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    硫化銻納米材料的合成及其應(yīng)用

    2018-01-26 07:53:00劉艷群
    關(guān)鍵詞:納米線氯化納米材料

    劉艷群,周 靜

    (東北電力大學(xué) 化學(xué)工程學(xué)院,吉林 吉林 132012)

    上世紀(jì)八十年代初發(fā)展起來的納米材料,是由1 nm~100 nm的微小顆粒組成的體系,又稱超微晶材料[1].納米級的材料具有小尺寸效應(yīng)、 表面效應(yīng)、 量子尺寸效應(yīng)和宏觀量子隧道效應(yīng)等特征,因此呈現(xiàn)出許多不同于常規(guī)材料的新奇特性,在諸多領(lǐng)域展現(xiàn)出廣闊的應(yīng)用前景[2~5].

    硫化銻是一種重要的V~VI族正交晶系的直接帶隙半導(dǎo)體材料,能帶間隙為1.5 eV~2.2 eV[6~8],具有良好的光導(dǎo)性、光敏性和極高的熱電性能[9].目前研究者們采用了不同方法制備出不同形貌的Sb2S3納米材料,并探索其在不同領(lǐng)域的性能應(yīng)用[10~12].本文論述了不同維度Sb2S3納米材料的合成及其相關(guān)應(yīng)用研究.

    1 不同形貌Sb2S3納米材料

    根據(jù)納米尺度的維數(shù),可以將納米材料劃分為:零維(原子團(tuán)簇和超微粒子等)、一維(納米管、線等)、二維(納米薄膜、多層膜等)以及三維材料(原子團(tuán)簇及超微粒子的組成體等).目前國內(nèi)外研究報(bào)道了零維、一維、二維以及三維納米Sb2S3納米材料的合成方法,典型形貌如圖1所示.

    圖1 不同維度Sb2S3納米材料SEM圖

    1.1 零維Sb2S3納米材料

    納米顆粒是零維納米材料的典型代表,一般為球形或類球形,其粒徑分布窄、分散性良好.Senthil等[13]以C2H4N2S2為硫源,氯化銻為銻源,在檸檬酸以及PVP(聚乙烯吡咯烷酮)的共同作用下,在不同溫度下采用水熱和溶劑熱法合成出Sb2S3納米球,并通過控制溫度,使產(chǎn)物形貌實(shí)現(xiàn)從零維到一維的轉(zhuǎn)變.Kai等[14]以硫脲和氯化銻為原料,PVP為表面活性劑,通過溶劑熱法制備出零維Sb2S3納米顆粒,并負(fù)載于石墨烯上形成G-Sb2S3復(fù)合材料,將其用于降解羅丹明B,高的光催化降解活性及循環(huán)穩(wěn)定性表明,復(fù)合材料具有優(yōu)于單一材料的光催化性能.

    1.2 一維Sb2S3納米材料

    一維納米材料在介觀物理以及納米器件制造領(lǐng)域獨(dú)特的應(yīng)用潛力,一直是材料界的研究熱點(diǎn).Xu等[15]以EDTA為表面活性劑,合成出表面光滑,壁厚為250 nm,內(nèi)直徑約為300 nm的納米管,其禁帶寬度約為1.55 eV,接近光電轉(zhuǎn)化的最優(yōu)值,在光電子和太陽能等領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用.實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,在不添加EDTA的條件下,無法合成出硫化銻管狀形貌.Bao等[16]以酒石酸銻鉀為原料,在添加3 g有機(jī)物(檸檬酸)條件下,成功合成出寬60 nm~200 nm,長約10 μm的Sb2S3納米線,并且正交晶相的Sb2S3納米線沿[001]方向生長.劉運(yùn)等[17]以硫化鈉和氯化銻為原料,添加尿素為礦化劑,水熱法獲得了直徑約100 nm~250 nm,長約100 μm的Sb2S3納米線,并通過調(diào)節(jié)反應(yīng)時(shí)間,可控合成出不同長徑比的Sb2S3納米線.Jiang等[18]以離子液體[BMIM][BF4]作為反應(yīng)介質(zhì),在微波輻射下合成出單晶Sb2S3納米棒.隨后,雍高兵等[19]利用回流法成功制備了直徑約為70 nm~180 nm,長度為2 μm~5 μm的正交晶系Sb2S3單晶納米棒.

    近幾年內(nèi),研究者嘗試以PVP作為表面活性劑,用來合成新型的自組裝納米材料,Kavinchen等[20]以氯化銻和硫代乙酰胺為原料,添加不同質(zhì)量的PVP作為表面活性劑,通過微波法合成出沿[001]方向生長的啞鈴狀Sb2S3納米棒. Zhou等[21]以PVP作為表面活性劑成功合成出Sb2S3納米線束.同年吳松等[22]同樣以PVP為表面活性劑,在乙二醇體系中以硫脲為硫源,在常壓條件下回流合成出了的Sb2S3納米棒束,單根納米棒直徑約300 nm~400 nm,長約5 μm~10 μm.

