馬來酸酐四元共聚物阻垢劑的阻垢規(guī)律及機理

王 恒，鐘顯康,2，扈俊穎

(1.西南石油大學 石油與天然氣工程學院，四川 成都 610500；2.西南石油大學 油氣藏地質及開發(fā)工程國家重點實驗室，四川 成都 610500)

采油和油氣集輸過程中使用的管道內部頻繁發(fā)生結垢。集輸管道結垢會導致輸油管線壓力下降、輸送量減小，結垢嚴重時可導致閥門或管道完全堵塞、輸送作業(yè)迫停；結垢還會加速管道腐蝕，使管道出現(xiàn)穿孔、刺漏等現(xiàn)象，顯著縮短管道的服役壽命，增加管道安全風險，此外，集輸管道結垢還可能造成巨大的經(jīng)濟損失。

油田集輸中最常見的無機物垢是碳酸鈣，方解石是最穩(wěn)定的晶型[1]。目前，油田集輸中用來防止結垢的主要方法有：添加阻垢劑、磁防垢技術和超聲波阻垢技術等[2]。其中，添加阻垢劑是最經(jīng)濟、有效的阻垢方式。阻垢劑的主要作用機理有3點：螯合作用、分散作用和晶格畸變[3-4]。其中，含磷阻垢劑是目前油田中使用較多的阻垢劑，但其會對水體產生污染，因此，無磷環(huán)保型阻垢劑是未來的發(fā)展方向。聚環(huán)氧琥珀酸(PESA)和聚天冬氨酸(PASP)屬于綠色環(huán)保型阻垢劑，對水體無污染且具有優(yōu)異的阻垢性能，近年來受到越來越多關注。Huang等[5]使用縮水甘油和環(huán)氧琥珀酸進行共聚反應，合成了一系列具有線性和超支化結構的改性PESA，并評價了這些共聚物對碳酸鈣的阻垢效果。當實驗水質中的Ca2+質量濃度、HCO3-質量濃度、反應溫度和反應時間分別為120 mg/L、366 mg/L、70 ℃和10 h時，加入15 mg/L的阻垢劑，阻垢效率可以達到95.9%。Chen等[6]使用聚丁二酰亞胺(PSI)和組氨酸合成了組氨酸-聚天冬氨酸阻垢劑(His-PASP)，并對其抑制碳酸鈣生成的性能進行了評價。當實驗水質中Ca2+質量濃度、HCO3-質量濃度、反應溫度和反應時間分別為500 mg/L、500 mg/L、80 ℃和10 h，阻垢劑添加質量濃度為6 mg/L 時，其阻垢效率為100%?？傮w來看，當實驗水質中Ca2+質量濃度不高于500 mg/L時，阻垢劑表現(xiàn)出優(yōu)異的阻垢性能；但當實驗水質為高Ca2+質量濃度(大于1000 mg/L)和高礦化度(即測試體系中各種離子質量濃度總和大于10000 mg/L)時，阻垢劑的阻垢效果會顯著降低，因此，有必要針對應用于高Ca2+質量濃度和高礦化度的水質環(huán)境下的高性能無磷環(huán)保阻垢劑進行研究。

使用馬來酸酐(MA)、乙酸乙烯酯(VA)、乙烯基磺酸鈉(VS)和2-丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸(AMPS)為單體，以過硫酸銨為引發(fā)劑、水為溶劑，合成一種四元共聚物。對聚合物結構進行表征，對其阻垢規(guī)律進行研究，應用分子動力學計算阻垢劑與碳酸鈣晶體的結合能，并使用SEM和XRD來檢測阻垢劑對碳酸鈣晶體晶型的影響，分析阻垢機理。

1 實驗部分

1.1 試劑和儀器

試劑：MA、VA、NaOH、過硫酸銨、NaHCO3、CaCl2·H2O、MgCl2·6H2O、NaCl、Na2SO4、無水乙醇、鉻黑T，均為AR，成都市科隆化學品有限公司產品；EDTA-2 Na(乙二胺四乙酸二鈉)溶液，0.1 mol/L，成都市科隆化學品有限公司產品；VS(質量分數(shù)25%)、AMPS(AR)，上海阿拉丁科技股份有限公司產品；超純水，實驗室超純水機(CM-RO-C2，寧波俊琪儀器設備有限公司)自制。

