局域表面等離激元對(duì)InGaN/GaN多量子阱發(fā)光效率的影響

許 恒， 閆 龍， 李 玲， 張?jiān)礉?張寶林

(集成光電子學(xué)國(guó)家重點(diǎn)聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室 吉林大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院， 吉林 長(zhǎng)春 130012)

局域表面等離激元對(duì)InGaN/GaN多量子阱發(fā)光效率的影響

許 恒， 閆 龍， 李 玲， 張?jiān)礉?， 張寶林*

(集成光電子學(xué)國(guó)家重點(diǎn)聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室 吉林大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院， 吉林 長(zhǎng)春 130012)

Ag 納米粒子的形貌對(duì)InGaN/GaN 多量子阱(MQWs)的光致發(fā)光(PL)效率有著顯著影響。本文采用離子束沉積(IBD)技術(shù)將Ag沉積在InGaN/GaN MQWs上，然后通過(guò)快速熱退火處理制備Ag納米粒子。通過(guò)改變Ag的沉積時(shí)間獲得了具有不同Ag納米粒子形貌的樣品。用原子力顯微鏡對(duì)各樣品的Ag納米粒子形貌和尺寸進(jìn)行了表征，并且測(cè)試了吸收譜、室溫和變溫PL譜及時(shí)間分辨光致發(fā)光(TRPL)譜。結(jié)果表明：隨著Ag沉積時(shí)間的延長(zhǎng)，所得Ag納米粒子粒徑增大，粒子縱橫比先增大后減小且吸收譜峰紅移。由于不同形貌的Ag納米粒子在入射光作用下產(chǎn)生的局域表面等離激元(LSPs)與MQWs中激子耦合強(qiáng)度不同，光發(fā)射能力也不同，與沒(méi)有Ag納米粒子的樣品相比，沉積時(shí)間為15 s的樣品室溫PL積分強(qiáng)度被抑制6.74倍，沉積時(shí)間為25 s和35 s的樣品室溫PL積分強(qiáng)度分別增強(qiáng)1.55和1.72倍且峰位發(fā)生紅移，沉積時(shí)間為45 s的樣品室溫PL積分強(qiáng)度基本沒(méi)有變化。TRPL與變溫PL的測(cè)試結(jié)果證明，室溫PL積分強(qiáng)度的改變是由于LSPs與MQWs中的激子耦合作用引起的。縱橫比大且吸收譜與MQWs的PL譜交疊大的Ag納米粒子能夠更好地增強(qiáng)InGaN/GaN MQWs的發(fā)光。

離子束沉積； Ag納米粒子； 局域表面等離激元； InGaN/GaN多量子阱； 光致發(fā)光

1 引 言

InGaN/GaN 多量子阱(MQWs)廣泛應(yīng)用于發(fā)光二極管(LEDs)和激光器(LDs)中[1-5]，更是這些器件的核心。提高InGaN/GaN MQWs的發(fā)光效率是提高LEDs的亮度或LDs的功率的關(guān)鍵，而發(fā)光效率是由器件中MQWs的內(nèi)量子效率(IQE)和光提取效率決定的，因此提高InGaN/GaN MQWs的IQE和光提取效率對(duì)應(yīng)用來(lái)說(shuō)至關(guān)重要。表面粗化、圖形化襯底、使用光學(xué)增透膜以及表面等離激元耦合等方法均被用來(lái)提高M(jìn)QWs的發(fā)光效率[6-9]。其中，利用Ag納米粒子產(chǎn)生的局域表面等離激元(LSPs)耦合效應(yīng)來(lái)提高InGaN/GaN MQWs的IQE同時(shí)提高光提取效率更是研究熱點(diǎn)[10-12]。其原理如下：處在Ag納米粒子和電介質(zhì)界面處的Ag上的電子在入射電磁波電場(chǎng)分量的驅(qū)動(dòng)下集體共振產(chǎn)生LSPs[13]。當(dāng)LSPs與MQWs發(fā)生耦合時(shí)，MQWs中的激子能量迅速傳遞給LSPs，耦合到LSPs的能量由Ag納米粒子以光子的形式發(fā)射出去，藉此改變MQWs的發(fā)光強(qiáng)度。由于金屬(Ag)上產(chǎn)生的LSPs具有很高的態(tài)密度(DOS)，通過(guò)LSPs與MQWs耦合可以使MQWs的內(nèi)量子效率得到顯著提高[14]，而由于Ag納米粒子產(chǎn)生的表面粗化效應(yīng)則可增加光提取效率。許多學(xué)者在利用LSPs耦合來(lái)改變MQWs發(fā)光強(qiáng)度這一課題上做出了杰出工作。2013年，中國(guó)的Jiang等[15]在綠光LED上制備了粒徑為60～90 nm的Ag納米粒子，測(cè)得其室溫PL積分強(qiáng)度減少了3.5倍。2014年，中國(guó)臺(tái)灣的 Lu等[16]將粒徑為6.6～22.8 nm的Ag納米粒子制備在藍(lán)光LED表面刻蝕好的孔洞中，使得PL的峰值強(qiáng)度增加3.6倍。2015年，韓國(guó)的Lee等[17]在半極性InGaN/GaN MQWs上制備了粒徑為250 nm的Ag納米粒子，使室溫PL積分強(qiáng)度得到1.3倍的增強(qiáng)?？梢?jiàn)，LSPs耦合增強(qiáng)PL發(fā)光的大小與Ag納米粒子的形貌有著密不可分的關(guān)系。然而，對(duì)于表面形貌如何影響LSPs，怎樣的形貌使得發(fā)光被抑制，如何改變表面形貌使得發(fā)光增強(qiáng)這一問(wèn)題仍有待進(jìn)一步的研究與討論。

