碳化硅

00）1 引言碳化硅是一種典型的共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)化合物，四面體結(jié)構(gòu)，具有極強(qiáng)的共價(jià)鍵，在自然界存在很少，絕大多數(shù)為人工合成。自發(fā)現(xiàn)以來，因其具有耐磨削、耐高溫、耐腐蝕、高熱導(dǎo)率、高化學(xué)穩(wěn)定性、寬帶隙以及高電子遷移率等諸多優(yōu)異性能［1-2］，被廣泛用于磨料磨具、冶金原料、耐火材料和功能陶瓷四大領(lǐng)域［3］。隨著技術(shù)發(fā)展，碳化硅在航空航天、電催化、電子器件（特別是芯片、半導(dǎo)體、光伏組件、新能源汽車組件）、納米材料等［4-9］高端領(lǐng)域的應(yīng)用潛力被發(fā)掘，并發(fā)揮日益重要的作

三代半導(dǎo)體材料碳化硅，時(shí)隔4年，當(dāng)全產(chǎn)業(yè)鏈都在期盼碳化硅落地時(shí)，特斯拉卻拋出“計(jì)劃減少75%碳化硅晶體管用量”的“天雷”……特斯拉虛晃一槍“我們下一代平臺將減少75%的碳化硅?！笨偸兄党?000億美元的特斯拉，日前在投資者活動(dòng)日上的只字片語讓整個(gè)汽車和科技圈驚出一身冷汗。2018年，特斯拉率先在Model3上應(yīng)用碳化硅，被視為碳化硅上車的風(fēng)向標(biāo)。據(jù)“GaN世界”的報(bào)道，按照這個(gè)估算若循序漸進(jìn)采用碳化硅后，平均2輛Tesla的純電動(dòng)車就需要一片6英寸碳化硅晶

都減少75%的碳化硅芯片使用量。隨后，美股、A股的碳化硅概念股齊齊崩盤，全球碳化硅龍頭Wolfspeed當(dāng)日下跌7%，至今已經(jīng)腰斬。馬斯克一句話帶崩一個(gè)產(chǎn)業(yè)并不罕見，但碳化硅是個(gè)例外：這個(gè)原本不太起眼的產(chǎn)業(yè)，恰恰是馬斯克一手帶火的。2018年，馬斯克首次宣布在特斯拉Model3里使用碳化硅芯片。緊接著，比亞迪、小鵬、吉利紛紛效仿，在新款電車?yán)飺Q上了碳化硅芯片。自此之后，凡是使用碳化硅芯片的車型，全都被打上了“高端”“豪華”的標(biāo)簽，價(jià)格也一路上漲到30萬元以

結(jié)碳硅及重結(jié)晶碳化硅具有優(yōu)良的高低溫機(jī)械強(qiáng)度，耐磨性、抗熱震性好，導(dǎo)熱系數(shù)高，而腐蝕抗氧化等特點(diǎn)非常適合窯具材料選用。1 電瓷窯具的發(fā)展及材料選用窯具的發(fā)展是跟隨燃料的使用而有所不同，在陶瓷生產(chǎn)的初期由于使用煤碳、臟煤氣、重油，這樣燃料對產(chǎn)品污染較大，為了保證產(chǎn)品不受污染，窯具一般做成一個(gè)缽子（俗稱：匣缽），因此陶瓷生產(chǎn)初期主要采用黏土窯具、黏土礬土窯具。窯具的重量是產(chǎn)品重量的幾倍，也就是燒1千克的瓷要好幾千克的窯具。當(dāng)時(shí)能耗大致為每千克瓷耗能418×10

使用的黏土結(jié)合碳化硅磚的服役壽命為20個(gè)月左右。氮化硅結(jié)合碳化硅具有高熱導(dǎo)率、耐腐蝕、耐沖刷等優(yōu)點(diǎn)［7-11］。文獻(xiàn)［12］報(bào)道，氮化硅結(jié)合碳化硅材料的抗鋅蒸氣侵蝕性優(yōu)于黏土結(jié)合碳化硅的。自2019年12月以來，東嶺鋅業(yè)在7座豎罐煉鋅爐中陸續(xù)使用了本單位生產(chǎn)的氮化硅結(jié)合碳化硅磚。在本文中，介紹了氮化硅結(jié)合碳化硅磚在服役過程中面臨的問題、采取的措施以及取得的效果，以及二者服役20個(gè)月后的損毀情況對比。1 氮化硅結(jié)合碳化硅磚服役情況介紹截至2021年3月，使用

