張亞軍,陸 堅(jiān)
(中科芯集成電路有限公司,江蘇無(wú)錫 214072)
集成電路測(cè)試貫穿于集成電路設(shè)計(jì)、制造、封裝及應(yīng)用的全過(guò)程,是集成電路產(chǎn)業(yè)鏈中一個(gè)極為重要的組成部分。集成電路測(cè)試通常分為晶圓測(cè)試(Chip Probing,CP)、成品測(cè)試(Final Test,F(xiàn)T)和可靠性測(cè)試(Burn In Test)等,其中CP測(cè)試是驗(yàn)證集成電路設(shè)計(jì)和制造是否異常的核心環(huán)節(jié),是芯片級(jí)異常把關(guān)的前站。
CP測(cè)試平臺(tái)由自動(dòng)測(cè)試機(jī)(Automatic Test Equipment,ATE)和探針臺(tái)(Prober)組成,ATE有V93K、J750HD和AccoTest8200等,探針臺(tái)有東京精密(TSK)的UF200/3000系列、東京電子(TEL)的P8/12系列及國(guó)產(chǎn)深圳矽電PT912A系列等。其中TSK系列探針臺(tái)因具備性能穩(wěn)定、界面友好和軟件便利等特點(diǎn),正逐步成為國(guó)內(nèi)測(cè)試工廠的首選。
CP測(cè)試每完成一片晶圓都會(huì)生成一張測(cè)試Map,包含產(chǎn)品對(duì)應(yīng)的菜單名稱(chēng)、尺寸、步距和每顆芯片的自然屬性(Mark、Skip、Test等)及結(jié)果屬性(Pass/Fail、Soft Bin等)。在晶圓沒(méi)有進(jìn)行研磨、劃片、挑粒和鍵合等封裝工序之前,這張測(cè)試Map就是這片晶圓的“身份證”。
身份證辦理通常分為首次申領(lǐng)和補(bǔ)辦等,補(bǔ)辦是件麻煩的事情,但有時(shí)又不得不面對(duì),測(cè)試Map的“補(bǔ)辦”同等道理。首次“申領(lǐng)”適用于晶圓常規(guī)測(cè)試流程?!把a(bǔ)辦”適用于二次及以上處理,其場(chǎng)景包括但不限于以下情況:測(cè)試數(shù)據(jù)存在,但測(cè)試Map丟失;客戶提供電子Map要求測(cè)試,但非探針臺(tái)接受格式等。每種場(chǎng)景數(shù)據(jù)來(lái)源多樣化,但最終均可做數(shù)據(jù)歸一化處理,形成一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)化處理流程。測(cè)試Map補(bǔ)辦“身份證”的需求促使測(cè)試Map的“重生”技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生。
本文根據(jù)行業(yè)探針臺(tái)受歡迎程度,選取TSK系列探針臺(tái)進(jìn)行闡述。
TSK Map有3種類(lèi)型的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu),分別為常規(guī)型數(shù)據(jù)文件(Normal Map Data File),最大芯片數(shù)25萬(wàn)的數(shù)據(jù)文件(Map Data File for 250000 Chips)和256工位的數(shù)據(jù)文件(Map Data File for 256 Multi-sites)。為了降低測(cè)試成本,多工位并行測(cè)試已成常態(tài),Map Data File for 256 Multi-sites數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)逐漸成為主角,表1是其數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)說(shuō)明。
表1 256工位Tsk Map數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)
從表1中可以看出頭文件信息和每顆管芯測(cè)試數(shù)據(jù)兩個(gè)項(xiàng)目一直存在,是TSK Map的“基石”。頭文件信息保存了產(chǎn)品品名、尺寸、Flat/Notch和測(cè)試時(shí)間等參數(shù),其中可由Map版本(Map Version)字節(jié)得到TSK Map版本信息,由MAP文件配置(Map File Configuration)2個(gè)字節(jié)得到Option項(xiàng)開(kāi)啟情況。Option項(xiàng)的開(kāi)啟與否由測(cè)試晶圓的工位、Soft Bin等需求決定。每顆管芯測(cè)試數(shù)據(jù)塊保存了每顆芯片的自然屬性和結(jié)果屬性。測(cè)試Map的“重生”主要圍繞著這個(gè)數(shù)據(jù)塊展開(kāi)。
