基于表面活性劑增敏有序介孔SiO₂修飾碳糊電極測定L—色氨酸

牙禹 謝麗萍 蔣翠文 王天順 莫磊興 李燾 閆飛燕

摘 要 利用水熱法合成得到有序介孔二氧化硅（OMS），采用X射線衍射、N2吸附脫附、透射電鏡等技術(shù)對其進行了表征。制備OMS修飾碳糊電極（OMS/CPE），采用循環(huán)伏安和交流阻抗技術(shù)考察了修飾電極的電化學(xué)性能， 發(fā)現(xiàn)與裸碳糊電極（CPE）相比，OMS/CPE具有更大的電活性面積和更快的電子傳導(dǎo)速率。研究了L色氨酸（LTrp）在表面活性劑十二烷基磺酸鈉（SDS）存在下，在OMS/CPE上的電化學(xué)行為和動力學(xué)性質(zhì)，結(jié)果表明，OMS和SDS具有良好的協(xié)同作用，能明顯增加LTrp的響應(yīng)信號； SDS存在下，LTrp在修飾電極上的電化學(xué)氧化是2電子和2質(zhì)子參加的不可逆過程，電極過程受吸附控制。