3001）引言碳化硅具有耐腐蝕、耐高溫、強(qiáng)度大、導(dǎo)熱性好良好和抗沖擊等特性。碳化硅主要有四大應(yīng)用領(lǐng)域，即：功能陶瓷、高級耐火材料、磨料及冶金原料[1]。碳化硅不僅可以增強(qiáng)水泥基復(fù)合材料的力學(xué)性能，還可以利用碳化硅特性定向增強(qiáng)水泥基材料輻射防護(hù)能力[2]。但由于碳化硅化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定，不參與水泥水化反應(yīng)，碳化硅水泥基復(fù)合材料相關(guān)的報(bào)道并不多。1 實(shí)驗(yàn)部分1.1 實(shí)驗(yàn)材料首先考慮碳化硅顆粒級配問題，既要滿足水泥骨料級配要求來保證試樣強(qiáng)度，又要有足夠的比表面積，使顆

在美國紐約州的碳化硅芯片制造工廠正式開業(yè)。在開業(yè)儀式上，Wolfspeed 公司表示，該公司開設(shè)了美國首家生產(chǎn)200 mm碳化硅芯片的工廠。碳化硅是傳統(tǒng)硅的替代品，具有較高的能量轉(zhuǎn)化效率，多被應(yīng)用于電動(dòng)汽車領(lǐng)域。在工廠開業(yè)前，Wolfspeed 公司宣布與豪華電動(dòng)汽車制造商Lucid Motors建立合作關(guān)系，并與通用汽車和1 家中國汽車制造商達(dá)成了碳化硅芯片的供應(yīng)協(xié)議。Lucid Motors 首席工程師Eric BACH 表示，“隨著全球交通運(yùn)輸向電氣

作為傳統(tǒng)磨料的碳化硅，由于其硬度高、粒度小且粒徑分布集中等性質(zhì)成為硅片切割中的主要切削介質(zhì)。為了保證切割過程的穩(wěn)定需要加入大量的切割砂漿，其主要成分就是碳化硅。由于切割時(shí)外力的作用使碳化硅砂漿最終不能符合切割要求而成為廢料，該廢料中含有大量的碳化硅，導(dǎo)致原料的大量浪費(fèi)[1]。同時(shí)，我國的工廠拆遷及工程改造也產(chǎn)生了大量的碳化硅廢料，這些廢料的隨意堆放浪費(fèi)了大量的土地資源，污染了環(huán)境。針對這一弊端，如果將其回收之后再應(yīng)用于工程實(shí)踐中，不僅可以防止資源浪費(fèi)，而且

制出山西省首片碳化硅芯片。 據(jù)了解，作為新一代雷達(dá)、衛(wèi)星通訊、高壓輸變電、軌道交通、電動(dòng)汽車、通訊基站等重要領(lǐng)域的核心材料，碳化硅在航天、軍工、核能等極端環(huán)境應(yīng)用領(lǐng)域有著不可替代的優(yōu)勢。因碳化硅具備高禁帶寬度、高熱導(dǎo)率、高擊穿場強(qiáng)、高電子飽和漂移速率等優(yōu)點(diǎn)，更適合開發(fā)具有耐高溫、高功率、高壓、高頻以及抗輻射等優(yōu)勢的功率半導(dǎo)體器件，可有效突破傳統(tǒng)硅基材料的物理極限，已成為我國重點(diǎn)發(fā)展的戰(zhàn)略性先進(jìn)半導(dǎo)體。 事實(shí)上，碳化硅單晶的制備一直是全球性難題，而高穩(wěn)定性

710038）碳化硅纖維具有抗氧化、耐化學(xué)腐蝕、耐高溫、高比強(qiáng)度、高比模量等優(yōu)異性能，一直被作為軍事敏感材料［1］。同時(shí)碳化硅纖維作為一種新興領(lǐng)域的特殊結(jié)構(gòu)增強(qiáng)材料，廣泛用于高精尖技術(shù)領(lǐng)域，如航空航天、火箭發(fā)動(dòng)機(jī)、核聚變爐等［2］。在高性能纖維復(fù)合材料領(lǐng)域，以陶瓷為基體，以碳化硅纖維為增強(qiáng)體復(fù)合而成的一類陶瓷基復(fù)合材料，具有低密度、高強(qiáng)高模、耐高溫、抗氧化、抗蠕變、抗熱沖擊、耐腐蝕、材料熱膨脹系數(shù)小等性能優(yōu)點(diǎn)，在航空發(fā)動(dòng)機(jī)上具有巨大的應(yīng)用潛力［3‐4］。碳

