馮 雷,張志鋒
(沈陽(yáng)工業(yè)大學(xué) 電氣工程學(xué)院,沈陽(yáng) 110870)
內(nèi)置式永磁同步電機(jī)(以下簡(jiǎn)稱IPMSM)結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、加工簡(jiǎn)易、體積略小、質(zhì)量輕、損耗小的同時(shí)效率能達(dá)到更高,相較傳統(tǒng)電機(jī),成為電動(dòng)汽車電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中認(rèn)可度十分高的選擇。而使用永磁體勵(lì)磁的IPMSM無(wú)法像常規(guī)電機(jī)一樣可以通過(guò)改變勵(lì)磁繞組而達(dá)到調(diào)節(jié)勵(lì)磁磁場(chǎng),永磁體產(chǎn)生的磁場(chǎng)是無(wú)法改變的,只能通過(guò)削弱d軸電流來(lái)等效達(dá)到削弱磁場(chǎng)的目的。
負(fù)id補(bǔ)償控制算法由于其不包含電機(jī)參數(shù)的公式且參數(shù)魯棒性較強(qiáng),成為弱磁控制研究熱點(diǎn)。但其控制算法本身的問(wèn)題,只能通過(guò)削弱d軸電流來(lái)進(jìn)行弱磁升速,弱磁深度受到限制。當(dāng)電機(jī)在深度弱磁區(qū)域時(shí),隨著弱磁深度的加深,電壓橢圓與電流圓會(huì)出現(xiàn)不重合的現(xiàn)象,此時(shí)逆變器端電壓過(guò)大,會(huì)帶來(lái)嚴(yán)重后果[1]。同濟(jì)大學(xué)康勁松教授團(tuán)隊(duì)通過(guò)使用單電流調(diào)節(jié)器方法替換傳統(tǒng)控制方法實(shí)現(xiàn)弱磁控制,通過(guò)減少控制變量數(shù)目,一定程度上解決了交直軸電流的耦合問(wèn)題,并通過(guò)計(jì)算轉(zhuǎn)折速度處電流點(diǎn)找到MTPA(最大轉(zhuǎn)矩電流比)與弱磁控制的切換點(diǎn),實(shí)現(xiàn)了兩種控制比較平滑的過(guò)渡[2-3]。湖南大學(xué)羅德榮團(tuán)隊(duì)通過(guò)找到進(jìn)入MTPV(最大轉(zhuǎn)矩電壓比)曲線的iq電流點(diǎn),與特征電流點(diǎn)進(jìn)行線性化處理,線性化MTPV曲線,但在不同電機(jī)中進(jìn)入MTPV曲線的iq電流點(diǎn)難以獲取,計(jì)算上依舊十分復(fù)雜[4]。大連交通大學(xué)時(shí)維國(guó)團(tuán)隊(duì)針對(duì)深度弱磁區(qū)域電流、轉(zhuǎn)矩脈動(dòng)大,電流調(diào)節(jié)器易飽和等問(wèn)題,計(jì)算深度弱磁MTPV曲線id、iq關(guān)系,通過(guò)將id下限限制在特征電流點(diǎn),以此推導(dǎo)出Δid與Δiq的比例式。對(duì)d軸電流進(jìn)行限幅,確定q軸電流增量,重新規(guī)劃弱磁軌跡,達(dá)到深度弱磁的目的,但此比例式參數(shù)十分復(fù)雜,在實(shí)際中難以應(yīng)用[5]。江蘇大學(xué)朱利東團(tuán)隊(duì)優(yōu)化了Δid與Δiq的比例關(guān)系,其計(jì)算量小,易于實(shí)現(xiàn),并在實(shí)驗(yàn)中得到了驗(yàn)證[6]。
