò)Mg-Zr共摻獲得了低開(kāi)啟電勢(shì)的Ta3N5顆粒膜電極。Higashi等[25]通過(guò)對(duì)多種金屬元素的摻雜，發(fā)現(xiàn)Mo對(duì)于BaTaO2N薄膜電極的性能提升有利。

圖2 (a)BiVO4、Mo摻雜的BiVO4以及擔(dān)載了RhO2的Mo摻雜BiVO4薄膜的光電流曲線圖，(b)BiVO4、Mo摻雜的BiVO4薄膜的Mott-Schottky曲線(電解液為0.5 M Na2SO4，交流振幅為10 mV，頻率為1000 Hz)[15]Fig.2 (a) Photocurrent-potential curves of BiVO4, Mo-doped BiVO4, and Mo-doped BiVO4 with RhO2 surface modification, (b) Mott-Schottky plots of pure BiVO4 and Mo-doped BiVO4 (electrolyte: 0.5 M Na2SO4, AC amplitude: 10 mV, frequency: 1000 Hz)[15]

2.3 減少阻礙載流子傳輸?shù)娜毕?/p>

阻礙載流子傳輸?shù)娜毕葜饕怯晒怆姌O內(nèi)部材料的不連續(xù)性造成的。降低載流子在半導(dǎo)體材料內(nèi)部傳輸?shù)木Ы珉娮?晶界密度、晶界間的傾角)或者減少制備過(guò)程出現(xiàn)的缺陷態(tài)(雜質(zhì)元素、第二相)和材料顆粒間的傳輸電阻都能大大地降低傳輸電阻。

Abe等[26-27]在顆粒膜光電極中引入了TiCl4和TaCl5做橋接(necking)處理，降低了Ta3N5和TaON的顆粒間的電阻，大幅度提高了光電流。Feng等[28]比較了固相燒結(jié)以及檸檬酸法制備的前驅(qū)體獲得的LaTiO2N粉末，構(gòu)筑出交聯(lián)的微米級(jí)單晶多孔LaTiO2N光陽(yáng)極(如圖3)，獲得了當(dāng)時(shí)世界領(lǐng)先的光電流記錄。Guijarro等[29]通過(guò)Bi,Mg, Sb元素的添加，使Cu(In,Ga)S納米晶生長(zhǎng)為大晶粒，大幅度提高了光電化學(xué)產(chǎn)氫性能。Abdi等[30]通過(guò)微波法測(cè)試了W摻雜BiVO4的電導(dǎo)率，證實(shí)了摻雜的光電極體相中存在著缺陷態(tài)。Hisatomi等[31]在透明導(dǎo)電襯底上沉積一層Ga2O3同構(gòu)層，降低了α-Fe2O3在透明導(dǎo)電襯底上的晶格錯(cuò)配度，提高了性能。Scragg[32]討論了Cu2ZnSnS4(CZTS)薄膜在制備過(guò)程中出現(xiàn)的CuS相對(duì)于最終性能的不利影響。

圖3 LaTiO2N納米顆粒膜與多孔微米單晶顆粒膜中的載流子傳輸對(duì)比圖[28]Fig.3 Schematics of charge transport in the nanoparticle and the porous single-crystal microparticle LaTiO2N films[28]

2.4 構(gòu)建半導(dǎo)體結(jié)

