唐敏,李向紅
(1.西南林業(yè)大學(xué) 西南地區(qū)林業(yè)生物質(zhì)資源高效利用國(guó)家林業(yè)和草原局重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,云南 昆明 650224;2.西南林業(yè)大學(xué) 化學(xué)工程學(xué)院,云南 昆明 650224)
硫酸高鈰[Ce(SO4)2·4 H2O]、HCl(36%~38%)均為分析純;1060鋁板(厚度1.0 mm,抗拉強(qiáng)度135 MPa,各元素質(zhì)量分?jǐn)?shù)(%)為: 0.06 Si,0.215 Fe,0.005 Cu,0.005 Mn,0.048 Mg,0.001 6 Ti,其余為Al)。
HWS-20型恒溫水浴箱(±0.1 ℃);FA1104電子天平(±0.1 mg);PARSTAT 2273電化學(xué)工作站;S4800型掃描電子顯微鏡;SPA-400 SPM unit原子力顯微鏡;Dataphyscis OCA20視頻光學(xué)接觸角測(cè)量?jī)x。
1.2.1 靜態(tài)失重法測(cè)試 用系列砂紙將鋁片(25 mm×20 mm×1.0 mm)打磨至表面平滑,丙酮脫脂后,用電子天平精確稱重,然后將其懸于玻璃鉤上全部浸泡于20 ℃不含和含有一定濃度Ce(SO4)2·4 H2O的1.0 mol/L HCl溶液中,2 h后取出清洗,用無水乙醇擦洗腐蝕產(chǎn)物,冷風(fēng)吹干,再次進(jìn)行稱重,利用在鋁片反應(yīng)的前后質(zhì)量差求緩蝕率(ηw)。
(1)
式中W0——不含緩蝕劑時(shí)鋁片的質(zhì)量損失,g;
W—— 含緩蝕劑時(shí)鋁片的質(zhì)量損失,g。
1.2.2 電化學(xué)法 電化學(xué)測(cè)量在電化學(xué)工作站完成,采用三電極系統(tǒng):參比電極飽和KCl甘汞電極(SCE);輔助電極為鉑電極(面積為1.0 cm×1.0 cm),工作電極為采用環(huán)氧樹脂灌封的自制鋁電極(裸露面積為1.0 cm×1.0 cm)。測(cè)試前工作電極的裸露面依次經(jīng)過系列砂紙打磨和丙酮脫脂后,在開路電位(OCP)下全浸于測(cè)試液中浸泡2 h,充分保證開路電位穩(wěn)定后再進(jìn)行測(cè)試。
1.2.2.1 動(dòng)電位極化曲線測(cè)試 動(dòng)電位極化曲線測(cè)量時(shí),掃描區(qū)間為-250~250 mV(vs.OCP),掃描速率為0.5 mV/s。極化曲線法的緩蝕率(ηp)通過腐蝕電流密度計(jì)算。
(2)
式中icorr(0)——鋁電極在不含緩蝕劑的HCl溶液中的腐蝕電流密度,μA/cm2;
icorr(inh)——鋁電極在含緩蝕劑的HCl溶液中的腐蝕電流密度,μA/cm2。
1.2.2.2 EIS測(cè)試 EIS的測(cè)量范圍為100 kHz~10 mHz,交流激勵(lì)幅值為10 mV。EIS的緩蝕率(ηR)通過極化電阻(Rp)計(jì)算[8]。
(3)
式中Rp(0)——鋁在不含緩蝕劑的1.0 mol/L HCl溶液中的極化電阻,Ω·cm2;
Rp(inh)——鋁在含緩蝕劑的1.0 mol/L HCl溶液中的極化電阻,Ω·cm2。
將鋁片表面處理后,20 ℃恒溫浸泡于添加100 mg/L Ce(SO4)2·4H2O前后的1.0 mol/L HCl溶液中,2 h后取出洗凈、吹干后立即進(jìn)行SEM、AFM和接觸角測(cè)試。
失重法測(cè)試得到20 ℃時(shí)10~100 mg/L Ce(SO4)2·4H2O 對(duì)鋁在1.0 mol/L HCl溶液中的緩蝕率(ηw)變化曲線,見圖1。