儀器：磁力攪拌電熱套，CLT-1A，常州恩培儀器制造有限公司產品；電熱恒溫干燥箱，DHG101-1B，紹興市上虞區(qū)滬越儀器設備廠產品；數(shù)顯磁力攪拌器，LC-DMS-S，湖南力辰科技儀器有限公司產品；智能蠕動泵，DIPump550，卡川爾流體科技(上海)有限公司產品；數(shù)顯恒溫水浴鍋，HH-6，湖南力辰科技儀器有限公司產品。

1.2 阻垢劑的制備

按照4種單體摩爾比為n(MA)∶n(VA)∶n(VS)∶n(AMPS)=10∶6∶1∶1，分別稱取12.25 g MA、6.45 g VA、6.5 g VS和2.58 g AMPS倒入四口燒瓶中，加入30 mL超純水，攪拌使固相物質完全溶解。按單體總質量的8%稱量1.83 g過硫酸銨，用10 mL超純水溶解，裝入恒壓分液漏斗中作引發(fā)劑。當四口燒瓶內的溶液被加熱至80 ℃且持續(xù)攪拌時，滴加引發(fā)劑并在30 min滴加結束，恒溫反應4 h后停止加熱，室溫下自然冷卻，得到淡黃色液體；將其全部倒入分液漏斗中，向其中加入200 mL無水乙醇，充分搖勻，靜置2 h，分層析出聚合物，用無水乙醇洗滌至無沉淀析出，然后在110 ℃下烘干至恒重，得到提純后的MA-VA-VS-AMPS四元共聚物阻垢劑，其合成方程式如圖1所示。

m:2.3-18.0；n：1.6-12.0；k:0.17-1.30,l:0.11-0.80圖1 MA-VA-VS-AMPS合成反應方程式Fig.1 Synthesis reaction equation of MA-VA-VS-AMPS

1.3 阻垢劑的表征評價

1.3.1 阻垢劑和碳酸鈣晶型表征

使用北京瑞利分析儀器公司生產的WQF-520型傅里葉紅外光譜儀對MA-VA-VS-AMPS的結構進行FT-IR分析，將MA-VA-VS-AMPS和KBr在干燥的條件下以體積比1∶100混合均勻后，制作成KBr壓片進行測試。測試范圍為400～4000 cm-1，共掃描16次。

使用卡爾蔡司顯微圖像有限公司的ZEISS EV0 MA15掃描電子顯微鏡對碳酸鈣的微觀形貌進行分析。樣品在測試之前進行噴金操作，測試的電壓為20 kV，測試的倍數(shù)為500～5000倍。采用丹東浩元儀器有限公司生產的DX-2700型X-射線衍射儀測定碳酸鈣的晶型，掃描角度范圍為10°～90°，光源為X射線，測試電壓為40 kV，掃描速率6.1538 °/min。

1.3.2 阻垢劑的靜態(tài)評價

按照標準SYT-5673-93分析四元共聚物阻垢劑MA-VA-VS-AMPS阻碳酸鈣生成的性能。所用陽離子溶液和陰離子溶液離子質量濃度如表1所示。

表1中2種溶液按照1∶1的體積比混合得到實驗溶液，實驗溶液中Ca2+、HCO3-質量濃度分別為1654、2672 mg/L，實驗溫度和實驗時間為70 ℃、為24 h，pH值為7.2，礦化度為42146 mg/L。

表1 阻垢性能測試用溶液離子質量濃度Table 1 Ion contents of the experimental solution ρ/(mg·L-1)