解決這個(gè)問題.碳化硅作為第三代半導(dǎo)體核心材料之一，它具有寬帶隙、高載流子遷移率和高擊穿場強(qiáng)、高熱導(dǎo)率、化學(xué)性能穩(wěn)定等優(yōu)點(diǎn)，因此常適于制作高溫、高頻、抗輻射、大功率和高密度集成的電子器件[4].目前，國內(nèi)外研究者已開發(fā)出多種制備碳化硅納米管(Silicon Carbide nanotube，SiCNT)的方法，Sun等人采用碳納米管為模板，與Si粉末在1250℃反應(yīng)40 min制備出了層間距約0.35～0.45 nm的多壁碳化硅納米管[5].2006年，湖南

190）引 言碳化硅具有硬度大、熱導(dǎo)率高、熱膨脹系數(shù)小、耐腐蝕等的特點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用在環(huán)保、冶金、化工及航空航天等領(lǐng)域[1-5]，其制備廣受人們關(guān)注。目前制備碳化硅的方法主要有碳熱還原法、化學(xué)氣相沉積法、溶膠-凝膠法和電弧放電法等[6-11]。其中碳熱還原法合成碳化硅因設(shè)備簡單、操作容易、生產(chǎn)成本低等優(yōu)點(diǎn)而被廣泛采用[12]，也是目前工業(yè)合成碳化物的首選方法[13-17]。碳源的選擇是制備碳化硅的關(guān)鍵條件之一，對碳化硅產(chǎn)品的形態(tài)、性質(zhì)和生產(chǎn)成本等有著重要影響

揭示了一種含硼碳化硅纖維及其制備方法。所述含硼碳化硅纖維的制備方法包括如下步驟：以有機(jī)硅聚合物為原料，依次經(jīng)過紡絲、不熔化和熱解處理制得熱解纖維；在超聲波作用下，以含硼化合物溶液對熱解纖維進(jìn)行改性處理，之后烘干，獲得改性纖維；對改性纖維進(jìn)行燒成處理，制得含硼碳化硅纖維。本發(fā)明提供的含硼碳化硅纖維及其制備方法，具有簡單高效、綠色環(huán)保的優(yōu)點(diǎn)，可顯著提高碳化硅纖維的力學(xué)性能并賦予碳化硅纖維一些特殊功能。專利申請?zhí)枺?020113838262專利公布號：CN112

科技有限公司）碳化硅（SiC）陶瓷材料具有高溫強(qiáng)度大、高溫抗氧化性強(qiáng)、耐磨損性能好、熱穩(wěn)定性佳、熱膨脹系數(shù)小、熱導(dǎo)率大、硬度高、抗熱震和耐化學(xué)腐蝕等優(yōu)良特性，在汽車、機(jī)械化工、環(huán)境保護(hù)、空間技術(shù)、信息電子、光伏能源等領(lǐng)域應(yīng)用日益廣泛，已經(jīng)成為一種在很多工業(yè)領(lǐng)域中都不可替代的結(jié)構(gòu)陶瓷材料及功能材料［1-7］。寧夏地處中國西北腹地，作為資源型地區(qū)有著可觀的煤炭儲量，其中所產(chǎn)太西煤具有低煙低灰、高熱值、高化學(xué)活性等優(yōu)異性能，是冶煉生產(chǎn)碳化硅的絕佳原材料?；谶@些

714000)碳化硅俗稱金剛砂，是由美國人艾奇遜在1891年電熔金剛石實(shí)驗(yàn)時(shí)，在實(shí)驗(yàn)室偶然發(fā)現(xiàn)的一種碳化物。1893年艾奇遜研究出來了工業(yè)冶煉碳化硅合成方法[1-2]。碳化硅因?yàn)槠涑叩奈锢砗突瘜W(xué)穩(wěn)定廣泛地應(yīng)用于于航空、冶金、化工等諸多領(lǐng)域，近些年來研究表明在混凝土中加入碳化硅可增強(qiáng)混凝土的耐腐蝕和耐磨損性能，因此在建筑行業(yè)也被廣泛應(yīng)用[3-4]。雖然經(jīng)過近百年的發(fā)展，碳化硅合成方法被極大的得到豐富，但在成本、產(chǎn)率因素的綜合考慮下，以高溫電加熱直接合成的技

