傅志昂 顧曉英 谷雨 魯曼麗 李勇進(jìn) 李景燁,4
1(中國科學(xué)院上海應(yīng)用物理研究所 上海201800)
2(中國科學(xué)院大學(xué) 北京100049)
3(杭州師范大學(xué) 杭州310036)
4(上海師范大學(xué) 上海200234)
有機(jī)-無機(jī)納米雜化粒子是一種由有機(jī)和無機(jī)組分在納米尺度上結(jié)合而成的納米復(fù)合材料[1-3],由于其在微納米尺度下各組分間的協(xié)同效性,可呈現(xiàn)出各單獨(dú)組分所不具有的理化特性,被廣泛應(yīng)用于各個(gè)領(lǐng)域。然而,這類雜化納米復(fù)合材料難以通過簡單的物理共混所獲得[4-5],因此到目前為止,構(gòu)筑納米雜化粒子最常用的方法是通過物理或化學(xué)方法將聚合物引入納米粒子表面進(jìn)行修飾[6-8]。其中,物理改性方法主要是通過范德華力或氫鍵來實(shí)現(xiàn)聚合物在納米粒子表面的包覆,但由于其鍵能較弱,導(dǎo)致所制備產(chǎn)物結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性較差,易在熔融加工過程中遭到破壞[9-10]。相較于物理改性方法,化學(xué)改性則可以通過“大分子單體法”(Grafting through)、“ 大分子引發(fā)法”(Grafting from)和“偶聯(lián)法”(Grafting onto)等接枝反應(yīng)在納米粒子與聚合物間構(gòu)筑穩(wěn)定的共價(jià)鍵,從而實(shí)現(xiàn)粒子和聚合物間的高效協(xié)同作用[11-14]。但值得注意的是,目前大部分構(gòu)筑雜化納米粒子的反應(yīng)主要集中在具有高反應(yīng)活性的聚合物和納米粒子之間,這需要聚合物與納米粒子上均具有良好的可反應(yīng)性基團(tuán)。如何將化學(xué)反應(yīng)性差的組分引入納米粒子表面,從而構(gòu)筑雜化納米粒子,已成為工業(yè)和學(xué)術(shù)界共同面對的研究熱點(diǎn)問題。
目前,輻射接枝已經(jīng)成為一種高效制備雜化納米復(fù)合材料的重要手段[15-17]。其原理是利用高能射線引發(fā)聚合物分子鏈或納米粒子表面產(chǎn)生大量的活性自由基,使其與另一功能性組分發(fā)生接枝反應(yīng),從而實(shí)現(xiàn)雜化納米復(fù)合材料的高效構(gòu)筑[18-19]。與傳統(tǒng)的化學(xué)改性方法相比,其具有反應(yīng)條件溫和、工藝簡單、適用性廣等特點(diǎn),使其越來越受到工業(yè)以及學(xué)術(shù)界的關(guān)注[20-23]。例如,Dubey 等[24]將聚甲基硅氧烷(PDMS)與碳納米管(CNTs)進(jìn)行共混后,通過輻射接枝技術(shù)成功制備了具有良好化學(xué)響應(yīng)性PDMS/CNTS 復(fù)合材料;Güler等[25]則通過γ射線在乙烯-四氟乙烯交替共聚物(ETFE)薄膜表面鍵合了離子液體,并將其作為高溫質(zhì)子交換膜獲得了良好的質(zhì)子電導(dǎo)率。然而在上述工作中,輻射接枝技術(shù)的應(yīng)用主要集中于聚合物材料的功能化上,很少有被作為納米粒子表面修飾的方法而被應(yīng)用。
本工作提出了采用輻射接枝技術(shù)“Grafting onto”在室溫真空氛圍中一步制備有機(jī)-無機(jī)納米雜化粒子的策略。使用端雙鍵的硅烷偶聯(lián)劑(MPS)對納米鈦酸鋇(BT)表面進(jìn)行修飾,將其與聚偏氟乙烯(PVDF)進(jìn)行共混后,在真空中經(jīng)γ 射線輻照,即可獲得表面接枝改性的BT有機(jī)-無機(jī)納米雜化粒子(F-BT),并通過傅里葉變換紅外光譜(FTIR)、熱重分析(TGA)與透射電子顯微鏡(TEM)等手段表征了其結(jié)構(gòu)。本工作還將所獲得的雜化納米粒子加入PVDF基體中,研究了納米粒子在基體中的分散性,發(fā)現(xiàn)有且僅有PVDF改性后的BT 納米粒子可均勻分散在PVDF 基體中,并提高材料的機(jī)械性能,這主要是由于納米粒子表面接枝的PVDF分子鏈與基體PVDF有良好的纏結(jié)所導(dǎo)致的。