    1.3 二維Sb2S3納米材料

    具有原子級別厚度的二維納米材料,兼具良好電子傳輸能力和較大的比表面積,在許多領(lǐng)域內(nèi)展示出優(yōu)異的性能.2005年Yu等[23]以氯化銻為銻源,硫代硫酸鈉為硫源,在不使用任何模板和表面活性劑的條件下,水熱法合成出長幾十微米到幾毫米,厚65 nm,寬350 μm~400 μm的超長Sb2S3納米帶.2009年,Xiang等[24]更換新穎的硫源,在L-半胱氨酸協(xié)助下,氯化銻為銻源,在乙二醇和水的混合液中成功合成出截面寬約100 nm~300 nm的Sb2S3納米帶.隨后陳廣義等[25]以CTAB做表面活性劑,去離子水為溶劑,酒石酸銻鉀和硫代乙酰胺為原料,成功制備了寬度約1 μm,厚約100 mm,并沿[001]晶面方向生長的高長徑比Sb2S3納米帶.

    1.4 三維Sb2S3納米材料

    三維形貌主要是由零維、一維和二維納米結(jié)構(gòu)通過自組裝而成的有規(guī)則的納米材料,由于具有大的比表面積、優(yōu)異的電子傳輸能力、良好的力學(xué)性能、熱傳導(dǎo)性能以及穩(wěn)定的多孔結(jié)構(gòu)而受到廣泛關(guān)注.2004年,Qian等[26]采用不同溶劑、不同硫源,在不使用任何表面活性劑的條件下,通過溶劑熱法合成出羽毛狀、放射性枝晶狀、棱鏡球體、圓盤形等新穎形貌的Sb2S3微晶.Han等[27]以氯化銻和硫化鈉做原料,在酸性條件下水熱合成出由800 nm×400 nm×100 nm 塊狀結(jié)構(gòu)自組裝而成的空心橄欖形Sb2S3微晶;隨后該課題組[28]通過改變硫源,以檸檬酸和硫代乙酰胺為硫源,合成出由寬約300 nm~500 nm,長約5 μm~20 μm納米棒組成的樹枝狀的Sb2S3.而葉明富等[29]以氯化銻和硫脲為原料,采用微波法,也成功制備出長約10 μm的樹枝狀Sb2S3納米材料.

    由于表面活性劑具有固定的親水親油基團(tuán),在溶液的表面能定向排列,因此可有效地控制納米顆粒的形態(tài)和結(jié)構(gòu).目前通過添加不同表面活性劑制備出不同形貌的Sb2S3納米材料.Debao等[30]以酒石酸銻鉀和硫代乙酰胺為原料,CTAB做表面活性劑,討論了不同反應(yīng)時(shí)間,不同反應(yīng)溫度對形貌的影響,并成功制備了長約30 μm~50 μm,直徑約120 nm~500 nm的稻草束狀Sb2S3.Chen等[31]酒石酸銻鉀和硫代乙酰胺為原料,添加PVP作為表面活性劑,通過改變實(shí)驗(yàn)條件的參數(shù),調(diào)節(jié)產(chǎn)物形貌,成功合成出片層分裂的Sb2S3納米結(jié)構(gòu).Chen等[32]以酒石酸銻鉀為銻源,硫粉為硫源,通過控制PVP的濃度,在雙表面活性劑PVP和葡萄糖共同作用下,合成出長約10 μm~20 μm,大小均一的雙束狀Sb2S3納米結(jié)構(gòu).結(jié)果表明,通過控制PVP的濃度,可以很容易地調(diào)節(jié)納米棒的大小,并且加入的葡萄糖會對最終產(chǎn)品的形貌產(chǎn)生直接影響.Cheung等[33]以氯化銻和硫脲為原料,PEG-400為表面活性劑,溶劑熱法制備出直徑約(195±52) nm的納米線自組裝的蒲公英狀Sb2S3,納米線的禁帶寬度約為1.67 eV,并初步推測了納米線蒲公英的生長機(jī)理為晶體分裂所致.Lei等[34]以氯化銻和九水硫化鈉為原料,酸性條件下加入DTAB成功合成出雙花形的Sb2S3微晶.雙花形的Sb2S3具有寬的廣譜響應(yīng)范圍,在太陽能利用和光電轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域具有潛在的應(yīng)用前景.

    隨著人們對納米材料的不斷認(rèn)識研究,發(fā)現(xiàn)納米粒子的尺寸、形貌、維數(shù)等因素不同程度影響著其在光學(xué)、電學(xué)、磁學(xué)等領(lǐng)域的性能應(yīng)用,因而不同形貌Sb2S3納米材料的可控合成一直是研究者關(guān)注的重點(diǎn)問題之一.

    2 硫化銻納米材料的應(yīng)用

    目前,Sb2S3納米材料在儲能、傳感器、光伏器件、光催化劑等領(lǐng)域有許多的應(yīng)用.