張心怡碳化硅作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，憑借更高的轉(zhuǎn)換效率、運(yùn)行高壓及開關(guān)頻率，頗受功率器件青睞。據(jù)市場研究機(jī)構(gòu)Yole預(yù)測，碳化硅半導(dǎo)體市場規(guī)模將在2024年達(dá)到20億美元。當(dāng)前，我國正在推進(jìn)5G、數(shù)據(jù)中心、新能源汽車等多個(gè)領(lǐng)域的“新基建”，為碳化硅提供了廣闊的市場前景?！靶禄ā睅硇率袌雠c硅材料相比，碳化硅能達(dá)到更高的運(yùn)行電壓、更高的功率密度和更大的開關(guān)頻率，使器件實(shí)現(xiàn)更高的轉(zhuǎn)換效率和更好的散熱性能。賽迪智庫集成電路研究所副所長朱邵歆向記者表示，

有吸收雷達(dá)波的碳化硅/碳纖維增強(qiáng)復(fù)合材料及其制備方法。本發(fā)明將聚碳硅烷溶于二甲苯進(jìn)行紡絲，經(jīng)過水洗、上油、烘干制得絲線；氮?dú)夥諊聦⒔z線高溫?zé)Y(jié)，制得碳化硅陶瓷纖維；然后，以稻草秸稈為原料，提取其中的纖維素纖維，將纖維素纖維預(yù)氧化、預(yù)碳化、碳化等工藝處理制得碳纖維；將碳化硅纖維和碳纖維復(fù)合制得碳化硅/碳纖維復(fù)合纖維氈；最后，將聚苯硫醚顆粒與碳化硅/碳纖維復(fù)合纖維氈通過熱壓機(jī)混合制得具有吸收雷達(dá)波的碳化硅/碳纖維增強(qiáng)復(fù)合材料。本發(fā)明制備的碳化硅/碳纖維增強(qiáng)復(fù)

B2-ZrC的碳化硅纖維增強(qiáng)碳化硅復(fù)合材料制備方法。本發(fā)明將B4C粉體混入制備碳化硅纖維增強(qiáng)碳化硅陶瓷基復(fù)合材料的基體料漿中，與碳化硅纖維制備成預(yù)浸料后，先后經(jīng)歷熱壓、炭化得到SiC纖維/C-B4C多孔體，然后在高溫下將Si-ZrSi2合金熔融滲入多孔體，通過ZrSi2與C、B4C反應(yīng)，原位生成ZrB2及ZrC，從而得到ZrB2-ZrC改性的碳化硅纖維增強(qiáng)碳化硅陶瓷基復(fù)合材料。用該方法制得的改性復(fù)合材料致密，在保持原有力學(xué)性能不下降的前提下，能夠有效提高材

261061）碳化硅作為一種人工合成材料，其熔點(diǎn)高，在2 700 ℃左右。根據(jù)純度不同而呈現(xiàn)不同的外觀顏色。碳化硅有著廣泛的用途，其中高純度的綠色碳化硅可以作為磨料使用；部分碳化硅作為耐火材料和耐腐蝕材料使用；冶金級黑色碳化硅越來越多的應(yīng)用于各種鑄鐵的熔煉當(dāng)中，能夠作為促進(jìn)異質(zhì)形核的核心長時(shí)間存在，改善鑄鐵的可孕育性能。1 生產(chǎn)條件筆者所在單位使用中頻感應(yīng)電爐熔化鐵水，全功率熔化時(shí)長約為0.9 h～1.3 h，爐料中以碳素廢鋼為主，約占總重量的60%～70