八水合氫氧化鋇(≥98%)、鈦酸四叔丁酯(≥98%)、無水乙醇(≥98%)、氨水(25%~28%)/二乙醇胺(DEA,≥98%)/γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷(MPS,≥98%)/N,N-二甲基甲酰胺(DMF,≥99%)/乙酸(≥98%)均購自國藥集團(tuán)化學(xué)試劑有限公司;聚偏氟乙烯(PVDF,KF850)購自日本Kureha Chemistry公司。
將17.018 g(50 mmol)的鈦酸四叔丁酯與7 mL氨水溶液溶于20 mL乙醇中,并置于裝有磁子的茄形瓶中。隨后,將23.625 g(75 mmol)的八水合氫氧化鋇溶于25 mL去離子水中,并將所制成的氫氧化鋇溶液加入茄形瓶中制成混合溶液,加入5 mL DEA后轉(zhuǎn)移至100 mL特氟龍內(nèi)襯的不銹鋼高壓反應(yīng)釜中,200 ℃水熱反應(yīng)48 h,得到納米粒子粗產(chǎn)物。反應(yīng)結(jié)束后,懸浮液經(jīng)乙醇與質(zhì)量分?jǐn)?shù)為10%的乙酸水溶液超聲、離心洗滌3遍,收集白色沉淀,即可得到提純后的鈦酸鋇納米粒子BT。隨后取4 g制備所得的鈦酸鋇納米粒子超聲均勻分散于250 mL DMF溶液,并置于500 mL三頸燒瓶中。加入1.5 mL MPS并使用乙酸將調(diào)節(jié)溶液pH至6左右,70 ℃下回流磁力攪拌反應(yīng)20 h 后得到乳白色均一懸濁液,隨后將其進(jìn)行離心,收集白色沉淀,并使用DMF、丙酮與乙醇超聲離心洗滌,置于55 ℃真空烘箱中干燥24 h 以上,即可得到表面乙烯基官能化的鈦酸鋇納米粒子BT-vinyl。
將BT-vinyl與PVDF按照質(zhì)量比1∶0.7的比例溶于DMF 溶液中,并超聲30 min 后配成均一溶液置于鼓風(fēng)烘箱中揮發(fā)溶劑,獲得BT-vinyl/PVDF混合物。隨后將其置于聚乙烯自封袋中,用封口機(jī)真空密封后,置于50 kGy室溫鈷源條件下輻照17 h。將制備所得的樣品用DMF 溶解后離心以除去游離PVDF,收集沉淀,并用DMF、DMSO、乙醇洗滌3 遍后,置于55 ℃真空烘箱中干燥24 h 以上,即可得到提純后的PVDF修飾的鈦酸鋇納米粒子(FBT)。
熔融共混前,先將PVDF 置于80 ℃的真空烘箱中恒溫干燥12 h,以除去水分,隨后將PVDF分別與BT、BT-vinyl、F-BT 按照90∶10 的質(zhì)量比加入多功能混煉機(jī)(Haake Polylab QC,德國賽默飛世爾公司)中進(jìn)行簡單的熔融共混,熔融共混溫度為190 ℃,轉(zhuǎn)速為550 r/min,共混10 min 后取出,將取得的共混物在200 ℃下熱壓成薄膜后取出。具體方法為:取一定質(zhì)量的樣品置于厚度0.5 mm、100 mm×100 mm 的正方形模具中,在200 ℃條件下預(yù)熱6 min使其充分熔融后,在10 MPa壓力下保壓3 min,最后在相同壓力下冷壓2 min 后,即可獲得測試所需的共混物薄膜。
通過FTIR 對樣品化學(xué)結(jié)構(gòu)進(jìn)行表征。將樣品溶于DMF 溶劑中,采用KBr 壓片滴膜法制樣,在傅里葉變換紅外光譜儀(VERTEX 70 V,德國布魯克公司)中進(jìn)行紅外分析測試。測試的波數(shù)范圍為4 000~400 cm?1,掃描次數(shù)為64次,分辨率為2 cm?1。
通過TGA(TA Q500,美國TA 公司)對樣品的熱穩(wěn)定性與接枝含量進(jìn)行表征。測試在氮?dú)夥諊逻M(jìn)行,起始溫度為30 ℃,終止溫度為650 ℃,升溫速率為10 ℃/min。
通過DSC(TA Q2000,美國TA公司)對樣品的結(jié)晶熔融行為進(jìn)行表征。測試在氮?dú)夥諊逻M(jìn)行,起始溫度為?50 ℃,終止溫度為220 ℃,升溫速率為10 ℃/min。
