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      基于背靠背結(jié)構(gòu)的三電平PFC變換器研究

      2023-02-22 02:47:46周沫函
      東北電力技術(shù) 2023年1期
      關(guān)鍵詞:橋臂二極管電平

      周沫函,萬 瑩

      (1.三峽大學(xué)電氣與新能源學(xué)院,湖北 宜昌 443002;2.國網(wǎng)宜昌供電公司,湖北 宜昌 443000)

      隨著時代的發(fā)展,電子裝置使用的電壓等級與所需功率不斷升高,傳統(tǒng)的解決方式已不能滿足需求,而三電平變換器作為提高輸出電壓的一種有效方式,因日益增長的需求,受到廣泛的關(guān)注。并且因大量的電子設(shè)備投入電網(wǎng)中,也使諧波在電網(wǎng)中的占比不斷上升,進(jìn)而造成諧波污染。所以國內(nèi)和國際陸續(xù)提出一些對諧波入網(wǎng)的限制要求,例如IEC61000-3-2與更嚴(yán)苛的61000-3-2C類標(biāo)準(zhǔn)[1-4],為解決這類問題,前人提出不少方法,但最簡便與有效的方法仍是功率因數(shù)校正(power factor correction, PFC)技術(shù),應(yīng)用場合非常廣泛。

      背靠背結(jié)構(gòu)作為維也納整流器中常用的結(jié)構(gòu),具有共模噪聲小,且結(jié)構(gòu)中2個開關(guān)管可同時驅(qū)動的特點[5],可一定程度上降低控制復(fù)雜度。本文為解決圖1傳統(tǒng)三電平結(jié)構(gòu)控制復(fù)雜和兩電平電路中電壓等級不足的問題,結(jié)合三電平拓?fù)渑cPFC技術(shù)的優(yōu)勢,根據(jù)傳統(tǒng)三電平拓?fù)?,結(jié)合背靠背和Boost拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),構(gòu)造出一種高可靠性、效率較高的新型拓?fù)洹?/p>

      1 基于背靠背結(jié)構(gòu)的新型拓?fù)?/h2>

      1.1 拓?fù)渫茖?dǎo)

      圖1為2種常用的單相三電平拓?fù)浣M成結(jié)構(gòu),其中圖1(a)為傳統(tǒng)三電平結(jié)構(gòu),其開關(guān)管電壓應(yīng)力與開關(guān)損耗等方面較兩電平電路有明顯的改善,且由于其功率可雙向流通,常應(yīng)用于雙功率流動的應(yīng)用場合中;圖1(b)為常見的共漏極背靠背式結(jié)構(gòu)[6],其不僅使共模噪聲減小,還可減小PFC電路產(chǎn)生的漏電流。本文利用圖1(b)結(jié)構(gòu)對圖1(a)所示鉗位式三電平拓?fù)溥M(jìn)行改造,提出TLBTB拓?fù)洌浣Y(jié)構(gòu)如圖2所示。與傳統(tǒng)三電平結(jié)構(gòu)相比,該拓?fù)洳粌H減少了開關(guān)管的使用數(shù)量,且增加了拓?fù)淠B(tài)的組合方式,提高了拓?fù)涞目煽啃浴?/p>

      (a)傳統(tǒng)三電平結(jié)構(gòu)

      (b)背靠背式結(jié)構(gòu)圖1 傳統(tǒng)三電平拓?fù)?/p>

      圖2所示TLBTB因只考慮功率單向流通,故將圖1(a)中開關(guān)管橋臂S1-S8換成對稱二極管橋臂D1-D6,簡化拓?fù)涞目刂茝?fù)雜度,并在原本橋臂中間加入開關(guān)管S1與S2,控制零電平的輸出,又二極管D5與D6之間存在電流倒灌風(fēng)險,故加入S3控制該路通斷,減少拓?fù)溥\(yùn)行風(fēng)險;而開關(guān)管S4和S5的漏極相連,構(gòu)成共漏極背靠背結(jié)構(gòu),降低拓?fù)涞目刂茝?fù)雜度,且構(gòu)成三電平回路,拓展了拓?fù)涞膽?yīng)用場合。

      圖2 基于背靠背結(jié)構(gòu)三電平變換器拓?fù)?/p>

      由文獻(xiàn)[7]中所提拓?fù)涞闹骰芈放c兩電容中點的拓?fù)浣M合方式與所提TLBTB組合方式相同,可得出一種適用于大部分拓?fù)涞倪B接方式,可證明該拓?fù)渚哂幸欢ǖ哪K化形式,在實際應(yīng)用場合中有更大的應(yīng)用范圍,但在本文中不作贅述。

