張 楊,呂樹臣
(哈爾濱師范大學(xué) 光電帶隙材料教育部重點實驗室,黑龍江 哈爾濱 150025)
腔量子電動力學(xué)(Cavity quantum electrodynamics)主要研究受限空間中的電磁場與物質(zhì)(主要有原子、離子以及量子點等)間相互作用的動力學(xué)過程[1],并且為研究各種量子現(xiàn)象提供了一種自然的環(huán)境[2]。在腔量子電動力學(xué)中,腔內(nèi)的原子系統(tǒng)可以作為存儲量子位,而光子可以在整個系統(tǒng)中分布信息[2]。因此,腔量子電動力學(xué)的研究對于量子通信[3]、量子信息處理[4]、量子計算[5]、量子糾纏[6]等領(lǐng)域有重要意義。在研究單個理想二能級原子與單模腔場相互作用的Jaynes-Cummings(簡稱J-C)模型[7]建立以后,人們對原子和腔場相互作用過程的本質(zhì)進行了很多研究,并且發(fā)現(xiàn)許多量子現(xiàn)象,如輻射光場的壓縮效應(yīng)[8]、光場的真空拉比分裂[9]、輻射光譜的坍縮和復(fù)起[10]、J-C模型中的非線性[11]、光子的反群聚和亞泊松分布[12]等。隨著研究的深入,模型推廣到了兩個二能級原子與單模腔場相互作用的Tavis-Cummings(簡稱T-C)模型[13]。
由于腔場譜和原子發(fā)射譜是獲取原子和腔場相互作用信息的重要手段[14],并被實驗所證實[15-16]。因此,發(fā)射光譜的研究一直備受重視,人們研究了單個二能級原子與高品質(zhì)因子單模腔場相互作用的發(fā)射光譜[17]、單個二能級原子與單模腔場雙光子發(fā)射光譜[18]、兩個二能級原子與單模腔場在強耦合機制下相互作用的透射譜[19]以及兩個二能級原子與單模光場在偶極子相互作用影響下的發(fā)射光譜[20]。近年來,雙原子與雙單模腔耦合系統(tǒng)模型也受到了人們的廣泛關(guān)注,Zhang 等[21]討論了雙原子與雙單模腔系統(tǒng)的量子態(tài)轉(zhuǎn)移,Wang等[22]研究了驅(qū)動情況下雙原子與雙單模腔的光子分布,F(xiàn)erretti等[23]研究了雙原子與雙單模腔在相干驅(qū)動和耗散下的光子相關(guān)性。
隨著實驗技術(shù)的發(fā)展,實驗上能夠?qū)崿F(xiàn)量子點與半導(dǎo)體腔的耦合[24],也能實現(xiàn)量子點與光子晶體腔的耦合[25],實驗上能觀測到量子點與腔耦合的Mollow三重峰[26-27],并對解釋中峰的出現(xiàn)產(chǎn)生了極大的興趣,然而,目前關(guān)于中峰出現(xiàn)的解釋說法不一[28]。本文目的之一就是根據(jù)我們的研究結(jié)果對中峰的出現(xiàn)給出解釋。
到目前為止,有關(guān)雙原子與雙單模腔場相互作用系統(tǒng)發(fā)射光譜的相關(guān)報道很少。因此,本文將研究雙原子與雙單模腔場相互作用系統(tǒng)的發(fā)射光譜,著重討論腔場與原子失諧、原子與腔場失諧、腔場衰減率以及原子的失相對發(fā)射光譜的影響。
本文在以往模型研究的基礎(chǔ)上,即兩個單模腔彼此相互耦合,每一個腔中都有一個二能級原子(或量子點)[29-30],考慮了腔1由于光子滲漏造成的腔場衰減,腔2受到非相干泵浦及兩個原子的失相,研究模型如圖1所示。每個腔中原子與該腔場在偶極作用近似下,其耦合強度為Ωi(i=1,2),兩個單模腔場間通過偶極-偶極相互作用,其光子隧穿強度為J。這里不考慮兩個原子間的相互作用,以及原子與相鄰腔場間的相互作用。
圖1 二能級雙原子與雙單模腔耦合系統(tǒng)模型
Fig.1 Two double-level atoms coupled with two single-mode cavity system
該體系的Hamiltonian在旋波近似(RWA)和電偶極近似下可表示為(?=1):
H=H0+H1,
(1)
其中
(2)
(3)
考慮到腔衰減、純失相、非相干泵浦等因素的影響,這種耦合原子-腔系統(tǒng)的演化在玻恩-馬爾可夫近似下可以用量子耗散主方程來描述,此時耦合體系的量子主方程可寫為[28]:
(4)
其中,κ1為腔場1的衰減率,κ2為腔場2的非相干泵浦率,γ*為原子的失相。
對本文考慮的模型,第二個腔引進非相干泵浦,通過兩個腔的耦合,使得這個非相干泵浦去平衡第一個腔的衰減,從而使整個系統(tǒng)能建立起一種穩(wěn)態(tài),這樣系統(tǒng)的初始條件不需要人為設(shè)定。由公式(4),利用單光子關(guān)聯(lián)近似[31]〈σza〉=-〈a〉及Bose統(tǒng)計,我們得到如下方程組:
(5)
(6)
(7)
(8)
(9)
(10)
(11)
(12)
(13)
(14)
令方程組(5)~(14)的時間導(dǎo)數(shù)為零,可得到平均值的穩(wěn)態(tài)解,如
(15)
(16)
(17)
(18)
(19)
(20)
根據(jù)Wiener-Khintchine定理,該系統(tǒng)的發(fā)射光譜可按下式計算:
(21)
(22)
下面分別討論腔場與原子失諧Δca=ωc-ωa、原子與腔場失諧Δac=ωa-ωc、腔場衰減率κ1以及原子失相γ*對該體系發(fā)射光譜的影響,并將原子發(fā)射譜和腔場譜進行了對比分析。取定腔場的固有頻率ω0=1014Hz,原子的躍遷頻率和腔場的躍遷頻率均與固有頻率有相同的數(shù)量級。腔場的衰減率、腔場的非相干泵浦率、失相分別為κ1=κ2=γ*≈109Hz。原子和腔場間耦合強度、兩腔場間耦合強度分別取為Ω1=Ω2=J≈1010Hz。在本文研究過程中取定ωci/Ω1=ωai/Ω1=10 000(i=1,2),J/Ω1=1.8,Ω1/Ω1=1,κ1/Ω1=0.5,κ2/Ω1=0.1,以及γ*/Ω1=0.1。
圖2給出了耦合系統(tǒng)的腔場譜及原子發(fā)射光譜隨腔場與原子失諧Δca/Ω1=(ωc1-ωa1)/Ω1的變化關(guān)系。保持其他參量不變,只改變ωc1,使Δca/Ω1=-2,-1,0,1,2。結(jié)果表明:腔場譜譜線有3個發(fā)射峰,如圖2(a)所示,原子發(fā)射譜譜線有兩個發(fā)射峰,如圖2(b)所示。從圖2(a)可以看出腔場譜當(dāng)且僅當(dāng)Δca=0,即共振時,譜線表現(xiàn)為對稱性,而其余失諧情況均為非對稱峰,并且隨著失諧的增大,兩邊峰向低頻段漂移,中峰的位置固定不變(位于ω=ω0處)。
共振情況下,不僅腔場譜的譜線對稱,原子發(fā)射譜的譜線也對稱,且腔場譜的峰位比原子發(fā)射譜的峰位偏移中心位置更多一些。失諧情況下,腔場譜和原子發(fā)射譜位于高頻段峰位差變小,位于低頻段腔場譜和原子發(fā)射譜峰位差變大。
在腔場譜中,如圖2(a)所示,位于高頻段邊峰的光譜強度隨著腔場與原子正失諧的增大而增大;隨著腔場與原子負(fù)失諧的增大而逐漸減小;位于低頻段的邊峰光譜強度的變化剛好相反,而失諧的變化對中間峰位的光譜強度幾乎無影響。在原子發(fā)射譜中,如圖2(b)所示,位于高頻段的發(fā)射強度隨著腔場與原子失諧的增大在逐漸增大;位于低頻段的發(fā)射強度隨著腔場與原子失諧的增大而逐漸減小。對于同一失諧影響下的兩個邊峰,光譜強度變化規(guī)律相似,即其中任一邊峰在腔場譜中光譜強度大(小),在原子發(fā)射譜中的光譜強度也大(小)。
圖2 腔場與原子失諧影響下,(a)腔場譜的變化關(guān)系;(b)原子發(fā)射譜的變化關(guān)系;(c)兩腔場間耦合強度為零時腔場譜的變化關(guān)系。
Fig.2 Under the influence of the detuning between the cavity field and atom: (a) change of cavity field spectra; (b) change of atomic emission spectra; (c) change of cavity field spectrum when the coupling strength between two cavity fields is zero.