通過DMA(TA Q800,美國TA公司)對樣品的熱機(jī)械性能進(jìn)行分析,測試頻率5 Hz,測試起始溫度為?50 ℃,終止溫度為180 ℃,升溫速率3 ℃/min。
通過XRD(Bruker-D8,德國布魯克)對樣品的晶體結(jié)構(gòu)進(jìn)行表征。測試范圍為5o~80o,掃描速率為1(o)/min。
通過小幅震蕩剪切(MCR301,Anton Paar)對樣品的流變行為進(jìn)行表征。應(yīng)變范圍:0.01%~1 000%,測試頻率1 Hz,測試溫度200 ℃。
通過萬能試驗(yàn)機(jī)(Instron-5966,美國Instron公司)測試了樣品的力學(xué)性能。測試樣條均為標(biāo)準(zhǔn)啞鈴型,拉伸速率為10 mm/min,樣品夾持距離為18 mm。
2.1.1 化學(xué)結(jié)構(gòu)分析
本研究采用一步輻射接枝的方法,通過在BT表面修飾雙鍵官能團(tuán),并與PVDF在室溫真空氛圍下,經(jīng)γ射線輻照至吸收劑量為50 kGy,成功制備了PVDF 包覆的有機(jī)-無機(jī)雜化納米粒子F-BT,并對所合成雜化納米粒子的結(jié)構(gòu)進(jìn)行表征。圖1 為BT、BT-vinyl、F-BT的紅外譜圖。其中,純BT的紅外圖譜中僅存在3 530 cm?1處的羥基伸縮振動(dòng)峰以及579 cm?1、435 cm?1處鈦酸鋇的指紋特征峰,說明所合成的鈦酸鋇表面富有羥基。當(dāng)使用MPS對BT 進(jìn)行表面修飾時(shí),發(fā)現(xiàn)BT-vinyl 的紅外圖譜中在2 926 cm?1處出現(xiàn)了?CH2?的伸縮振動(dòng)峰,并且在1 727 cm?1、1 040 cm?1和1 140 cm?1附近出現(xiàn)了新的吸收特征峰,分別為C=O、Si?O?Si和Si?O?BT的伸縮振動(dòng)峰,說明成功將MPS 接枝到了BT 的表面,實(shí)現(xiàn)了BT表面的雙鍵官能化。而在F-BT的紅外圖譜中,可以明顯觀察到在1 403 cm?1以及1 187 cm?1處分別出現(xiàn)新的PVDF 的?CH2?和?CF2?的伸縮振動(dòng)峰,說明采用輻射接枝技術(shù)成功將PVDF 接枝至BT表面。
2.1.2 熱穩(wěn)定性與接枝率分析
利用熱重分析進(jìn)一步對各種不同表面接枝改性的BT雜化納米粒子的修飾程度以及熱穩(wěn)定性進(jìn)行表征。如圖2 所示,純BT 在氮?dú)夥諊陆?jīng)過高溫煅燒后,納米粒子本身基本上不發(fā)生熱分解,純PVDF 到550 ℃時(shí)的殘重約為38.2%。而當(dāng)使用MPS對BT進(jìn)行功能化以后,殘余無機(jī)組分含量從99.0%降低至92.7%,并在345 ℃左右出現(xiàn)了最大熱降解溫度Tmax,通過與課題組先前相似的計(jì)算方法得知[26-28],MPS在BT表面的接枝率為6.3%。當(dāng)進(jìn)一步對BT 表面進(jìn)行PVDF 修飾后,發(fā)現(xiàn)殘余無機(jī)組分含量進(jìn)一步減?。?1.7%),PVDF 在BT 表面的接枝率為20.2%。同時(shí),樣品的Tmax向高溫方向移動(dòng),這說明PVDF的修飾提高了雜化納米粒子的熱穩(wěn)定性,且由于鈦酸鋇表面接枝的PVDF,導(dǎo)致F-BT的DTG譜圖中在481 ℃左右出現(xiàn)新的最大熱失重峰。這主要是F-BT 表面PVDF 的降解所導(dǎo)致的。說明采用輻射接枝成功實(shí)現(xiàn)了PVDF“Grafting-onto”至BT表面。
圖2 純BT、BT-vinyl以及F-BT雜化納米粒子的TGA曲線(a)與DTG曲線(b)Fig.2 TGA(a)and DTG(b)curves of BT,BT-vinyl,and F-BT hybrid nanoparticles
