潘昌盛,郭秀梅,王樹(shù)茂,劉 晶,劉曉鵬,蔣利軍
(北京有色金屬研究總院 能源材料與技術(shù)研究所,北京 100088)
熱核聚變反應(yīng)堆中要用到大量的氚。由于氚具有放射性,因此,如何安全有效地處理氚顯得非常重要。ZrCo[1]與ZrNi合金具有吸氫平衡壓低、吸放氫循環(huán)性能好、吸氫速率快等特點(diǎn),在氚處理領(lǐng)域受到極大的關(guān)注。然而,ZrCo與ZrNi合金用于氚處理仍存在缺陷,ZrNi合金完全放氫所需的溫度較高,ZrCo合金高溫下易歧化。本課題組對(duì)ZrCo與ZrNi進(jìn)行改性,研制出完全放氫所需溫度較低、抗歧化性能較好TiZrNiCo[2]。
在核聚變反應(yīng)堆中,氚氣體中通?;煊蠴2和N2等雜質(zhì)氣體[3]。研究結(jié)果表明,TiZrNiCo在室溫下易被O2及N2等雜質(zhì)氣體毒化,導(dǎo)致吸氫動(dòng)力學(xué)性能急劇衰退。為提高TiZrNiCo的抗毒化性能,使其在含雜質(zhì)氣體的環(huán)境中也能有效吸氫,需對(duì)其進(jìn)行表面改性。 各項(xiàng)表面改性的方法中,表面鍍鈀合金抗毒化性能的提升較為顯著[4],鍍鈀最常用采用的方法為化學(xué)鍍[5-6]。合金顆粒表面鍍鈀的研究主要集中在鈀膜制備工藝的優(yōu)化[7-8],對(duì)合金鍍鈀后的循環(huán)吸氫量的研究較少。
本文作者采用化學(xué)鍍法,在TiZrNiCo合金顆粒表面鍍覆上3種不同厚度的Pd膜。對(duì)顆粒表面Pd膜的形貌結(jié)構(gòu)進(jìn)行表征與分析,將Pd包覆TiZrNiCo置于混合氣體中進(jìn)行多次吸放氫試驗(yàn),分析Pd包覆對(duì)合金抗毒化性能的影響及Pd包覆TiZrNiCo的循環(huán)吸氫量。
合金吸氫動(dòng)力學(xué)模型的建立,一般針對(duì)合金吸純氫[9-10],關(guān)于合金在含雜質(zhì)氣體的吸氫動(dòng)力學(xué)模型較少。本文作者在TiZrNiCo吸純氫動(dòng)力學(xué)模型基礎(chǔ)之上,根據(jù)雜質(zhì)氣體毒化合金的機(jī)理,嘗試推導(dǎo)Pd/TiZrNiCo在混合氣體中的吸氫動(dòng)力學(xué)模型。
原料Ti、Zr、Ni及Co純度分別大于99.70%、99.40%、99.95%及99.98%(質(zhì)量分?jǐn)?shù)),于懸浮熔煉爐中熔煉制備TiZrNiCo,采用氬氣作為保護(hù)氣氛。去除合金鑄錠表面氧化皮后,采用機(jī)械粉碎,將合金粉化成0.15 ~0.38 mm粒徑的顆粒。采用化學(xué)鍍法在合金顆粒表面包覆Pd,通過(guò)控制鍍液及還原劑滴加量,制得不同Pd含量的樣品1-Pd/TiZrNiCo、2-Pd/TiZrNiCo及3-Pd/ TiZrNiCo。
Pd/TiZrNiCo樣品的XRD物相分析在D-max 2400 X射線(xiàn)衍射儀上進(jìn)行,Pd膜的表面形貌及膜厚情況采用Hitachi S4800掃描電子顯微鏡進(jìn)行分析測(cè)量。
采用Sievert's法,將TiZrNiCo與Pd/TiZrNiCo樣品置于混合氣體中進(jìn)行吸氫動(dòng)力學(xué)測(cè)試。具體步驟為:首先將樣品裝入試樣罐,在高溫下抽真空活化;然后將混合氣體通入試樣罐,測(cè)試樣品24 h內(nèi)的吸氫動(dòng)力學(xué)曲線(xiàn);隨后采用同樣條件,高溫抽真空脫氫,室溫下通混合氣體,對(duì)樣品進(jìn)行共計(jì)10次吸氫動(dòng)力學(xué)測(cè)試。混合氣體成分為9% N2+1% O2+90% H2(體積分?jǐn)?shù)),測(cè)試壓力約0.6 MPa左右。