本文采用離子束沉積(IBD)方法結(jié)合快速熱退火制備了具有不同Ag納米粒子形貌的樣品。用不同Ag納米粒子形貌的樣品與沒(méi)有Ag的樣品對(duì)比，用以闡明Ag納米粒子表面形貌對(duì)MQWs發(fā)光強(qiáng)度的影響。實(shí)驗(yàn)中對(duì)Ag納米粒子的表面形貌、吸收譜、室溫和變溫PL譜以及時(shí)間分辨光致發(fā)光(TRPL)譜進(jìn)行了表征。結(jié)果表明，吸收譜與MQWs的PL譜交疊大且縱橫比大的Ag納米粒子能夠更好地增強(qiáng)InGaN/GaN MQWs的發(fā)光強(qiáng)度。

2 實(shí) 驗(yàn)

本實(shí)驗(yàn)采用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD，Aixtron)設(shè)備在c面雙拋藍(lán)寶石襯底上外延生長(zhǎng)InGaN/GaN MQWs。首先外延生長(zhǎng)2 μm厚的 GaN層作為模板，然后在其上外延生長(zhǎng)2個(gè)周期的InGaN/GaN量子阱，其中作為阱層的InGaN厚度為5 nm，作為壘層的GaN厚度為15 nm，最后一個(gè)壘層厚度為5 nm同時(shí)充當(dāng)隔離層。制得MQWs后將樣品解理，任意選取其中一片樣品作為參考樣品記為S1。然后再任選4片MQWs樣品在其表面用IBD(IBED-70，北京瑞得高爾科技開(kāi)發(fā)有限公司)技術(shù)結(jié)合快速熱退火過(guò)程制備不同形貌Ag納米粒子。首先將樣品固定在IBED-70腔室內(nèi)托盤(pán)上，然后用氬離子(Ar+)轟擊Ag靶材，條件為：離子能量～750 eV，離子束流～40 mA，中和電流～60 mA。轟擊出的Ag原子沉積在MQWs樣品表面，沉積時(shí)間分別為15，25，35，45 s。最后從腔室取出樣品置于快速退火爐(As-One 100HT，Annealsys)中，使用優(yōu)化的退火條件：600 ℃下進(jìn)行15 min退火處理，經(jīng)過(guò)奧氏熟化后形成具有不同形貌的Ag納米粒子的樣品，將得到的樣品依次標(biāo)記為S2、S3、S4和S5。

