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    電感耦合等離子體質(zhì)譜法測(cè)定復(fù)雜高溫合金中微量硅

    2024-03-19 06:26:56王丹李思思李輝郭莉莉郭宏杰張重遠(yuǎn)
    化學(xué)分析計(jì)量 2024年2期
    關(guān)鍵詞:內(nèi)標(biāo)硝酸基體

    王丹,李思思,李輝,郭莉莉,郭宏杰,張重遠(yuǎn)

    (中國科學(xué)院金屬研究所,沈陽 110016)

    高溫合金具有良好的耐高溫、耐疲勞、耐氧化和耐腐蝕等綜合特性,其在航空、運(yùn)輸、航天、核能源和化工等領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用[1-2]。高溫合金的化學(xué)組成日趨復(fù)雜,例如高溫合金中添加適量的鉬、鉭和錸可以分別改善合金的持久性能[3]、蠕變性能[4]和延展性能[5],但合金中的共存元素對(duì)目標(biāo)元素存在譜線干擾,為檢測(cè)工作帶來一定的困難。硅就是高溫合金中的有害微量元素之一,它能明顯降低高溫合金的持久性能[6]。同時(shí)硅是陶瓷輔材的材料,難免在熔煉或鑄造過程中引入合金中,為了降低硅的不利影響,因此需要精確掌握其含量。

    硅的測(cè)定主要有重量法(HB 5220.9—2008《高溫合金化學(xué)分析方法 第9 部分:重量法測(cè)定硅含量》、YS/T 539.3—2009《鎳基合金粉化學(xué)分析方法第3部分:硅量的測(cè)定 高氯酸脫水稱量法》)、硅鉬藍(lán)光度法(HB 5220.10—2008《高溫合金化學(xué)分析方法 第10 部分:硅鉬藍(lán)吸光光度法測(cè)定硅含量》)、原子吸收光譜(GFAAS)法和電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜(ⅠCP-AES)法(HB 20241.5—2016《高溫合金化學(xué)成分光譜分析方法 第5 部分:電感耦合等離子體發(fā)射光譜法測(cè)定硅含量》)等。重量法和硅鉬藍(lán)光度法[7]使用大量有機(jī)試劑,環(huán)境不友好,且周期較長,過程繁瑣。GFAAS法[8]由于檢測(cè)范圍窄,不宜推廣。雖然有采用ⅠCP-AES 法測(cè)定高溫合金中硅的報(bào)道[9-13],但多為成分簡單的高溫合金,可通過選擇不受干擾的譜線測(cè)定或干擾較小的譜線進(jìn)行干擾校正扣除測(cè)定,而針對(duì)成分復(fù)雜的高溫合金,卻很難有效消除所有干擾。

    電感耦合等離子體質(zhì)譜(ⅠCP-MS)法是將等離子體與質(zhì)譜檢測(cè)器各自的優(yōu)勢(shì)聯(lián)合在一起形成的一種強(qiáng)大的痕量元素分析手段。ⅠCP-MS技術(shù)不僅檢出限足夠低,還擁有較寬的線性范圍和較高的精密度,而且可同步快速分析多種元素[14]。黃冬根[15]和張萍[16]等分別采用ⅠCP-MS 法測(cè)定了鉬鐵和MnZn鐵氧體中硅,但國內(nèi)外鮮有關(guān)于ⅠCP-MS 法測(cè)定復(fù)雜高溫合金中硅的報(bào)道。

    筆者采用ⅠCP-MS法對(duì)復(fù)雜高溫合金中的微量硅進(jìn)行分析。

    1 實(shí)驗(yàn)部分

    1.1 主要儀器與試劑

    電感耦合等離子體質(zhì)譜儀:iCAP Q 型,美國賽默飛世爾科技有限公司。

    超純水處理系統(tǒng):Milli-Q Reference型,美國密理博公司。

    鹽酸、氫氟酸、硝酸:均為CMOS 級(jí),國藥集團(tuán)化學(xué)試劑有限公司。

    鈧標(biāo)準(zhǔn)儲(chǔ)備溶液:標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)編號(hào)為GSB G 62013-90,1 000 μg/mL,溶劑為10%(質(zhì)量分?jǐn)?shù),下同)的硝酸溶液,國家鋼鐵材料測(cè)試中心。