查表法基于電機(jī)實(shí)測(cè)標(biāo)定,無(wú)需額外的控制過(guò)程。本文基于查表法介紹一種單張表轉(zhuǎn)速轉(zhuǎn)矩二維表查表法,具有動(dòng)態(tài)性能好,無(wú)額外計(jì)算過(guò)程優(yōu)點(diǎn)的同時(shí),為了應(yīng)對(duì)電機(jī)運(yùn)行過(guò)程中母線電壓的波動(dòng),與多張表查表法標(biāo)定不同,通過(guò)推導(dǎo)公式將母線的電壓波動(dòng)轉(zhuǎn)換為轉(zhuǎn)速波動(dòng),在母線電壓波動(dòng)情況下也可以在單張表中進(jìn)行查詢,省略了多張表多個(gè)電壓下標(biāo)定的復(fù)雜工程量,最后通過(guò)MATLAB/Simulink搭建仿真模型進(jìn)行驗(yàn)證。
本文給出IPMSM在dq軸坐標(biāo)系下定子電壓方程和定子磁鏈方程[7-8]:
(1)
(2)
式中:ud,uq為d,q軸定子電壓;ψd,ψq為d,q軸定子磁鏈;id,iq為d,q軸定子電流;p為微分算子;R為定子電阻。
式(1)中,永磁電機(jī)定子部分電阻較小,當(dāng)電機(jī)運(yùn)行在弱磁區(qū)域轉(zhuǎn)速較高時(shí),電阻上的壓降可以忽略不計(jì);當(dāng)電機(jī)處于穩(wěn)態(tài)運(yùn)行時(shí),第二項(xiàng)微分項(xiàng)也可忽略不計(jì)。此時(shí) IPMSM的高速穩(wěn)態(tài)電壓方程可以表示如下:
(3)
電機(jī)交直軸電壓和電流以及逆變器直流側(cè)電壓都有一定限制[9],如下:
(4)
(5)
將式(3)代入式(5)后,電壓限制可以用id與iq進(jìn)行表示,即極限電壓橢圓表示如下:
(6)
圖1 IPMSM 電氣約束與運(yùn)行區(qū)域
與表貼式電機(jī)未達(dá)到轉(zhuǎn)折速度即未進(jìn)入弱磁區(qū)域的id=0控制方法不同,IPMSM存在Ld、Lq不同的情況,永磁同步電機(jī)電磁轉(zhuǎn)矩方程如下:
(7)
(8)
(9)
式中:Te為輸出電磁轉(zhuǎn)矩;Tm為磁阻轉(zhuǎn)矩;Tr為永磁轉(zhuǎn)矩;p為極對(duì)數(shù)。表貼式電機(jī)Ld=Lq,磁阻轉(zhuǎn)矩為0,永磁轉(zhuǎn)矩與iq無(wú)關(guān),為了提高效率,采用id=0控制方法。而IPMSM中Ld與Lq并不相同,使用id=0控制方法會(huì)降低效率。為此,我們通過(guò)拉格朗日定理求極值,可以得出單位電流上獲得最大轉(zhuǎn)矩的id分布如下[10]:
(10)
考慮到實(shí)際電機(jī)運(yùn)行過(guò)程由于發(fā)熱等問(wèn)題,Ld、Lq會(huì)有微小的變化,通過(guò)對(duì)如表1所示的電機(jī)仿真參數(shù),在MATLAB中進(jìn)行薄板樣條插值,得出隨著id、iq變化而改變的Ld、Lq數(shù)據(jù),如表2所示。
通過(guò)對(duì)表2數(shù)據(jù)進(jìn)行薄板樣條插值,得到如圖2所示的三維曲面。
表2 仿真Ld/Lq參數(shù)
圖2 三維曲面
將定子電流is,轉(zhuǎn)矩角β,d、q軸等效電感Ld、Lq代入轉(zhuǎn)矩公式,通過(guò)掃描法可以得出MTPA曲線:
(11)