對(duì)于半導(dǎo)體材料進(jìn)行結(jié)(p-n結(jié)、異質(zhì)結(jié)、金屬-絕緣體-半導(dǎo)體結(jié)(MIS)等)的構(gòu)建是一種擴(kuò)展耗盡層，有效分離光生載流子的策略，同時(shí)能提高光電壓。Pijpers等[33]在Si電極上增加了一層p+層，大幅度提高了光生電壓。Su等[34]構(gòu)造了BiVO4/WO3納米棒陣列，提高了光電化學(xué)性能。Sivula等[35]構(gòu)建了α-Fe2O3/WO3異質(zhì)結(jié)，提高了光電流。如圖4所示，Paracchino等[36]構(gòu)造了AZO/Cu2O的p-n異質(zhì)結(jié)，不僅大幅度提高了光電流，而且在TiO2保護(hù)層下獲得了穩(wěn)定性最好的Cu2O光陰極。Guan和Wen等[37-39]都在p型硫族合金光陰極上擔(dān)載n型的CdS層，提高了光電流。Yang等[40]利用飛秒瞬態(tài)光吸收譜證明：沉積了TiO2無(wú)定形層的GaInP光陰極相比于Pt層，其光生載流子的壽命更長(zhǎng)。Muoz等[41-43]利用電沉積制備了Si的MIS結(jié)。Hill等[44]在實(shí)驗(yàn)中發(fā)現(xiàn)了CoOOH/Co/SiOx/Si的MIS結(jié)對(duì)性能的增強(qiáng)作用。Rossi[45]通過(guò)理論計(jì)算證明了Ni以島狀分布于平板Si電極上的增強(qiáng)作用。Ping等[46]通過(guò)理論計(jì)算解釋了不同工藝制備的IrO2/WO3電極的性能差異原因，島狀分布的IrO2使光陽(yáng)極更多的暴露在溶液中，由于溶液的溶劑化作用更有利于界面處形成肖特基結(jié)，促進(jìn)了光生載流子的分離。

圖4 (a)電極的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)圖，(b)多層光陰極的各層能帶結(jié)構(gòu)以及所包含的化學(xué)反應(yīng)，(c)Cu2O 光陰極的光電流曲線，d)Cu2O/(ZnO/Al2O3)/ TiO2/Pt光陰極的光電流曲線[36]Fig.4 (a) Schematic of the electrode structure, (b) overview of the energy band positions for the semiconductors of the multilayer photocathode and redox levels of the involved chemical reactions, (c) current-potential characteristics of the bare Cu2O electrode,(d) current-potential characteristics of the as-deposited Cu2O/(ZnO/Al2O3)/ TiO2/Pt electrode[36]

2.5 使用與光電極多子輸運(yùn)匹配的導(dǎo)電襯底或引入少子阻隔層

集流體是光電極里收集多子并傳輸?shù)綄?duì)電極上進(jìn)行反應(yīng)的部件，在光電化學(xué)水分解系統(tǒng)中就是透明導(dǎo)電襯底。半導(dǎo)體材料與集流體接觸的理想情況是形成歐姆接觸，保證多子的傳輸所受到的電阻最小。由于銦錫氧化物半導(dǎo)體(ITO)或摻氟的氧化錫(FTO)的費(fèi)米能級(jí)比較低，而且是n型簡(jiǎn)并半導(dǎo)體，是大部分現(xiàn)有光陽(yáng)極材料的合適的集流體材料。而對(duì)于光陰極材料而言，由于目前缺乏穩(wěn)定的p型簡(jiǎn)并半導(dǎo)體，使用的是金屬導(dǎo)電層，因此需要選擇功函數(shù)與光陰極材料形成歐姆接觸的金屬材料。p型的硫族合金選擇Mo作為導(dǎo)電襯底，氧化亞銅選擇的是Mo或Au電極。使用金屬電極就可能降低雙光子光電化學(xué)水分解系統(tǒng)的整體效率，一種辦法是利用圖案化的金屬集流體，例如Bae等[47]制備的能透光的光電化學(xué)水分解的底層結(jié)構(gòu)，或納米金屬絲網(wǎng)電極。Yan等[48]通過(guò)理論計(jì)算提出解決寬帶隙半導(dǎo)體的非對(duì)稱(chēng)摻雜的可能途徑。