實(shí)驗(yàn)中采用原子力顯微鏡(AFM)(ICON-PT，Veeco)表征各樣品表面形貌。采用UV-3600進(jìn)行吸收譜測(cè)試。測(cè)試室溫PL譜時(shí)，采用背面激發(fā)MQWs背面接收熒光的方式，激發(fā)光源為摻釹釔鋁石榴石(YAG)脈沖激光器(SLII-10，Continuum Electro-Optics，Inc)，發(fā)射波長(zhǎng)為375 nm、功率為6.5 mW的激光。使用光譜儀(iHR550，Horiba)接收熒光信號(hào)。在進(jìn)行TRPL測(cè)試時(shí)，采用Nano LED source ( N-L8SL，Horbia)作為激發(fā)光源，用光譜儀(iHR320，Horbia)接收熒光信號(hào)。在進(jìn)行變溫度PL測(cè)試時(shí)，選用的激發(fā)光源和光譜儀與室溫測(cè)試時(shí)相同，采用氦氣閉循環(huán)恒溫系統(tǒng)(REF-3415-HT，Cryogenic of America，Inc)控制溫度。

3 結(jié)果與討論

圖1(a)所示為樣品S1、S2、S3、S4和S5的AFM形貌圖，圖1(b)為對(duì)(a)圖中的Ag納米粒子的統(tǒng)計(jì)結(jié)果。在相同退火條件下，隨著沉積時(shí)間的延長(zhǎng)，Ag納米粒子的粒徑隨之單調(diào)增大，而 Ag納米粒子的縱橫比和密度先增大后減小。Ag納米粒子的粒徑、縱橫比以及密度會(huì)顯著影響等離激元的耦合效果，將在下面詳細(xì)討論。

圖2所示為S1樣品的室溫PL譜和S2、S3、S4、S5樣品的Ag納米粒子吸收譜。圖中的譜線(xiàn)呈波紋狀是由法布里-珀羅干涉引起的[17-18]，在圖3和圖5中也同樣存在。為了消除干涉的影響，我們對(duì)譜線(xiàn)進(jìn)行了高斯擬合，圖中光滑的曲線(xiàn)為高斯擬合結(jié)果。從圖中可知，隨著沉積時(shí)間的延長(zhǎng)，Ag納米粒子的吸收譜強(qiáng)度逐漸增大且峰位逐漸紅移，各吸收譜線(xiàn)擬合峰位分別為478.4，490.2，492.2，594.1 nm。Ag納米粒子的共振吸收強(qiáng)度和密度及粒徑成正比[19-20]，其中S3樣品雖然粒子密度與S4、S5樣品相比較大，但是其粒徑遠(yuǎn)小于S4和S5樣品，所以最終隨著Ag沉積時(shí)間的延長(zhǎng)，各樣品吸收峰強(qiáng)度逐漸增大。而Ag納米粒子的吸收峰位與其粒徑、縱橫比以及密度都有關(guān)系，Ag納米粒子的粒徑與密度的增大會(huì)導(dǎo)致共振吸收峰紅移，縱橫比的增大會(huì)導(dǎo)致共振吸收峰藍(lán)移[15,19-20]。S3樣品的Ag納米粒子縱橫比和粒徑均比S2樣品大，但是粒徑尺寸對(duì)吸收峰的影響要大于Ag納米粒子縱橫比的影響[20]，且S3密度較大，所以最終導(dǎo)致S3樣品的Ag納米粒子共振吸收峰較S2樣品發(fā)生紅移。S3、S4與S5樣品的粒徑不斷增大并且縱橫比不斷減小，導(dǎo)致Ag納米粒子共振吸收峰不斷向低能側(cè)移動(dòng)。S3樣品的粒子密度大使得其紅移量更大，導(dǎo)致其共振吸收峰位與S4樣品十分靠近，但是并未超過(guò)另兩種因素的影響。另外，圖中MQWs(S1)的PL譜和Ag納米粒子的吸收譜有交疊的部分，說(shuō)明Ag納米粒子會(huì)產(chǎn)生LSPs耦合效應(yīng)，并且在其他條件一致的情況下，二者交疊越大則耦合越強(qiáng)，即隨著沉積時(shí)間的增加，耦合強(qiáng)度先增大后減小，且S4樣品的耦合強(qiáng)度達(dá)到最大，下面TRPL譜測(cè)試結(jié)果也證明了這一結(jié)論。這種耦合效應(yīng)會(huì)影響MQWs的發(fā)光效率，這在室溫PL譜測(cè)試結(jié)果中會(huì)體現(xiàn)出來(lái)。

