羅清威,李鳳華,李英楠,樊占國
(東北大學材料與冶金學院,遼寧沈陽,110819)
化學法在Ni-W基帶上制備Ag緩沖層研究
羅清威,李鳳華,李英楠,樊占國
(東北大學材料與冶金學院,遼寧沈陽,110819)
在雙軸織構的Ni-W基帶上,采用化學鍍銀法為YBa2Cu3O7-δ(YBCO)涂層導體制備Ag緩沖層薄膜,并通過XRD和φ掃描研究燒結溫度和鍍銀次數(shù)對Ag薄膜取向的影響。結果表明,在Ar-H2混合氣氛下,于870℃鍍銀5次所制備的薄膜具有(200)晶面單一取向;采用化學法制備的Ag薄膜有較好的外延性,且適用于涂層導體中的單一導電型緩沖層。
涂層導體;熱處理;Ag緩沖層;化學法
涂層導體,是指以YBa2Cu3O7-δ(YBCO)系超導材料為主的稀土類(Re=Y、Nd、Gd、Yb、Er等)鋇銅氧化物陶瓷材料,它具有較高的不可逆線,在外加磁場下其臨界電流密度Jc值沒有嚴重的退降。涂層導體的優(yōu)越性能使其在能源、交通、通信、電力、國防和醫(yī)療等領域得到較好的應用,并顯示廣闊的應用前景[1-4]。由于超導材料具有強烈的各向異性,要制備具有高臨界電流密度的超導體,只有使超導層材料具有雙軸織構,才能減少弱連接所造成的電流阻礙[5]。然而在YBCO薄膜生長所需要的高溫和氧化性氣氛條件下,氧原子和金屬原子較容易出現(xiàn)擴散現(xiàn)象。一旦氧擴散發(fā)生便會使金屬基帶氧化,從而破壞其良好的機械性能,與此同時金屬原子的擴散還會破壞YBCO薄膜超導性能,大大降低其臨界電流密度。因此,在基帶上必須要有能夠阻擋氧原子和金屬原子擴散的緩沖層[6-7]。在緩沖層的制備上可以采用一層或多層的復合緩沖層[8],關鍵是看其能否有效地阻擋元素互擴散和傳遞生長模板。因此簡化緩沖層結構,甚至采用單層緩沖層是目前涂層導體領域的一個研究重點。
Ag是目前惟一發(fā)現(xiàn)不與YBCO反應的金屬材料,這是其他緩沖層材料所無法比擬的。另外Ag具有較好的導電性,在實用設計中通常作為穩(wěn)定層(帽層)涂覆在YBCO超導層的上層,在局部超導層出現(xiàn)瞬時失超現(xiàn)象的情況下起到分流、散熱作用,避免YBCO層受到破壞[9]。以Ag作為基底或緩沖層可直接制備YBCO超導層,在具有{110}和{100}型織構的Ag基底上可獲得外延生長的YBCO織構[10-12]。然而相對于其他合金基體材料而言,采用Ag做基底的成本較高。為此,本文在雙軸織構的Ni-W基帶上,采用化學鍍銀法為YBa2Cu3O7-δ(YBCO)涂層導體制備Ag緩沖層薄膜,并通過XRD和φ掃描研究燒結溫度和鍍銀次數(shù)對Ag薄膜取向的影響,以期為建立新型涂層導體結構、提高臨界電流密度提供理論和技術依據(jù)。
1.1 基片制備和清洗
本實驗所用材料為西北有色金屬研究院提供的Ni-W(200)合金基帶。將合金基帶裁剪為10 mm×5 mm×0.1 mm基片樣品并進行壓平處理。由于Ni-W基帶表面會吸附氧、氯及碳等的化合物,這些吸附物對生長在其表面的薄膜織構產(chǎn)生負面影響,所以需要預先清洗基片[13]。本實驗先用30%的NaOH溶液超聲波清洗30 min,去除基底表面的皂化性油脂,然后用10%的丙酮超聲波清洗10 min,去除基片的殘余油質和其他污物,最后用去離子水超聲波清洗10 min。樣品經(jīng)真空干燥處理。
1.2 銀鍍液的配制
將7.8 g硫代硫酸鈉溶入6 m L去離子水中,將2.25 g亞硫酸鈉用12 m L去離子水溶解,1.35g的硝酸銀用3 m L去離子水溶解,并在攪拌下將亞硫酸鈉溶液倒入硝酸銀溶液中,使之生成亞硫酸銀渾濁液;隨即將亞硫酸銀渾濁液緩慢地加到硫代硫酸鈉溶液中,使Ag+與硫代硫酸鈉絡合,生成微黃色澄清溶液。將配制的鍍液靜置,過濾后加入0.75 g醋酸鈉和0.019 5 g硫代氨基脲調節(jié)溶液p H至5~6,最后加入適量的去離子水定容,以上所用化學試劑均為分析純。將配制的鍍液置入棕色瓶中避光保存,以上過程均需在暗箱內進行。
1.3 化學鍍銀及其熱處理