另一個(gè)要注意的問(wèn)題是襯底上的逆反應(yīng)和光生少子的擴(kuò)散復(fù)合。裸露的透明導(dǎo)電襯底是逆反應(yīng)發(fā)生的位點(diǎn)，如圖5所示，Eisenberg等[49]在稀疏的BiVO4電極上電沉積一層TiOx抑制了水的逆反應(yīng)，降低了開(kāi)啟電勢(shì)，提高了光電流。Liang等[50]在FTO上首先沉積了一層SnO2空穴反射層，將空穴與集流體間隔絕，降低了界面處的電子-空穴復(fù)合，提高了性能。Hisatomi等[51]引入了Nb2O5底層，抑制了電子的逆注入反應(yīng)，提高了超薄α-Fe2O3光電極的性能。

圖5 (a)W∶BiVO4/FTO以及a-TiO2/W∶BiVO4/FTO薄膜的光電流曲線,(b)a-TiO2/W∶BiVO4/FTO薄膜的截面圖[49]Fig.5 (a) Current-potential characteristics of the bare W∶BiVO4/FTO (blue) and a-TiO2/W∶BiVO4/FTO (red) films,(b) cross-section of a-TiO2/W∶BiVO4/FTO film[49]

3 結(jié) 語(yǔ)

光電化學(xué)分解水制氫技術(shù)發(fā)展到今天，由于缺乏高效穩(wěn)定的光電極，進(jìn)入了瓶頸期。在現(xiàn)有的材料體系中，可以通過(guò)對(duì)材料的微納結(jié)構(gòu)和能帶結(jié)構(gòu)進(jìn)行調(diào)控、優(yōu)化制備工藝、結(jié)的構(gòu)建以及器件的合理設(shè)計(jì)等策略，提高光電極的太陽(yáng)能-氫能轉(zhuǎn)換效率。對(duì)于目前光電化學(xué)分解水制氫技術(shù)所遇到問(wèn)題，合適的光電極材料仍然是根本解決方案。需要從新材料的探索、現(xiàn)有材料的優(yōu)化、大規(guī)模制備光電極薄膜的工藝實(shí)現(xiàn)以及實(shí)際器件的構(gòu)建等方面進(jìn)行突破，才有可能將光電化學(xué)分解水制氫技術(shù)推向?qū)嶋H應(yīng)用。

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(編輯 吳 琛)

專(zhuān)欄特約編輯鄒志剛

鄒志剛：男，1955年生，南京大學(xué)教授，中國(guó)科學(xué)院院士，東京大學(xué)理學(xué)博士。教育部"長(zhǎng)江學(xué)者獎(jiǎng)勵(lì)計(jì)劃"特聘教授，國(guó)家重點(diǎn)基礎(chǔ)研究發(fā)展計(jì)劃"973”項(xiàng)目首席科學(xué)家，教育部創(chuàng)新團(tuán)隊(duì)帶頭人。長(zhǎng)期從事能源與環(huán)境材料方面的研究，在Nature,PRL,AngewChem,JACS等期刊上發(fā)表論文450多篇，H指數(shù)67；已獲授權(quán)發(fā)明專(zhuān)利30余項(xiàng)。承擔(dān)國(guó)家重大基礎(chǔ)研究計(jì)劃“973”項(xiàng)目、國(guó)家高技術(shù)研究發(fā)展計(jì)劃“863”項(xiàng)目、國(guó)家自然科學(xué)基金重點(diǎn)項(xiàng)目、國(guó)家自然科學(xué)基金中日合作項(xiàng)目、科技部國(guó)際合作重大項(xiàng)目、教育部科學(xué)技術(shù)研究重大項(xiàng)目及江蘇省高技術(shù)項(xiàng)目等多項(xiàng)科研項(xiàng)目。獲國(guó)家自然科學(xué)二等獎(jiǎng)和江蘇省科學(xué)技術(shù)一等獎(jiǎng)各1項(xiàng)。