024鋁合金和碳化硅顆粒的物理力學(xué)性能參數(shù)如表2所示。表1 2024鋁合金模型參數(shù)表2 2024鋁合金和碳化硅顆粒物理力學(xué)性能參數(shù)1.1.2 切屑分離準(zhǔn)則材料的分離成屑是在微觀力學(xué)尺度上發(fā)生的極其復(fù)雜的物理化學(xué)過程。切屑分離準(zhǔn)則是仿真過程中判定切屑與工件材料分離的依據(jù)。本文選用Johnson-Cook斷裂準(zhǔn)則作為切屑分離準(zhǔn)則。根據(jù)該準(zhǔn)則，單元的損傷參數(shù)為1時(shí)，單元失效斷裂，其可定義為[5](1)其中，Δε為每個(gè)積分周期，等效塑性應(yīng)變的增量；εf為斷裂時(shí)的等

1199）對于碳化硅來說，它具有著很好的化學(xué)穩(wěn)定性和耐火性能，因?yàn)檫@些性能所以如今被廣泛的應(yīng)用于耐火材料之中。但是現(xiàn)階段我們國家并沒有一個(gè)相對完成的化學(xué)分析方法來分析不同含量的碳化硅耐火材料，所以相關(guān)人士還需要對這方面的工作去不斷的進(jìn)行試驗(yàn)研究。1 碳化硅的分類及制品生產(chǎn)和具體應(yīng)用1.1 碳化硅的分類對于工業(yè)上使用的碳化硅來說，一般都會(huì)有百分之二左右的雜質(zhì)，這其中主要有鋁和鈣以及二氧化硅還有鎂及碳等。在對碳化硅進(jìn)行分類的時(shí)候，如果根據(jù)它的主要用途以及色澤來

/年高比表面積碳化硅的連續(xù)化生產(chǎn)技術(shù)”項(xiàng)目進(jìn)行了驗(yàn)收。驗(yàn)收專家組肯定了項(xiàng)目取得的進(jìn)展與成果，同意該項(xiàng)目通過驗(yàn)收，并建議進(jìn)一步加快產(chǎn)品的市場推廣與應(yīng)用。碳化硅（SiC）又名金剛砂，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。碳化硅由于化學(xué)性能穩(wěn)定、導(dǎo)熱系數(shù)高、熱膨脹系數(shù)小、耐磨性能好，除作磨料用外，還有很多其他用途。高比表面積碳化硅就是一種先進(jìn)的結(jié)構(gòu)和功能材料，可用作耐

/年高比表面積碳化硅的連續(xù)化生產(chǎn)技術(shù)”項(xiàng)目通過了驗(yàn)收。驗(yàn)收會(huì)由山西省科技廳重大專項(xiàng)辦主持，驗(yàn)收專家組肯定了項(xiàng)目取得的進(jìn)展與成果，同意該項(xiàng)目通過驗(yàn)收，并建議進(jìn)一步加快產(chǎn)品的市場推廣與應(yīng)用。高比表面積碳化硅是一種先進(jìn)的結(jié)構(gòu)和功能材料，可用作耐高溫吸波材料、高溫催化與光電催化材料及復(fù)合材料增強(qiáng)劑，在國防等高科技領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用價(jià)值。該項(xiàng)目采用自主研發(fā)的溶膠凝膠結(jié)合碳熱還原方法制備高比表面積碳化硅，實(shí)現(xiàn)了高比表面積碳化硅的連續(xù)化生產(chǎn)，產(chǎn)品指標(biāo)處于國際領(lǐng)先水平，填

吸波性能良好的碳化硅材料作為涂層涂于軍事武器表面，減弱目標(biāo)向外散發(fā)的雷達(dá)特征與紅外線等，使得敵軍無法檢測到目標(biāo)，從而在戰(zhàn)爭中占據(jù)優(yōu)勢[1-2]。在海灣戰(zhàn)爭和科索沃戰(zhàn)爭，人們都可以看到有關(guān)“隱身材料”的應(yīng)用經(jīng)驗(yàn)。因此，吸波材料作為“隱身”技術(shù)的應(yīng)用越來越重要，為增強(qiáng)我國軍事實(shí)力，建設(shè)國防事業(yè)，必須對吸波材料進(jìn)行深入研究與應(yīng)用。較為常見的吸波材料為碳化硅，可以用于一些電子設(shè)備、屏蔽設(shè)備等，尤其在信息化戰(zhàn)爭中，可以減弱目標(biāo)的光電特征、紅外信號等[3]。碳化硅作為