圖1 20 ℃時(shí)1.0 mol/L HCl中緩蝕率(ηw)和Ce(SO4)2·4 H2O濃度(c)關(guān)系Fig.1 Relationship between inhibition efficiency(ηw) and Ce(SO4)2·4 H2O concentration(c)in 1.0 mol/L HCl at 20 ℃
由圖1可知,ηw隨Ce(SO4)2·4H2O濃度的增加而增大,Ce(SO4)2·4H2O≥30 mg/L時(shí),緩蝕率增加趨勢(shì)變得平緩。100 mg/L Ce(SO4)2·4H2O緩蝕率高達(dá)94.3%。
硫酸高鈰的緩蝕作用與在鋁表面的吸附有關(guān)。為了進(jìn)一步研究鋁表面的吸附情況,將常見的幾個(gè)吸附等溫式,如Flory-Huggins吸附、Bockris-Swinkels吸附、Langmuir吸附、Frumkin吸附、Temkin吸附及Freundlich吸附擬合實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)。
Langmuir吸附模型[8]:
(4)
式中c——緩蝕劑濃度,mg/L;
K——吸附平衡常數(shù),L/mg;
θ——表觀表面覆蓋度,其值近似和緩蝕率相等。
圖2是c/θ-c擬合直線,其線性擬合相關(guān)系數(shù)(r2=0.998 2)和直線斜率(0.95)均十分接近1,說明在20 ℃時(shí)1.0 mol/L HCl溶液中硫酸高鈰在鋁片表面的吸附方式為L(zhǎng)angmuir吸附等溫式。
圖2 20 ℃ 1.0 mol/L HCl溶液中硫酸高鈰在鋁表面的Langmuir吸附模型Fig.2 Langmuir adsorption model of Ce(SO4)2·4H2O on aluminum surface in 1.0 mol/L HCl at 20 ℃
由擬合直線的截距(12.805)可換算出吸附平衡常數(shù)(K)為0.078 L/mg。通過吸附平衡常數(shù)計(jì)算出標(biāo)準(zhǔn)吸附Gibbs自由能ΔG0=-27.5 kJ/mol,故硫酸高鈰在鋁片表面的吸附作用方式為物理吸附和化學(xué)吸附[9],且絕對(duì)值較大,故吸附自發(fā)趨勢(shì)較為明顯。
(5)
式中 R ——?dú)怏w常數(shù),8.314 J/(K·mol);
T——熱力學(xué)溫度,K;
csolvent——水溶液濃度,其值接近于1.0×106mg/L。
圖3是20 ℃時(shí)鋁在未添加和添加10,50,100 mg/L Ce(SO4)2·4H2O的1.0 mol/L HCl溶液中的動(dòng)電位極化曲線。
圖3 20 ℃鋁在含Ce(SO4)2·4H2O的1.0 mol/L HCl溶液中的極化曲線Fig.3 Polarization curves of aluminium in 1.0 mol/L HCl solution containing Ce(SO4)2·4H2O at 20 ℃
由圖3可知,添加稀土Ce(SO4)2·4 H2O后,極化曲線形狀未發(fā)生改變,故鋁的腐蝕機(jī)理亦未改變。陰極區(qū)域的極化曲線中出現(xiàn)較為寬的Tafel區(qū)間,在HCl溶液中添加稀土Ce(SO4)2·4 H2O后,各陰極極化曲線之間基本相互平行,表明鋁在HCl中的陰極析氫反應(yīng)(2H++2e-→H2)為活化控制。值得注意的是,本體系中的陽(yáng)極極化曲線的Tafel區(qū)間不太明顯,故采用將陰極Tafel直線外推至腐蝕電位的方法來求解腐蝕電位(Ecorr)、腐蝕電流密度(icorr)、陰極Tafel斜率(bc)參數(shù)[10],進(jìn)而求算出ηp,結(jié)果見表1。