測(cè)試Map的“重生”場(chǎng)景分為內(nèi)部和外部?jī)深?lèi)。內(nèi)部場(chǎng)景為測(cè)試Map丟失,測(cè)試數(shù)據(jù)存在:
1)TSK探針臺(tái)自身各種硬件異常,導(dǎo)致測(cè)試Map丟失;
2)ATE與TSK探針臺(tái)信息交互異常,導(dǎo)致測(cè)試Map丟失;
3)人為誤操作造成晶圓直接退片,導(dǎo)致測(cè)試Map丟失等。
外部場(chǎng)景是有電子Map但非探針臺(tái)接受格式:
1)A、B工廠探針臺(tái)平臺(tái)不一致,A只能提供電子Map給B;
2)A、B工廠探針臺(tái)平臺(tái)一致,CP1在A工廠,CP2在B工廠,A因種種原因只提供電子Map給B等。
如上所述,內(nèi)部和外部場(chǎng)景輸入雖有不同,但數(shù)據(jù)均可進(jìn)行歸一化處理(比如根據(jù)測(cè)試數(shù)據(jù)生成標(biāo)準(zhǔn)格式數(shù)據(jù)數(shù)組,將電子Map數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為標(biāo)準(zhǔn)格式數(shù)據(jù)數(shù)組等),最終形成一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)化的處理流程。
為便于論述,用案例進(jìn)行說(shuō)明。圖1是一個(gè)客戶提供的電子Map截圖,要求在TSK探針臺(tái)上進(jìn)行測(cè)試。
客戶提供的電子Map用UE(UltraEdit,適用于二進(jìn)制和ASCII碼等多種格式文件)打開(kāi)。電子Map是由A工廠根據(jù)已完成CP1測(cè)試的原始Map進(jìn)行二次處理后的文件,不體現(xiàn)測(cè)試芯片的自然屬性和Soft Bin等信息,只單純體現(xiàn)測(cè)試結(jié)果和狀態(tài),字符“.”代表非測(cè)試狀態(tài),字符“1”代表良品芯片,字符“X”代表不良品芯片,字符“M”代表強(qiáng)制打點(diǎn)芯片等。客戶要求B工廠進(jìn)行CP2測(cè)試,將字符“1”芯片進(jìn)行再次測(cè)試和分BIN,字符“X”芯片強(qiáng)制歸類(lèi)為BIN X(X可以自定義,比如8),代表不良品。
TSKMap生成的標(biāo)準(zhǔn)流程為:
1)新建一個(gè)對(duì)應(yīng)產(chǎn)品品名的菜單(Device),包含測(cè)試總數(shù)(Gross Die)、坐標(biāo)和自然屬性(Skip Die,Test Die)等信息;
2)根據(jù)批號(hào)(Lot No.)和片號(hào)(Slot No.)組合進(jìn)行每片晶圓的測(cè)試,每個(gè)坐標(biāo)對(duì)應(yīng)的芯片根據(jù)其自然屬性和測(cè)試結(jié)果進(jìn)行數(shù)據(jù)寫(xiě)入;
3)流程循環(huán),生成一張張測(cè)試Map。
參考TSK Map生成的標(biāo)準(zhǔn)流程,測(cè)試Map“重生”的步驟如下。
根據(jù)客戶需求制作一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)菜單(Golden Device)。圖1電子Map中測(cè)試數(shù)據(jù)的行、列數(shù)目和Golden Device的行、列數(shù)目進(jìn)行比對(duì)確認(rèn)數(shù)值左偏移(Offset)和上偏移。偏移的存在是因?yàn)榫A制造時(shí)硅片邊緣會(huì)留下3 mm左右的空白區(qū)域,俗稱(chēng)“光邊”,Golden Device制作原理基于圖像算法及探針臺(tái)運(yùn)動(dòng)規(guī)則,所以這個(gè)區(qū)域同樣計(jì)算進(jìn)Golden Device的生成,因此Golden Device的行、列數(shù)目要大于等于圖1中電子Map測(cè)試數(shù)據(jù)的行、列數(shù)目(必須確保條件)。
圖1 客戶提供的電子Map信息
TSK探針臺(tái)和ATE聯(lián)機(jī),探針卡無(wú)需和晶圓接觸,實(shí)際測(cè)試一片晶圓,生成一張測(cè)試Map,按行業(yè)慣例這是一張所有芯片屬性為失效、Soft Bin為Bin2的Map。這張測(cè)試Map很重要,是后續(xù)軟件批處理數(shù)據(jù)的標(biāo)準(zhǔn)“模板”。
