陳明中,萬 方
(無錫優(yōu)波生命科技有限公司 江蘇 無錫 214028)
電阻膜封裝系統(tǒng)確定之后,其熱阻將維持在一個(gè)穩(wěn)態(tài)數(shù)值上。對(duì)封裝系統(tǒng)熱阻系數(shù)具有顯著影響的因素包括,構(gòu)成封裝所需要的每一層材質(zhì)、厚度,封裝工藝,熱傳導(dǎo)系數(shù)等。采用封裝系溫升20℃(室溫20℃,當(dāng)溫升到40℃時(shí)人會(huì)有明顯體感)需要60s對(duì)應(yīng)的功率密度,作為熱阻的表達(dá)方式,表達(dá)封裝系統(tǒng)的升溫速度。同類封裝系統(tǒng),可以快速摸底,形成經(jīng)驗(yàn)值[1-2]。
具體測(cè)定方式為,對(duì)已經(jīng)完成的穩(wěn)態(tài)電阻膜,測(cè)定其電阻,從1×10-2W/m2~15×10-2W/m2中取若干點(diǎn),求出應(yīng)預(yù)置的電壓,快速找到溫升20℃低于1min和高于1min的電壓值,將測(cè)試結(jié)果,按照功率密度倒數(shù)(單位:m2/W)、溫升20℃對(duì)應(yīng)的時(shí)間(單位:s)做散點(diǎn)圖,求截距過0點(diǎn)的一元一次擬合公式;依照公式求出溫升20℃需要60s對(duì)應(yīng)的功率密度值。前期完成測(cè)定的兩種封裝系,熱阻系數(shù)分別為 5.738×10-2W/m2,6.56×510-2W/m2。
常規(guī)平面電阻膜左右兩端為電極,中心區(qū)域?yàn)槠矫骐娮枘?,見圖1。
圖1 平面電阻膜示意
功率密度的常規(guī)計(jì)算公式如下:
式中,
E為電阻膜的功率密度,單位:W/m2;
Px為平面電阻膜的功率,單位:W;
dp為電阻膜上與電流平行方向上的間距,單位:m;
dv為電阻膜上與電流垂直方向上的間距,單位:m。
如上介紹了一正一反兩種方式求得功率密度,可以快速驗(yàn)證設(shè)計(jì)指標(biāo)確定的合理性。
電阻膜的材料、工藝、膜厚確定之后,任意尺寸正方形平面膜上電阻值相同,是一個(gè)恒定值。方阻代表了電阻膜的發(fā)熱能力,也就是做功能力。同類成膜材料、工藝和膜厚,可以快速摸底,形成經(jīng)驗(yàn)值。
電阻膜方阻的測(cè)定和計(jì)算公式如下:
式中,
Rs為電阻膜的方阻,單位:Ω/□;
Rx為電阻膜的電阻值,單位:Ω。
電阻膜封裝系統(tǒng)確定之后,其電熱轉(zhuǎn)換效率將維持在一個(gè)穩(wěn)態(tài)數(shù)值,《GB/T 7287-2008 紅外輻射加熱器試驗(yàn)方法》電-熱轉(zhuǎn)換效率計(jì)算公式正式基于此規(guī)律得以成立[3]?!禛B/T 4654-2008 非金屬基體紅外輻射加熱器通用技術(shù)條件》中,規(guī)定電熱轉(zhuǎn)換效率不得低于50%[4]。兩個(gè)國(guó)標(biāo)從2008年應(yīng)用至今,用于考核全行業(yè)同類產(chǎn)品的產(chǎn)品品質(zhì)水平。優(yōu)波公司艾通寶醫(yī)療認(rèn)證用,環(huán)氧封裝云母板基材TCM平面加熱膜元件,測(cè)試結(jié)果為56%,達(dá)到了國(guó)標(biāo)要求。
國(guó)標(biāo)中的電-熱轉(zhuǎn)換效率計(jì)算公式如下:
式中,
η,電熱輻射轉(zhuǎn)換效率(特定封裝體電熱轉(zhuǎn)換效率恒定),單位為百分比(%);
Pe,實(shí)測(cè)電功率,單位為W;
Tt,平均輻射溫度(熱平衡狀態(tài)下的封裝體表面平均輻射溫度),單位為K;
T0,環(huán)境溫度,單位為K;
S,輻射面的面積,單位為m2;
σ,斯特藩-波爾茨曼常數(shù),5.67×10-8W/(m2·K4)。
熱平衡狀態(tài)下的封裝體表面平均輻射溫度Tt符合,
同類成膜材料、工藝和膜厚,同類封裝系統(tǒng),可以快速摸底,形成電熱轉(zhuǎn)換效率的經(jīng)驗(yàn)值。依照上式可以快速推演得知熱平衡溫度值。熱平衡溫度代表了平面電阻膜熱平衡狀態(tài)下的發(fā)熱效率。
而封裝系統(tǒng)每層材質(zhì)選擇,材料的耐溫能力(特別是表層材料的耐溫能力)決定了對(duì)應(yīng)的熱平衡溫度下封裝系統(tǒng)是否能否承受,能否穩(wěn)定,體現(xiàn)了封裝產(chǎn)品的可靠性。
不同環(huán)境溫度下,相同膜的方阻波動(dòng)曲線應(yīng)該測(cè)定。