      1.2 工作模態(tài)分析

      為驗證本文所提TLBTB的有效性,對圖2中拓?fù)溥M(jìn)行工作原理分析,該拓?fù)涞?種不同工作模態(tài)下的主回路路徑圖如圖3所示,其中圖3(a)-(f)為TLBTB在1個開關(guān)周期內(nèi)的6種工作狀態(tài)。為簡化分析,設(shè)定理想條件:①所有元件均不考慮寄生參數(shù)影響;②直流輸出電壓恒定,R為純阻性負(fù)載[8]。

      (a)工作模態(tài)1

      (b)工作模態(tài)2

      (c)工作模態(tài)3

      (d)工作模態(tài)4

      (e)工作模態(tài)5

      (f)工作模態(tài)6圖3 工作模態(tài)主回路路徑圖

      模態(tài)1:見圖3(a),開關(guān)管全部關(guān)斷,D2-D4導(dǎo)通,電源US通過電感L給電容C1、C2和負(fù)載R輸送能量,此時流過電感的電流iL下降,其中,橋臂電壓Uab=+Udc。

      模態(tài)2:見圖3(b),開關(guān)管S3、S4導(dǎo)通,二極管僅有D4導(dǎo)通,電感L放電對C1充電,電流依次流過二極管D4、電容C1和S3-S5,此時橋臂電壓Uab=+Udc/2。

      模態(tài)3:見圖3(c),工作于電源負(fù)半周期,開關(guān)管僅有S1開通,且US經(jīng)過開關(guān)管S1給電感L充電,電容C1、C2同時向負(fù)載R放電,因L充電原因,iL絕對值線性上升;此時,橋臂電壓Uab=0。

      模態(tài)4:見圖3(d),電源處于負(fù)半周期的工作狀態(tài),開關(guān)管S2、S3開通,其中電源US通過2個開關(guān)管S2和S3實現(xiàn)電感L儲能,與模態(tài)3對應(yīng),流過電感的電流iL同樣線性上升,電容C1、C2同時對負(fù)載R供能,橋臂電壓Uab=0。

      模態(tài)5:見圖3(e),電源處于負(fù)半周期的工作狀態(tài),與模態(tài)2互補(bǔ),僅有開關(guān)管S2導(dǎo)通,其余開關(guān)管全部關(guān)斷,電流依次流過S2、S4、S5、D8、C2、D3和S1,此時橋臂電壓Uab=-Udc/2。

      模態(tài)6:見圖3(f),電源處于負(fù)半周期的工作狀態(tài),除開關(guān)管S3外全部關(guān)斷,D1、D5和D6正向?qū)?,電容C1、C2充電,在電源電壓的絕對值大于直流輸出電壓的中一半時,電感L放電,電感電流iL下降,橋臂電壓Uab=-Udc。

      由上述模態(tài)分析,可得開關(guān)脈沖分配關(guān)系,如表1所示,列出各模態(tài)下拓?fù)錉顟B(tài),其中S1-S5為開關(guān)管狀態(tài)。1表示開關(guān)管處于導(dǎo)通狀態(tài);0表示開關(guān)管處于關(guān)斷狀態(tài)[9]。

      表1 開關(guān)脈沖分配表

      2 控制與調(diào)制策略

      圖4 控制框圖

      本文采用同相載波層疊SPWM調(diào)制技術(shù)實現(xiàn)脈沖信號分配。其調(diào)制的基本思想是將4個頻率相等、幅值相同的三角載波連續(xù)疊層放置形成載波組,并使其完全分布在三電平(也可稱為五電平)變換器的線性調(diào)制區(qū)間內(nèi),在正弦調(diào)制波位于零軸之上時,將調(diào)制波與載波v1、v2比較,若調(diào)制波大于載波v1則輸出1電平,若調(diào)制波小于v1但大于v2則輸出1/2電平,而小于v2則輸出趨近零的正電平,簡稱零電平;負(fù)半周期與正半周期對應(yīng),也由2組三角載波v3、v4比較輸出2種負(fù)電平和零電平[13-14],圖5(a)為SPWM調(diào)制原理圖,畫出了SPWM載波調(diào)制的開關(guān)狀態(tài)選擇模塊。圖5(b)為拓?fù)銽LBTB的開關(guān)管脈沖分配示意圖,該方法的橋臂電壓uab的電平是固定的,其利用圖5(a)中原理得到輸出的對應(yīng)區(qū)間,再由表1中不同模態(tài)下元件狀態(tài)量進(jìn)行脈沖分配,就可得到拓?fù)錁虮壑g的三電平階梯波型。

      (a)調(diào)制原理圖

      (b)開關(guān)管脈沖分配示意圖圖5 SPWM調(diào)制原理

      3 損耗分析

      本文所提TLBTB損耗主要由開關(guān)管損耗與二極管損耗構(gòu)成[15-16],本節(jié)對上述2種損耗進(jìn)行計算,得出所提新型拓?fù)鋼p耗并與傳統(tǒng)三電平損耗對比,繪制效率曲線圖。