    硅標(biāo)準(zhǔn)儲(chǔ)備溶液:標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)編號(hào)為GSB G 62007-90,500 μg/mL,溶劑為1%(質(zhì)量分?jǐn)?shù),下同)的碳酸鈉溶液,國家鋼鐵材料測(cè)試中心。

    鈧內(nèi)標(biāo)溶液:20 μg/mL,用10%的硝酸溶液稀釋鈧標(biāo)準(zhǔn)儲(chǔ)備溶液得到。

    硅標(biāo)準(zhǔn)溶液:20 μg/mL,用1%的碳酸鈉溶液稀釋硅標(biāo)準(zhǔn)儲(chǔ)備溶液得到。

    實(shí)驗(yàn)用水為超純水,由Milli-Q Reference 超純水處理系統(tǒng)制得。

    實(shí)驗(yàn)選取了6 個(gè)不同成分的高溫合金樣品,成分見表1。

    表1 6種高溫合金的主要成分含量Tab.1 Contents of main components of six superalloys %

    1.2 樣品處理方法

    1.2.1 實(shí)驗(yàn)前準(zhǔn)備

    由于環(huán)境中存在大量二氧化硅,會(huì)對(duì)硅的測(cè)定造成影響,為了避免污染,需要注意兩點(diǎn):(1)消解罐、瓶蓋、移液管等接觸樣品的器皿都需要在稀硝酸中加熱浸泡1 h后再使用;(2)加熱消解樣品時(shí),需要蓋上中間有孔的蓋子,既可以使生成的H2排出,釋放消解罐中壓力,又可以避免環(huán)境中二氧化硅飄入造成污染。

    1.2.2 實(shí)驗(yàn)過程

    準(zhǔn)確稱量高溫合金樣品0.1 g (精確到0.000 1 g)于50 mL 消解罐(聚四氟乙烯材料)中,添加5 mL 鹽酸、0.5 mL硝酸和幾滴氫氟酸,蓋上有孔瓶蓋后,于80 ℃加熱,使樣品徹底消解。冷卻到室溫,再轉(zhuǎn)移進(jìn)50 mL 塑料容量瓶,用二級(jí)超純水定容并混合均勻。隨同做空白試驗(yàn)。

    1.3 儀器工作條件

    正向功率:1 400 W;反射功率:4.0 W;冷卻氣流量:14.0 L/min;霧化器流量:0.80 L/min;輔助氣流量:0.80 L/min;樣品提升量:0.40 mL/min;采樣深度:5.0 mm;測(cè)量模式:KED;碰撞/反應(yīng)池He 流量:5.0 mL/min;測(cè)量時(shí)間:0.02 s;重復(fù)次數(shù):2。

    1.4 樣品測(cè)定

    分別取試劑空白溶液、硅的校準(zhǔn)系列溶液和樣品溶液,按照1.3中儀器工作條件編輯測(cè)試程序,再分別引入ⅠCP-MS 儀進(jìn)行檢測(cè),同時(shí)在線加入鈧內(nèi)標(biāo)溶液進(jìn)行校正,內(nèi)標(biāo)溶液與樣品溶液通過三通閥以體積比1∶1 在線加入,硅的同位素選28Si,鈧的同位素選45Sc。由工作站軟件分析數(shù)據(jù),繪制校準(zhǔn)曲線,計(jì)算樣品待測(cè)液中硅元素含量。

