程皓,趙杉,康媛媛,白鴿,康文杰,蘇君明,張永輝
(1. 西安超碼科技有限公司,陜西 西安 710025;2. 西安航天復合材料研究所,陜西 西安 710025)
太陽能作為可再生清潔能源,是國家發(fā)展新能源領域中的重要組成部分。硅系材料是整個太陽能光伏產(chǎn)業(yè)的核心,全世界85%以上的硅單晶采用直拉法(Czochralski,CZ)制備[1-4],直拉單晶爐隨著單晶硅尺寸的增大而向大型化發(fā)展,這就迫切需要研究新型的熱場材料以適應其發(fā)展。
直拉單晶爐熱場部件的坩堝、發(fā)熱體、保溫筒等均采用炭材料(石墨材料和炭/炭復合材料)制造[5-6],炭/炭熱場材料由連續(xù)炭纖維增強炭基材料組成,制備工藝主要包括坯體制備、增密、純化、高溫熱處理和表面涂層處理等[7]。炭/炭復合材料熱場產(chǎn)品,與石墨熱場產(chǎn)品相比具有以下優(yōu)點:
(1)用作單晶硅爐中的坩堝時,由于石英坩堝會對石墨坩堝產(chǎn)生較大的熱膨脹應力,石墨坩堝或做成多瓣結(jié)構(gòu),或在坩堝上開熱膨脹槽,而使用炭/炭坩堝時不需開熱膨脹槽,在石英坩堝中可獲得更均勻的熱場,大幅度提高成品率;
(2)在反復高溫熱震條件下,石墨熱場產(chǎn)品更易產(chǎn)生裂紋,嚴重影響拉晶的效率與質(zhì)量,而炭/炭復合材料具有熱膨脹系數(shù)小,抗熱震性能好等特性,在急冷、急熱環(huán)境中使用時不開裂,使用壽命長;
(3)炭/炭復合材料用作單晶硅熱場材料時,導熱系數(shù)低,用作隔熱保溫材料時,隔熱保溫效果顯著,可減少能源消耗,降低生產(chǎn)成本;
然而,在直拉單晶過程中,硅料的熔融會產(chǎn)生硅蒸汽和熔融硅飛濺,造成炭/炭熱場材料的硅化侵蝕,炭/炭熱場材料的力學性能和使用壽命受到嚴重影響。因此,為充分發(fā)揮炭/炭熱場材料的潛力并拓展其應用范圍,必須對其進行高溫防護處理。熱解炭具有高熔點(>4100K)、良好的抗腐蝕性與高溫抗熱震性能,與炭/炭復合材料的熱膨脹系數(shù)相匹配且物理、化學相容性良好[8],因此,為了提高材料的抗侵蝕性能,可在炭/炭熱場材料表面制備熱解炭涂層進行防護處理。
本文從單晶硅生產(chǎn)用炭/炭熱場材料出發(fā),首先介紹了熱解炭涂層的主要制備方法和優(yōu)缺點,在此基礎上,針對炭/炭熱場材料的特點,綜述了熱解炭涂層在炭/炭熱場材料的應用及研究進展,并對炭/炭熱場材料表面涂層防護的發(fā)展提出了建議和方向。
化學氣相沉積(Chemical Vapor Deification,CVD)[9-12]基本原理以碳氫化合物作為氣源,以高純N2/Ar作為載氣,將混合氣體導入化學氣相反應爐內(nèi),碳氫化合物在一定的溫度和壓力下發(fā)生分解、聚合、再分解等反應,最后生成的碳(即熱解炭)沉積在預制體空隙中或者基體表面,達到致密化或表面改性的目的[13]。CVD作為一個完整的化學反應體系,主要有以下一些優(yōu)點:
(1)涂層的密度和純度可控,可在常壓或者真空條件下進行沉積;
(2)氣相組成的變化使得涂層的化學成分改變,因此可以獲得梯度涂層或混合涂層;
(3)對復雜形狀的工件也適用,如帶有溝、槽、孔等復雜工件;
(4)通過調(diào)節(jié)沉積參數(shù),可以控制產(chǎn)物晶體結(jié)構(gòu)、表面形貌等;
(5)通過改變前驅(qū)體的成分,可形成多種金屬、合金、陶瓷和化合物涂層。
缺點主要表現(xiàn)在沉積速率太低、工藝復雜、生產(chǎn)成本高,一般只適合對小尺寸進行沉積,并可能存在涂層缺陷,如裂紋、網(wǎng)狀缺陷和面缺陷等。
先驅(qū)體浸漬裂解工藝以液態(tài)先驅(qū)體(聚合物或聚合物溶液)浸漬纖維,在一定溫度和氣體條件下,待溶劑揮發(fā)后將纖維或纖維預制體無機化,從而得到包覆于纖維表面涂層[14]。該工藝的優(yōu)勢在于成本低、可制備大型異形構(gòu)件等,但浸漬法對纖維有損傷,使得纖維與基體結(jié)合能力較差。
原位生長法又名原位合成法,即在復合材料制備過程中基體和增強相之間發(fā)生相互擴散及化學反應,從而形成與它們成分和結(jié)構(gòu)均不同的薄層區(qū)域(界面涂層)[15]。此法優(yōu)點是工藝最為簡單,但由于界面相成分難以控制而使得復合材料性能下降,難以獲得尺寸均勻的界面相。