    2.1 儲能領(lǐng)域應(yīng)用

    Sb2S3材料具有高的理論比容量以及優(yōu)良的循環(huán)性能,可將其用作鈉、鋰離子電池的負(fù)極.Park等[35]在碳基質(zhì)上合成出無定形Sb2S3復(fù)合材料,研究發(fā)現(xiàn)此材料具有較高的放電容量為757 mAh·g-1,100次循環(huán)后比容量仍大于600 mAh·g-1.隨后Xiao等[36]通過化學(xué)方法成功制備Sb2S3納米棒,并將其作為鋰離子電池的電極材料,第一次放電容量高達(dá)850 mAh·g-1,但在嵌/放鋰過程中因?yàn)榫薮蟮捏w積變化導(dǎo)致材料在循環(huán)過程中容量很快衰減,而石墨烯的加入可以緩沖由充放電引起的體積變化.Prikhodchenko等[37]用熱處理轉(zhuǎn)換法,在輝銻礦上涂層還原石墨烯,首次成功制備硫化銻/石墨烯復(fù)合新材料,并將其作為鋰電池負(fù)極.在電流密度為250 mA·g-1的條件下,50次循環(huán)后,充電容量高于720 mAh·g-1,具有較高的電化學(xué)吸放鋰容量和良好的循環(huán)特性.

    2.2 傳感器領(lǐng)域應(yīng)用

    Sb2S3也可以應(yīng)用于檢測電化學(xué)活性物質(zhì)的傳感材料.Tao等[38]通過使用聚丙烯酸(PAA)作為形態(tài)控制試劑,溶劑熱法合成出樹狀Sb2S3微晶,研究發(fā)現(xiàn)作為多巴胺(DA)電氧化的傳感材料,Sb2S3微晶具有較低的檢測限、寬的線性響應(yīng)范圍和良好的選擇性,突顯了Sb2S3微晶作為DA傳感的潛在電化學(xué)性能.目前很少有報(bào)道涉及Sb2S3的電活性分子檢測,對這一領(lǐng)域的研究將有利于進(jìn)一步開發(fā)Sb2S3材料的應(yīng)用范圍.

    2.3 光伏器件領(lǐng)域應(yīng)用

    由于Sb2S3具有較高的吸收系數(shù)(在450 nm處為1.8 × 105cm-1),易捕獲可見光光子,非常適合做光電器件敏化劑.Cardoso等[39]成功將Sb2S3沉積在TiO2納米線陣列薄膜上,合成出低成本納米結(jié)構(gòu)薄膜光伏,然后將聚3-己基噻吩(P3HT)插入其中,為光吸收提供了大的表面積,可以進(jìn)一步促進(jìn)電荷分離和運(yùn)輸,增強(qiáng)光吸收.研究發(fā)現(xiàn),AM 1.5 G光電轉(zhuǎn)換效率可達(dá)到4.5%.

    2.4 光催化領(lǐng)域應(yīng)用

    此外,銻硫化物因帶隙較窄,在能量較低的可見光下即可被激發(fā),能很好地利用太陽光來進(jìn)行催化降解有機(jī)污染物,并且催化效率高,成本低,是一種具有廣泛應(yīng)用前景的可見光催化劑.

    Sun等[40]采用簡單的濕化學(xué)法成功合成納米棒,首次降解甲基橙(MO),可見光照射30分鐘后,MO的光降解率可達(dá)97%.Zhang等[41]采用水熱溶劑熱法制備出線狀Sb2S3納米材料,并將其作為光催化劑用于降解MO染料,2.5 h后MO的降解率達(dá)75%.Kai Jiang等[14]將合成的Sb2S3/G復(fù)合物用于可見光下降解羅丹明B(RhB),實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,單一的Sb2S3催化降解率為35%,而Sb2S3/G 復(fù)合材料表現(xiàn)出較高的光催化降解活性,降解率達(dá)到93%.隨后,Lu等[42]采用溶劑熱法制備Sb2S3/G復(fù)合物,在H2O2存在條件下,將制得的Sb2S3/G復(fù)合物用以降解亞甲基藍(lán),測試結(jié)果表明,Sb2S3/G復(fù)合物催化亞甲基藍(lán)的降解率高達(dá)98%.

    Sb2S3作為半導(dǎo)體功能材料,因其帶隙能接近光伏轉(zhuǎn)換的最佳值,具有獨(dú)特的光學(xué)和光電子特性,可作為光催化劑、電池負(fù)極、光電導(dǎo)探測器、離子導(dǎo)體材料、太陽能轉(zhuǎn)換等材料[43~46],因此開發(fā)性能優(yōu)異的Sb2S3微納米材料具有更迫切的研究意義.

    3 結(jié)語及展望

    綜上所述,人們在Sb2S3納米材料的合成及性能研究方面做了許多工作,可以在微觀層面上對Sb2S3微納米材料的結(jié)構(gòu)、形貌、粒徑和組成等方面進(jìn)行調(diào)控.在未來的工作中,設(shè)計(jì)如何通過簡易方法有效制備及控制微納米材料的形貌,努力合成具有優(yōu)良性能的Sb2S3納米材料,探究結(jié)構(gòu)和形貌等因素與材料性能之間的密切關(guān)系仍是研究的重點(diǎn).

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