葉金花：女，1963年生，教授，博士生導(dǎo)師，天津大學(xué)-日本國(guó)家物質(zhì)材料研究機(jī)構(gòu)聯(lián)合研究中心主任，日本國(guó)家物質(zhì)材料研究機(jī)構(gòu)MANA中心首席研究員。2005年教育部“長(zhǎng)江學(xué)者獎(jiǎng)勵(lì)計(jì)劃”講座教授，2006年海外杰出青年基金獲得者，2010年國(guó)家“千人計(jì)劃”特聘專(zhuān)家。主要從事新型高效半導(dǎo)體光催化材料的開(kāi)發(fā)以及在太陽(yáng)能轉(zhuǎn)換和環(huán)境凈化方面應(yīng)用的研究，申請(qǐng)專(zhuān)利20余項(xiàng)(已在日本獲授權(quán)9項(xiàng)，中國(guó)獲授權(quán)3項(xiàng))，在Nature,PhyRevLett,JAmChemSoc等雜志上發(fā)表論文400余篇，他引14000余次，單篇論文引用最高超過(guò)1800次，H因子58。目前是國(guó)家重點(diǎn)基礎(chǔ)研究計(jì)劃項(xiàng)目(“973”計(jì)劃)“基于半導(dǎo)體人工光合成的二氧化碳能源化研究”的首席科學(xué)家。

特約撰稿人葉金花

黃柏標(biāo)：男，1962年生，山東大學(xué)泰山學(xué)者特聘教授、博士生導(dǎo)師。多年來(lái)一直從事化合物半導(dǎo)體材料與器件、半導(dǎo)體光催化材料和介電材料、納米材料與薄膜材料和能源與環(huán)境材料等方面的研究工作。在AngewChemIntEd,JAmChemSoc,ChemCommun等國(guó)內(nèi)外期刊發(fā)表論文360余篇。其中18篇論文被ESI選為高引用論文，總引用次數(shù)達(dá)到11500次，H因子55，入選Elsevier2014及2015年度中國(guó)高被引學(xué)者榜單(Most Cited Chinese Researcher)，進(jìn)入英國(guó)皇家化學(xué)會(huì)“Top 1%高引用中國(guó)作者”榜單。獲得山東省科技進(jìn)步一等獎(jiǎng)、山東省科技進(jìn)步二等獎(jiǎng)、教育部自然科學(xué)二等獎(jiǎng)，山東省自然科學(xué)二等獎(jiǎng)、華光科技獎(jiǎng)等多項(xiàng)獎(jiǎng)勵(lì)。享受?chē)?guó)家政府津貼，獲得全國(guó)百篇優(yōu)秀博士論文指導(dǎo)教師、山東省優(yōu)秀研究生指導(dǎo)教師等榮譽(yù)。

特約撰稿人黃柏標(biāo)

余家國(guó)：男，1963年生，武漢理工大學(xué)首席教授、博士生導(dǎo)師、國(guó)家杰出青年基金獲得者、新世紀(jì)百千萬(wàn)人才工程國(guó)家級(jí)人選，湖北省楚天學(xué)者計(jì)劃特聘教授。2015年全國(guó)先進(jìn)工作者。在ChemSocRev,AngewChemIntEd,Nano

特約撰稿人余家國(guó)

Lett等期刊上發(fā)表學(xué)術(shù)論文300余篇。其中56篇論文被ISI評(píng)為近10年高引頻論文。獲得國(guó)家發(fā)明專(zhuān)利20項(xiàng)，國(guó)家自然科學(xué)二等獎(jiǎng)1項(xiàng)、省級(jí)自然科學(xué)一等獎(jiǎng)2項(xiàng)、部級(jí)發(fā)明二等獎(jiǎng)2項(xiàng)、省級(jí)科技進(jìn)步二等獎(jiǎng)1項(xiàng)、省級(jí)成果推廣二等獎(jiǎng)1項(xiàng)。

