徐明忠,夏 榮,歐陽本紅,賈曉剛,陳 杰,劉 洋,臧 磊,朱祖華
(1.中國電力科學(xué)研究院有限公司,湖北武漢 430074;2.浙江圖維科技股份有限公司,浙江杭州 310027;3.國網(wǎng)江蘇省電力有限公司,江蘇南京 211106)
近年來,我國城市化進(jìn)程不斷加快,城市電纜化率快速增長。其中電纜接頭是電纜系統(tǒng)中較關(guān)鍵的設(shè)備,電纜接頭由于絕緣安全裕度小、施工質(zhì)量要求高等特點(diǎn),成為電纜線路中最容易發(fā)生故障的地方[1]。絕緣劣化是導(dǎo)致電纜接頭發(fā)生故障的主要原因之一,主要表現(xiàn)為絕緣層不斷發(fā)展的電樹枝[2-3],因此如何預(yù)防和避免電纜及其附件的突發(fā)性故障成為該領(lǐng)域研究人員的重要課題[4-5]。
局部放電是電纜接頭絕緣狀態(tài)劣化的重要表征,同時(shí)也是導(dǎo)致絕緣進(jìn)一步劣化的原因[6]。電纜接頭發(fā)生局部放電時(shí),除了會(huì)發(fā)生電荷的轉(zhuǎn)移和電能的損耗,還會(huì)出現(xiàn)物理、化學(xué)相關(guān)效應(yīng),如產(chǎn)生光、熱、超聲波、電磁輻射以及化學(xué)反應(yīng)等,這些伴隨現(xiàn)象為局部放電的檢測提供了依據(jù)[7-9]。目前電纜接頭局部放電的檢測方法主要分兩大類型:一種是電測法,主要采用兩類傳感器,一是以羅氏線圈測量原理為基礎(chǔ),主要包括電磁耦合法、電感耦合法、方向耦合法[10-15]等;二是以電容耦合原理為基礎(chǔ),主要包括脈沖電流法、差分法、電容耦合法[16-19]。另一種是非電測法,主要包括聲測法、光測法、化學(xué)檢測法、溫度測量法[20-24]等。
本文介紹一種基于差分電容的電纜接頭局放檢測技術(shù),通過多次、多點(diǎn)、多類型試驗(yàn),進(jìn)行大量的數(shù)據(jù)分析比較,驗(yàn)證該方法的安全性和有效性,并在電纜接頭附件及海纜軟接頭局放檢測方面進(jìn)行了有效的應(yīng)用。
電纜連接方式主要分硬接頭(典型的預(yù)制式電纜接頭)和軟接頭2 種。其中硬接頭電場控制采用幾何結(jié)構(gòu)法,接頭與電纜之間為配裝方式,所用的絕緣料為硅橡膠或三元乙丙橡膠制成,與電纜絕緣料是2 種介質(zhì),會(huì)產(chǎn)生界面,絕緣界面往往是電場易變的地方,一但有雜質(zhì)、氣隙等,其絕緣性能會(huì)顯著下降,成為電纜附件絕緣的最薄弱環(huán)節(jié)[25]。硬接頭結(jié)構(gòu)如圖1 所示。
圖1 硬接頭結(jié)構(gòu)示意圖Fig.1 Structural diagram of hard joint
軟接頭主要應(yīng)用于海底電力電纜連接,軟接頭與電纜本體組成部分為相同的材料,恢復(fù)電纜本體的連接后,接頭絕緣與電纜絕緣之間會(huì)形成類似硬接頭上的反應(yīng)力錐形態(tài)。軟接頭結(jié)構(gòu)示意圖如圖2所示。
圖2 軟接頭結(jié)構(gòu)示意圖Fig.2 Structure diagram of soft joint
內(nèi)置差分容式局放檢測技術(shù)主要設(shè)備由局放傳感器、局放主機(jī)、信號采集器及監(jiān)測軟件組成。其中局放傳感器采用差分容式局放傳感器,安裝在電纜接頭的主絕緣半導(dǎo)電層外側(cè),通過電容耦合直接采集局放信號,在不改變絕緣結(jié)構(gòu)和電氣性能前提下,對接頭內(nèi)部局放信號進(jìn)行連續(xù)監(jiān)測。通過局放專家?guī)鞌?shù)據(jù)分析,統(tǒng)計(jì)最大放電量、放電次數(shù)、放電位置等參數(shù),用戶可以隨時(shí)掌握電纜附件內(nèi)部局放量大小和變化趨勢,有效評估電纜運(yùn)行安全性。
內(nèi)置差分電容傳感器采用柔性電路板表層鍍金工藝,具有材質(zhì)柔軟、抗氧化等優(yōu)點(diǎn)。現(xiàn)場安裝時(shí)將傳感器環(huán)包在接頭外半導(dǎo)電層局放高發(fā)區(qū)域,然后恢復(fù)銅屏蔽,整個(gè)傳感器形成一個(gè)圓柱面。該傳感器基于差分電容原理,當(dāng)接頭主絕緣發(fā)生局部放電時(shí),局放信號由高壓側(cè)向地電位屏蔽銅網(wǎng)側(cè)傳遞,容式傳感器精準(zhǔn)捕捉到覆蓋區(qū)域的局放信號,同時(shí)可屏蔽接頭外部干擾。該內(nèi)置容式傳感器安裝如圖3 所示。
