封閉式負壓引流術在電擊傷創(chuàng)面中的應用

摘要：目的 探討封閉式負壓引流（VSD）在治療治療電擊傷中的應用效果。方法 采用封閉式負壓引流（VSD）治療軀干及四肢電擊傷創(chuàng)面12例。結果 電擊傷創(chuàng)面徹底清創(chuàng)后，給予封閉式負壓引流，術后7～10 d行封閉式負壓引流后揭除敷料，創(chuàng)面肉芽新鮮，8例行二期植皮術后愈合；4例行皮瓣修復術。結論 封閉式負壓引流術后，創(chuàng)面組織新鮮，植皮術及皮瓣術后皮片及皮瓣存活率高，且可避免因較大皮瓣修復后供瓣區(qū)皮膚軟組織的缺損，大大提高了組織存活率，療效可靠，費用低廉。

關鍵詞：封閉式負壓引流；電擊傷；皮瓣；肉芽

電擊傷，特別是高壓電擊傷，極易引起廣泛的深層組織壞死，治療難度大，往往需多次手術，且并發(fā)癥多，截肢率高，導致嚴重的后遺癥。目前主要針對電擊傷創(chuàng)面常規(guī)行清創(chuàng)后植皮，因感染，組織繼發(fā)行壞死而導致皮片存活率低這一現(xiàn)象，我科近年來（2007年7月～2010年7月年）改用清創(chuàng)后行封閉式負壓引流術引流，再二期行植皮術或皮瓣修復?，F(xiàn)將治療體會介紹如下。

1資料與方法

1.1一般資料 共收治患者12例，其中男10例，女2例，年齡4～58歲。高壓電擊傷4例，220及380伏電擊傷8例，上肢4例，下肢7例，軀干1例；皮膚缺損范圍面積2 cm×4 cm～40 cm×20 cm。伴有骨外露6例，肌腱外露8例。

1.2材料 ①VSD材料（含多側孔引流管）：聚乙烯酒精水化海藻鹽泡沫，俗稱\"人工皮\"，白色，質地柔軟，富有彈性，抗張力性強，內部含有多側孔引流管，有利于創(chuàng)面即時生成的細小壞死組織排出體外。②傷口愈合快示格膠貼（安舒妥）：該膜具有\(zhòng)"分子閥門\"效應，創(chuàng)面中壞死組織分解的腐臭氣體可滲透到薄膜外，而薄膜外的空氣、細菌不能透過薄膜進入創(chuàng)面內，其主要成分為聚氨酯和丙烯酸。③三通接頭：在各引流管之間起到連接作用。④負壓源：接中心負壓吸引持續(xù)吸引，壓力125～450 mmHg（1 mmHg=0.133 kPa）。

1.3方法 ①清創(chuàng)：徹底清除創(chuàng)面及死腔中壞死組織、異物和膿液。②清潔創(chuàng)面周圍皮膚，根據(jù)創(chuàng)面大小設計VSD材料，將VSD材料填人創(chuàng)面，確保材料與創(chuàng)面充分的接觸，不留死腔。填充結束后，用絲線將敷料與周圍皮膚間斷縫合。③將引流管接通負壓，維持負壓在125～450 mmHg范圍內，④使用傷口愈合快示格膠貼密閉創(chuàng)面：以75%酒精清洗創(chuàng)面周圍皮膚，去除油脂和污物，再用干紗布擦干后，將膜逐片粘貼密閉創(chuàng)面或創(chuàng)腔，注意覆蓋范圍應超出創(chuàng)緣2～3 cm，確保密閉效果。⑤術后處理：術后持續(xù)24 h負壓引流，經(jīng)常觀察負壓封閉引流裝置是否處于持續(xù)有效狀態(tài)，如有漏氣，因及時找出原因，更換膜及裝置，7～10 d后，揭開\"人工皮\"，如肉芽組織新鮮，無明顯炎癥分泌物附著，無骨及肌腱暴露，則可行二期植皮；如創(chuàng)面仍有骨及肌腱的外露，則行皮瓣修復術。

2結果

經(jīng)負壓封閉引流治療的12例患者，7～10 d后揭除敷料，肉芽新鮮，有骨外露，行骨皮質鑿除后，骨髓質肉芽增生亦良好。8例行植皮術后愈合；4例因骨及肌腱外露，二期行皮瓣修復術，術后皮瓣存活。

3討論

電燒傷，可造成體表、深層組織、肌肉、骨骼甚至內臟的損害。電擊傷損傷范圍深而廣，電流出人口，尤其是人口多被燒焦炭化，周圍組織凝固壞死，深部組織水腫；電燒傷所致的血管栓塞，造成肌肉組織的\"漸進性\"壞死。早期行清創(chuàng)后常規(guī)行植皮或皮瓣修復，發(fā)生因組織繼發(fā)性壞死，感染致皮片及皮瓣不存活可能性高，往往需再次或多次行植皮術修復創(chuàng)面，給患者帶來了多次的手術痛苦以及增加了患者的住院費用。使用負壓封閉引流術治療后，組織肉芽生長新鮮，組織感染發(fā)生率低，皮片存活率高，且因肉芽組織生長良好，往往可以覆蓋大部分外露肌腱及部分骨組織，這樣可避免了使用皮瓣修復而帶給患者鄰近組織的廣泛缺損，而僅需植皮術修復。即使使用皮瓣修復創(chuàng)面，組織發(fā)生感染，繼發(fā)性壞死幾率降低，皮瓣存活率得到很大的提高。總之，在電擊傷創(chuàng)面中使用封閉式負壓引流術，手術操作簡單，且無需每日換藥，大大減輕了患者的痛苦，費用，減輕了醫(yī)生的工作量，手術后效果顯著，對電擊傷創(chuàng)面的修復起到有效的作用。

參考文獻：

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編輯/肖慧