取適量的鍍液置入棕色容器內,并將容器放入避光暗箱進行鍍銀。將清洗過的Ni-W基片樣品浸入鍍液鍍銀200 s,取出后先經(jīng)120℃低溫烘干5 min,得到預處理薄膜。將預處理薄膜于氬氫混合(Ar-4%H2)氣氛下在管式電阻爐中以10℃/min速率升至最高溫度,恒溫1 h,再以2℃/min的速率降至650℃,然后隨爐冷卻,制得最終樣品。采用DX-2600 X’Pert Pro MPD型X射線衍射儀(Cu靶Kα衍射,電流為25 m A,電壓為35 k V)對基片樣品的物相組成和晶體取向進行分析。
2.1 熱處理溫度對Ag薄膜生長的影響
薄膜的微觀結構和性能與后期的熱處理密切相關,如結晶狀況、晶體取向、微觀形貌、晶粒大小、晶體缺陷的密度等。在熱處理過程中可以達到薄膜晶化、消除內應力以及減少晶體缺陷等目的[14]。由于Ni-W基片的立方織構高溫熱穩(wěn)定性好(約為1 200℃)[15],制備YBCO超導薄膜的溫度約為700~900℃[16],因此本實驗選擇接近于YBCO薄膜的制備溫度(850~880℃)對Ag/Ni-W基片進行熱處理。
圖1 不同熱處理溫度下制備Ag薄膜的XRD圖譜Fig.1 XRD patterns of Ag thin films annealed at different temperatures
圖1為不同熱處理條件下重復5次鍍銀后所制備Ag緩沖層薄膜的XRD圖譜。由圖1可看出,不同燒結溫度下所制得的樣品除基底衍射峰外,均為純凈的Ag相,無雜質相生成,表明在此溫區(qū)內沒有發(fā)生Ag與Ni-W互擴散的現(xiàn)象。850℃和860℃熱處理時,盡管出現(xiàn)Ag(200)衍射峰,但是(111)晶面與其并行生長,而且隨著燒結溫度的升高,薄膜(111)衍射峰強度明顯增強,(111)晶粒明顯擇優(yōu)生長。870℃熱處理時,(111)衍射峰消失,(200)晶面擇優(yōu)生長,薄膜內部的晶粒沿a軸方向的自由能最小,表明適當升高熱處理溫度有利于薄膜內部的晶粒沿(l 00)方向生長,即有利于(200)晶面擇優(yōu)生長。相對較高的結晶驅動力促進了膜層內部晶粒沿(l 00)方向外延生長。溫度升至880℃,(111)衍射峰出現(xiàn),薄膜內部的一部分晶粒在較高溫度下沿(111)晶面生長,盡管薄膜內部(200)晶面仍然擇優(yōu),但是薄膜內部一部分晶粒發(fā)生了再織構,薄膜趨于多晶化。這是由于Ag屬于低層錯能金屬,具有較低的再結晶溫度,再結晶條件的輕微改變都可能造成其織構的變化。為了更直觀地了解熱處理溫度對薄膜取向的影響,本實驗對不同溫度下Ag薄膜的(200)與(111)晶面衍射峰的相對強度比值進行了簡單計算,其結果如圖2所示,結果與上述分析一致。
圖2 (200)與(111)衍射峰相對強度比與退火溫度關系Fig.2 Relationship between peak relative intensity ratio and annealing temperature
從圖2可看出,隨著熱處理溫度的升高,Ag薄膜(200)與(111)衍射峰的相對強度比值先減小,后增大再又減小,在870℃時達到最大值,870℃以上又驟然下降,這表明薄膜在870℃燒結條件下,(l 00)晶面的織構度最高,晶粒沿(l 00)方向自由能最低。
2.2 鍍銀次數(shù)與薄膜取向的關系
重復鍍銀不僅使薄膜的制備工序復雜化,同時還提高了制備成本。因此,在870℃燒結條件下,本研究進一步分析了鍍銀次數(shù)與薄膜取向的關系。圖3為重復鍍銀及熱處理1、3、5次所制備Ag薄膜的XRD圖譜。由圖3可看出,經(jīng)過不同次數(shù)重復鍍銀所制備的薄膜均有(l 00)取向的衍射峰,而且隨著重復次數(shù)的增加,(l 00)衍射峰的強度逐漸增強。然而在鍍銀次數(shù)較少的情況下,(111)晶面的晶粒與(200)晶面的晶粒并行生長,為多晶薄膜。在鍍銀5次時薄膜為(200)單一取向,說明薄膜沿(l 00)方向排列,具有很強的面外取向。經(jīng)過5次重復鍍銀后,Ag薄膜很好地繼承Ni-W基底織構,可為后期的YBCO外延生長提供生長模板。
