牛娜
摘要:多晶硅生產(chǎn)中最難去除的雜質(zhì)是硼、磷。為提高吸附裝置對(duì)硼、磷雜質(zhì)的吸附效果,降低多晶硅原料氯硅烷中的雜質(zhì)含量,提升多晶硅的品質(zhì),對(duì)吸附裝置在提純系統(tǒng)中安裝位置的合理性進(jìn)行了分析研究。對(duì)提純系統(tǒng)中部分物料輸送管道進(jìn)行改造,使不同組分的物料進(jìn)入相同結(jié)構(gòu)的吸附裝置進(jìn)行吸附。 調(diào)試吸附裝置處于最佳工作狀態(tài)后,對(duì)吸附后物料中硼、磷雜質(zhì)含量的總和、吸附率以及吸附裝置反沖洗頻率進(jìn)行對(duì)比分析。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,當(dāng)吸附裝置安裝在回收塔產(chǎn)品進(jìn)入精餾塔的中間管道處時(shí),吸附裝置對(duì)硼、磷雜質(zhì)的吸附效果最佳,且系統(tǒng)運(yùn)行穩(wěn)定。吸附裝置在提純系統(tǒng)中最佳安裝位置的確定,提高了吸附裝置對(duì)硼、磷雜質(zhì)的吸附效果以及系統(tǒng)運(yùn)行的穩(wěn)定性,為多晶硅品質(zhì)的提升奠定了基礎(chǔ)。
關(guān)鍵詞:多晶硅;氯硅烷;硼、磷雜質(zhì);吸附;穩(wěn)定性
隨著世界工業(yè)的大發(fā)展,環(huán)境和能源問(wèn)題越來(lái)越嚴(yán)重,已經(jīng)開(kāi)始嚴(yán)重影響人們的生活,因此如何降低環(huán)境污染、減少能源消耗,成為實(shí)現(xiàn)經(jīng)濟(jì)可持續(xù)發(fā)展的重要課題[1]。面對(duì)這一重大課題,世界各國(guó)開(kāi)始新型能源的開(kāi)發(fā)利用,太陽(yáng)能光伏行業(yè)發(fā)展勢(shì)頭最為突出[2-3]。多晶硅作為光伏產(chǎn)業(yè)重要的基礎(chǔ)材料,市場(chǎng)需求量劇增,多晶硅的品質(zhì)成為企業(yè)決勝的關(guān)鍵因素。三氯氫硅是沉積生成多晶硅的主要原料,其純度的高低決定著多晶硅產(chǎn)品的品質(zhì)。多晶硅的品質(zhì)會(huì)直接影響光伏產(chǎn)品的功能和質(zhì)量[4-5]。多晶硅生產(chǎn)中最難去除的雜質(zhì)是硼、磷,這兩種雜質(zhì)在多晶硅生產(chǎn)的冷氫化階段會(huì)與物料發(fā)生反應(yīng),生成種類繁多的硼系和磷系化合物,硼系化合物與氯硅烷的物化性質(zhì)接近,極難去除[6-10]。如何高效去除硼、磷雜質(zhì)提高三氯氫硅純度,成為多晶硅企業(yè)發(fā)展中的一大難題。面對(duì)這一問(wèn)題,國(guó)內(nèi)外學(xué)者做了眾多嘗試和研究,主要工藝包括萃取法[11]、絡(luò)合法、吸附法、部分水解法和精餾法等。其中對(duì)吸附法除硼、磷工藝的研究最為廣泛,通過(guò)考察吸附劑、吸附壓力、進(jìn)料溫度、進(jìn)料量等因素對(duì)吸附效果的影響確定最佳吸附工藝參數(shù)。但是,在多晶硅生產(chǎn)系統(tǒng)中物料自身雜質(zhì)含量對(duì)吸附裝置的吸附效果以及裝置的使用壽命都有較大的影響,此類研究鮮見(jiàn)報(bào)道。筆者針對(duì)吸附除雜的工藝過(guò)程進(jìn)行研究,討論了系統(tǒng)中不同階段的物料進(jìn)入硼、磷吸附裝置的除雜效果,確定了硼、磷吸附裝置在系統(tǒng)中的最佳安裝位置。
1 實(shí)驗(yàn)方法
以天宏硅業(yè)公司多晶硅系統(tǒng)中硼、磷雜質(zhì)吸附裝置為基礎(chǔ),對(duì)多晶硅系統(tǒng)中吸附除雜工藝進(jìn)行研究。將吸附裝置安裝在系統(tǒng)中的不同位置。多晶硅系統(tǒng)主要部分為回收塔低沸物料進(jìn)入分離塔的中間管道處,為回收塔產(chǎn)品進(jìn)入精餾塔的中間管道處,為氫化粗鎦塔產(chǎn)品進(jìn)入回收塔的中間管道處;為精餾塔高低沸物料進(jìn)入回收塔的中間管道處。對(duì)以上4個(gè)位置的物料進(jìn)行吸附除雜。投用前對(duì)系統(tǒng)進(jìn)行調(diào)試,確保系統(tǒng)按照最佳工藝參數(shù)正常運(yùn)行,調(diào)試合格后連續(xù)運(yùn)行2周時(shí)間。通過(guò)吸附后物料中的雜質(zhì)含量、雜質(zhì)吸附率以及吸附裝置反沖洗情況等,確定吸附裝置在系統(tǒng)中的最佳安裝位置。
2 結(jié)果與討論
吸附裝置安裝在系統(tǒng)中不同位置對(duì)物料中硼、磷雜質(zhì)的吸附效果也有很大的差別。吸附裝置安裝在4個(gè)位置,吸附后物料中B、P雜質(zhì)含量均明顯減少,但是裝置在吸附后物料中雜質(zhì)含量仍然很高,其他3個(gè)位置吸附后物料中雜質(zhì)質(zhì)量分?jǐn)?shù)均降到5×10-9以下,其中吸附后物料中雜質(zhì)含量總和最小,吸附效果最好。