表1 20 ℃ 鋁在含Ce(SO4)2·4H2O的1.0 mol/L HCl溶液中的腐蝕電化學(xué)參數(shù)Table 1 Electrochemical corrosion parameters for aluminium in 1.0 mol/L HCl without and with Ce(SO4)2·4H2O at 20 ℃
由表1可知,HCl中鋁的icorr在加入Ce(SO4)2·4H2O后明顯下降,且隨緩蝕劑濃度用量的增加下降幅度愈加明顯。未添加稀土鹽的空白 1.0 mol/L HCl中,icorr高達(dá)4 734 μA/cm2,當(dāng)添加100 mg/L Ce(SO4)2·4H2O 后,在HCl中icorr下降至 648 μA/cm2,緩蝕率86.3%,表明稀土鹽硫酸鈰對(duì)鋁在HCl中具有良好的緩蝕作用。Ecorr在加入Ce(SO4)2·4H2O 前后基本未改變,但從圖3的極化曲線可知,陽(yáng)極極化曲線基本重合,故稀土鹽硫酸鈰為陰極抑制型緩蝕劑。陰極Tafel斜率(bc)隨著稀土鹽硫酸鈰濃度的增大,改變趨勢(shì)愈加明顯,據(jù)此可表明隨著緩蝕劑濃度的增加,陰極反應(yīng)活性點(diǎn)不斷被屏蔽覆蓋,故陰極極化規(guī)律亦會(huì)發(fā)生明顯改變。
圖4為20 ℃時(shí)鋁在不含和含有10,50,100 mg/L Ce(SO4)2·4H2O的1.0 mol/L HCl溶液中的Nyquist圖。
圖4 20 ℃時(shí)鋁在Ce(SO4)2·4H2O 的1.0 mol/L HCl介質(zhì)中的Nyquist圖譜Fig.4 Nyquist spectra of aluminum in 1.0 mol/L HCl media containing Ce(SO4)2·4H2O in 20 ℃
由圖4可知,各條件下的Nyquist圖都是由高頻區(qū)的容抗弧和低頻區(qū)的感抗弧兩部分組成,且兩個(gè)弧大小基本一致,感抗弧略小于容抗弧,即整個(gè)圖譜基本呈橢圓形,類似EIS結(jié)果在Al/HCl體系中已有報(bào)道[11]。圖中高頻區(qū)的容抗弧是電荷轉(zhuǎn)移電阻和電極界面電容組成的阻容弛豫過程;低頻區(qū)的大感抗弧可能是鋁表面的Al2O3溶解過程[11],或與HCl溶液中的H+[12]、Cl-[13]、緩蝕劑[14]等吸脫附過程引起的不平衡狀態(tài)相關(guān),也可能與低頻下金屬的再溶解過程相關(guān)[15]。
高頻區(qū)的容抗弧的圓心處于實(shí)軸一些,故鋁電極表面存在由電極表面粗糙不均勻引起的頻率彌散效應(yīng)[10]。圓弧弦長(zhǎng)隨Ce(SO4)2·4H2O質(zhì)量濃度的增大而不斷變大,表明Ce(SO4)2·4H2O在鋁表面發(fā)生吸附后使電荷傳遞受到明顯抑制,產(chǎn)生良好的緩蝕作用。加入Ce(SO4)2·4H2O后,Nyquist圖譜的形狀未發(fā)生改變,表明添加 Ce(SO4)2·4H2O 后,鋁在HCl中的腐蝕電化學(xué)機(jī)理并未發(fā)生明顯變化。
添加稀土鹽Ce(SO4)2·4H2O后,容抗弧和感抗弧的半徑均隨Ce(SO4)2·4H2O的濃度用量增加而增大,表明添加Ce(SO4)2·4H2O后對(duì)鋁在HCl中的腐蝕起到了良好的減緩作用。采用圖5的等效電路圖對(duì)EIS擬合,圖中Rs、Rt、RL、Q、L分別為溶液電阻、電荷轉(zhuǎn)移電阻、電感電阻、常相位角元件、電感值。極化電阻(Rp)可通過Rt和RL進(jìn)行換算[8]。