圖1 純BT、BT-vinyl以及F-BT雜化納米粒子的FTIR譜圖Fig.1 FTIR spectra of BT,BT-vinyl,and F-BT hybridnanoparticles
2.1.3 納米粒子微觀形貌
圖3為不同表面修飾的BT納米粒子的TEM微觀形貌圖。如圖3(a)所示,由于純BT納米粒子表面未被有機(jī)改性,因此其表面清晰光整。然而使用MPS對其進(jìn)行表面修飾后,可以發(fā)現(xiàn)BT納米粒子表面粗糙度明顯增加,且在納米粒子表面出面明顯的有機(jī)物富集層(圖3(b))。同時(shí)相較于BT-vinyl,圖3(c)中的F-BT 納米粒子在TEM 中顯示出更厚的灰色陰影覆蓋,納米粒子尺寸進(jìn)一步增大,這主要是由于在通過輻射接枝后,PVDF大量以化學(xué)鍵合的方式富集在BT表面,形成致密有機(jī)殼層。
2.1.4 結(jié)晶與熔融行為
圖4 為不同表面修飾的BT 納米粒子的DSC 與XRD 分析。如圖4(a)和(b)可知,純BT 與BT-vinyl由于表面并未被結(jié)晶性高分子修飾,其升降溫曲線平滑并未出現(xiàn)結(jié)晶熔融峰。而在F-BT 的升降溫曲線中,由于其表面接枝了PVDF,因此分別在155 ℃和114 ℃出現(xiàn)了PVDF 的熔融與結(jié)晶峰,而且從三種納米粒子的XRD 曲線中可以看出(圖4(c)),對BT 表面進(jìn)行化學(xué)改性不會對BT本身的晶型產(chǎn)生影響。隨著修飾程度的提高,BT自身的特征峰往低波數(shù)偏移,且在F-BT的XRD圖譜中可以明顯觀察到出現(xiàn)了PVDF的β晶型特征峰。這與圖1中F-BT的紅外曲線中觀察到的840 cm?1處的PVDF的β晶特征峰相一致,因此可以得知,BT表面接枝的PVDF 能夠結(jié)晶,且其主要為β 晶型,而通常PVDF為α晶型。
圖3 純BT(a)、BT-vinyl(b)與F-BT(c)雜化納米粒子的TEM微觀形貌圖Fig.3 TEM images of BT(a),BT-vinyl(b),and F-BT(c)hybrid nanoparticles
圖4 純BT、BT-vinyl與F-BT的第二次升溫(a)以及第一次降溫(b)的DSC曲線;純BT、BT-vinyl與F-BT的XRD曲線(c)及其放大圖(d)Fig.4 DSC curves of the 2nd heating(a)and the 1st cooling(b)of BT,BT-vinyl,and F-BT;XRD curves(c)and its enlarged view(d)of pure BT,BT-vinyl and F-BT
2.2.1 BT/PVDF復(fù)合材料的微觀形貌
為了解納米粒子表面修飾對其在基體中分散性能的影響,因此將不同表面修飾的BT 與PVDF進(jìn)行共混后進(jìn)行SEM 微觀形貌的表征。圖5 分別為質(zhì)量分?jǐn)?shù)為10% 的BT、BT-vinyl、F-BT 與PVDF 共混后樣品的斷面SEM 圖。由于納米BT 與PVDF的物理化學(xué)性質(zhì)差異大,直接將二者進(jìn)行共混,其界面之間缺乏足夠的相親性,導(dǎo)致BT 在PVDF 基體中極易發(fā)生團(tuán)聚(圖5(a))。而采用MPS對BT表面進(jìn)行功能化,雖然能在一定程度上減輕團(tuán)聚現(xiàn)象,且在SEM 圖中觀察到單分散的BT-vinyl 納米粒子,但是其團(tuán)聚依舊嚴(yán)重,BT 顆粒與PVDF 基體仍然存在較大間隙(圖5(b))。僅當(dāng)使用F-BT 進(jìn)行共混時(shí),納米粒子可以均勻分散在PVDF中,且與基體有良好的相親性。推斷這是由于BT 表面接枝的PVDF 長鏈與基體PVDF 分子鏈有良好的纏結(jié)作用,降低了BT 與PVDF 的界面張力,提高了相界面間的粘合力,從而使得納米粒子在PVDF基體中的分散性顯著提高。
2.2.2 BT/PVDF復(fù)合材料的機(jī)械性能