為了分析Ag納米粒子的不同形貌對(duì)InGaN/GaN MQWs發(fā)光的影響，我們對(duì)各樣品進(jìn)行了室溫PL譜的測(cè)試，結(jié)果如圖3所示。與參比樣品S1相比，S2的室溫PL積分強(qiáng)度減少了6.74倍，S3和S4樣品的PL積分強(qiáng)度分別增強(qiáng)了1.55和1.72倍，S5樣品的PL積分強(qiáng)度則無(wú)明顯變化。S2樣品的PL強(qiáng)度較小是由于LSPs與MQWs發(fā)生耦合，使得MQWs中的激子能量快速傳遞給MQWs表面的Ag納米粒子上產(chǎn)生的LSPs。但S2樣品的Ag納米粒子的縱橫比與粒徑都非常小，并不能將LSPs所帶的能量以光子的形式有效地發(fā)射出去而是在Ag納米粒子內(nèi)耗散掉[15]，所以導(dǎo)致室溫PL積分強(qiáng)度明顯下降。對(duì)于S3和S4樣品，它們的Ag納米粒子具有較大的縱橫比、粒

圖1 (a)具有不同Ag沉積時(shí)間的InGaN/GaN MQWs樣品表面AFM形貌圖；(b)各樣品Ag納米粒子的粒徑、縱橫比及密度統(tǒng)計(jì)圖。

Fig.1 (a) AFM images of surface morphology of InGaN/GaN MQWs samples with different Ag deposition time. (b) Statistical graph of diameter, aspect ratio and density of Ag nanoparticles.

圖2 室溫時(shí)Ag納米粒子吸收譜和InGaN/GaN MQWs PL譜對(duì)比圖

Fig.2 Absorbance spectra of Ag nanoparticles and PL spectrum of InGaN/GaN MQWs at room temperature圖3 具有不同Ag沉積時(shí)間的InGaN/GaN MQWs樣品的室溫PL譜

Fig.3 Room temperature PL spectra of InGaN/GaN MQWs with different Ag deposition time

徑和密度，耦合強(qiáng)度較大且耦合到LSPs的能量能夠被有效地發(fā)射出去，從而使得室溫PL積分強(qiáng)度增加。由圖2分析知S4樣品的LSPs與MQWs的耦合更強(qiáng)，所以其PL強(qiáng)度增加幅度更大。對(duì)于S5樣品，由于其表面Ag納米粒子的尺寸過(guò)大導(dǎo)致其共振吸收峰峰位嚴(yán)重偏離室溫PL譜峰，LSPs耦合作用減弱，所以其室溫PL積分強(qiáng)度相對(duì)S3和S4樣品出現(xiàn)下降現(xiàn)象。同時(shí)，S3和S4樣品的PL譜相對(duì)于S1樣品峰位發(fā)生了紅移，紅移量分別為3.6 nm和5.7 nm。原因是Ag納米粒子的共振吸收峰位于MQWs的室溫PL譜的低能側(cè)，PL譜中波長(zhǎng)越靠近吸收譜的峰值其被增強(qiáng)的比例越大，所以會(huì)使得室溫PL峰位紅移。而由圖2分析可知，S4樣品的耦合強(qiáng)度比S3樣品更大，因此其PL譜的紅移量也較大。對(duì)于S2和S5樣品，因其耦合作用較弱，所以并未使得室溫PL峰位有明顯的移動(dòng)。PL譜發(fā)光峰位的紅移證明在S3和S4樣品中，PL發(fā)光強(qiáng)度的增大源于Ag納米粒子等離激元的共振增強(qiáng)。

為進(jìn)一步驗(yàn)證圖3的實(shí)驗(yàn)結(jié)果是由LSPs耦合效應(yīng)的不同導(dǎo)致的，對(duì)各樣品進(jìn)行了TRPL譜測(cè)試，結(jié)果如圖4所示。對(duì)圖4中曲線(xiàn)采用雙e指數(shù)模型：