1.3.3 阻垢劑的動態(tài)評價

阻垢劑動態(tài)評價在模擬Erling[7]的實驗裝置上進行，實驗裝置示意圖如圖2所示。

阻垢劑動態(tài)評價實驗步驟如下：按表1所列配制好陽離子溶液和陰離子溶液，并將一定量的阻垢劑加入到陰離子溶液中，充分攪拌，使溶液和阻垢劑均勻混合，然后將1和2兩種容器中的溶液按照1∶1的體積比通過泵輸送到雙層夾套反應器，雙層夾套反應器中保留1 L固定體積的混合溶液，通過磁力攪拌器以1000 r/min的速率攪拌均勻，使用熱水泵將水浴鍋中的熱水循環(huán)流過雙層夾套反應器的外層進行加熱，混合液輸送泵將雙層夾套反應器中的溶液通過環(huán)形玻璃管輸送到廢液收集罐中，通過觀察環(huán)形玻璃管中的結垢程度和稱量結垢的質量評價阻垢效果。阻垢率(η，%)計算公式如式(1)所示。

1—Cation；2—Anion with or without inhibitor；3—Pump A；4—Pump B；5—Magnetic stirring apparatus；6—Double-layer jacketed reactor；7—Constant temperature water bath；8—Spiral glass tube；9—Pump C；10—Pump D；11—Waste liquid recovery tank圖2 阻垢劑動態(tài)評價實驗裝置示意圖Fig.2 Schematic diagram of the scale inhibitor dynamic evaluation experimental device

(1)

式中:m、m0、m1分別為環(huán)形玻璃管的原始質量、實驗后未加阻垢劑的環(huán)形玻璃管的質量、實驗后加入阻垢劑的環(huán)形玻璃管的質量，g。

1.4 分子動力學計算

使用Materials Studio 8.0計算阻垢劑與碳酸鈣垢方解石的相互作用能。碳酸鈣垢方解石晶體屬于三方晶系，空間群為R3C。晶胞參數(shù)為[8]：a=b=0.4991 nm，c=1.7061 nm，α=β=90°，γ=120°。筆者主要研究阻垢劑與碳酸鈣垢方解石104晶面的相互作用能[9]。計算力場選擇COMPASS II力場，系綜采用正則系綜(NVT)[10]，原子間的非鍵相互作用選擇為1.55 nm球形截斷直徑。

構建碳酸鈣垢方解石104晶面超晶胞，其尺寸為3.238 nm×3.493 nm×4.673 nm，晶胞中原子總數(shù)為1680個(C:336;O:1008;Ca:336)。碳酸鈣垢方解石104晶胞總共由6層原子組成，將最下面5層原子采用坐標約束進行固定，僅留最上面一層保持自由狀態(tài)，然后對晶胞進行退火模擬[11]：溫度從273 K到1098 K，溫度步長為50 K，時間步長為1 fs，共模擬10個循環(huán)，總退火時間為300 ps。

對4種單體MA、VA、VS和AMPS采用嵌段聚合的方式形成聚合物。陳騰殊[12]的聚合物構建模型提到，當聚合度小于20時，計算后的結合能趨于穩(wěn)定值。因此，筆者根據(jù)n(MA)∶n(VA)∶n(VS)∶n(AMPS)=10∶6∶1∶1的比例合成聚合度為18的四元共聚物。因為4種單體在發(fā)生聚合反應時具有柔性，故選取單體聚合時的扭轉角度均分別為0°、45°、90°、135°、180°時形成四元共聚物。對在5個不同單體扭轉角度時形成的聚合物結構，運用Forcite模塊進行幾何優(yōu)化，直到四元共聚物分子結構的能量收斂，選擇分子結構能量最小的四元共聚物分子結構進行動力學計算。使用Amorphous cell模塊將優(yōu)化好的1個四元共聚物分子與500個水分子形成一個溶液層，通過Build layer將溶液層與碳酸鈣垢方解石104超晶胞合成為一個阻垢體系。由于計算體系在構建過程中是周期性結構，因此在溶液層的上方設置3 nm的距離來防止周期性影響。