圖3 傳感器安裝位置示意圖Fig.3 Diagram of sensor installation position
采用基于Ansoft Maxwell 有限元分析軟件對安裝在主絕緣外半導(dǎo)電層與屏蔽銅網(wǎng)之間的內(nèi)置容式傳感器區(qū)域進(jìn)行場強(qiáng)分析計(jì)算,絕緣部分電氣性能完好,金屬屏蔽處電場分布均勻,內(nèi)置容式傳感器表面電勢幾乎為零,滿足地電位部位電場運(yùn)行要求,場強(qiáng)分布圖如圖4 所示。
圖4 內(nèi)置局放傳感器場強(qiáng)分布圖Fig.4 Field strength distribution diagram of built-in sensor
為驗(yàn)證內(nèi)置差分容式局放檢測技術(shù)的可靠性和有效性,進(jìn)行技術(shù)試驗(yàn)研究。搭建220 kV 交聯(lián)聚乙烯絕緣電力電纜及附件組成的電纜回路,根據(jù)GB/T 18890—2015,IEC 62607:2011 標(biāo)準(zhǔn)要求完成各項(xiàng)試驗(yàn)后,增加了內(nèi)置局放系統(tǒng)有效性比對試驗(yàn)。試驗(yàn)回路如圖5 所示,試驗(yàn)現(xiàn)場如圖6 所示。
圖5 局放試驗(yàn)示意圖Fig.5 Schematic diagram of partial discharge test
圖6 驗(yàn)證試驗(yàn)現(xiàn)場Fig.6 Inspection test site
本次有效性試驗(yàn)?zāi)M以下3 種缺陷:
1)絕緣表面劃傷缺陷:在接頭預(yù)制絕緣件表面應(yīng)力錐正上方扎入8 mm 的鐵釘,鐵釘位置距離絕緣件一端約60 mm。實(shí)驗(yàn)室局放系統(tǒng)與內(nèi)置局放系統(tǒng)分別在50 kV 和70 kV 時(shí)同步檢測局部放電,Qpd為內(nèi)置局放系統(tǒng)的視在放電量,局放圖譜見圖7—圖10。
圖7 實(shí)驗(yàn)室局放系統(tǒng)檢測圖譜(升壓至50.1 kV時(shí))Fig.7 Test Atlas of Laboratory PD system(up to 50.1 kV)
圖8 內(nèi)置局放系統(tǒng)檢測圖譜(升壓至50.1 kV時(shí))Fig.8 Built-in PD system to detect Atlas(up to 50.1 kV)
圖9 實(shí)驗(yàn)室局放系統(tǒng)檢測圖譜(升壓至70.2 kV時(shí))Fig.9 Test Atlas of Laboratory PD system(up to 70.2 kV)
圖10 內(nèi)置局放系統(tǒng)檢測圖譜(升壓至70.2 kV時(shí))Fig.10 Built-in PD system to detect Atlas(up to 70.2 kV)
2)電纜沿面雜質(zhì)缺陷:在接頭預(yù)制絕緣件安裝時(shí),電纜主絕緣未打磨光滑,形成沿面雜質(zhì)缺陷。
實(shí)驗(yàn)室局放系統(tǒng)與內(nèi)置局放系統(tǒng)分別在43 kV和56 kV 時(shí)同步檢測局部放電,局放圖譜見圖11—圖14。
圖11 實(shí)驗(yàn)室局放系統(tǒng)檢測圖譜(升壓至43.4 kV時(shí))Fig.11 Test Atlas of Laboratory PD system(up to 43.4 kV)
圖12 內(nèi)置局放系統(tǒng)檢測圖譜(升壓至43.4 kV時(shí))Fig.12 Built-in PD system to detect Atlas(up to 43.4 kV)
圖13 實(shí)驗(yàn)室局放系統(tǒng)檢測圖譜(升壓至56.2 kV時(shí))Fig.13 Test Atlas of Laboratory PD system(up to 56.2 kV)