圖3 不同鍍銀次數(shù)下所得樣品870℃燒結后Ag薄膜的XRD圖譜Fig.3 XRD patterns of Ag thin films prepared by different Ag plating times sintered at 870℃
為了更好地了解Ag薄膜面內織構情況,本研究對在870℃下燒結重復鍍銀5次所制得的Ag薄膜進行φ掃描分析。在2θ夾角為38.2°、極角α為54.7°的衍射條件下,進行Ag(111)面φ掃描,其結果如圖4所示。φ掃描曲線中出現(xiàn)峰的個數(shù)取決于晶體的對稱性,在理論上曲線中的4個峰應該是等強度的。但由于樣品形狀、放置方式及儀器誤差等因素,使得實測結果并不相同。由圖4可看出,在圖譜中存在4個較為銳利的特征峰,而且各衍射峰的平均半高寬(FWHM)約為0.819°,表明在平面內晶粒整齊有序排列,有很好的面內織構。
圖4 870℃燒結重復鍍銀5次所制備Ag薄膜的(111)面φ掃描圖譜Fig.4 Ag(111)planφ-scan pattern prepared by repeating process of plating Ag and heat treatment five times at 870℃
(1)在870℃燒結、重復鍍銀5次條件下所制得Ag薄膜具有較好的面外取向和面內織構,(111)晶面φ掃描的平均半高寬(FWHM)約為0.819°。適當升高熱處理溫度有利于抑制Ag薄膜(111)取向的晶粒生長。
(2)采用化學法制備的Ag薄膜具有較好的外延性,可應用于涂層導體中的單一導電型緩沖層。
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Preparation of Ag buffer layers on Ni-W substrates with chemical method
Luo Qingwei,Li Fenghua,Li Yingnan,F(xiàn)an Zhanguo
(School of Materials and Metallurgy,Northeastern University,Shenyang 110819,China)
Ag buffer layers were prepared on the biaxially textured Ni-W alloy substrates with chemical method for the YBa2Cu3O7-δ(YBCO)coated conductor.The effects of different heat treatment temperatures and silver plating times on the orientation of films were studied by XRD andφ-scan.The results show that Ag films with the preferential orientation of(200)can be prepared on Ni-W alloy substrates under Ar-H2atmosphere and at 870℃after silver plated 5 times.The Ag thin film prepared by chemical method has good extensionality,and is a promising single conductive buffer layer for the coated conductor.
coated conductor;heat treatment;Ag buffer layer;chemical method
TM262
A
1674-3644(2012)03-0198-04
[責任編輯 徐前進]
2011-11-28
中央高校基本科研業(yè)務費資助項目(N100602010);國家高技術研究發(fā)展計劃(863)資助項目(2008AA03Z202).
羅清威(1983-),男,東北大學博士生.E-mail:xianghunnv@126.com
樊占國(1944-),男,東北大學教授,博士生導師.E-mail:464079699@qq.com