對不同表面修飾的BT 與PVDF 的二元共混物樣品進(jìn)行了拉伸性能測試,其應(yīng)力-應(yīng)變曲線如圖6 所示。從圖6 可以發(fā)現(xiàn),當(dāng)在PVDF 中添加質(zhì)量分?jǐn)?shù)為10%的BT 與BT-vinyl 時(shí),雖然其模量有顯著的提高,但是其強(qiáng)度以及斷裂伸長率顯著降低。說明納米粒子與基體極差的相親性導(dǎo)致其較差的機(jī)械性能。而當(dāng)添加質(zhì)量分?jǐn)?shù)為10%的F-BT 以后,可以發(fā)現(xiàn)F-BT/PVDF 納米復(fù)合材料在拉伸過程中出現(xiàn)屈服,且其強(qiáng)度以及斷裂伸長率顯著上升,這與SEM 所得出的結(jié)果相一致,F(xiàn)-BT 與PVDF基體良好的分散性與相親性導(dǎo)致材料表現(xiàn)出更好的機(jī)械性能。
圖5 不同表面修飾的BT納米粒子與PVDF二元共混物斷面的SEM:(a)純BT;(b)BT-vinyl;(c)F-BTFig.5 SEM images of PVDF blending with BT(a),BT-vinyl(b),and F-BT(c)
圖6 質(zhì)量分?jǐn)?shù)為10%的納米粒子添加量的BT/PVDF、BT-vinyl/PVDF、F-BT/PVDF與純PVDF的應(yīng)力?應(yīng)變曲線(a)以及其放大圖(b)Fig.6 Stress-strain curves of pure PVDF and PVDF incorporated with BT,BT-vinyl,F-BT(a),and their enlarged stress-strain curves(b);the mass fraction of the nanoparticles was 10%
進(jìn)一步對上述二元共混物進(jìn)行熱機(jī)械性能表征。圖7 為不同表面修飾的BT 與PVDF 二元共混物的DMA 曲線,從儲能模量(E′)的曲線(圖7(a))中可以發(fā)現(xiàn),相較于純PVDF,加入BT 納米粒子并沒有使PVDF基體的E′明顯變化,同樣加入BT-vinyl反而使納米復(fù)合材料的E'顯著降低,僅當(dāng)加入F-BT 時(shí),能夠使樣品的E′顯著提高。另一方面,從3 組樣品的損耗因子(tanδ)中可以發(fā)現(xiàn),隨著加入的納米粒子的修飾程度提高,F(xiàn)-BT與PVDF 基體表現(xiàn)出的更高的纏結(jié)能力以及相親性,因此其玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)可以從?38.1 ℃顯著提升至?35.2 ℃。
2.2.3 BT/PVDF復(fù)合材料的流變行為
材料的流變行為被認(rèn)為是可以提供有關(guān)材料結(jié)構(gòu)/形態(tài)信息的有效方法[29-30]。為了解納米粒子在基體中的分散以及與基體間的相互作用,采用小振幅振蕩剪切(SAOS)的方式對不同表面修飾的BT 納米粒子與PVDF 的二元共混物進(jìn)行動(dòng)態(tài)流變行為的分析。如圖8(a)和(b)所示,隨著納米粒子表面修飾程度的提高,共混樣品的頻率依賴性逐漸消失,儲能模量逐漸提高,同時(shí)在低頻區(qū)出現(xiàn)平臺,表現(xiàn)出明顯的“末端效應(yīng)”,類固體特性逐漸增強(qiáng)。tanδ與復(fù)數(shù)黏度(|η*|)的值隨剪切頻率(ω)變化趨勢基本相同,tanδ值隨納米粒子表面修飾程度的提高而降低,說明二元共混物中彈性貢獻(xiàn)顯著增加而粘性貢獻(xiàn)逐漸降低;而|η*|值的提升說明分子間的滑移逐漸減弱。因此從上述數(shù)據(jù)中我們可以推斷出,隨著納米粒子表面修飾程度的提高,納米粒子在PVDF基體中分散性提升,與基體的相互作用也逐漸提高。
圖7 質(zhì)量分?jǐn)?shù)為10%不同表面修飾的BT納米粒子與PVDF二元共混物的儲能模量(E′)(a)以及損耗因子(tan δ)(b)曲線Fig.7 Storage modulus(E′)(a)and loss factor(tan δ)(b)of PVDF blending with BT,BT-vinyl,and F-BT;the mass fraction of the nanoparticles was 10%