在討論單腔模與二能級單原子耦合系統(tǒng)中,無論在理論還是實驗上,都發(fā)現(xiàn)了Mollow三重峰的存在[27,32]。一個令人特別感興趣且迷惑的現(xiàn)象是解釋中峰的出現(xiàn),在以往的報道中,Mollow三重峰的出現(xiàn)要么與外加泵浦場相關(guān)[27],要么與聲子耦合相關(guān)[33-34]。從我們的研究結(jié)果可以得出這樣的結(jié)論:只要單腔模與二能級單原子耦合系統(tǒng)受到外界相干場的作用,理論上就應(yīng)出現(xiàn)Mollow三重峰,例如在本文所研究的系統(tǒng)中,由于腔間耦合的存在(J≠0),由方程(19)和(21)不難看出腔1發(fā)射譜Mollow三重峰必然存在(當(dāng)然不排除有兩個峰重疊的情況)。
圖3闡述了耦合系統(tǒng)的腔場譜及原子發(fā)射光譜隨原子與腔場失諧Δac/Ω1=(ωa1-ωc1)Ω1的變化關(guān)系。在保持其他參量不變的情況下,只改變ωa1,使Δac/Ω1=-2,-1,0,1,2。由圖3(a)不難發(fā)現(xiàn),在失諧的情況下,隨著Δac的增加,腔場譜中峰的強度明顯增大,且中峰峰位明顯偏離ω=ω0的位置,從高頻向低頻移動。特別是,中峰的強度關(guān)于Δac=0呈對稱性增長。
在腔場譜中,如圖3(a)所示,高頻段的光譜強度隨著原子與腔場正失諧的增大而增大;隨著原子與腔場負(fù)失諧的增大而逐漸減??;低頻段的邊峰光譜強度的變化剛好相反。對原子發(fā)射譜而言,如圖3(b)所示,位于高頻段的光譜強度隨著Δac的增大而減小;位于低頻段的光譜強度隨著Δac的增大而增大。圖2(b)和圖3(b)均表明當(dāng)原子與腔場負(fù)失諧時,低頻側(cè)發(fā)射譜強度弱于高頻側(cè)發(fā)射譜強度,當(dāng)原子與腔場正失諧時,低頻側(cè)發(fā)射譜強度大于高頻側(cè)發(fā)射譜強度。
圖3 原子與腔場失諧影響下,(a)腔場譜的變化關(guān)系;(b)原子發(fā)射譜的變化關(guān)系。
Fig.3 Under the influence of the detuning between the atom and the cavity field: (a) change of cavity field spectra; (b) change of atomic emission spectra.
圖4為共振情況時,耦合系統(tǒng)的腔場譜及原子發(fā)射光譜隨腔場衰減率κ1的變化關(guān)系。保持其他參量不變,κ1/Ω1=0.5,0.6,0.7,0.8。從圖4(a)可以看出,隨著腔場衰減率的增大,腔場譜3個峰的峰位均無變化,兩個邊峰的強度均逐漸降低,且降低的幅度也在逐漸減小,兩邊峰譜線的線寬變得寬化。對應(yīng)于同一腔場衰減率,腔場譜兩邊峰的強度相同,如圖4(a)所示。
對于原子發(fā)射譜來說,隨著腔場衰減率的增加,兩個峰的強度也在減小,兩個峰的峰位均有向內(nèi)微弱的移動,譜線的線寬均向內(nèi)寬化;對應(yīng)于同一腔場衰減率,原子發(fā)射譜兩邊峰的強度也是相同的,如圖4(b)所示。 在本文所研究的模型中,雖然我們未考慮原子的自發(fā)輻射(即原子發(fā)射的衰減率)對原子發(fā)射譜帶來的影響,但從方程(20)可以推斷腔場衰減率通過腔場與原子的耦合作用,間接影響到原子發(fā)射譜的發(fā)射強度,這一推斷為圖4(b)所證實。
圖4 共振時,腔場衰減率影響下,(a)腔場譜的變化關(guān)系;(b)原子發(fā)射譜的變化關(guān)系。
Fig.4 Under the influence of cavity decay rate in the case of resonance: (a) change of cavity field spectra; (b) change of atomic emission spectra.
圖5為失諧情況時,耦合系統(tǒng)的腔場譜及原子發(fā)射光譜隨腔場衰減率κ1的變化關(guān)系。保持其他參量不變的情況下,取定ωa1/Ω1=9 998,κ1/Ω1=0.5,0.6,0.7,0.8。從圖5(a)可以看出,對于腔場譜來說,失諧時,對應(yīng)于同一腔場衰減率,中峰光譜強度最大,低頻段邊峰的光譜強度大于高頻段邊峰的光譜強度。隨著腔場衰減率的增大,3個峰的強度均逐漸降低,且降低的幅度均逐漸減小,中峰衰減的幅度最大,其次是低頻段邊峰,最后是高頻段邊峰;中峰和低頻段邊峰的峰位均無明顯變化,而高頻段邊峰向低頻側(cè)有微弱的移動。此外,3個峰譜線的線寬變得寬化,如圖5(a)所示。
對于原子發(fā)射譜來說,失諧時,對應(yīng)于同一腔場衰減率,高頻段邊峰的光譜強度大于低頻段邊峰的光譜強度。隨著腔場衰減率的增加,兩個峰的強度均在減少,高頻段邊峰衰減的幅度大于低頻段邊峰衰減的幅度;兩個峰的峰位無明顯變化,譜線的線寬變得寬化,如圖5(b)所示。隨著κ1的增大,對于腔場譜來說衰減的幅度大于原子發(fā)射譜,說明作用在腔場上的衰減率對腔場譜的影響更大一些,這是因為腔場的衰減率通過原子和腔場耦合間接地影響原子發(fā)射譜。
圖5 失諧時,腔場衰減率影響下,(a)腔場譜的變化關(guān)系;(b)原子發(fā)射譜的變化關(guān)系。
Fig.5 Under the influence of cavity decay rate in the case of detuning: (a) change of cavity field spectrua; (b) change of atomic emission spectra.