(6)
式中Rt——電荷轉(zhuǎn)移電阻,Ω·cm2;
RL——電感電阻,Ω·cm2。
根據(jù)公式(3)利用Rp可計(jì)算出EIS法的ηR。
圖5 擬合EIS的等效電路圖Fig.5 Equivalent circuit used to fit the EIS
表2 20 ℃ 鋁在不含和含SDS的1.0 mol/L HCl溶液中的EIS參數(shù)Table 2 EIS parameters for aluminium in 1.0 mol/L HCl containing SDS at 20 ℃
由表2可知,Rs的數(shù)值低于4 Ω·cm2,說明1.0 mol/L HCl電解質(zhì)溶液中導(dǎo)電性強(qiáng),溶液電阻基本可以忽略。Rt和Rp在空白HCl溶液中僅分別為7.51,0.66 Ω·cm2,但加入稀土鹽 Ce(SO4)2·4H2O 后其值顯著升高,且隨稀土鹽 Ce(SO4)2·4H2O 濃度用量的增加而增大,說明 Ce(SO4)2·4H2O 對(duì)鋁在HCl中的腐蝕產(chǎn)生了良好的緩蝕作用。Q也隨稀土鹽的增加而增大,此結(jié)果與有機(jī)緩蝕劑在鋁表面的吸附后常相位角元件下降相反,這可能是由于稀土鹽在水中電離成離子,離子的介電常數(shù)高于吸附在鋁表面水分子,故吸附后常相位角元件反而上升。彌散效應(yīng)系數(shù)(n)稍小于1,表明電極/溶液界面的頻率彌散效應(yīng)較弱,在1.0 mol/L HCl溶液中添加 Ce(SO4)2·4H2O后 n值下降,且偏離1的程度增加,這可能是由于緩蝕體系中電極表面的競(jìng)爭(zhēng)吸附反應(yīng)較強(qiáng),頻率彌散效應(yīng)有所增強(qiáng)。
與低頻區(qū)相關(guān)的L值在空白溶液體系中為4.6 H·cm2,但在添加Ce(SO4)2·4H2O后的緩蝕體系中L值急劇增大,當(dāng)濃度為100 mg/L時(shí),L值高達(dá)30.8 H·cm2,表明空白溶液體系中引起電感效應(yīng)的電極表面中間吸附-脫附不平衡產(chǎn)物主要是H3O+、Cl-,而緩蝕體系中引起電感效應(yīng)的電極表面中間吸附產(chǎn)物主要是緩蝕劑分子[8],也進(jìn)一步表明稀土鹽Ce(SO4)2·4H2O在鋁電極表面發(fā)生吸附。緩蝕效率隨緩蝕劑濃度的增加而增大,當(dāng)緩蝕劑濃度增加至100 mg/L時(shí)緩蝕率高達(dá)85.4%,進(jìn)一步表明稀土鹽具有良好的緩蝕性能。
由圖6a可知,經(jīng)過表面處理后的鋁片,表面光滑平整,也可觀察到系列砂紙打磨留下的條痕。由圖6b可知,鋁在1.0 mol/L HCl溶液中全部浸泡2 h后,鋁表面遭受到HCl介質(zhì)的嚴(yán)重腐蝕,表面呈蜂窩狀位錯(cuò)致密排列,極其粗糙。在1.0 mol/L HCl溶液中加入100 mg/L Ce(SO4)2·4H2O后,由圖6c可知,鋁表面的腐蝕程度明顯降低,可觀察到浸泡前鋁表面殘留的打磨痕跡,表明Ce(SO4)2·4H2O對(duì)鋁在1.0 mol/L HCl溶液中的腐蝕有極好的抑制作用,即稀土鹽Ce(SO4)2·4H2O具有優(yōu)良的緩蝕作用。
圖6 鋁表面的SEM微觀形貌Fig.6 SEM micro-morphology of aluminum surface
a.浸泡前;b.20 ℃時(shí)1.0 mol/L HCl溶液中浸泡2 h;c.20 ℃時(shí)在添加100 mg/L Ce(SO4)2·4H2O的1.0 mol/L HCl溶液中腐蝕浸泡2 h