圖1所示為T(mén)iZrNiCo樣品及Pd/TiZrNiCo樣品的XRD譜。從圖1中可看出,在TiZrNiCo的XRD譜中僅檢測(cè)到ZrNi單相,這是由于Co在ZrNi基體內(nèi)完全固溶,低含量Ti的添加并未導(dǎo)致第二相的產(chǎn)生。圖1中Pd/TiZrNiCo樣品XRD譜的衍射主峰均為Pd金屬相峰,除原先的ZrNi合金相主峰還存在外,其余ZrNi合金相衍射峰均不明顯,說(shuō)明Pd/TiZrNiCo中存在Pd金屬相,且膜層有一定厚度;各試樣的Pd衍射主峰強(qiáng)度由大到小的順序依次為1-Pd/TiZrNiCo、2-Pd/TiZrNiCo、3-Pd/TiZrNiCo。
圖1 TiZrNiCo和Pd/TiZrNiCo的XRD譜 Fig.1 XRD patterns of TiZrNiCo and Pd/TiZrNiCo
TiZrNiCo及Pd/TiZrNiCo的表面形貌如圖2所示。圖2(a)所示為未鍍Pd的TiZrNiCo表面形貌,通過(guò)機(jī)械粉碎制得的合金顆粒的表面平整光滑。圖2(b)所示為1-Pd/TiZrNiCo試樣的表面形貌,表面Pd膜顆粒較大,直徑可達(dá)1 μm。圖2(c)所示為2-Pd/TiZrNiCo試樣的表面形貌,表面Pd膜顆粒直徑多為0.4 μm;圖2(d)所示為3-Pd/TiZrNiCo試樣的表面形貌,表面Pd膜顆粒較小,直徑普遍小于0.2 μm。Pd顆粒尺寸由大到小的順序依次為1-Pd/TiZrNiCo、2-Pd/TiZrNiCo、3-Pd/TiZrNiCo。
合金顆粒表面不規(guī)則,鍍層易出現(xiàn)孔洞[11]。實(shí)驗(yàn)所得Pd/TiZrNiCo樣品膜層較均勻,截面形貌如圖3。圖3(a)所示為1-Pd/TiZrNiCo試樣截面,膜層連續(xù)且厚度較均勻,膜厚約為2 μm,Pd膜與基體結(jié)合不牢,部分膜層有裂縫;圖3(b)所示為2-Pd/TiZrNiCo試樣截面,膜層薄區(qū)膜厚0.5 μm,而厚區(qū)膜厚2 μm,膜層均勻連續(xù);圖3(c)和(d)所示為3-Pd/TiZrNiCo截面,膜層均勻連續(xù),膜厚約為0.4 μm。總體而言,各試樣的膜層均較為均勻且無(wú)孔洞;結(jié)合各試樣的Pd衍射主峰強(qiáng)度及Pd顆粒尺寸大小,可認(rèn)定試樣膜層厚度由大到小的順序依次為 3-Pd/TiZrNiCo、2-Pd/ TiZrNiCo、1-Pd/TiZrNiCo。
圖2 TiZrNiCo和Pd/TiZrNiCo的表面形貌 Fig.2 Surface morphologies of TiZrNiCo and Pd/TiZrNiCo:(a) TiZrNiCo; (b) 1-Pd/TiZrNiCo; (c) 2-Pd/TiZrNiCo; (d) 3-Pd/TiZrNiCo
圖3 Pd/TiZrNiCo樣品的截面背散射電子像 Fig.3 Cross-section BSE images of Pd/TiZrNiCo:(a) 1-Pd/TiZrNiCo; (b) 2-Pd/TiZrNiCo; (c),(d) 3-Pd/TiZrNiCo
TiZrNiCo在純氫中及在混合氣體中的吸氫動(dòng)力學(xué)曲線(xiàn)如圖4(a)所示,TiZrNiCo在純氫中的飽和吸氫量約為2%(質(zhì)量分?jǐn)?shù)),于混合氣體中24 h的吸氫量?jī)H為0.108%(質(zhì)量分?jǐn)?shù))。氣體活性大小順序依次為O2、N2、H2[12],因而,TiZrNiCo優(yōu)先吸附混合氣體中的O2并在表面形成氧化層使活性位點(diǎn)失活,阻礙合金吸附H2,因而合金在混合氣體下吸氫量幾乎為0。圖4(a)中另一條曲線(xiàn)為Pd粉在混合氣體中吸氫動(dòng)力學(xué)曲線(xiàn),Pd粉在混合氣體中1 min內(nèi)便達(dá)到飽和吸氫量0.691%。