力半導(dǎo)體器件。碳化硅MOSFET具有高耐壓、極快的開關(guān)速度、低的導(dǎo)通電壓。1 200 V/24 A的碳化硅MOSFET（CREE公司的CMF10120D）的主要參數(shù)為：導(dǎo)通電阻249 mΩ（結(jié)溫135℃）、柵極電荷0.047 1 μC、米勒電荷21.5 nC；最先進(jìn)的硅MOSFET（IXYS公司的IXFL32N120 P）的主要參數(shù)為：導(dǎo)通電阻820 mΩ（結(jié)溫135℃）、柵極電荷0.36 μC、米勒電荷160 nC。應(yīng)用常規(guī)技術(shù)的相同電壓和電流的高壓MO

力學(xué)的石墨烯/碳化硅復(fù)合材料力學(xué)性能研究*湛家銘 姚小虎?李旺輝(華南理工大學(xué) 土木與交通學(xué)院， 廣東 廣州 510640)為揭示復(fù)合材料在拉伸過程中的破壞機(jī)理，對石墨烯/碳化硅復(fù)合材料的拉伸力學(xué)性能進(jìn)行了分子動(dòng)力學(xué)模擬.研究結(jié)果表明:石墨烯與碳化硅接觸的界面結(jié)構(gòu)會(huì)影響復(fù)合材料的整體力學(xué)性能;相較于純碳化硅，石墨烯/碳化硅復(fù)合材料在拉伸時(shí)，損傷更容易在界面處成核并生長;當(dāng)石墨烯與碳化硅通過不同界面接觸時(shí)，石墨烯與基底之間的不同相互作用使復(fù)合材料有不同的力學(xué)

35 t轉(zhuǎn)爐用碳化硅脫氧合金化試驗(yàn)龍 雨,胡友紅,謝 祥,楊昌濤,高長益(首鋼水城鋼鐵(集團(tuán))有限責(zé)任公司,貴州六盤水 553028)在35 t轉(zhuǎn)爐煉鋼脫氧合金化過程中采用碳化硅代替部分硅鐵及增碳劑對鋼水進(jìn)行脫氧合金化,從熱力學(xué)角度分析了碳化硅在脫氧合金化過程中的反應(yīng)機(jī)理。探討了用碳化硅作脫氧劑對碳和硅的收得率、鋼種命中率、方坯質(zhì)量和鋼筋的力學(xué)性能的影響,設(shè)計(jì)了試驗(yàn)方案,確定了碳化硅在煉鋼脫氧合金化過程中的使用可行性。轉(zhuǎn)爐煉鋼;脫氧合金化;碳化硅;降成本1

發(fā)明公開了一種碳化硅/碳化硼復(fù)合陶瓷材料的制備方法，該方法所制備的碳化硅/碳化硼復(fù)合陶瓷材料中碳化硼作為增強(qiáng)相，以其高硬度、低密度，增強(qiáng)碳化硅/碳化硼復(fù)合材料的強(qiáng)度等力學(xué)性能，故制得的碳化硅/碳化硼復(fù)合陶瓷材料，密度較低，燒結(jié)溫度低，無形變可制備復(fù)雜性狀樣件等優(yōu)點(diǎn)，彌補(bǔ)了碳化硅和碳化硼陶瓷各自在應(yīng)用中的不足，具有更好的應(yīng)用前景。公布號：CN106478103A

830000）碳化硅晶須與顆粒分散性能研究肖文理（新疆工程學(xué)院，新疆 烏魯木齊 830000）碳化硅晶須在合成時(shí)，一些原因會(huì)導(dǎo)致精度下降。其中一個(gè)主要的原因就是，碳化硅晶顆粒的產(chǎn)生，會(huì)影響晶須的純度。在化學(xué)和物力性質(zhì)上，碳化硅顆粒和碳化硅晶須具有較大的差異，這就使得提純前的分散顯得很重要。本文在研究過程中，以稻殼合成晶須和顆粒為研究對象，深入細(xì)致的考察了不同藥劑體系和不同操作條件，對碳化硅晶須與顆粒體系分散性能的影響。碳化硅晶須；碳化硅顆粒；分散性能；超聲