分子動力學模擬計算在Forcite模塊中進行，阻垢體系的計算溫度、計算的時間步長和計算的模擬時間分別為323 K、1 fs和1000 ps。恒溫器選用Andersen，每5000步記錄一次結果。動力學計算的總幀數(shù)為200幀，選取平衡后的100幀進行能量計算，每個能量值(平均值)均采用腳本進行計算。

四元共聚物與碳酸鈣垢方解石的相互作用能(Eads，kJ/mol)可用式(2)表示。

Eads=ETotal-(ECalcite+EInhibitor)

(2)

式中：ETotal代表MA-VA-VS-AMPS和碳酸鈣晶面結合的總能量，kJ/mol;ECalcite為碳酸鈣的單點能，kJ/mol;EInhibitor為MA-VA-VS-AMPS的單點能，kJ/mol;MA-VA-VS-AMPS與碳酸鈣之間的結合能(EBind)為其相互作用能的負值[13]，EBind=-Eads，kJ/mol。

2 結果與討論

2.1 MA-VA-VS-AMPS的紅外光譜分析

MA-VA-VS-AMPS的紅外光譜圖如圖3所示。由圖3可知：在波數(shù)3100 cm-1和1727 cm-1處的峰分別對應羧基中的—OH和C=O的特征伸縮振動峰；波數(shù)1226 cm-1處是酯基中—C—O的特征伸縮振動峰；波數(shù)3480 cm-1和1637 cm-1處分別為酰胺基中—NH和—C=O的特征伸縮振動吸收峰；波數(shù)1400 cm-1和1168 cm-1分別是磺酸基中—SO的不對稱和對稱伸縮振動吸收峰；波數(shù)590 cm-1為磺酸基中C—S的特征伸縮振動吸收峰[14]。由此可見，羧基、酯基、磺酸基和酰胺基已經(jīng)被成功引入到了聚合物分子中，表明4種單體MA、VA、VS、AMPS均已經(jīng)參加共聚反應生成了MA-VA-VS-AMPS四元共聚物。

圖3 MA-VA-VS-AMPS的紅外光譜圖Fig.3 FT-IR Spectrum of MA-VA-VS-AMPS

2.2 阻垢劑質量濃度對阻垢效果的影響

四元聚合物阻垢劑MA-VA-VS-AMPS質量濃度對阻垢率的影響曲線如圖4所示。由圖4可知：當阻垢劑質量濃度由100 mg/L增加至800 mg/L時，阻垢率逐漸增大；當阻垢劑質量濃度為800 mg/L時，阻垢率達到最大值99.3%。這是因為MA-VA-VS-AMPS阻垢劑中含有羧基官能團，可以和Ca2+發(fā)生螯合作用，增大Ca2+在實驗溶液中的溶解度，從而減少碳酸鈣沉淀生成。MA-VA-VS-AMPS 阻垢劑中的磺酸基團可使生成的碳酸鈣晶核不易聚集，減緩晶體的生長。當阻垢劑質量濃度較低時，實驗溶液中含有較少的羧基和磺酸基，對晶體生成的抑制作用較?。浑S著阻垢劑MA-VA-VS-AMPS質量濃度增大，能夠與Ca2+螯合的羧基增多，分散作用也增強，所以會產生優(yōu)異的阻垢效果。由于當阻垢劑質量濃度在400 mg/L時，阻垢率高于80%，考慮阻垢劑用量問題，選擇阻垢劑質量濃度為400 mg/L進行進一步研究。

圖4MA-VA-VS-AMPS質量濃度(ρ)對阻垢率(η)的影響Fig.4 Influence of MA-VA-VS-AMPS mass concentrations (ρ) on the scale inhibition efficiency (η)Conditions：ρ(Ca2+)=1654 mg/L;T=70 ℃;pH=7.2

2.3 實驗溶液溫度對阻垢效果的影響

圖5為實驗溶液溫度對阻垢劑MA-VA-VS-AMPS性能的影響曲線。由圖5可知,實驗溶液溫度由40 ℃ 升高至80 ℃時，MA-VA-VS-AMPS阻垢率呈現(xiàn)下降的趨勢，阻垢率由最高值97.8%降低到70.3%。這是因為隨著實驗溶液溫度的升高，實驗溶液中各種離子活度增高，碳酸氫鈣分子間的碰撞速率增大，促進了碳酸氫鈣轉變?yōu)樘妓徕}。溫度越高，碳酸鈣的溶解度越小，沉淀垢更容易生成[15-16]，因此，阻垢效果變差。