      當(dāng)電流流過開關(guān)管即MOSFET完全導(dǎo)通時,開關(guān)管類似于通態(tài)電阻,此時會產(chǎn)生通態(tài)損耗Ps-con,即

      (1)

      式中:RDs為開關(guān)通態(tài)電阻值;IS(t)為流過開關(guān)管電流隨時間變化的函數(shù)值。

      當(dāng)開關(guān)管開通時,開關(guān)管電流延遲上升,同時其承受電壓下降,從而產(chǎn)生開通損耗的Ps-on,即

      (2)

      式中:tDr與tr對應(yīng)延遲上升時間與上升時間;fsw對應(yīng)開關(guān)管開關(guān)頻率。

      當(dāng)驅(qū)動電路驅(qū)動MOSFET時,會有驅(qū)動電流隨著時間變化產(chǎn)生驅(qū)動電荷,發(fā)生此過程時會產(chǎn)生驅(qū)動損耗Pdrive,且驅(qū)動損耗與開關(guān)頻率也有關(guān)系。

      Pdrive=VdriveQgfsw

      (3)

      式中:驅(qū)動電荷Qg可利用輸入電容Ciss、柵極與漏極之間電荷Cgd與驅(qū)動電壓Vdrive計算,可表示為

      Qg=0.9VdriveCiss+Qgd

      (4)

      綜上,開關(guān)管損耗由上述4種損耗組成:

      Ps-mos=Ps-con+Ps-on+Ps-off+Pdrive

      (5)

      在二極管開通瞬間,其承受電壓較正常時會急速上升,經(jīng)過一段時間tfr后才會恢復(fù)正常,故將產(chǎn)生開通損耗Pdon,可表示為

      (6)

      式中:Vmf為二極管正向電壓恢復(fù)最大電壓;Vf是正向恢復(fù)電壓的典型值;tfr為二極管正向恢復(fù)時間。

      二極管在導(dǎo)通時可等效為電阻RD,因此二極管通態(tài)損耗可表示為

      (7)

      而關(guān)斷損耗是由二極管的反向恢復(fù)電流造成的,根據(jù)其關(guān)斷時的特性,可得關(guān)斷損耗Pdoff,即

      (8)

      式中:trr為二極管反向恢復(fù)時間。

      二極管損耗則由開通、通態(tài)與關(guān)斷損耗組成,故所提拓?fù)涞亩O管損耗PD為式(6)—(7)的和。

      由以上分析可得出所提TLBTB拓?fù)渑c傳統(tǒng)三電平拓?fù)湓诓煌?fù)載下(100%滿載為1 kW)的效率曲線[17]如圖6所示。

      圖6 損耗對比圖

      4 仿真驗證

      為驗證本文所提TLBTB的可行性,搭建參數(shù)如表2所示的輸出直流400 V,額定功率為1 kW的仿真模型。

      表2 電路試驗參數(shù)

      圖7(a)為直流側(cè)輸出電壓波形,可知直流側(cè)電壓穩(wěn)定在400 V,實現(xiàn)了拓?fù)渖龎汗δ堋D7(b)為拓?fù)涞臉虮垭妷篣ab,可知拓?fù)淇蓪崿F(xiàn)三電平狀態(tài)。

      (a)直流側(cè)輸出電壓波形

      (b)橋臂電壓波形圖7 2種輸出電壓波形圖

      圖8為交流側(cè)電壓US與電感電流iL的波形圖,其中為便于比較,將電壓絕對值縮小10倍。由圖8可知,出現(xiàn)電壓電流同相位現(xiàn)象,實現(xiàn)了功率因數(shù)校正。圖9表示拓?fù)涞拈_關(guān)脈沖分配圖,其中Vref為設(shè)定的正弦調(diào)制波,S1-S5為5個開關(guān)管的脈沖仿真圖,與圖5(b)脈沖分配基本一致。

      圖8 輸入電壓與電感電流圖

      圖9 TLBTB開關(guān)脈沖分配仿真圖

      5 結(jié)語

      本文根據(jù)背靠背結(jié)構(gòu)在傳統(tǒng)三電平基礎(chǔ)上作出改變,提出一種基于背靠背結(jié)構(gòu)的三電平變換器,并對該拓?fù)渑c其采用的控制及調(diào)制策略進(jìn)行理論分析,再根據(jù)仿真驗證其可行性,結(jié)果表明該拓?fù)淠軌蜻_(dá)到功率因數(shù)校正的要求,且有脈沖分配、控制系統(tǒng)簡單及效率較高等特點,不僅證明了所提TLBTB拓?fù)涞目尚行?,還說明其有較強(qiáng)的應(yīng)用價值。

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