    2 結(jié)果與討論

    2.1 混酸比例的確定

    實(shí)驗(yàn)選取了6 個(gè)不同成分的高溫合金樣品,成分見表1,分別采用混酸Ⅰ(5 mL鹽酸-0.5 mL硝酸-幾滴氫氟酸)、混酸Ⅱ(5 mL鹽酸-0.5 mL硝酸)、混酸Ⅲ(5 mL 鹽酸-2 mL 硝酸)作為溶劑,低溫加熱進(jìn)行溶解,結(jié)果見圖1。由圖1可見,對(duì)于1#~4#樣品,三種溶解方法測(cè)試結(jié)果基本一致,對(duì)于5#和6#樣品第一種方式最好,后兩種方式溶解效果變差,結(jié)果嚴(yán)重偏低。這是由于當(dāng)高溫合金中的Cr、Mo、W含量較高時(shí)(如Cr含量超過20%,且Mo含量或W含量超過5%時(shí)),會(huì)與過多的硝酸發(fā)生鈍化反應(yīng),使溶解效率變低,甚至產(chǎn)生不溶物,而在減少硝酸用量的基礎(chǔ)上,再加入少許的氫氟酸會(huì)更好地絡(luò)合W、Mo、Ta等元素,達(dá)到良好的溶解效果,結(jié)果更準(zhǔn)確。

    圖1 6種高溫合金用3種混酸溶解后的測(cè)試結(jié)果Fig.1 Test results of six superalloys dissolved in three mixed acids

    2.2 溶解溫度的考察

    設(shè)定樣品溶解溫度分別為25、60、80、100 ℃,考察3#和4#高溫合金樣品中硅的測(cè)定結(jié)果,結(jié)果見圖2。由圖2可見,隨著溫度上升,不僅溶解速率加快,樣品溶解得更完全,在80 ℃達(dá)到最佳,然后隨著溫度提升,測(cè)定值降低。有研究表明[16],雖然硅遇到氫氟酸會(huì)生成易揮發(fā)的SiF4,但當(dāng)溶液中有大量水時(shí),生成的SiF4會(huì)迅速溶解在水溶液中,生成氟硅酸和硅酸,而由H2SiF6-HF-H2O組成的三元恒沸體系,沸點(diǎn)為116 ℃,因此在80 ℃消解樣品,不會(huì)造成硅的損失,而當(dāng)溫度達(dá)到100 ℃時(shí),由于接近沸點(diǎn),硅會(huì)有一定的揮發(fā),從而造成損失。

    圖2 不同加熱溫度溶解后的測(cè)試結(jié)果Fig.2 Test results after dissolution at different heating temperatures

    2.3 質(zhì)譜干擾的消除

    硅的3個(gè)同位素在質(zhì)譜分析中主要受到的離子干擾見表2。

    表2 硅的同位素受多原子離子干擾情況Tab.2 Interference of Si isotopes by polyatomic ions

    為消除干擾,首先通過適當(dāng)提高儀器功率和載氣流量,提高硅的信號(hào)響應(yīng)強(qiáng)度來弱化干擾的影響,其次通過選用28Si 作為待測(cè)同位素,并采用動(dòng)能歧視來消除干擾。在碰撞反應(yīng)池中通入5.0 mL/min的He,He與多原子干擾離子和硅離子均發(fā)生碰撞,但由于分子離子的碰撞截面大于單原子離子,導(dǎo)致其失去更多動(dòng)能,再通過在反應(yīng)池出口設(shè)置合適的能量障礙使其不能進(jìn)入四極桿,進(jìn)而有效的消除多原子離子干擾。

    2.4 基體效應(yīng)的消除

    由于復(fù)雜高溫合金中存在大量鎳基體和鉭、鉬、鎢等共存元素,對(duì)微量元素硅的測(cè)定會(huì)產(chǎn)生一定的干擾。分別以純水、酸試劑和待測(cè)樣品為基體繪制相應(yīng)的校準(zhǔn)曲線,考察基質(zhì)對(duì)待測(cè)元素的影響,結(jié)果見表3。由表3可見,純水和酸試劑打底測(cè)定結(jié)果偏高,而樣品打底測(cè)定結(jié)果與標(biāo)準(zhǔn)值基本一致。