圖5 實驗溶液溫度(T)對MA-VA-VS-AMPS阻垢率(η)的影響曲線Fig.5 The influence curve of experimental solution temperatures (T)on the scale inhibition efficiency of MA-VA-VS-AMPS (η)Conditions：ρ(MA-VA-VS-AMPS)=400 mg/L;ρ(Ca2+)=1654 mg/L;pH=7.2

2.4 Ca2+質量濃度對阻垢效果的影響

圖6為Ca2+質量濃度對阻垢劑MA-VA-VS-AMPS的影響曲線。由圖6可知,MA-VA-VS-AMPS阻垢率隨Ca2+質量濃度的增大先增加后減小。當Ca2+質量濃度從1000 mg/L增至1400 mg/L時，阻垢率從78%增加至91.3%；當Ca2+質量濃度為1400 mg/L時，阻垢率達到最大值91.3%；當Ca2+質量濃度從1400 mg/L增至1800 mg/L時，阻垢率逐漸減小。這是因為當Ca2+質量濃度超過阻垢劑的最大作用范圍時，阻垢效率下降，此時需要加入更多的阻垢劑以達到阻垢要求。然而，據(jù)文獻[17]報道，當溶液中Ca2+質量濃度過低時，溶液中阻垢劑含量相對過多，就會出現(xiàn)閾值效應，反而會使阻垢效率降低。

圖6 Ca2+質量濃度(ρ(Ca2+))對MA-VA-VS-AMPS阻垢率(η)的影響曲線Fig.6 The influence curve of the mass concentration of Ca2+ (ρ(Ca2+))on the scale inhibition efficiency (η)of MA-VA-VS-AMPSConditions：ρ(MA-VA-VS-AMPS)=400 mg/L；T=70 ℃；pH=7.2

2.5 實驗溶液pH值對阻垢效果的影響

圖7為實驗溶液pH值對MA-VA-VS-AMPS阻垢率的影響曲線。由圖7可知：當pH<6時，阻垢率均大于90%；隨著pH值繼續(xù)升高，MA-VA-VS-AMPS 阻垢率逐漸下降。這是因為在酸性溶液中，HCO3-的電離程度小，對應的CO32-的含量少，酸性溶液中產生的CO32-濃度不易達到碳酸鈣的溶度積，因此，不易生成沉淀。隨著溶液pH值的升高，溶液中HCO3-的電離平衡向右移動，CO32-含量增加，因此，溶液中容易形成碳酸鈣沉淀[18]；另外，當溶液pH>7時，也會伴隨有CaOH沉淀生成，進一步降低阻垢劑的阻垢效果。

圖7 pH值對MA-VA-VS-AMPS阻垢率(η)的影響曲線Fig.7 The influence curve of pH value on the scale inhibition efficiency (η)of MA-VA-VS-AMPSConditions：ρ(MA-VA-VS-AMPS)=400 mg/L；ρ(Ca2+)=1654 mg/L；T=70 ℃

2.6 阻垢劑動態(tài)評價結果

當實驗溶液溫度為50 ℃、流速為30 mL/min、pH值為7.2時進行動態(tài)實驗，實驗時間8 h，實驗溶液成分見表1。動態(tài)評價實驗結束后循環(huán)玻璃管內壁碳酸鈣垢如圖8所示。由圖8可知：未加入阻垢劑時玻璃管內壁附著了大量的碳酸鈣垢；加入150 mg/L MA-VA-VS-AMPS阻垢劑后，僅在玻璃管道出口端有少許結垢，而且垢層分散不聚集，經(jīng)計算，阻垢率高達96.8%。表明MA-VA-VS-AMPS阻垢劑在動態(tài)評價時具有優(yōu)異的阻垢性能。