軟件批處理開(kāi)發(fā)環(huán)境基于Excel VBA6.5及以上版本。首先讀取測(cè)試Map“模板”文件,Binary編碼格式,字節(jié)讀取模式,得到測(cè)試數(shù)據(jù)行、列數(shù)目并建立對(duì)應(yīng)的二維數(shù)組,數(shù)組初始值根據(jù)要求全“.”或“,”等。根據(jù)客戶提供的電子Map讀取圖1所示的文件,ASCII編碼格式,行讀取模式。前7行信息是晶圓的一些基礎(chǔ)信息,如批號(hào)、片號(hào)和良品芯片等。從第8行起是測(cè)試數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)段。通過(guò)行順序讀取,再利用VBA StrConv()指令進(jìn)行數(shù)據(jù)拆解,得到每個(gè)芯片的信息(空白字符、字符“1”和字符“X”等)。再根據(jù)左偏移和上偏移數(shù)值將拆解得到的芯片信息裝入根據(jù)測(cè)試Map“模板”建立的二維數(shù)組,至此完成了數(shù)組層面的數(shù)據(jù)替換。
再次打開(kāi)測(cè)試Map“模板”文件,同時(shí)新建一個(gè)待寫(xiě)入文件(Binary格式,字節(jié)寫(xiě))。首先進(jìn)行TSK Map頭文件信息數(shù)據(jù)段的替換,有3個(gè)關(guān)鍵參數(shù)晶圓刻號(hào)(Wafer ID)、Lot No.和Slot No.,這是區(qū)分每批和每片晶圓的關(guān)鍵索引,這部分正常替換即可。下一步進(jìn)行TSK Map每顆管芯測(cè)試數(shù)據(jù)段的處理,這是測(cè)試Map“重生”的關(guān)鍵步驟,因?yàn)槊款w芯片測(cè)試結(jié)果的替換會(huì)涉及到其自然屬性和結(jié)果屬性的組合變更。為便于下文的理解,先簡(jiǎn)單介紹TSK Map每顆管芯測(cè)試數(shù)據(jù)的組成結(jié)構(gòu),參見(jiàn)圖2。
圖2 每顆管芯測(cè)試數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)圖
每顆芯片信息用3個(gè)字(6 B)數(shù)據(jù)進(jìn)行表征,測(cè)試Map“重生”的目標(biāo)是對(duì)上述字/字節(jié)進(jìn)行內(nèi)容替換和更新。
具體算法如下:依次抓取測(cè)試Map“模版”的數(shù)據(jù),芯片屬性(Die Property)非測(cè)試芯片(Probing Die)不做任何處理,直接寫(xiě)入新的文件中。Probing Die先將芯片測(cè)試數(shù)據(jù)設(shè)置為良品芯片(Pass Die)和軟件Bin 1(Soft Bin1),再將數(shù)組中對(duì)應(yīng)位置保存的數(shù)據(jù)取出進(jìn)行替換比較和處理??瞻鬃址?、字符“1”和字符“M”不做任何處理,字符“X”自定義一個(gè)數(shù)值進(jìn)行替換,同步將此顆芯片設(shè)置為失效狀態(tài)。整體數(shù)據(jù)替換流程如圖3所示。
圖3 數(shù)據(jù)替換程序段執(zhí)行流程圖
程序執(zhí)行完畢后,待寫(xiě)入文件另存為Slot No.+“.”+Lot No.+“-”+Slot No.組合的文件(比如“002.A123456-2”,不同TSK探針臺(tái)命名規(guī)則會(huì)有稍許差別)。
為了確?!爸厣钡臏y(cè)試Map數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性,需要使用專(zhuān)業(yè)工具軟件(一般用MapEditor)進(jìn)行檢查,檢查點(diǎn)主要分為兩方面,一是數(shù)量檢查(測(cè)試總數(shù)、良品總數(shù)和失效總數(shù));二是Map偏移的檢查,這是一個(gè)致命的缺陷項(xiàng)。假如檢查有異常,調(diào)整左偏移和上偏移數(shù)值,再次重復(fù)測(cè)試Map的“重生”流程,直至準(zhǔn)確無(wú)誤。圖4是測(cè)試Map“重生”前后的比對(duì)。
圖4 測(cè)試Map“重生”前后的比對(duì)
測(cè)試Map的“重生”不屬于正常的生產(chǎn)流程,它的出現(xiàn)代表某個(gè)輸入條件發(fā)生了變化,這個(gè)變化可能來(lái)自工廠自身,也有可能來(lái)自于客戶。出于質(zhì)量異常的閉環(huán)和客戶訂單的需求,這項(xiàng)技術(shù)雖然小眾但卻有著特殊的行業(yè)地位。
本文只是針對(duì)TSK Map相對(duì)大眾化的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)進(jìn)行測(cè)試Map“重生”的論述,其他組合需要對(duì)更全面的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)加以了解,本文只是起到拋磚引玉的作用,歡迎業(yè)內(nèi)同仁一起進(jìn)行更專(zhuān)業(yè)和更深層次的探討。