Pd/TiZrNiCo在混合氣體下的吸氫動(dòng)力學(xué)如圖4(b)所示,可見(jiàn)合金包覆Pd后,吸氫動(dòng)力學(xué)性能明顯提升。Pd/TiZrNiCo表面Pd膜是一層選擇性透H膜,能隔絕雜質(zhì)氣體中的O2及N2對(duì)基體合金的毒化[13-14],使基體合金在混合氣體中也有較高的吸氫量;Pd膜的吸氫動(dòng)力學(xué)性能優(yōu)異,保證基體合金具有較快的吸氫速率。圖4(b)中的Pd/TiZrNiCo樣品吸氫動(dòng)力學(xué)性能優(yōu)劣順序依次為3-Pd/TiZrNiCo、2-Pd/TiZrNiCo、1-Pd/TiZrNiCo。H在Pd/TiZrNiCo試樣基體內(nèi)的擴(kuò)散速率要遠(yuǎn)小于在Pd膜內(nèi)的擴(kuò)散速率,基體與Pd膜間會(huì)富集大量H;Pd膜越薄,H透過(guò)Pd膜擴(kuò)散到基體表面的時(shí)間越短[15],基體與Pd膜間富集的H濃度越高,在基體吸氫未達(dá)飽和前,試樣的吸氫速率快、吸氫量高,薄Pd膜試樣的吸氫動(dòng)力學(xué)更優(yōu)異。
圖4 各試樣在不同氣體環(huán)境中的吸氫動(dòng)力學(xué)曲線(xiàn) Fig.4 Dynamic curves of hydrogen absorption for samples under different gas atmosphere
圖5 所示為3-Pd/TiZrNiCo試樣第1、2、9、10次吸氫動(dòng)力學(xué)曲線(xiàn),第2次吸氫動(dòng)力學(xué)性能急劇衰退。3-Pd/TiZrNiCo首次吸氫量高,基體晶格畸變大,導(dǎo)致膜層破裂嚴(yán)重,基體被毒化,吸氫動(dòng)力學(xué)劇烈衰退。
圖5 3-Pd/TiZrNiCo在混合氣體中的循環(huán)吸氫動(dòng)力學(xué)曲線(xiàn) Fig.5 Cyclic dynamic curves of hydrogen absorption for 3-Pd/TiZrNiCo under mixing gas
Pd/TiZrNiCo試樣吸氫前粒徑為0.15~0.38 mm(Pd膜厚度可忽略),圖6所示為Pd/TiZrNiCo試樣吸氫后的顆粒形貌。圖6(a)所示為1-Pd/TiZrNiCo試樣吸氫1次后,有少量粒徑低于0.15 mm的小顆粒出現(xiàn),表明吸氫1次導(dǎo)致試樣部分粉化。圖6(b)、(c)和(d)所示分別為1-Pd/TiZrNiCo、2-Pd/TiZrNiCo及3-Pd/TiZrNiCo試樣吸放氫10次后的顆粒形貌,均出現(xiàn)較多粒徑低于0.15 mm的小顆粒,Pd/TiZrNiCo粉化較為明顯,但并未完全粉化。
Pd/TiZrNiCo試樣在混合氣體中進(jìn)行10次(24 h每次)吸氫動(dòng)力學(xué)測(cè)試,吸氫量統(tǒng)計(jì)在表1。表1中各Pd/TiZrNiCo試樣前3次吸氫循環(huán)中,吸氫量逐漸衰退;隨后的吸氫循環(huán)中,試樣吸氫量隨著吸氫次數(shù)呈現(xiàn)波動(dòng)性的上升回落,這是由試樣反復(fù)吸放氫同時(shí)引發(fā)兩種相反效果所導(dǎo)致:1) 表面Pd膜逐漸破裂,甚至脫落,使得基體暴露在雜質(zhì)氣體中而被毒化,試樣吸氫動(dòng)力學(xué)性能下降;2) 基體顆粒發(fā)生晶格畸變產(chǎn)生裂紋,露出新鮮高活性表面,試樣吸氫動(dòng)力學(xué)提升。各Pd/TiZrNiCo試樣的前3次吸氫過(guò)程合金粉化程度較低,Pd膜破裂導(dǎo)致動(dòng)力學(xué)衰退效果強(qiáng)于粉化引起動(dòng)力學(xué)加速效果,吸氫動(dòng)力學(xué)衰退。隨著吸放氫次數(shù)的增加,合金粉化加快,粉化引起動(dòng)力學(xué)加速效果能一定程度抵消Pd膜破裂導(dǎo)致動(dòng)力學(xué)衰退效果,吸氫動(dòng)力學(xué)具有波動(dòng)性。