碳化硅/二硫化鉬復(fù)合陶瓷及其制備方法專利名稱：碳化硅/二硫化鉬復(fù)合陶瓷及其制備方法專利申請?zhí)枺篊N201510652245.7公開號：CN105236981A申請日：2015.10.09公開日：2016.01.13申請人：安徽東迅密封科技有限公司本發(fā)明公開了一種碳化硅/二硫化鉬復(fù)合陶瓷及其制備方法，該碳化硅/二硫化鉬復(fù)合陶瓷含有碳化硅、石墨、二硫化鉬、水溶性樹脂、增塑劑和脫模劑；其中，水溶性樹脂選自聚乙烯醇、聚環(huán)氧乙烷、聚N-乙烯基吡咯烷酮和聚氨基甲酸酯中

10000）用碳化硅作煉鋼脫氧劑的應(yīng)用實(shí)踐與理論探討薛修治（中車沈陽機(jī)車車輛有限公司，遼寧沈陽110000）根據(jù)應(yīng)用碳化硅作煉鋼用擴(kuò)散脫氧劑的實(shí)踐，論述了碳化硅脫氧的機(jī)理、效果和應(yīng)注意的問題。認(rèn)為碳化硅是比較優(yōu)良的脫氧劑，對于提高鋼液質(zhì)量和降低成本具有重要意義。碳化硅；煉鋼；脫氧劑；機(jī)理；應(yīng)用碳化硅是一種人造化合物，是用硅砂及碳素材料在間歇式電阻爐內(nèi)經(jīng)高溫焙燒而成的。由于其硬度和耐火度較高，以往在國內(nèi)主要用于制造砂輪等磨具和特殊的耐火材料。近年來，隨著人們

00)氧化物對碳化硅抗氧化性能的影響叢麗娜(唐山學(xué)院，河北 唐山 063000)摻加氧化鈣、氧化鋁、氧化鋯于碳化硅中，探討各種氧化物在不同加入量、不同溫度時(shí)對碳化硅高溫抗氧化性能的影響。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明：所選氧化物中，氧化鋁提高碳化硅抗氧化性能最好，較合適的加入量為2%。碳化硅;氧化鈣;氧化鋁;氧化鋯;抗氧化性碳化硅材料是一種共價(jià)鍵性極強(qiáng)的化合物，具有強(qiáng)度高、導(dǎo)熱性好、熱膨脹系數(shù)小、熱穩(wěn)定性好等特點(diǎn)，是一種廣泛應(yīng)用的耐高溫材料。但是，由于碳化硅同氧氣可以發(fā)生反

造孔劑制備多孔碳化硅陶瓷王子晨1，郭興忠1，朱 林1，楊 輝1，楊新領(lǐng)2， 鄭 浦2，高黎華2（1. 浙江大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院，浙江 杭州 310027；2. 臺州東新密封有限公司，浙江 臺州 317015）以微米碳化硅粉體為原料、氧化鋁和氧化釔為燒結(jié)助劑、竹炭和硅溶膠為造孔劑，采用無壓燒結(jié)技術(shù)制備碳化硅多孔陶瓷，分析了造孔劑含量對碳化硅多孔陶瓷的燒結(jié)性能、力學(xué)性能、顯微結(jié)構(gòu)的影響。結(jié)果表明：竹炭/硅溶膠為造孔劑時(shí)，多孔碳化硅陶瓷的相對密度隨著造孔劑含量

柴西成，趙新武碳化硅對硅鉬球墨鑄鐵排氣歧管高溫力學(xué)性能的影響任豹子，張翼，柴西成，趙新武【摘要】主要對硅鉬球墨鑄鐵熔煉過程中添加碳化硅調(diào)試試驗(yàn)，優(yōu)化冶金質(zhì)量，達(dá)到提高材質(zhì)高溫力學(xué)性能的目的。1.　概述我公司是以生產(chǎn)排氣歧管為主的鑄造企業(yè)，排氣歧管是內(nèi)燃機(jī)中的重要部件，在高溫下工作又難以強(qiáng)制冷卻，工況條件極為嚴(yán)酷。隨著內(nèi)燃機(jī)不斷改進(jìn)，排氣溫度逐步升高，排氣歧管的材質(zhì)由最初的灰鑄鐵，逐步向球墨鑄鐵、蠕墨鑄鐵、硅鉬蠕墨鑄鐵、硅鉬球墨鑄鐵、高鎳奧氏體球墨鑄鐵、耐熱