    表3 基體匹配和內(nèi)標(biāo)對(duì)硅測(cè)定的影響(n=6)Tab.3 Influence of matrix matching and internal standard on silicon determination (n=6)

    基體匹配法是校正基體干擾的常用方法,通常是向相應(yīng)基體元素中加標(biāo)液的方式繪制校準(zhǔn)曲線,但是市場(chǎng)購買的純鎳中往往含有少量的硅,影響測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確性,另外,也為了更好地校正基體和共存元素的干擾,采用直接向待測(cè)樣品中加標(biāo)液的方式來完全匹配基體,并通過在線加入20 ng/mL的鈧內(nèi)標(biāo)元素,改善了由于測(cè)試過程中基體等元素在儀器接口沉積,從而造成的信號(hào)漂移現(xiàn)象,相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)偏差有所降低。

    2.5 校準(zhǔn)曲線的繪制和檢出限

    稱量5份合金樣品各0.1 g,按照1.2中步驟溶解后,轉(zhuǎn)移到50 mL 容量瓶中,分別加入20 μg/mL 的硅標(biāo)準(zhǔn)溶液0、0.05、0.1、0.2、1.0、5.0 mL,用水稀釋至標(biāo)線,混勻,測(cè)量校準(zhǔn)系列的強(qiáng)度值,以硅的信號(hào)強(qiáng)度值作為縱坐標(biāo),其質(zhì)量分?jǐn)?shù)作為橫坐標(biāo),來繪制工作曲線。結(jié)果表明,硅在質(zhì)量分?jǐn)?shù)0.002%~0.10%范圍內(nèi)線性良好,線性方程為y=5 175x+19 759,相關(guān)系數(shù)為0.999。

    在優(yōu)化的設(shè)備條件下,進(jìn)行11次空白溶液的測(cè)量,并計(jì)算結(jié)果的標(biāo)準(zhǔn)偏差,以3倍的標(biāo)準(zhǔn)偏差作為硅的方法檢出限,得方法檢出限為0.000 3%,滿足檢測(cè)需要。

    2.6 加標(biāo)回收試驗(yàn)

    選取1#和4#高溫合金樣品進(jìn)行硅含量的測(cè)定,作為本底值,再加入三種已知濃度的硅標(biāo)準(zhǔn)溶液,在同一測(cè)試條件下,進(jìn)行重復(fù)性測(cè)試(n=6),計(jì)算硅元素測(cè)定值的相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)偏差和加標(biāo)回收率,測(cè)定結(jié)果見表4。由表4 可知,硅的加標(biāo)回收率為90.0%~110.0%,相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)偏差小于2.0%,符合測(cè)定技術(shù)要求。

    表4 加標(biāo)回收試驗(yàn)結(jié)果(n=6)Tab.4 Results of standard addition recovery test(n=6)

    2.7 樣品測(cè)定

    按照實(shí)驗(yàn)方法對(duì)1#~4#高溫合金標(biāo)準(zhǔn)樣品進(jìn)行檢測(cè),平行測(cè)定2次,取平均值,測(cè)定結(jié)果見表5。測(cè)試結(jié)果與樣品標(biāo)準(zhǔn)值的偏差小于其擴(kuò)展不確定度,表明該方法準(zhǔn)確可靠。

    表5 標(biāo)樣檢測(cè)結(jié)果Tab.5 Test results of standard samples

    3 結(jié)語

    建立了使用ⅠCP-MS分析復(fù)雜高溫合金中的微量硅的測(cè)試方法,優(yōu)化了樣品溶解過程,通過完全基體匹配的標(biāo)準(zhǔn)加入法消除基體和共存元素對(duì)待測(cè)元素的影響,并通過在線加內(nèi)標(biāo)鈧改善信號(hào)漂移。經(jīng)方法學(xué)驗(yàn)證和樣品比對(duì)試驗(yàn),均證明了該方法的準(zhǔn)確性和精確性,可以適應(yīng)日常的分析要求。

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