圖8 動態(tài)評價實驗結束后循環(huán)玻璃管照片F(xiàn)ig.8 The photos of the glass pipes after dynamic test(a)Without inhibitor；(b)With inhibitor

2.7 分子動力學計算

動力學計算中，計算體系的溫度和能量波動范圍在10%以內時，可認為計算體系達到平衡[19]。圖9 為MA-VA-VS-AMPS阻垢劑在動力學模擬體系中平衡階段最后500ps的能量和溫度波動曲線。由圖9可知，MA-VA-VS-AMPS阻垢體系能量波動范圍為-201500～-200500 kJ/mol，溫度在310～330 K之間波動，可見能量波動和溫度波動都在其平均值的10%范圍內，說明該動力學模擬體系計算已經(jīng)達到平衡。

圖9 MA-VA-VS-AMPS阻垢體系的能量和溫度隨時間的波動曲線Fig.9 The energy and temperature fluctuation curves of MA-VA-VS-AMPS scale inhibition system with time

圖10為分子動力學計算后的模型圖。由圖10可知，動力學計算后模型中MA-VA-VS-AMPS阻垢劑分子距離方解石晶體表面非常近，碳酸鈣垢方解石中的Ca原子和聚合物中的O原子的最近距離為0.2215 nm，說明阻垢劑分子和晶面之間發(fā)生了吸附作用。阻垢劑分子和方解石的結合能越大，說明吸附作用越強，阻垢性能越好。表2為分子動力學計算后的MA-VA-VS-AMPS阻垢劑分子和碳酸鈣垢方解石結合能。由表2可以看出：MA-VA-VS-AMPS聚合物與碳酸鈣垢方解石之間的結合能為871.61 kJ/mol，這與陳騰殊[12]的計算結果893.03 kJ/mol相近，證實了聚合物分子和碳酸鈣垢方解石晶面發(fā)生了很好的吸附作用。

A—The bottom vertex of the computing system圖10 MA-VA-VS-AMPS分子動力學計算模型圖Fig.10 The calculation model diagram of MA-VA-VS-AMPS molecular dynamics simulations

表2 MA-VA-VS-AMPS分子與CaCO3垢方解石的結合能Table 2 Binding energies between MA-VA-VS-AMPS and CaCO3 E/(kJ·mol-1)

徑向分布函數(shù)g(r)表示以一類原子為中心，在一定區(qū)域范圍內尋找到的另一類原子的區(qū)域密度和全局密度的比值。徑向分布函數(shù)可以用來分析聚合物和方解石104晶面產生吸附的原因。一般來說，徑向分布函數(shù)g(r)圖中小于0.35 nm的峰主要由化學鍵、氫鍵作用形成，大于0.35 nm的峰主要是庫倫力和范德華力的相互作用形成[20]。圖11為MA-VA-VS-AMPS 阻垢劑中的羰基O與方解石中Ca2+的徑向分布函數(shù)圖。由圖11可知，在0.238 nm處產生了很強的峰值，由于0.239 nm是Ca-O鍵的鍵長[21]，說明MA-VA-VS-AMPS阻垢劑聚合物和碳酸鈣垢方解石形成了Ca-O化學鍵，阻垢劑與方解石之間的吸附作用屬于化學作用。

圖11 MA-VA-VS-AMPS中的O和CaCO3中的Ca2+的徑向分布函數(shù)圖Fig.11 Radial distribution function of O in MA-VA-VS-AMPS and Ca2+ in CaCO3