根據(jù)吸附前后物料中雜質(zhì)含量的變化,對(duì)吸附裝置安裝在不同位置對(duì)B、P雜質(zhì)的吸附率進(jìn)行統(tǒng)計(jì)。當(dāng)吸附裝置安裝在下方時(shí)對(duì)B、P的吸附效果最差,吸附率分別為22.8%和19.4%;當(dāng)吸附裝置安裝在上方時(shí)對(duì)B、P的吸附效果均達(dá)到最佳,吸附率分別為87.4%和54.3%。
吸附裝置安裝在系統(tǒng)的不同位置,在系統(tǒng)運(yùn)行過(guò)程中,由于進(jìn)料中含有硼、磷雜質(zhì)以及其他金屬雜質(zhì),同時(shí)樹(shù)脂含有少量水分以及氯硅烷的水解物,會(huì)堵塞吸附劑通道。因此,當(dāng)冷卻器出口壓力超過(guò)規(guī)定值時(shí),需要將系統(tǒng)反向運(yùn)行2h(反沖洗),再恢復(fù)正常進(jìn)料。反沖洗次數(shù)的多少可以在一定程度上說(shuō)明吸附裝置的實(shí)際運(yùn)行狀況,是判斷吸附裝置在系統(tǒng)中位置合理性的一個(gè)重要衡量標(biāo)準(zhǔn)。 吸附裝置在系統(tǒng)中不同位置運(yùn)行時(shí)的反沖次數(shù)也有差距。系統(tǒng)運(yùn)行2周,當(dāng)吸附裝置在上部時(shí),裝置的反沖洗次數(shù)最高,為15次;當(dāng)吸附裝置在上部和中部位置時(shí),裝置的反沖洗次數(shù)為3次;當(dāng)吸附裝置在下部時(shí),裝置的反沖洗次數(shù)為2次。物料中雜質(zhì)含量越高,吸附裝置內(nèi)的樹(shù)脂越容易達(dá)到飽和,反沖洗的頻率就越高。反沖洗過(guò)程不僅會(huì)對(duì)整個(gè)系統(tǒng)的運(yùn)行產(chǎn)生影響,還會(huì)降低樹(shù)脂的使用壽命,影響吸附效果。反之,物料中雜質(zhì)含量較低時(shí),裝置反沖洗次數(shù)明顯降低,這有利于系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行,同時(shí)也可以提高裝置的吸附效果和使用壽命。
3 結(jié)論
采用相同的吸附裝置對(duì)不同位置的物料進(jìn)行吸附,對(duì)吸附后的雜質(zhì)含量、雜質(zhì)吸附率以及裝置的反沖洗頻率等進(jìn)行分析。1)當(dāng)吸附裝置安裝在回收塔產(chǎn)品進(jìn)入精餾塔的中間管道處時(shí),吸附后物料中雜質(zhì)含量最低,B、P雜質(zhì)吸附率最高,且吸附裝置反沖洗頻率較低;2)當(dāng)物料中雜質(zhì)含量較高時(shí),會(huì)影響裝置的運(yùn)行穩(wěn)定性;3)當(dāng)雜質(zhì)質(zhì)量分?jǐn)?shù)低于1×10-8時(shí),該裝置對(duì)物料的除雜效果不明顯。
參考文獻(xiàn)
[1]郭少平.太陽(yáng)能光伏發(fā)電發(fā)展現(xiàn)狀及前景[J].山東工業(yè)技術(shù),2018(16):163.
[2]塔娜.光伏行業(yè)現(xiàn)狀及前景分析[J].企業(yè)改革與管理,2018(22):204-205.
[3]孫巖.光伏發(fā)電技術(shù)分析及應(yīng)用探討[J].中國(guó)設(shè)備工程,2019(5):168-170.
[4]盧海波,朱曉云.三氯氫硅除硼工藝研究進(jìn)展[J].材料導(dǎo)報(bào),2013,27(9):29-32.
[5]李光明,劉龍,欒石林,等.太陽(yáng)能級(jí)多晶硅中B、P雜質(zhì)的危害及去除[J].太陽(yáng)能,2016(8):26-28.
[6]黃小明,楊邦美.高純?nèi)葰涔枭a(chǎn)中磷硼雜質(zhì)的去除[J].化工生產(chǎn)與技術(shù),2012,19(5):55-56,64.
[7]郎永沛,儲(chǔ)少軍,林俊峰.多晶硅中雜質(zhì)元素B、P的來(lái)源分析[J].鐵合金,2011,54(5):11-13.
[8]LiuS,Huang K, Zhu H.Source of boron and phosphorus impurities
in the silicon wiresawing slurry and their removal by acid leach-ing [J].SeparationandPurificationTechnology,2017,172:113-118.
[9]石秋玲.改良西門子法生產(chǎn)多晶硅中反應(yīng)精餾除硼的模擬研究[D].天津:天津大學(xué),2012.
[10]錢浩,黃國(guó)強(qiáng).高效除三氯氫硅中痕量硼、磷工藝研究進(jìn)展[J].化學(xué)工業(yè)與工程,2018,35(2):42-48.
[11]Lawrence P M.Method of removing boron from silicon tetrachlo-ride:US,3403003[P].1968-09-24.
[12]Kray W D,Razzano J S.Purification of silicon halides :US,4755370[P].1988-07-05.