進(jìn)行擬合，式中B1和B2為e指數(shù)函數(shù)的常數(shù)項(xiàng)，τ1為與輻射復(fù)合相關(guān)的激子壽命，τ2為量子限制斯塔克效應(yīng)控制的局域載流子復(fù)合壽命[21]。本文主要針對(duì)激子壽命進(jìn)行分析，其具體擬合數(shù)值如圖4中的內(nèi)插圖所示。與S1相比，表面覆蓋有Ag納米粒子的樣品壽命均縮短，且隨著Ag沉積時(shí)間的延長(zhǎng)，壽命先縮短后增加，S4樣品的激子壽命最短。當(dāng)MQWs中的激子與Ag中的LSPs發(fā)生耦合時(shí)，激子復(fù)合能會(huì)迅速傳遞給LSPs，導(dǎo)致激子壽命縮短，而且耦合越強(qiáng)則單位時(shí)間內(nèi)傳遞能量給LSPs的激子數(shù)量越多，激子的平均壽命就越短。因此，實(shí)驗(yàn)中覆蓋有Ag納米粒子樣品激子壽命的縮短證明LSPs與MQWs之間發(fā)生了耦合，而激子壽命隨著Ag的沉積時(shí)間先縮短后增加則表明耦合強(qiáng)度先增大后減小，這和圖2中得到的結(jié)論一致。對(duì)比圖3與圖4結(jié)果可知，S4樣品PL強(qiáng)度增加最多，激子壽命縮短也最多。

圖4 具有不同Ag沉積時(shí)間的InGaN/GaN MQWs樣品的室溫TRPL譜，內(nèi)插圖為各樣品的激子壽命值。

Fig.4 Room temperature TRPL spectra of InGaN/GaN MQWs with different Ag deposition time. Inset shows the lifetime of excitons.

圖5 具有不同Ag沉積時(shí)間的InGaN/GaN MQWs樣品在10 K和300 K時(shí)的PL譜圖，內(nèi)插圖為各樣品內(nèi)量子效率值。

Fig.5 PL spectra at 10 K and 300 K of InGaN/GaN MQWs with different Ag deposition time. Inset shows the IQE values.

為分析LSPs耦合與Ag納米粒子引起的表面粗化效應(yīng)對(duì)PL強(qiáng)度的貢獻(xiàn)，進(jìn)行了變溫度PL測(cè)試，結(jié)果如圖5所示。圖中各樣品的PL譜按10 K時(shí)的強(qiáng)度進(jìn)行了歸一化。根據(jù)Okamoto等[21-23]所采用的計(jì)算方法，假設(shè)10 K時(shí)MQWs的IQE為100%，則可用300 K時(shí)的PL積分強(qiáng)度與10 K時(shí)的PL積分強(qiáng)度比來(lái)估算樣品的IQE，由此算得S1的IQE為46.76%。對(duì)于S2樣品，其IQE為40.33%，比S1樣品下降1.16倍。從圖3結(jié)果知S2樣品的PL強(qiáng)度比S1下降6.74倍，其余部分則可歸結(jié)為光提取效率下降導(dǎo)致的。S3和S4樣品的IQE分別為56.19%和 58.57%，與S1相比分別增加了1.2和1.25倍。從圖3結(jié)果知它們的PL增強(qiáng)分別為1.55和1.72倍，其余增量來(lái)自于Ag納米粒子產(chǎn)生的表面粗化效應(yīng)而引起的光提取效率的增加。S5樣品的IQE為44.77%，在表面等離激元與表面粗化作用的綜合作用下，其變溫PL測(cè)試結(jié)果與S1樣品相比沒(méi)有明顯變化。

4 結(jié) 論

本文采用IBD技術(shù)與快速熱退火的方法在InGaN/GaN MQWs上制備Ag納米粒子，并通過(guò)改變沉積時(shí)間控制其形貌及尺寸。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明， Ag納米粒子的形貌對(duì)InGaN/GaN MQWs的發(fā)光效率具有重要影響, 具有較大粒徑和縱橫比的Ag納米粒子發(fā)射光的能力更強(qiáng)。TRPL譜與變溫PL譜的測(cè)試結(jié)果證明，MQWs發(fā)光效率的變化是由于LSPs耦合與光提取效率的變化導(dǎo)致的。沉積時(shí)間為35 s的樣品的發(fā)光增強(qiáng)比率最大，室溫PL積分強(qiáng)度增加1.72倍，其中增加的1.25倍源于LSPs耦合引起的IQE的增加，其余則來(lái)自表面粗化引起的光提取效率的增加。選取合適的實(shí)驗(yàn)條件制備出吸收峰與MQWs的PL譜峰相一致且具有大縱橫比的Ag納米粒子是LSPs共振耦合增強(qiáng)MQWs發(fā)光效率的關(guān)鍵。

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[23] LIDA D, FADIL A, CHEN Y T,etal.. Internal quantum efficiency enhancement of GaInN/GaN quantum-well structures using Ag nanoparticles [J].AIPAdv., 2015, 5(9):097169.

