王偉祥
(武漢交通職業(yè)學院,湖北 武漢 430065)
電磁炮是利用電磁力將彈丸加速到高速度,使電源電能轉(zhuǎn)換為物體動能的新概念武器。傳統(tǒng)火炮是利用彈藥爆炸時的瞬間膨脹產(chǎn)生的推力將炮彈迅速加速,推出炮膛。兩者相比,電磁炮具有速度高、性能優(yōu)良和可控性好等諸多優(yōu)勢,故各國都將電磁炮作為新概念武器裝備展開軍備競賽。以美國為首的一些發(fā)達國家投入巨額經(jīng)費進行電磁炮的實驗研究,并取得了突破性的成果,已成功試射了5倍音速,射程200km的電磁炮。隨著智能技術(shù)的發(fā)展,武器裝備逐漸向智能化、小型化方向發(fā)展,歐美各國也在逐漸考慮將電磁炮小型化以構(gòu)成一種智能型單兵武器。ST(意法半導體)公司設(shè)計的STM32F103ZET6單片機,其內(nèi)部資源較8051、AVR和PIC多出很多,基本上接近于計算機的CPU,具有高性能、存儲空間大、資源豐富、低成本、低功耗、運算速度快的特點。故本研究采用此款單片機作為核心控制部件,設(shè)計了一個便攜式智能模擬電磁炮發(fā)射系統(tǒng),以下將從系統(tǒng)方案、理論分析、硬件電路、系統(tǒng)軟件等方面進行闡述便攜式智能模擬電磁炮的設(shè)計與實現(xiàn)。
本文介紹了一種實現(xiàn)基于STM32控制模擬電磁炮發(fā)射系統(tǒng)的可行方案。該系統(tǒng)方案主要由STM32F103ZET6單片機最小系統(tǒng)控制電路、儲能電路、電壓檢測電路、電磁炮發(fā)射電路、舵機云臺、攝像頭識別定位模塊、TFT顯示屏、矩陣鍵盤等部分組成。系統(tǒng)的總體結(jié)構(gòu)框圖如圖1所示。
圖1 系統(tǒng)總體結(jié)構(gòu)框圖
該系統(tǒng)有兩種控制方式:手動控制和自動控制。當手動控制時,先通過按鍵輸入定標點距離,單片機對電容充電電壓進行檢測,確定發(fā)射距離,將控制信號送給發(fā)射電路,進而控制彈珠發(fā)射。當自動控制時,則利用攝像頭進行圖像采集,通過調(diào)整舵機角度,進行精準定位,確定電容充電電壓大小,然后單片機啟動儲能電路對電容進行充電,再通過電壓檢測電路反饋電容充電電壓給單片機,當達到閾值電壓時,單片機控制發(fā)射電路,將彈珠發(fā)射出去,同時TFT液晶屏上可實時顯示充電電壓、充電時間、設(shè)置距離等信息。
法拉第電磁感應定律是電磁炮的理論基礎(chǔ)。當通過閉合導體回路的磁通量發(fā)生變化時,導體回路中產(chǎn)生感應電流,感應電流流過的導線在原磁場中會受到一個力的推動,電磁炮就是利用電磁相互作用力把發(fā)射的物體加速到高速,最后發(fā)射出去[1]。
設(shè)驅(qū)動線圈脈沖電流為ip,兩者之間的互感為M,則兩者之間沿線圈軸線方向的作用力為:
由上式可知,為了使彈丸獲得盡可能大的作用力F,線圈應與炮膛同軸,繞在炮膛外面,通過支架安裝在炮膛底部。在線圈匝數(shù)一定的情況下,盡量縮短線圈的分布長度,故用粗導線繞制線圈,減小線圈內(nèi)阻。
線圈炮由環(huán)繞于炮膛的一系列固定的加速線圈與彈丸構(gòu)成。它利用加速線圈與彈丸之間互感時產(chǎn)生的電磁力作為彈丸的加速力。當給加速線圈突然加上電流時,在彈丸內(nèi)會產(chǎn)生相應的感應電流,這時兩者相互排斥,彈丸受到的這個排斥力就是加速力。發(fā)射時依次給加速線圈供電,于是產(chǎn)生沿炮身管運動的磁場,這個磁場與彈丸中的感應電流激勵的磁場相互作用,產(chǎn)生連續(xù)的加速力從而使彈丸加速運動。由于加速線圈與彈丸之間的相互作用相當于兩個磁體間的相互作用,既可以相斥也可以相吸,可使彈丸加速也可使彈丸減速。因此,必須保正使加速線圈產(chǎn)生的磁力與彈丸的運動位置精確同步[2]。
線圈炮是利用軌道電流相互作用的安培力把彈丸發(fā)射出去。實際制作時,線圈炮由一個長為20cm的直塑料管和在其外壁用φ0.8mm漆包線均勻繞400匝總長為60mm線圈組合而成。塑料管底部放入直徑為12mm的鋼珠作為彈丸。當電容充電電壓達到一定值時,按下發(fā)射指令鍵,電容對線圈迅速放電,在線圈周圍會產(chǎn)生電磁場,強大的電流會產(chǎn)生強磁場,然后在安培力的作用下,彈丸會以很大的速度射出。
經(jīng)檢測,當對儲能元件容值為1000uF充電時,電壓達到230V時,直徑為12mm彈丸的水平發(fā)射距離可達300cm。當電容充電到300V時,水平發(fā)射距離可達550cm。