兩種理想的平面電阻膜:一是恒定方阻膜,在不同環(huán)境溫度下,電阻保持恒定(圖2中A曲線);二是PTC電阻膜,在特定溫度下,電阻快速實(shí)現(xiàn)成百倍地上升(圖2中C曲線)。介于兩者之間,在溫度上升過程中,電阻逐步上升(圖2中B曲線)。獲知上升系數(shù),設(shè)計(jì)補(bǔ)償控制電路方可獲得恒功率輸出。
圖2 方阻溫度曲線示意
電阻膜的電阻Rx,
式中,U為電阻膜上的輸入電壓,單位:V。
由式(1)、(2)與(5),推導(dǎo)得出:
由式(6)得知,方阻Rs、功率密度E(電阻系數(shù))、電壓U確定之后,就可以確定單電阻膜平行電流方向的間距dp。此間距與電阻膜的功率Px變化無關(guān)。
由式(7)得知,單電阻膜垂直電流方向的間距dv,與電阻膜的功率Px成正比。
由式(7)反推,可以得到如下式:
在電壓U、功率密度E(熱阻系數(shù))、方阻Rs不能調(diào)整的前提下,提高功率Px的基本途徑是,延長(zhǎng)垂直電流方向的間距dv。
如圖3,直線電極可以通過電阻膜L的連續(xù)延長(zhǎng)(b),或者間接延長(zhǎng)(c)來實(shí)現(xiàn)。交叉電極方式,在提高功率的同時(shí)不用簡(jiǎn)單地延長(zhǎng)L,具有非常良好的效果。
圖3 提升電阻膜功率的方法
圖3(d)中電阻膜電阻,由式(2)得到電阻Ra,
圖3(e)中,單個(gè)電阻膜平行電流方向間距為;圖4(b)電阻膜對(duì)應(yīng)的電路簡(jiǎn)圖為圖3(f)。對(duì)應(yīng)的電阻為,
大幅度降低了電阻,從而有效提高了電阻膜功率。
在簡(jiǎn)單的交叉電極基礎(chǔ)上,可以進(jìn)一步展開如下圖4的復(fù)雜交叉電極設(shè)計(jì)。
圖4 復(fù)雜交叉電極設(shè)計(jì)方法
圖4(b)為4并3串對(duì)稱電極設(shè)計(jì),圖4(c)為5并3串對(duì)稱電極設(shè)計(jì);與此類似的復(fù)雜交叉電極設(shè)計(jì)抽象為n并m串對(duì)稱電極設(shè)計(jì),單個(gè)電阻膜垂直電流方向間距為最終電阻膜電阻為,
這種復(fù)雜電路設(shè)計(jì)可以進(jìn)一步優(yōu)化設(shè)計(jì)。
在實(shí)際應(yīng)用中,電極如同平面電阻膜,同樣存在方阻、垂直電流方向距離、平行電流方向距離、膜厚、電極發(fā)熱等問題。當(dāng)電極熱平衡溫度高于電極基材、電極封裝系統(tǒng)的耐溫能力時(shí),就會(huì)出現(xiàn)電極燒毀的現(xiàn)象。計(jì)算電極、匯流條上的電流分布,熱平衡溫度分布,采取合適的dv和膜厚,對(duì)應(yīng)的電極封裝材料,可以極大降低電極過分發(fā)熱導(dǎo)致電極燒毀的不安全風(fēng)險(xiǎn)。
假設(shè)內(nèi)電極厚度h與匯流條厚度H相同,材料相同,匯流條寬度W與內(nèi)電極寬度的關(guān)系為W=nw。
單個(gè)內(nèi)電極電阻Rl,
式中,
ρl為電阻率,單位:Ω·m;銀1.65×10-8Ω·m,銅1.75×10-8Ω·m;
l為內(nèi)電極長(zhǎng)度(平行電流方向的距離),單位:m;
w為內(nèi)電極寬度,單位:m;
h為內(nèi)電極厚度,單位:m。
實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn),內(nèi)電極總電阻超過電阻膜方阻20%之后,電極有燒毀風(fēng)險(xiǎn)。推導(dǎo)可得,
式中,
W為匯流條寬度,單位:m;
H為匯流條厚度,單位:m。
電極兩端同時(shí)接通同等電壓(圖4電極上同電位多點(diǎn)通電設(shè)置),可以有效降低單向通電導(dǎo)致的電流積分不均勻現(xiàn)象的發(fā)生(見圖5)。
圖5 雙向通電均衡電極溫升
穿戴式電阻膜封裝系統(tǒng)快速設(shè)計(jì)模型中,提煉出熱阻(功率密度)、方阻、熱平衡溫度(電-熱轉(zhuǎn)換效率)、方阻溫度特性、交叉電極、電極電流承載能力七類關(guān)鍵參數(shù),就各自計(jì)算與測(cè)定、影響因素進(jìn)行了梳理,通過快速摸底,提供設(shè)計(jì)依據(jù)。
交叉電極的導(dǎo)入,提供了一條有效的途徑,實(shí)現(xiàn)高方阻平面膜在穿戴式產(chǎn)品低電壓場(chǎng)景中的應(yīng)用。