圖14 內(nèi)置局放系統(tǒng)檢測圖譜(升壓至56.2 kV時(shí))Fig.14 Built-in PD system to detect Atlas(up to 56.2 kV)
3)接頭內(nèi)部氣泡缺陷:在接頭預(yù)制絕緣件生產(chǎn)時(shí),絕緣件內(nèi)部缺膠產(chǎn)生氣泡,形成內(nèi)部缺陷。實(shí)驗(yàn)室局放系統(tǒng)與內(nèi)置局放系統(tǒng)分別在30 kV 和70 kV時(shí)同步檢測局部放電,局放圖譜見圖15—圖18所示。
圖15 實(shí)驗(yàn)室局放系統(tǒng)檢測圖譜(升壓至30.5 kV時(shí))Fig.15 Test Atlas of Laboratory PD system(up to 30.5 kV)
圖16 內(nèi)置局放系統(tǒng)檢測圖譜(升壓至30.5 kV時(shí))Fig.16 Built-in PD system to detect Atlas(up to 30.5 kV)
圖17 實(shí)驗(yàn)室局放系統(tǒng)檢測圖譜(升壓至70.1 kV時(shí))Fig.17 Test Atlas of Laboratory PD system(up to 70.1 kV)
圖18 內(nèi)置局放系統(tǒng)檢測圖譜(升壓至70.1 kV時(shí))Fig.18 Built-in PD system to detect Atlas(up to 70.1 kV)
通過3 類典型缺陷模擬試驗(yàn),兩套局放系統(tǒng)的起始放電電壓和熄滅放電電壓完全一致、放電相位和放電量值趨勢完全一致,充分證明內(nèi)置差分容式局放檢測技術(shù)的有效性和可靠性。并通過內(nèi)置差分容式局放檢測技術(shù)的差分信號通道確定了局放信號發(fā)生區(qū)域,與模擬缺陷位置相吻合,充分證明內(nèi)置差分容式局放檢測技術(shù)可以對接頭檢測區(qū)域的局放信號進(jìn)行定位。
通過試驗(yàn)檢測驗(yàn)證了內(nèi)置差分容式局放檢測技術(shù)的可靠性和有效性,基于該技術(shù)抗干擾能力強(qiáng)、局放定位和智能分析的特性,隨機(jī)抽取了某制造廠的220 kV 電纜接頭預(yù)制件,分別編號為1 號、2號、3 號,進(jìn)行了局放檢測,以及500 kV 海纜軟接頭出廠局放檢測,檢測線路圖見圖19,檢測方式安全便捷,結(jié)果準(zhǔn)確。
圖19 電纜附件廠局放檢測應(yīng)用Fig.19 Application of partial discharge detection in cable accessory factory
3.1.1 1號預(yù)制絕緣件檢測結(jié)果
預(yù)加電壓至222 kV 10 s 后,電壓降到190 kV,2 套局放系統(tǒng)均未檢測到超過背景噪聲的局放信號,局放比對圖譜如圖20 和圖21 所示。
圖20 1號預(yù)制件實(shí)驗(yàn)室系統(tǒng)局放檢測圖譜Fig.20 Lab system placement detection Atlas for No.1 prefab
圖21 1號預(yù)制件內(nèi)置局放系統(tǒng)檢測圖譜Fig.21 Built-in PD system detection Atlas for No.1 prefab
3.1.2 2號預(yù)制絕緣件檢測結(jié)果
預(yù)加電壓至222 kV 10 s 后,電壓降到190 kV,兩套局放系統(tǒng)均未檢測到超過背景噪聲的局放信號,局放比對圖譜如圖22 和圖23 所示。
圖22 2號預(yù)制件實(shí)驗(yàn)室系統(tǒng)局放檢測圖譜Fig.22 Lab system placement detection Atlas for No.2 prefab
圖23 2號預(yù)制件內(nèi)置局放系統(tǒng)檢測圖譜Fig.23 Built-in PD system detection Atlas for No.2 prefab
3.1.3 3號預(yù)制絕緣件檢測結(jié)果
預(yù)加電壓至98.4 kV 時(shí)出現(xiàn)明顯局放信號,放電特征明顯,初步判斷為接頭內(nèi)部缺陷。局放圖譜如圖24 和圖25 所示。