2.8 阻垢機理分析

圖12是添加阻垢劑MA-VA-VS-AMPS前后形成的碳酸鈣垢的SEM形貌照片。由圖12可以看出：添加阻垢劑MA-VA-VS-AMPS前的碳酸鈣垢晶型是規(guī)則的六面體，為碳酸鈣晶體最常見的方解石晶型[22-23]；添加阻垢劑MA-VA-VS-AMPS后的碳酸鈣垢形貌變?yōu)椴灰?guī)則狀且疏松多孔，碳酸鈣垢的晶型受到阻垢劑的影響而發(fā)生畸變。這是由于MA-VA-VS-AMPS阻垢劑中的羧基和磺酸基可以與溶液中的Ca2+發(fā)生螯合作用；也可在碳酸鈣垢晶體生長階段占據(jù)晶體中的活性位點，產生晶格畸變使生成的碳酸鈣垢變得疏松多孔；阻垢劑分子水解的負電荷長鏈也可包裹已生成的碳酸鈣垢晶體，使其產生分散作用而不易聚集，從而減緩碳酸鈣垢的繼續(xù)增長[24]。圖13為添加MA-VA-VS-AMPS阻垢劑前后形成的碳酸鈣垢的XRD圖譜。由圖13可知，添加阻垢劑MA-VA-VS-AMPS前，碳酸鈣垢分別在23.04°、29.36°、36°、39.4°、43.24°、47.6°、48.6°、57.6°、60.68°和64.84°處出現(xiàn)了衍射峰。加入阻垢劑MA-VA-VS-AMPS后，碳酸鈣垢出現(xiàn)了新的衍射峰，分別出現(xiàn)在24.68°、26.92°、32.64°、43.68°和49.8°。因此，在沒有阻垢劑的情況下，碳酸鈣垢晶體全部是方解石[25-26]，在加入阻垢劑后，碳酸鈣垢晶體的結構發(fā)生了改變，出現(xiàn)了一定量的球霰石，這也證明了晶體的形貌發(fā)生了變化，說明MA-VA-VS-AMPS阻垢劑使得碳酸鈣垢方解石的晶格發(fā)生了畸變。

圖12 添加MA-VA-VS-AMPS前后CaCO3垢的SEM照片F(xiàn)ig.12 SEM images of CaCO3 scale with and without inhibitor MA-VA-VS-AMPS(a)Without inhibitor MA-VA-VS-AMPS；(b)With inhibitor MA-VA-VS-AMPS

圖13 添加MA-VA-VS-AMPS前后的CaCO3垢XRD譜圖Fig.13 XRD patterns of CaCO3 scale with and without inhibitor MA-VA-VS-AMPS

綜上所述，MA-VA-VS-AMPS阻垢劑的阻垢機理為：在結晶誘導期內，MA-VA-VS-AMPS阻垢劑可以優(yōu)先和溶液中的Ca2+結合，產生螯合作用，使溶液中不易產生碳酸鈣垢晶體；在碳酸鈣垢晶體生長期內，阻垢劑可以優(yōu)先吸附在碳酸鈣垢的表面，占據(jù)碳酸鈣的正常生長位點，導致碳酸鈣垢晶體生長出現(xiàn)錯位，晶體結構變得疏松多孔，產生晶格畸變，碳酸鈣垢晶體容易被溶液沖刷出管道從而不易結垢；同時阻垢劑還可以包裹碳酸鈣垢晶體，使碳酸鈣垢晶體的外層帶有相同的負電荷，從而產生分散作用，碳酸鈣垢不易聚集和繼續(xù)增長。

3 結 論

(1)在n(MA)∶n(VA)∶n(VS)∶n(AMPS)=10∶6∶1∶1、過硫酸銨為單體總質量的8%、反應溫度80 ℃、反應時間4 h條件下，合成了一種阻垢劑，經(jīng)FT-IR分析，該阻垢劑為MA-VA-VS-AMPS四元聚合物。

(2)在靜態(tài)條件和動態(tài)條件下的阻垢劑質量濃度分別為800、150 mg/L時，MA-VA-VS-AMPS阻垢率達到最高，分別為99.3%和96.8%。通過SEM和XRD對碳酸鈣的微觀形貌和晶型分析可知，MA-VA-VS-AMPS聚合物導致碳酸鈣晶體形貌發(fā)生晶格畸變。分子動力學計算表明，MA-VA-VS-AMPS聚合物主要通過化學吸附的形式吸附在方解石上。

(3)阻垢劑的作用機理為：螯合作用，晶格畸變和分散作用。