由系統(tǒng)總體結(jié)構(gòu)框圖可知,硬件電路主要由電磁炮發(fā)射電路和單片機最小系統(tǒng)控制電路構(gòu)成。故下面主要對這兩個電路進行介紹。
電磁炮發(fā)射電路如圖2所示。
電磁炮發(fā)射電路主要由電容充電電路、電容對線圈放電電路和電容充電電壓檢測電路組成。
當單片機I/O口輸出高電平,通過R4使三極管導通,繼電器K1得電,常開觸點閉合,使NMOS管Q1柵源間得到正向電壓,Q1導通,300V直流電壓通過R1、D3對電容C1充電,充電電壓經(jīng)取樣電阻R6,光耦U2隔離,同相比例放大后,送入單片機監(jiān)測電壓,當C1電壓達到一定值時,關(guān)斷Q1停止充電,同時接光耦U1的單片機I/O口輸出高電平,通過光耦使雙向晶閘管Q2導通,電容C1對線圈L1放電,使鋼珠彈出擊中目標。
由上述可知,充電電路主要元件由充電限流電阻R1、大功率開關(guān)NMOS管Q1等元件組成,放電電路主要由光耦U1、晶閘管Q2等元件組成,電壓檢測電路主要由光耦U2、運放等元件組成。
3.1.1 充電電路主要器件的選擇
(1)充電限流電阻R1的參數(shù)選擇[3]
按設(shè)計要求電容最大充電時間為5秒,即5τ=5(S)
圖2 電磁炮發(fā)射電路
(2)NMOS管Q1的參數(shù)選擇[4]
Q1管最大接通電流最高工作電壓為300V,故選擇用IRF840NMOS管,其Id=8.5A,Vdss=500V,滿足要求。
3.1.2 放電電路主要器件的選擇
(1)光電隔離光耦U1的選擇
為了將高壓電路與控制電路隔離,故U1采用雙向?qū)ü怦頜OC3052。
(2)晶閘管Q2的選擇
由于瞬時放電電流達幾十安培,最高工作電壓為300V,故選用BTA41-600B雙向晶閘管,其最大工作電流達40A,最高反向電壓700V,滿足要求。
3.1.3 電壓檢測電路主要元器件的選擇
(1)光電隔離光耦U2的選擇
為了將高壓電路與控制電路隔離,獲得與電容電壓成正比的取樣電壓,故U2采用線性光耦型號為EL817。
(2)同相比例放大運放的選擇
為了將光耦U2采集的電壓,不失真的放大,同相比例放大器采用軌道軌運算放大器,其型號為READ2302G。
該控制系統(tǒng)以STM32F103ZET6為核心,控制電磁炮驅(qū)動電路、舵機云臺、攝像頭、TFT顯示屏以及矩陣鍵盤等。PA1讀取充電采樣信號,PD4發(fā)送充電控制信息,PD5發(fā)送發(fā)射控制信號。單片機最小控制系統(tǒng)電路如圖3所示。
系統(tǒng)程序流程包括自動和手動兩種控制模式,兩者功能之間可以自由切換。CPU讀取儲能元件充電電壓的采樣信息,當達到標定值時,發(fā)送電磁炮發(fā)射驅(qū)動信號。由OPEN MV4 H7攝像頭可實現(xiàn)目標追蹤,獲取位置坐標,將獲取的坐標信息送至嵌入式芯片STM32F103ZET6,由STM32F103ZET6控制電磁炮驅(qū)動系統(tǒng)的線圈電流,決定發(fā)送力度及云臺舵機的發(fā)送角度。系統(tǒng)程序流程圖如圖4所示。
數(shù)字雙蹤示波器、直流穩(wěn)壓源、秒表、卷尺、4位半數(shù)字萬用表。
測試數(shù)據(jù)如表1所示。
由表1可知,通過單片機多次調(diào)試,將環(huán)形靶放置在靶心距離定標點200~300cm間,通過鍵盤輸入距離,電磁炮將彈丸發(fā)射至該位置,距離偏差最低≤6cm;還可以在指定范圍內(nèi)給任意靶子位置,用鍵盤輸入定標點距離,一鍵啟動后,電磁炮可以自動瞄準射擊,環(huán)數(shù)最好成績?yōu)?0環(huán)。
圖3 單片機控制系統(tǒng)電路
圖4 系統(tǒng)程序流程圖
表1 測試數(shù)據(jù)
該裝置實現(xiàn)了手動設(shè)置發(fā)射和自動捕捉目標一鍵發(fā)射,偏差最低在6cm以內(nèi),命中率高,還可在液晶屏上顯示充電電壓、充電時間、設(shè)置距離等信息,而且方便輕巧,便于攜帶。該裝置在軍事上可以研發(fā)作為一種智能型單兵武器,應用于戰(zhàn)場,亦可用于天基反導系統(tǒng)和防空系統(tǒng),可作為反坦克武器,還可以裝備炮兵部隊、海軍艦艇等,同時可以與無人機結(jié)合,提高目標打擊的靈活性和可靠性;在生活中可用于射釘槍[5]、兒童游樂設(shè)備等方面,具有一定的現(xiàn)實意義。