稀土專利摘編

一種利用氟碳鈰精礦中堿土金屬進(jìn)行稀土萃取有機(jī)相皂化的新方法

申請?zhí)?CN201911257078.0

公開（公告）日:2020.02.07

申請（專利權(quán)）人:四川省樂山銳豐冶金有限公司

本發(fā)明屬于稀土元素提取富集技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種利用氟碳鈰精礦中堿土金屬進(jìn)行稀土萃取有機(jī)相皂化的新方法。針對現(xiàn)有技術(shù)中稀土中含有較大量的堿土金屬的問題，本發(fā)明的技術(shù)方案是，步驟1：對含堿土金屬雜質(zhì)的氟碳鈰礦進(jìn)行水洗，除去浮選藥劑及微小顆粒；步驟2：將經(jīng)過步驟1處理的氟碳鈰礦配制成漿料，調(diào)控漿料中碳酸鹽的濃度為0.9 1.0mol/L；步驟3：利用有機(jī)相與步驟2中得到的漿料接觸，控溫攪拌，然后靜置分相，得到透明的有機(jī)相和氟碳鈰精礦漿料。本發(fā)明用于堿土金屬含量高的氟碳鈰礦的提純。

一種纖維狀稀土防銹顏料及其制備方法

申請?zhí)?CN201911278290.5

公開（公告）日:2020.02.21

申請（專利權(quán)）人:南昌航空大學(xué)

本發(fā)明公開一種纖維狀稀土防銹顏料及其制備方法，其方法如下：將氨基三亞甲基膦酸和稀土無機(jī)鹽分別溶解在水中，其濃度為0.01～3mol/L；用堿將氨基三亞甲基膦酸溶液的pH 值調(diào)節(jié)至4～7;在氨基三亞甲基膦酸溶液加入0.01～0.5%的分散劑；按照反應(yīng)的化學(xué)計量比進(jìn)行配料，讓氨基三亞甲基膦酸和稀土無機(jī)鹽溶液充分混合反應(yīng)；混合物靜置，過濾，沉淀先用餾水沖洗后，再有用去離子清洗，以消除可能過量的無機(jī)鹽離子；沉淀物在40～80℃下烘干，得到纖維狀稀土防銹顏料。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)：其可在提高了涂層的耐腐蝕性能，發(fā)揮出短纖維增強(qiáng)的作用提高涂料的耐磨性能及強(qiáng)度。

超高純光纖預(yù)制棒稀土摻雜試劑的低成本改良制備方法

申請?zhí)?CN201911201714.8

公開（公告）日:2020.02.07

申請（專利權(quán)）人:湖北大學(xué)

本發(fā)明屬于有機(jī)化合物制備技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種超高純光纖預(yù)制棒稀土摻雜試劑的低成本改良制備方法，將等摩爾當(dāng)量的純度大于5N 的HTMHD 和UP SS 級別NH3·H2O 在乙醇中反應(yīng)至澄清；滴加1/3 當(dāng)量的超高純稀土鹽水溶液，常溫下快速攪拌，立即有大量白色沉淀析出，直至滴加完成；持續(xù)攪拌1 小時，過濾，水洗后，抽濾干燥沉淀物。真空升華，脫水處理后即可得到用于光纖預(yù)制棒的摻雜稀土螯合物試劑。本發(fā)明提供了一種改良超高純易揮發(fā)光纖預(yù)制棒稀土螯合物摻雜試劑的制備方法，將容易獲得的超高純原料替代難以獲得的超高純原料，改良并簡化純化過程，實(shí)現(xiàn)低成本制備。

一種稀土合金熱浸鍍層鋼板及其生產(chǎn)方法

申請?zhí)?CN201911251707.9

公開（公告）日:2020.02.11

申請（專利權(quán)）人:晉江安能建材制造有限公司

本發(fā)明公開了一種稀土合金熱浸鍍層鋼板及其生產(chǎn)方法，稀土合金熱浸鍍層鋼板包括基體鋼板和稀土合金熱浸鍍層；稀土合金熱浸鍍層覆蓋于基體鋼板表面上；稀土合金熱浸鍍層的成分組成以質(zhì)量%計含有：鎂0.1～0.8%、鋁0.05～0.15%、鑭 和 釩0.002～0.090%、鎳0.03～0.09%、鉍0.01～0.25%、鉛0.05～0.13%、剩余部分包括鋅和不可避免的雜質(zhì)；其中，鑭和釩的質(zhì)量之比為1：(0.42～0.48)。本發(fā)明的稀土合金熱浸鍍層與基體鋼板的抗拉結(jié)合強(qiáng)度高；在同等鍍層厚度的情況下，對于傳統(tǒng)純鋅鍍層，其耐腐蝕性有了很大的提高，提升175%以上；且得到的鍍層表面十分平整光滑。

一株絲狀真菌及其富集稀土釔離子的方法

申請?zhí)?CN201911196141.4

公開（公告）日:2020.02.14

申請（專利權(quán)）人:江西師范大學(xué)

本發(fā)明提供了一株絲狀真菌及其富集稀土釔離子的方法。該絲狀真菌命名為赭綠青霉菌ZD28(Penicilliumochrochloron ZD28)，已保藏于中國典型培養(yǎng)物保藏中心，保藏號為CCTCC NO：M 2019865，保藏日期為2019 年10 月29 日。該絲狀真菌能夠應(yīng)用于富集稀土釔離子。當(dāng)環(huán)境中釔離子濃度較低(＜600μM)時，利用該菌生長過程中對釔離子的積累作用可以高效富集釔離子，對釔離子移除率為99%；當(dāng)環(huán)境中釔離子濃度較高(465μM＜[Y3+]＜6382μM)時，利用由該菌制備的菌體吸附劑吸附釔離子，吸附體系簡單，吸附容量大于455μmol/g。該菌在釔族稀土離子的積累方面有很好的應(yīng)用潛力。

一種部分摻稀土光纖及其制備方法

申請?zhí)?CN201911259121.7

公開（公告）日:2020.02.28

申請（專利權(quán)）人:中國電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所

本發(fā)明公開了一種部分摻稀土光纖及其制備方法，一種部分摻稀土光纖，包括纖芯、八邊形包層、低折射率內(nèi)涂層、高折射率外涂層。纖芯以SiO2為基質(zhì)，由摻稀土區(qū)域和非摻稀土區(qū)域組成，非摻稀土區(qū)域包覆在摻稀土區(qū)域外圍；在纖芯外圍依次為八邊形包層、低折射率內(nèi)涂層和高折射率外涂層；纖芯和八邊形包層折射率分布為階躍型，纖芯中摻稀土區(qū)域與非摻稀土區(qū)域折射率相等。有益效果是：本發(fā)明不僅結(jié)構(gòu)設(shè)計合理，可有效的控制高功率下光纖的模式不穩(wěn)定性，提高輸出激光的光束質(zhì)量，而且工藝控制方便，易于制備生產(chǎn)，便于國內(nèi)推廣。