通過(guò)兩個(gè)循環(huán),掃描is從0以每次增長(zhǎng)1A的步長(zhǎng)到ismax,以及轉(zhuǎn)矩角從90°以每次0.5°的步長(zhǎng)到180°,代入式(11),得到所有轉(zhuǎn)矩情況,調(diào)用max函數(shù),獲得一組Temax,記錄此時(shí)的角度β,并通過(guò)式(12):
(12)
得到此時(shí)的id、iq并記錄,MTPA曲線如圖3所示。
圖3 MTPA曲線
為了獲得從MTPA切換到弱磁控制的轉(zhuǎn)折點(diǎn)即轉(zhuǎn)折速度,需要在限制電壓橢圓和限制電流圓繪制轉(zhuǎn)矩轉(zhuǎn)速等高線,獲得轉(zhuǎn)矩等高線與MTPA的交點(diǎn)對(duì)應(yīng)的轉(zhuǎn)速。掃描轉(zhuǎn)矩從0開始,以10 N·m步長(zhǎng)增長(zhǎng)到690 N·m,借用MATLAB腳本文件獲取等高線,并在此基礎(chǔ)上將MTPA曲線加入顯示,如圖4所示。
圖4 轉(zhuǎn)矩等高線
轉(zhuǎn)速在每個(gè)轉(zhuǎn)矩下都從0開始,以100 r/min步長(zhǎng)增長(zhǎng)到5 500 r/min,將上述曲線簇與MTPA曲線放在同一圖中顯示,如圖5所示。
圖5 轉(zhuǎn)矩轉(zhuǎn)速等高線簇
記錄在各個(gè)轉(zhuǎn)矩等高線與MTPA曲線的交點(diǎn)向量值Nem即轉(zhuǎn)折速度以及此時(shí)的id _MTPA、iq_MTPA為后續(xù)從MTPA切換到弱磁點(diǎn)做基礎(chǔ)。
最大轉(zhuǎn)矩電壓比,顧名思義就是在電壓極限橢圓內(nèi)任一范圍獲得能獲得的最大轉(zhuǎn)矩,構(gòu)造一個(gè)自變量x為id因變量z為Tmax以及中間變量y為iq的函數(shù)f并調(diào)用fminbnd極小值函數(shù),求出按照定步長(zhǎng)增長(zhǎng)的每一轉(zhuǎn)速下的最高轉(zhuǎn)矩Tmax以及此時(shí)的id _MTPV、iq _MTPV,將這個(gè)最高轉(zhuǎn)矩記錄下來(lái),為后續(xù)MTPV轉(zhuǎn)折做準(zhǔn)備。即:
f函數(shù)如下:
最后調(diào)用fminbnd極小值函數(shù),最高轉(zhuǎn)矩Tmax時(shí)對(duì)應(yīng)的id _MTPV、iq _MTPV:
(id _MTPV,Tmax)=fminbnd[Tmax,minN_id(n),
maxN_id(n)]
iq _MTPV=轉(zhuǎn)速曲線簇{n}(id _MTPV)
此時(shí)已經(jīng)完整獲得每一個(gè)轉(zhuǎn)速下在MTPV曲線轉(zhuǎn)折的最高轉(zhuǎn)矩Tmax,以及MTPA曲線轉(zhuǎn)折速度向量點(diǎn)Nem。除了MTPA和MTPV以外,剩下的電流規(guī)劃為轉(zhuǎn)矩轉(zhuǎn)速等高線的交點(diǎn),通過(guò)同樣的方法通過(guò)構(gòu)造一個(gè)自變量為id將自變量代入轉(zhuǎn)矩轉(zhuǎn)速等高曲線簇?cái)M合曲線作差,調(diào)用fminbnd函數(shù)取極小值,目的是為了獲取轉(zhuǎn)矩轉(zhuǎn)速等高線交點(diǎn)時(shí)的id、iq。
按照如圖6所示的流程圖進(jìn)行表格的建立。
圖6 表格建立流程圖