為進(jìn)一步了解BT 納米粒子對PVDF 基體分子鏈松弛行為的影響,在SAOS 測試數(shù)據(jù)的基礎(chǔ)上,根據(jù)經(jīng)典線性黏彈性理論[31-32],推導(dǎo)出BT/PVDF、BT-vinyl/PVDF以及F-BT/PVDF的加權(quán)松弛譜。如圖9 所示,添加純BT 的PVDF 共混樣品在松弛時(shí)間τ=0.1 s 以及τ=1 s 附近出現(xiàn)松弛峰,其分別可歸屬于PVDF 分子鏈的運(yùn)動(dòng),以及受到BT 納米粒子影響的PVDF網(wǎng)絡(luò)中分子鏈的松弛過程。值得注意的是,當(dāng)添加BT-vinyl以后,τ=0.1 s處松弛峰基本不變,而τ=1 s 處松弛峰顯著增強(qiáng)且需要的松弛時(shí)間增加,而當(dāng)添加F-BT 時(shí),可以發(fā)現(xiàn)τ在0.1 s 與1 s 處松弛峰顯著增加,且所需要的松弛時(shí)間進(jìn)一步提高。這主要是由于相較于純BT,由于BTvinyl 表面進(jìn)行了有機(jī)修飾,因此在一定程度上提高了BT-vinyl與PVDF基體分子鏈的相互作用,因此導(dǎo)致τ=1 s 處松弛峰增強(qiáng)。但由于BT-vinyl 本身并沒有良好地分散于PVDF 基體中,因此對基體PVDF 分子鏈的運(yùn)動(dòng)(τ=0.1 s)影響不大。而當(dāng)添加F-BT 時(shí),由于F-BT 與PVDF 有良好的纏結(jié)作用,F(xiàn)-BT 可以均勻分在PVDF 基體中,因此F-BT納米粒子能夠在PVDF基體中形成網(wǎng)絡(luò),能夠顯著影響基體PVDF 分子鏈的運(yùn)動(dòng),使其更難實(shí)現(xiàn)松弛。
圖8 質(zhì)量分?jǐn)?shù)為10%不同表面修飾的BT納米粒子與PVDF二元共混物的G'(a),G''(b),tanδ(c)和|η*|(d)曲線Fig.8 G'(a),G''(b),tanδ(c)and|η*|(d)curves of PVDF blending with BT,BT-vinyl,and F-BT;the mass fraction of the nanoparticles was 10%
圖9 質(zhì)量分?jǐn)?shù)為10%不同表面修飾的BT納米粒子與PVDF二元共混物樣品的加權(quán)松弛譜圖Fig.9 Weighted relaxation spectra of PVDF blending with BT,BT-vinyl,and F-BT;the mass fraction of the nanoparticles was 10%
本工作在室溫真空條件下,用γ射線引發(fā)輻射接枝成功制備PVDF表面接枝改性的BT有機(jī)-無機(jī)納米雜化粒子F-BT,研究了接枝產(chǎn)物的化學(xué)結(jié)構(gòu)、微觀形貌、熱穩(wěn)定性以及接枝在BT 表面PVDF 的晶體結(jié)構(gòu),發(fā)現(xiàn)PVDF成功化學(xué)接枝在BaTiO3納米粒子表面,并且其晶型為β晶型。同時(shí)研究了不同表面修飾的BT 納米粒子在PVDF 基體中的分散性能,發(fā)現(xiàn)隨著對BT表面化學(xué)修飾程度的提高,其在基體中的分散性顯著提高,所獲得的二元共混物的機(jī)械性能也同時(shí)獲得增強(qiáng)。通過對共混樣品的流變行為表征發(fā)現(xiàn),F(xiàn)-BT 分散性能的提高主要是來源于BT 表面接枝的PVDF 鏈與基體PVDF 有良好的纏結(jié)作用,在一定程度上提高納米粒子與基體的相容性,使F-BT在PVDF基體中形成網(wǎng)絡(luò),從而抑制基體分子鏈的運(yùn)動(dòng)能力和分子間的滑移,從而實(shí)現(xiàn)共混物機(jī)械性能的提高。