動(dòng)汽車應(yīng)用以及碳化硅器件應(yīng)用。展出主要產(chǎn)品包括:第7代IGBT模塊;G系列IPM(智能功率模塊);X系列HVIGBT;J1系列EV T-PM模塊以及對太陽能發(fā)電的三電平逆變器用IGBT模塊。此外，在碳化硅器件應(yīng)用方面展出4款產(chǎn)品，包括用于變頻空調(diào)的混合碳化硅DIPIPMTM、用于伺服驅(qū)動(dòng)器的混合碳化硅IPM、用于新能源發(fā)電的全碳化硅MOSFET模塊、以及用于鐵路牽引的混合碳化硅HVIGBT。三菱電機(jī)將積極致力于基于新材料的開發(fā)和應(yīng)用，努力為電力電子業(yè)界奉獻(xiàn)

公司）1 前言碳化硅是一種人工合成的化合物，分子式為SiC，分子量為40.07，密度為3.20g/cm3。碳化硅是用優(yōu)質(zhì)石英砂和石油焦在電阻爐內(nèi)煉制，其用途廣泛，作為冶金材料可用作脫氧劑。碳化硅是一種新型的強(qiáng)復(fù)合脫氧劑，取代了傳統(tǒng)的硅粉碳粉進(jìn)行脫氧，和原工藝相比，各項(xiàng)理化性能更加穩(wěn)定，脫氧效果好，降低原材料消耗具有成本優(yōu)勢。為此，新疆八鋼第一煉鋼廠在45t 轉(zhuǎn)爐上進(jìn)行了碳化硅代替脫氧劑的試驗(yàn)，以探索采用碳化硅脫氧效果以及對鋼材質(zhì)量及成本的影響。2 碳化硅脫

砂漿中切割刃料碳化硅是其中的主要組成部分，成分占到廢砂漿質(zhì)量的65%～75%，切割刃料碳化硅呈六方晶體形狀，硬度高、切削能力較強(qiáng)、機(jī)械強(qiáng)度高、化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定、導(dǎo)熱性能好[2]。碳化硅的莫氏硬度為9.2，其硬度高于剛玉而僅次于金剛石、立方氮化硼和碳化硼，廣泛應(yīng)用于晶硅片切割領(lǐng)域。經(jīng)過硅片切割后，碳化硅中引入了硅粉以及切割鋼線磨損引入的鐵屑等雜質(zhì)，而切割刃料碳化硅本身在切割過程中并沒有遭到本質(zhì)的損壞，僅僅是經(jīng)過切割磨損，部分碳化硅粉體顆粒的粒度發(fā)生了一定程度的變

70）1 前言碳化硅材料作為高溫結(jié)構(gòu)材料具有優(yōu)異的性能，如高溫力學(xué)性能、抗蠕變性、高熱導(dǎo)率和良好的抗熱震性能[1]，被廣泛的應(yīng)用于航空航天、機(jī)械工業(yè)、電子等多個(gè)領(lǐng)域。但碳化硅材料在高溫領(lǐng)域的應(yīng)用卻面臨著一個(gè)嚴(yán)重的問題，即高溫氧化破壞。防氧化方面，常在碳化硅基體上制備涂層，如氧化鋁涂層、莫來石涂層、二硅化鉬、二硅化鎢、鎂鋁尖晶石以及它們的復(fù)合體系涂層。莫來石作為高熔點(diǎn)氧化物，與碳化硅材料的熱膨脹系數(shù)接近，兩者有很好的相容性。研究表明，莫來石涂層能很好的阻止碳

M.舒爾等編對碳化硅的研究從1907年就開始了，當(dāng)時(shí)H.J.Round通過在一個(gè)金屬針和碳化硅晶體之間加上偏壓示范了黃色與蘭色的輻射光。1932年俄國科學(xué)家Oley Losev發(fā)現(xiàn)了出自碳化硅的兩種類型的光輻射，現(xiàn)在我們稱之為預(yù)擊穿光線和場致發(fā)光輻射。人們在半個(gè)世紀(jì)以前已經(jīng)認(rèn)識到了在半導(dǎo)體電子學(xué)中使用碳化硅的潛力。它最值得注意的性質(zhì)是(1)寬能帶間隔，對于不同的多形體為3至3.3eV；(2)非常大的雪崩擊穿電場2.5~5MV/cm)；(3)強(qiáng)熱傳導(dǎo)(3~4