許恒(1990-)，男，吉林長(zhǎng)春人，碩士研究生，2014年于吉林大學(xué)獲得學(xué)士學(xué)位，主要從事GaN基寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件的研究。

E-mail: xuheng19000@163.com

張?jiān)礉?1976-)，男，吉林長(zhǎng)春人，博士，教授，2005年于吉林大學(xué)獲得博士學(xué)位，主要從事GaN基寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件的研究。

E-mail: zhangyt@jlu.edu.cn

張寶林(1964-)，男，吉林通化人，博士，教授，1999年于中國(guó)科學(xué)院長(zhǎng)春物理研究所獲得博士學(xué)位，主要從事半導(dǎo)體材料及器件的研究。

E-mail： zbl@jlu.edu.cn

Influence of Localized Surface Plasmons on The Photoluminescence Efficiency of InGaN/GaN Multiple Quantum Wells

XU Heng, YAN Long, LI Ling, ZHANG Yuan-tao*, ZHANG Bao-lin*

(StateKeyLaboratoryonIntegratedOptoelectronics,CollegeofElectronicScienceandEngineering,JilinUniversity,Changchun130012,China)

The morphology of Ag nanoparticles influences the photoluminescence (PL) efficiency of InGaN/GaN multiple quantum wells (MQWs) dramatically. In this paper, the ion beam deposition (IBD) technique was employed to deposit Ag on the surface of InGaN/GaN MQWs, and then Ag nanoparticles were fabricated by thermal annealing process. Ag nanoparticles with different morphology were obtained by adjusting the deposition time. For each sample, the morphology of Ag nanoparticles was characterized by AFM. In addition, the absorbance spectra, room and variable temperature PL spectra and time resolved PL (TRPL) spectra were carried out to determine the optical properties of the samples. The results show that the diameters of Ag nanoparticles increase with the increasing of deposition time, and the aspect ratio increases first and then decreases. Moreover, a red shift of the absorption peak of Ag nanoparticles is observed. Compared with the sample without Ag nanoparticles, the room temperature PL integrated intensity of the sample with Ag deposition time of 15 s is suppressed 6.74 times. For the samples with Ag deposition time of 25 s and 35 s, the PL integrated intensities are enhanced 1.55 and 1.72 times, respectively. Meanwhile, a red shift occurs in the peak position. Whereas, there is no obvious change in PL integrated intensity for the sample with Ag deposition time of 45 s. This phenomenon can be attributed to the difference morphology of Ag nanoparticles on each sample. The morphology of Ag nanoparticles influences the coupling strength between the localized surface plasmons (LSPs) in Ag nanopaticles and the excitons in MQWs. The light scatting ability of Ag nanoparticles is also influenced by its morphology. The measurement results of TRPL and variable temperature PL demonstrate that the change of room temperature PL integrated intensity is induced by the coupling between LSPs and the excitons in MQWs. Finally, it is found that Ag nanoparticles with bigger aspect ratio and absorption spectrum overlap PL spectrum of MQWs more can better enhance the PL intensity of InGaN/GaN MQWs.

ion beam deposition; Ag nanoparticles; localized surface plasmons; InGaN/GaN MQWs; photoluminescence

2016-09-29；

2016-11-11

國(guó)家自然科學(xué)基金(61574069,61274023,61223005,61376046,61674068)； 國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃項(xiàng)目(2016YFB0400103)； 吉林省科技發(fā)展計(jì)劃(20130204032GX,20150519004JH,20160101309JC)； 教育部新世紀(jì)人才計(jì)劃(NCET-13-0254)資助項(xiàng)目 Supported by National Natural Science Foundation of China (61574069,61274023,61376046,61674068); National key R & D Projects (2016YFB0400103); Science and Technology Development Plan of Jilin Province (20130204032GX,20150519004JH,20160101309JC); New Century Talent Program of Education Ministry (NCET-13-0254)

1000-7032(2017)03-0324-07

TN383+.1

A

10.3788/fgxb20173803.0324

*CorrespondingAuthors,E-mail:zhangyt@jlu.edu.cn;zbl@jlu.edu.cn