圖6 Pd/TiZrNiCo吸放氫后的合金顆粒形貌 Fig.6 Morphologies of Pd/TiZrNiCo alloy particles after hydrogen absorption-desorption(Ap-Dp):(a) 1-Pd/TiZrNiCo hydrogen absorption-desorption for 1 time; (b) 1-Pd/TiZrNiCo hydrogen absorption-desorption for 10 times; (c) 2-Pd/TiZrNiCo hydrogen absorption-desorption for 10 times; (d) 3-Pd/TiZrNiCo hydrogen absorption-desorption for 10 times
表1 1-Pd/TiZrNiCo、2-Pd/TiZrNiCo及3-Pd/TiZrNiCo在混合氣體中的循環(huán)吸氫量 Table1 Cyclic hydrogen absorption of Pd/TiZrNiCo under mixing gas
為進(jìn)一步明確Pd/TiZrNiCo試樣在混合氣體中的吸氫及毒化機(jī)理,因而對(duì)其動(dòng)力學(xué)曲線(xiàn)進(jìn)行分析。
合金吸氫過(guò)程一般經(jīng)歷如下5個(gè)過(guò)程[16-17]。
1) 物理吸附。氫分子與合金表面的物理吸附活性位點(diǎn)作用,生成物理吸附態(tài)氫分子:
2) 化學(xué)吸附。物理吸附態(tài)氫分子與化學(xué)吸附活性位點(diǎn)作用有,裂解成化學(xué)吸附態(tài)氫原子并釋放出物理吸附活性位點(diǎn):
3) 表面滲透。通過(guò)與表面滲透空位結(jié)合的方式,表面化學(xué)吸附態(tài)氫原子滲透至擴(kuò)散層:
4) 擴(kuò)散。通過(guò)與擴(kuò)散空位結(jié)合的方式來(lái)實(shí)現(xiàn):
5) 氫化物形成。氫原子與活性金屬形成金屬氫化物:
式(1)~(5)中:H2(gas)為氣態(tài)氫分子,H2(ph)為物理吸附態(tài)氫分子,H(ch)為化學(xué)吸附態(tài)氫原子,H(sp)為滲透氫原子,H(df)為擴(kuò)散氫原子,□(ph)為物理吸附空位,□(ch)為化學(xué)吸附空位,□(sp)為滲透空位,□(df)為擴(kuò)散空位,M為金屬原子,MH為金屬氫化物。
吸氫合金一般具有較高的吸氫活性,吸純氫過(guò)程中物理吸附及化學(xué)吸附過(guò)程速度較快,其控速步驟一般為表面滲透、擴(kuò)散或氫化物形成過(guò)程。
表面滲透過(guò)程為控速步驟時(shí),因而,吸氫速率(v)為
則
式中:p為氫氣壓力;k為反應(yīng)速率系數(shù)。
式中:w為合金吸氫量;m為合金質(zhì)量;p0為起始?xì)鋲?;p為t時(shí)刻的氫壓;V為定容體積;a、b、c均為簡(jiǎn)化后的參數(shù);t為時(shí)間。
H原子經(jīng)表面滲透過(guò)程,大量累積在合金亞表層,若來(lái)不及擴(kuò)散到合金內(nèi)部,吸氫控速步驟為擴(kuò)散控制。三維擴(kuò)散模型,吸氫動(dòng)力學(xué)方程為[18-19]
式中:w0為起始吸氫量;we為平衡狀態(tài)下吸氫量。
H原子通過(guò)擴(kuò)散,進(jìn)入到合金并與合金形成氫化物,若氫化物形成過(guò)程較慢,吸氫控速步驟為氫化物形成控制。吸氫動(dòng)力學(xué)方程為[17]
吸氫動(dòng)力學(xué)方程(12)只有數(shù)值解,式(12)中pe為平衡狀態(tài)下的氫壓。