圖6為共振情況時,耦合系統(tǒng)的腔場譜及原子發(fā)射光譜隨原子的失相γ*的變化關(guān)系。保持其他參量不變,γ*/Ω1=0.1,0.2,0.3,0.4。隨著γ*的增大,邊峰均逐漸降低,而且降低的幅度逐漸減小,對于腔場譜來說衰減的幅度小于原子發(fā)射譜,說明作用在原子上的失相對原子發(fā)射譜的影響更大一些,這是因為原子的失相通過原子和腔場耦合間接地影響腔場譜。對應(yīng)于同一失相下,腔場譜中邊峰的強度相同,原子發(fā)射譜兩個峰的強度也相同。
在腔場譜中,如圖6(a)所示,隨著失相的增大中峰的強度逐漸減小,但減小的幅度非常小。隨著失相的增加,譜線的線寬向內(nèi)寬化。在原子發(fā)射譜中,如圖6(b)所示,隨著失相的增大,兩個峰的位置均有向外微弱的移動,譜線線寬均向外寬化。原子的失相導(dǎo)致發(fā)射光譜強度降低和譜線寬化,這與文獻(xiàn)[35]考慮失相的單模腔與單原子耦合系統(tǒng)得到的結(jié)論是一致的。
圖6 共振時,原子失相影響下,(a)腔場譜的變化關(guān)系;(b)原子發(fā)射譜的變化關(guān)系。
Fig.6 Under the influence of atom dephasing in the case of resonance: (a) change of cavity field spectra; (b) change of atomic emission spectra.
圖7為失諧情況時,耦合系統(tǒng)的腔場譜及原子發(fā)射光譜隨原子的失相γ*的變化關(guān)系。保持其他參量不變的情況下,取定ωa1/Ω1=9 998,γ*/Ω1=0.1,0.2,0.3,0.4。從圖7(a)可以看出,對于腔場譜來說,失諧時,對應(yīng)于同一原子失相,中峰的光譜強度最大,低頻段邊峰的光譜強度大于高頻段邊峰的光譜強度。隨著腔場衰減率的增大,3個峰的強度均逐漸降低,且降低的幅度均逐漸減小,中峰衰減的幅度最大,其次是低頻段邊峰,最后是高頻段邊峰;3個峰的峰位均無明顯變化。此外,3個峰譜線的線寬變得寬化。
對于原子發(fā)射譜來說,失諧時,對應(yīng)于同一腔場衰減率,高頻段邊峰的光譜強度大于低頻段邊峰的光譜強度。隨著腔場衰減率的增加,高頻段邊峰衰減的幅度明顯;而兩個峰的峰位無明顯變化,譜線的線寬變得寬化,如圖7(b)所示。隨著γ*的增大,對于腔場譜來說衰減的幅度小于原子發(fā)射譜,說明作用在原子上的失相對原子發(fā)射譜的影響更大一些,對腔場譜的影響小一些,這是因為原子的失相通過原子和腔場耦合間接地影響腔場譜。
圖7 失諧時,原子失相影響下,(a)腔場譜的變化關(guān)系;(b)原子發(fā)射譜的變化關(guān)系。
Fig.7 Under the influence of atom dephasing in the case of detuning: (a) change of cavity field spectra; (b) change of atomic emission spectra.
本文研究了二能級雙原子與雙單模腔耦合系統(tǒng)的發(fā)射光譜。我們發(fā)現(xiàn)腔場與原子失諧和原子與腔場失諧對發(fā)射譜有著不同的影響,腔場與原子失諧的增大可使邊峰向低頻段漂移,并改變其光譜強度;原子與腔場失諧的增大可使光譜整體向低頻段漂移,并改變其光譜強度。隨著腔場衰減率的增大或失相的增大,耦合系統(tǒng)邊峰的強度減小,并且寬化。本文的研究結(jié)果可以例證:單腔模與二能級單原子耦合系統(tǒng)受到外界相干場的作用,理論上就應(yīng)出現(xiàn)Mollow三重峰。