由圖7a可知,鋁表面處理后表面光滑平整,但也有起伏,也可觀察到砂紙打磨后留下的痕跡。由圖7b可知,鋁表面在1.0 mol/L HCl溶液腐蝕2 h后,表面腐蝕嚴(yán)重,粗糙不平,表面覆蓋有大量的塊狀的腐蝕產(chǎn)物。由圖7c可知,在添加100 mg/L Ce(SO4)2·4H2O 后鋁表面較為平整,腐蝕程度急劇下降,仔細(xì)觀察后可看到一些砂紙打磨的痕跡,表明稀土鹽對(duì)鋁表面在HCl中腐蝕產(chǎn)生了明顯的抑制作用。
圖7 鋁表面的3D-AFM微觀形貌Fig.7 3D-AFM micro-morphology of aluminum surface
圖8為鋁表面的接觸角測(cè)試。
圖8 鋁表面的接觸角圖片F(xiàn)ig.8 Contact angle images of aluminum surface
由圖8a可知,浸泡前,表面處理好的鋁表面接觸角較大,達(dá)到77.2~76.8°,這是由于剛表面處理好的鋁片表面光滑所致,但接觸角為銳角,表明鋁表面具有親水性,故HCl水溶液容易接近鋁表面進(jìn)而發(fā)生腐蝕。由圖8b可知,鋁片在1.0 mol/L HCl溶液浸泡后,接觸角急劇減小,說明鋁表面腐蝕劇烈,表面腐蝕產(chǎn)物粗糙,且具有較強(qiáng)的親水性,故HCl可持續(xù)不斷地穿透腐蝕產(chǎn)物層,進(jìn)而腐蝕鋁表面基體。由圖8c可知,加入100 mg/L Ce(SO4)2·H2O后鋁表面的接觸角比圖8b增大了近40°,說明稀土鹽在鋁表面發(fā)生吸附后疏水性增強(qiáng),對(duì)腐蝕介質(zhì)有一定的屏蔽效應(yīng),從而起到了緩蝕作用。
鋁為活波金屬,在HCl溶液中發(fā)生全面析氫腐蝕:
Al +3H+→Al3++3/2H2↑
(7)
整個(gè)電化學(xué)腐蝕由共軛的陽(yáng)極氧化反應(yīng)(Al-3e-→Al3+)和陰極還原反應(yīng)(2H++2e-→H2)組成。Cl-會(huì)通過特性吸附參與陽(yáng)極反應(yīng),機(jī)理歷程為:
Al+Cl-?(AlCl-)ads
(8)
(9)
AlCl-2→Al3++2Cl-
(10)
陰極析氫反應(yīng)為H+得電子的反應(yīng),機(jī)理歷程為:
Al+H+?(AlH+)ads
(11)
(AlH+)ads+ e-?(AlH)ads
(12)
(AlH)ads+H++e-?Al+H2↑
(13)
稀土鹽Ce(SO4)2·4H2O在水溶液中發(fā)生電離:
Ce4++ 6Cl-→[CeCl6]2-
(15)
(1)硫酸高鈰對(duì)鋁在1.0 mol/L HCl溶液中具有良好的緩蝕性能,隨著稀土鹽濃度的增加而不斷增大,100 mg/L Ce(SO4)2·4H2O緩蝕率可高達(dá)94.3%;硫酸高鈰在鋁表面的吸附符合Langmuir吸附等溫式,吸附作用方式為混合吸附。
(2)在1.0 mol/L HCl溶液中添加硫酸高鈰后未改變腐蝕電化學(xué)機(jī)理,但對(duì)陰極反應(yīng)產(chǎn)生顯著抑制作用,腐蝕電流密度下降,為陰極抑制型緩蝕劑。Nyquist圖譜在高頻區(qū)為容抗弧,低頻區(qū)為低頻感抗弧,整個(gè)圖譜近似為橢圓形,添加硫酸高鈰后電荷轉(zhuǎn)移電阻、極化電阻和常相位角元件均增加。
(3)SEM和AFM微觀形貌表明,鋁表面在 1.0 mol/L HCl溶液中腐蝕程度嚴(yán)重,但加入硫酸高鈰后,降低鋁的腐蝕程度,表面粗糙度降低,對(duì)鋁的腐蝕有很好的抑制作用;緩蝕體系鋁的表面接觸角增大,疏水性增強(qiáng)。