混合氣體中存在能夠毒化吸氫合金的雜質(zhì)氣體O2和N2,導(dǎo)致吸氫動(dòng)力學(xué)速率急劇下降。O原子和N原子半徑大,擴(kuò)散系數(shù)小,O2和N2主要影響合金的物理及化學(xué)吸附吸氫過(guò)程,吸氫控速步驟為化學(xué)吸附過(guò)程:N2活性低,室溫下不進(jìn)行化學(xué)吸附過(guò)程,因而消耗并占據(jù)合金表面的□(ph)活性位點(diǎn);O原子大,室溫下對(duì)吸氫的表面滲透過(guò)程幾乎無(wú)影響,主要占據(jù)合金表面的□(ch)活性位點(diǎn)。
雜質(zhì)氣體存在是,合金吸氫以化學(xué)吸附為控速步驟時(shí),吸氫動(dòng)力學(xué)方程為
混合氣體中的雜質(zhì)氣體O2和N2導(dǎo)致合金顆粒的有效表面積As隨時(shí)間劇烈變化;定容法測(cè)試過(guò)程中,p-ppl維持在一個(gè)較小的變化范圍內(nèi)。將及代入式(13),動(dòng)力學(xué)方程簡(jiǎn)化為
式中:A0為合金初始有效表面積;α表征氮?dú)獾亩净潭?,正比于p,近似為常數(shù);(βt+γ)δ表征合金的氧化程度。合金在混合氣體下吸氫前,具有的有效表面積為a/bc,定義為活性因子,表征材料被毒化前所具有的活性。
2.3.1 TiZrNiCo及Pd的動(dòng)力學(xué)性能
TiZrNiCo經(jīng)高溫抽真空后,測(cè)得其第一次吸純氫動(dòng)力學(xué)曲線(xiàn)如圖7(a)所示。TiZrNiCo吸氫前一階段由表面滲透控速,采用式(8)進(jìn)行擬合;吸氫后一階段,經(jīng)表面滲透過(guò)程而大量累積在合金亞表層的氫原子,來(lái)不及擴(kuò)散到合金內(nèi)部,動(dòng)力學(xué)受擴(kuò)散控速,采用式(9)進(jìn)行擬合。
第一次吸氫達(dá)飽和的TiZrNiCo經(jīng)高溫抽真空脫氫后,進(jìn)行第二次吸純氫動(dòng)力學(xué)測(cè)試,其結(jié)果如圖7(b)所示。TiZrNiCo經(jīng)一次吸放純氫后,合金粉化,有較多的新鮮活性表面,且內(nèi)部具有較多的空位,氫化物形成過(guò)程為其控速步驟,采用式(10)進(jìn)行擬合;吸氫速率快,開(kāi)始吸氫的時(shí)間無(wú)法準(zhǔn)確判定,故而動(dòng)力學(xué)擬合從吸氫量大于0的第一個(gè)數(shù)據(jù)點(diǎn)開(kāi)始。Pd的抗毒化性能好,圖7(b)中Pd在混合氣體中吸氫動(dòng)力學(xué)曲線(xiàn)也采用式(10)進(jìn)行擬合。
為明確混合氣體中的N2和O2對(duì)TiZrNiCo活性表面的毒化作用,隨即測(cè)得完全活化后的TiZrNiCo在混合氣體中的吸氫動(dòng)力學(xué)曲線(xiàn)如圖8所示,材料的吸氫量降低到0.58%(質(zhì)量分?jǐn)?shù)),材料活性表面被毒化;采用式(12)積分后的方程,對(duì)動(dòng)力學(xué)曲線(xiàn)進(jìn)行擬合,其結(jié)果如圖8所示(ω=atb為式(8)積分后的形式)。
圖7 TiZrNiCo及Pd的吸氫動(dòng)力學(xué) Fig.7 Hydrogen absorption kinetics of TiZrNiCo and Pb: (a) 1st cycle of TiZrNiCo under pure hydrogen; (b) 2nd cycle of TiZrNiCo under pure hydrogen,Pd under mixing gas
圖8 活性TiZrNiCo混合氣體中的吸氫動(dòng)力學(xué) Fig.8 Hydrogen absorption kinetics of activated TiZrNiCo under mixing gas
2.3.2 Pd/TiZrNiCo動(dòng)力學(xué)性能