圖24 3號預(yù)制件實(shí)驗(yàn)室系統(tǒng)局放檢測圖譜Fig.24 Lab system placement detection Atlas for No.3 prefab
圖25 3號預(yù)制件內(nèi)置局放系統(tǒng)檢測圖譜Fig.25 Built-in PD system detection Atlas for No.3 prefab
在本次局放檢測應(yīng)用中,內(nèi)置差分容式局放檢測技術(shù)與實(shí)驗(yàn)室局放系統(tǒng)同時(shí)捕捉到3 號預(yù)制絕緣件局部放電信號,并且量值接近、趨勢一致。通過內(nèi)置差分容式局放檢測技術(shù)的差分信號通道確定了局放信號發(fā)生區(qū)域,試驗(yàn)完成后,對放電區(qū)域進(jìn)行了標(biāo)記,如圖26 所示。經(jīng)解剖分析,發(fā)現(xiàn)其標(biāo)記區(qū)域存在生產(chǎn)質(zhì)量問題,與內(nèi)置差分容式局放檢測技術(shù)局放試驗(yàn)確定的區(qū)域吻合。
圖26 內(nèi)置局放檢測放電位置Fig.26 Discharge position of built-in PD detection
國際首次采用交流500 kV 交聯(lián)聚乙烯絕緣海底電纜的舟山500 kV 聯(lián)網(wǎng)輸變電工程,電纜長約18.5 km,至少有一相電纜將包含1 個(gè)軟接頭,為確保500 kV 海纜質(zhì)量可靠,彌補(bǔ)軟接頭局放試驗(yàn)空白,采用了內(nèi)置差分容式局放檢測技術(shù)對軟接頭進(jìn)行了局放檢測應(yīng)用。
3.2.1 檢測設(shè)備
內(nèi)置差分容式局放檢測設(shè)備清單如表1 所示。
表1 試驗(yàn)設(shè)備清單Table 1 List of test equipment
3.2.2 檢測方法
軟接頭未恢復(fù)鉛護(hù)套之前,在軟接頭外半導(dǎo)電層反應(yīng)力錐區(qū)域包裹4 組容式局放傳感器,然后恢復(fù)銅屏蔽,開始加壓,預(yù)加電壓逐步上升至508 kV(1.75U0),保持10 s,然后緩慢地下降至435 kV(1.5U0),在試驗(yàn)電壓435 kV(1.5U0)下,保持30 min。試驗(yàn)過程全程記錄放電量、放電位置和放電次數(shù)等基本局部放電參數(shù),顯示工頻周期放電圖譜,提供放電趨勢圖,并判斷放電區(qū)域。檢測方法布置示意圖如圖27 所示,500 kV 局放檢測應(yīng)用現(xiàn)場如圖28 所示。
圖27 試驗(yàn)布置示意圖Fig.27 Test layout diagram
圖28 500 kV局放檢測應(yīng)用現(xiàn)場Fig.28 Application of 500 kV partial discharge monitoring
3.2.3 檢測結(jié)果
檢測結(jié)果顯示無局部放電信號,滿足海纜出廠技術(shù)要求。檢測結(jié)果如圖29 所示。
圖29 內(nèi)置局放檢測圖譜Fig.29 Built-in partial discharge detection map
本文提出的內(nèi)置差分容式局放檢測技術(shù)通過試驗(yàn)驗(yàn)證及檢測應(yīng)用,得出以下結(jié)論:
1)基于差分電容的內(nèi)置差分容式局放檢測技術(shù)對電纜接頭安全運(yùn)行無影響,并通過電纜接頭典型缺陷試驗(yàn)驗(yàn)證,驗(yàn)證了該技術(shù)的有效性。
2)內(nèi)置差分容式局放檢測技術(shù)抗干擾能力強(qiáng)、靈敏度高,實(shí)時(shí)顯示放電相位、放電量等關(guān)鍵參數(shù),具有完善的數(shù)據(jù)管理功能,在電纜局放在線監(jiān)測領(lǐng)域有較好的應(yīng)用前景。
3)通過內(nèi)置差分容式局放檢測技術(shù)對海纜軟接頭出廠前進(jìn)行局放檢測應(yīng)用,檢測設(shè)備安裝便捷、數(shù)據(jù)準(zhǔn)確,該技術(shù)填補(bǔ)了大長度海纜軟接頭局放檢測技術(shù)領(lǐng)域的空白。