綜上,CVD法是目前制備熱解炭涂層最為成熟且已商業(yè)化的方法,但其工藝控制難度較大,生產(chǎn)成本較高;先驅(qū)體浸漬裂解法較CVD法來說生產(chǎn)成本較低,但纖維與基體結(jié)合能力較差;原位生長法工藝簡單,但材料力學性能較低。
保溫筒作為硅單晶熱場系統(tǒng)的關鍵元件之一,主要作用是減少熱量損失并控制熱場環(huán)境的溫度梯度。保溫筒作為單晶爐內(nèi)壁保溫層支撐件,由于硅蒸氣腐蝕導致產(chǎn)品掉渣和開裂,最終導致產(chǎn)品失效。
廖寄喬[16]等提出了一種“三明治”結(jié)構(gòu)的單晶硅拉制爐用炭/炭熱場材料保溫筒,即由內(nèi)層、中間層和外層組成,如圖1所示,內(nèi)、外層采用密度高、強度大的碳纖維氈結(jié)構(gòu),中間層則采用密度低、保溫性好的蓬松碳纖維網(wǎng)胎結(jié)構(gòu),該保溫筒抗彎強度大于40MPa,導熱系數(shù)小于2.5W/mK,相比于石墨保溫筒(石墨保溫筒的抗彎強度小于35MPa,導熱系數(shù)大于30W/mK),前者的強度和保溫性能均優(yōu)于后者。在此實用新型中,由于保溫筒的內(nèi)表面會吸附大量熔融硅料揮發(fā)出的雜質(zhì)粒子,故在保溫筒內(nèi)表面采用化學氣相沉積工藝制備致密的熱解炭涂層,結(jié)果表明,在1100℃保溫60min后,通入天然氣進行表面涂層(天然氣流量為18L/min,沉積時間20h)可制得厚度為50μm的熱解炭涂層,既能阻擋炭/炭熱場材料保溫筒被爐內(nèi)硅蒸汽所侵蝕,又能防止保溫筒內(nèi)可能存在的雜質(zhì)逸出,提高了該保溫筒的抗腐蝕能力,延長其使用壽命。
圖1 保溫筒示意圖[16]Fig.1 Schematic of the insulation tube[16]
導流筒位于坩堝上方,在拉晶過程中,其溫度場上下內(nèi)外差異較大,尤其底部外型面距離熔融硅料最近,溫度最高,導流筒受硅蒸汽腐蝕最為嚴重。
廖寄喬[17]等提出一種倒錐形炭/炭復合材料導流筒,如圖2所示,筒體由炭/炭復合材料外屏、金屬內(nèi)屏以及保溫層組成,制備步驟包括制坯—純化—表面涂層—組裝筒體等,在真空條件下,將純化后的筒體置于化學氣相沉積爐中,爐溫升至1200℃保溫5h,氣相沉積時充入天然氣,爐內(nèi)氣壓為3kPa,沉積參數(shù)為1100℃沉積100h,經(jīng)該工藝后,導流筒外屏的表面可制備出致密的熱解炭涂層(密度為1.65g/cm3,厚度為0.8mm),可有效提高該導流筒抗硅蒸汽腐蝕能力,有利于提高熱場的安全性。
圖2 導流筒示意圖[17]Fig.2 Schematic of the draft tube[17]
炭/炭復合材料具有一系列優(yōu)異性能,包括高溫強度大、密度低、熱膨脹系數(shù)小、導電導熱性好等,是制備薄壁高溫發(fā)熱體的理想材料。湯素芳[18]等提出了一種表面具有熱解炭涂層的炭/炭復合材料發(fā)熱體及其制備方法,如圖3所示。首先采用電耦合化學氣相沉積工藝(E-CVI工藝)對碳纖維預制體進行增密處理,制備出炭/炭復合材料發(fā)熱體坯體,經(jīng)機加后將炭/炭發(fā)熱體置于化學氣相沉積爐在其表面沉積熱解炭涂層,最后經(jīng)高溫純化處理后獲得炭/炭復合材料發(fā)熱體成品,結(jié)果表明,發(fā)熱體經(jīng)過ICVI、E-CVI、CVD和純化工藝制備,制備周期顯著降低,制造成本僅為傳統(tǒng)工藝的1/2,在發(fā)熱體表面均勻沉積一層熱解炭涂層,不僅填充了其表面細孔,提高表層致密度,且飛濺的物料不易附著和損傷發(fā)熱體,進而延長其使用壽命。
圖3 圓筒形發(fā)熱體示意圖[18]Fig.3 Schematic of the cylindrical heating element[18]
熱解炭涂層因其優(yōu)異的高溫抗氧化性能在炭/炭熱場材料中的應用越來越廣泛。隨著單晶硅生產(chǎn)用炭/炭熱場產(chǎn)品尺寸的不斷增大,如何提高熱場材料表面熱解炭涂層的均勻性,提高炭/炭熱場材料的使用壽命成為亟待解決的問題。另一方面,隨著單晶硅產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,對高純度炭/炭熱場材料的需求也越來越大,如何制備高純度的熱解炭涂層及炭/炭熱場材料是未來重要的發(fā)展方向。