Pd/TiZrNiCo試樣表面包覆Pd膜,表面活性較高,于混合氣體中的吸氫動(dòng)力學(xué)曲線(xiàn)可采用式(12)積分后的方程進(jìn)行擬合,其結(jié)果如圖9(a)所示(ω=atb及ω= aln(b+t)為式(3)積分后的形式)。
3-Pd/TiZrNiCo的循環(huán)動(dòng)力學(xué)數(shù)據(jù)完整,因而對(duì)其循環(huán)吸氫動(dòng)力學(xué)曲線(xiàn)進(jìn)行擬合,動(dòng)力學(xué)曲線(xiàn)及擬合結(jié)果如圖9(b)。由圖9(b)可見(jiàn),擬合曲線(xiàn)和實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)符合較好。
圖10中10 h和24 h時(shí)實(shí)驗(yàn)吸氫量和擬合吸氫量對(duì)比,除第7次實(shí)驗(yàn)值和擬合值相差較大,其余重合較好;10 h時(shí),實(shí)驗(yàn)吸氫量與擬合吸氫量變化曲線(xiàn)幾乎重合;24 h時(shí),實(shí)驗(yàn)吸氫量與擬合吸氫量變化趨勢(shì)相近。
圖9 Pd/TiZrNiCo在混合氣體中的吸氫動(dòng)力學(xué)曲線(xiàn) Fig.9 Hydrogen absorption kinetics of Pd/TiZrNiCo under mixing gas:(a) 1st cycle of Pd/TiZrNiCo; (b) Cyclic absorption kinetics of 3-Pd/TiZrNiCo
圖10 3-Pd/TiZrNiCo吸氫量及活性因子變化趨勢(shì) Fig.10 Variation trend of hydrogen absorption and activate fators for 3-Pd/TiZrNiCo
3-Pd/TiZrNiCo吸氫動(dòng)力學(xué)曲線(xiàn)擬合后獲得活性因子,其隨吸氫次數(shù)的變化趨勢(shì)如圖10所示。由圖 10可見(jiàn),3-Pd/TiZrNiCo第一次吸氫前的活性最高,由于此時(shí)的材料表面Pd膜完整;隨后活性因子隨吸氫次數(shù)而波動(dòng)性下降上升,主要是由于材料吸放氫后Pd膜破裂導(dǎo)致基體被毒化及基體粉化產(chǎn)生新鮮活性表面兩種效果共同影響合金的有效表面積,因而,活性因子出現(xiàn)波動(dòng)性的下降上升。
1) 合金顆粒表面包覆致密的薄Pd膜,能提高TiZrNiCo在含雜質(zhì)氣體下的吸氫動(dòng)力學(xué)性能。Pd膜越薄,H滲透速率越快,Pd包覆TiZrNiCo合金在雜質(zhì)氣體下的吸氫速率越快、吸氫量越大。
2) Pd/TiZrNiCo試樣吸放氫后易粉化。試樣粉化引發(fā)兩方面影響:表面Pd膜破裂,基體被毒化,吸氫速率減緩;新鮮的高活性表面出現(xiàn),吸氫量上升。Pd膜破裂導(dǎo)致吸氫速率減緩與基體粉化引發(fā)吸氫量上升的共同作用,Pd包覆TiZrNiCo合金的吸氫量隨吸氫循環(huán)次數(shù)的增加而出現(xiàn)波動(dòng)性的上升回落。
3) 根據(jù)合金吸氫過(guò)程得出了相應(yīng)的吸氫動(dòng)力學(xué)模型,并對(duì)合金吸純氫動(dòng)力學(xué)曲線(xiàn)進(jìn)行擬合,符合程度較好?;旌蠚怏w中的O2和N2主要影響合金的有效吸氫表面積,根據(jù)這一毒化機(jī)理,提出了合金在混合氣體中的吸氫動(dòng)力學(xué)模型,并對(duì)Pd/TiZrNiCo于混合氣體中的吸氫動(dòng)力學(xué)曲線(xiàn)進(jìn)行了擬合,符合程度較好。
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