按照?qǐng)D6最后得出在udc=270 V全速域MTPA、弱磁、深度弱磁MTPV中id、iq分布。
由于存在電壓波動(dòng)情況,當(dāng)電壓波動(dòng)時(shí)本文討論的udc=270 V便不再適用,因此需要在不同母線電壓情況下生成不同的表,工作量十分巨大,對(duì)此我們進(jìn)行如下推導(dǎo)。
高速時(shí)忽略電機(jī)定子電阻的影響,可有下面的極限電壓橢圓方程:
(13)
為了能適應(yīng)全范圍電壓運(yùn)行,先在最低母線電壓udcmin下生成id、iq地圖,對(duì)于上面的電壓極限圓來(lái)說(shuō),可以有如下方程:
(14)
由于二維表查表法的輸入是轉(zhuǎn)速和轉(zhuǎn)矩,對(duì)于固定的udc得到上述的二維表id、iq地圖,但無(wú)法應(yīng)對(duì)電壓的變化,可以將電壓的變化折算到轉(zhuǎn)速的變化上,對(duì)于變化的udc,我們可以得到:
(15)
化簡(jiǎn)可得:
(16)
通過(guò)上述變化,可以將電壓的變化比例折算到兩個(gè)輸入之一的轉(zhuǎn)速上,這樣就可以避免為了應(yīng)對(duì)電壓波動(dòng)重復(fù)建立多個(gè)表的復(fù)雜過(guò)程,采用單個(gè)表即可。
仿真實(shí)驗(yàn)在MATLAB/Simulink 2018a編譯環(huán)境下運(yùn)行,電機(jī)數(shù)據(jù)見表1。參考轉(zhuǎn)速與母線電壓如圖7、圖8所示。
圖7 參考轉(zhuǎn)速設(shè)定
圖8 母線電壓設(shè)定
轉(zhuǎn)速0~0.7 s上升到5 000 r/min,母線電壓0~0.5 s從270 V上升到350 V模擬母線電壓波動(dòng)情況,得到輸出三相電流iabc、id、iq、udc、轉(zhuǎn)速如圖9、圖10所示。
圖9 輸出電流
圖10 輸出轉(zhuǎn)矩轉(zhuǎn)速檢測(cè)
從圖9可以看出,進(jìn)入弱磁后id、iq持續(xù)降低,符合之前電壓極限圓、電流極限圓推導(dǎo),之后隨著轉(zhuǎn)速提高,進(jìn)入深度弱磁區(qū)域,沿著MTPV曲線iq持續(xù)下降,id反向增加,符合MTPV曲線軌跡。在母線電壓波動(dòng)的情況下依舊可以進(jìn)入深度弱磁并且轉(zhuǎn)速達(dá)到了設(shè)定轉(zhuǎn)速,達(dá)到預(yù)期實(shí)驗(yàn)?zāi)康摹?/p>
本文從電機(jī)基本公式引入,簡(jiǎn)單介紹了目前常用的弱磁技術(shù),介紹了表貼式和內(nèi)置式電機(jī)基速以下id=0控制和MTPA控制的區(qū)別。并通過(guò)掃描法對(duì)永磁同步電機(jī)弱磁過(guò)程id、iq電流軌跡進(jìn)行規(guī)劃,通過(guò)規(guī)劃MTPA、MTPV、等高線交點(diǎn)得到id、iq電流點(diǎn),并通過(guò)MATLAB/Simulink進(jìn)行m函數(shù)編譯出表,并搭建模型仿真,通過(guò)仿真實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證單張表轉(zhuǎn)矩轉(zhuǎn)速二維查表法,可以應(yīng)對(duì)電壓波動(dòng)并且能夠通過(guò)控制轉(zhuǎn)矩轉(zhuǎn)速進(jìn)入深度弱磁區(qū)域,基本達(dá)到預(yù)期效果。