王心晨：男，1975年生，福州大學(xué)化學(xué)學(xué)院教授，博士生導(dǎo)師，英國(guó)皇家化學(xué)會(huì)會(huì)士(FRSC)，曾任德國(guó)馬普膠體與界面研究所膠體化學(xué)系課題組長(zhǎng)。主要研究領(lǐng)域涉及材料、化學(xué)、催化、環(huán)境等，在Nature Materials, Angew Chem Int Ed, Adv Mater等期刊上發(fā)表論文160余篇，他引13000余次，H因子64。在國(guó)際學(xué)術(shù)會(huì)議作大會(huì)報(bào)道、特邀報(bào)告30余次。入選國(guó)家“青年千人”計(jì)劃、科技部“創(chuàng)新人才推進(jìn)計(jì)劃”、國(guó)家“萬(wàn)人計(jì)劃”領(lǐng)軍人才計(jì)劃和國(guó)家百千萬(wàn)人才工程等，并于2014年獲得國(guó)家杰出青年科學(xué)基金，是科技部光催化重點(diǎn)領(lǐng)域創(chuàng)新團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)人。目前主持國(guó)家“973”計(jì)劃項(xiàng)目課題和國(guó)家自然科學(xué)基金等項(xiàng)目；獲得福建省科技獎(jiǎng)自然科學(xué)類(lèi)一等獎(jiǎng)。

特約撰稿人王心晨

特約撰稿人李朝升

李朝升：男，1975年生，南京大學(xué)現(xiàn)代工程與應(yīng)用科學(xué)學(xué)院教授，博士生導(dǎo)師。主要從事能源材料和環(huán)境材料方面的研究工作。主持完成國(guó)家和省部級(jí)科研項(xiàng)目7項(xiàng)。發(fā)表論文160余篇(其中第一作者或通訊作者80余篇)，論文他引6000余次，H因子37。獲得國(guó)家自然科學(xué)二等獎(jiǎng)(第二完成人)和江蘇省科學(xué)技術(shù)一等獎(jiǎng)(第二完成人)各1項(xiàng)。申請(qǐng)國(guó)家發(fā)明專(zhuān)利共12項(xiàng)，其中獲得授權(quán)國(guó)家發(fā)明專(zhuān)利5項(xiàng)。

Development of Approaches to Improve the Charge Transfer of Photoelectrodes for Solar Water Splitting

HUANG Huiting, LI Zhaosheng, ZOU Zhigang

(College of Engineering and Applied Sciences, Nanjing University, Nanjing 210093, China)

The sustainable development of society will depend on the hydrogen economic which is based on the conversion of solar energy. Photoelectrochemical water splitting has become one of the most promising solar-to-hydrogen conversion techniques. After near five-decade research, this technique has been in a dilemma that mainly results from the lack of highly efficient and stable photoelectrodes. In recent years, the stability of photoelectrodes under operation seems to be resolved by the introduction of robust TiOxprotective layer, which means that ways to enhance the solar-to-hydrogen efficiency of photoelectrodes should be developed preferentially towards the realization of solar water splitting. Improvement of the charge transfer of the photoelectrodes would lead to enhancement of the solar-to-hydrogen efficiency. Here, several main strategies for the optimization of charge transfer have been summarized. It is by the fabrication of micro/nano structure to facilitate charge diffuse and drift, the introduction of dopants to increase the conductivity, the optimization of synthesis procedures to minimize the charge recombination defects, the construction of semiconductor junctions and the best choice of suitable substrates for the majority charge transport or deposition of under layers that the photoelectrochemical performance of the given photoelectrode would be boosted.

photoelectrodes; solar energy; water splitting; solar-to-hydrogen efficiency; charge transfer

2016-10-09

國(guó)家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(21473090); 科技部“973”計(jì)劃項(xiàng)目(2013CB632404)

黃輝庭，男，1990年生，碩士研究生

李朝升，男，1975年生，教授，博士生導(dǎo)師 Email:zsli@nju.edu.cn

10.7502/j.issn.1674-3962.2017.01.05

0643.36

A

1674-3962(2017)01-0033-06

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