蘇俊宏，葛錦蔓，徐均琪，吳慎將，陳 磊

引言

類金剛石（diamond－like carbon，DLC）薄膜是以sp3、sp2鍵結(jié)合為主體，并混合有少量sp1鍵的遠(yuǎn)程無序立體網(wǎng)狀非晶態(tài)結(jié)構(gòu)，這種結(jié)構(gòu)使得DLC薄膜具有一系列優(yōu)良的物理化學(xué)性能，如紅外波段透明、硬度高、摩擦系數(shù)小、化學(xué)性能穩(wěn)定、熱膨脹系數(shù)小等，從而使該薄膜在光學(xué)、電學(xué)、材料、機(jī)械、醫(yī)學(xué)、航空航天等領(lǐng)域引起了科研工作者的廣泛關(guān)注［1－4］。由于制備技術(shù)和方法不同，DLC膜可能完全由碳元素組成，也可能含有大量的氫，因此一般來說，可將DLC薄膜分為含氫碳膜和不含氫碳膜。根據(jù)薄膜中原子的鍵合方式（C－H、C－C、sp3、sp2等）及各種鍵比例不同，DLC膜又有不同的稱謂：非晶碳（amorphous carbon，a－C）膜，膜中sp2鍵含量較高；含氫非晶碳（hydrogenated amorphous carbon，a－C：H）膜；四面體非晶碳（tetrahedral amorphous carbon，ta－C）膜，sp3鍵含量超過70%，因此也稱非晶金剛石膜。

事實(shí)上，目前對DLC薄膜尚無明確的定義和統(tǒng)一的概念，但若以其宏觀性質(zhì)而論，國際上廣為接受的標(biāo)準(zhǔn)為硬度達(dá)到天然金剛石硬度20%的絕緣無定形碳膜就稱為DLC薄膜［5］。信息時代的到來，DLC薄膜的一些新的功能特性得到不斷開發(fā)，使其具有很大的研究價值和廣泛的應(yīng)用前景。本文就DLC薄膜的特性、制備技術(shù)以及其抗激光損傷能力等幾個方面的研究，進(jìn)行了綜述和展望。

1 DLC薄膜的特性及應(yīng)用

DLC薄膜的特殊結(jié)構(gòu)決定了這種薄膜材料具有優(yōu)良的特性和廣泛的應(yīng)用，主要表現(xiàn)在：

1）具有很高的硬度和優(yōu)異的抗磨損性能，因而非常適合作為硬質(zhì)工具涂層，沉積在軸承、刀具等表面，不僅可以延長工具的壽命，而且還可以提高功效［6］；

2）電阻率高（102Ω·cm～1014Ω·cm）、介電常數(shù)大、擊穿電壓高。利用這些特點(diǎn)，可將它制成理想的超高頻和微波波段的介質(zhì)材料［7］；

3）具有高摻雜性。由于其帶隙寬，有利于高集成化電子器件在高溫條件下使用，因此該薄膜有望成為半導(dǎo)體行業(yè)的首選材料之一［8］；

4）具有良好的高頻、高音速（18 300m／s）特性。用DLC涂層制作的高頻揚(yáng)聲器振動膜頻帶寬，其頻率特性高達(dá)60KHz，遠(yuǎn)遠(yuǎn)覆蓋了人耳的聽力范圍（20Hz～20kHz）；

5）在紅外到紫外的波長范圍內(nèi)具有很高的透射率，可鍍在航天器或其他儀器的紅外窗口上，是極好的紅外增透保護(hù)膜。采用非平衡磁控濺射法（UBMS）在Si和Ge鍺基底上單面沉積的DLC薄膜，透射率分別達(dá)到了68.83%和63.05%（2 983cm－1），這一結(jié)果接近無吸收碳材料的理論值［9］；

6）具有良好的化學(xué)穩(wěn)定性，耐腐蝕（防酸、堿、鹽）性能好，不僅可作為光學(xué)元件的增透膜和保護(hù)膜，防止光學(xué)元件被飛砂擦傷或被酸、堿、鹽溶液腐蝕，還應(yīng)用于光盤保護(hù)膜、手表玻璃保護(hù)膜、眼鏡片（玻璃、樹脂）保護(hù)膜以及汽車擋風(fēng)玻璃保護(hù)膜等；

7）熱導(dǎo)率高，約為銅的6倍，熱膨脹系數(shù)小，具有優(yōu)良的抗熱沖擊性能，可用來制作大功率晶體管的散熱鍍層，減少傳統(tǒng)散熱器的面積；

8）具有良好的生物相容性，在醫(yī)學(xué)方面也有廣泛的應(yīng)用。涂鍍在人工關(guān)節(jié)上轉(zhuǎn)動部位上的DLC薄膜不會因摩擦而產(chǎn)生磨損，更不會與肌肉發(fā)生反應(yīng)、可大幅度延長人工關(guān)節(jié)的使用壽命；

9）DLC薄膜在室溫下光致發(fā)光和電致發(fā)光率都很高，有可能在整個可見光范圍發(fā)光，因此可以用作性能極佳的發(fā)光材料之一；

10）DLC薄膜的其他應(yīng)用。通過調(diào)整工藝參數(shù)及膜層成分，人們已經(jīng)能夠制備出黑、青、灰等不同顏色的DLC薄膜，用于裝飾工業(yè)上。

2 DLC膜的制備技術(shù)

自20世紀(jì)70年代人們制備出DLC薄膜以來，目前已經(jīng)開發(fā)了許多種沉積方法，但大體上可以分為物理氣相沉積（PVD）和化學(xué)氣相沉積（CVD）兩大類。PVD方法是在真空下加熱或離化蒸發(fā)材料（石墨），使蒸發(fā)粒子沉積在基片表面形成薄膜的一種方法。按照加熱方式不同，熱蒸發(fā)有激光蒸發(fā)、電弧蒸發(fā)、電子束加熱等方法。濺射沉積是用高能離子轟擊靶物質(zhì)（石墨），與靶表面原子發(fā)生彈性或非彈性碰撞，結(jié)果部分靶表面原子或原子團(tuán)濺射出來，沉積在基板上形成薄膜。CVD方法是在真空室內(nèi)通入碳的氫化物、鹵化物、氧化物，通過氣體放電，在一定條件下促使它們發(fā)生分解、聚合、氧化、還原等化學(xué)反應(yīng)過程，在基板上形成DLC薄膜的方法。

2.1 制備DLC薄膜的PVD技術(shù)

2.1.1 真空電弧離子鍍

電弧離子鍍是在真空條件下，采用某種等離子體電離技術(shù)，使鍍料原子部分電離成離子，同時產(chǎn)生許多高能量的中性原子。通常要在被鍍基體上加負(fù)偏壓，這樣在深度負(fù)偏壓的作用下，離子沉積于基體表面形成薄膜。電弧離子源有連續(xù)弧光放電的，也有脈沖放電的類型［10］。一種典型的電弧沉積系統(tǒng)原理如圖1所示。所采用的電源為低壓、大電流的供電模式。沉積時聚焦于石墨表面的陰極弧斑，尺寸為1μm～10μm，由此產(chǎn)生的電流密度高達(dá)106A／cm2～108A／cm2，因而可以從石墨靶表面產(chǎn)生大量的碳粒子，形成含有離子和電子的等離子體，等離子體在弧斑處垂直于石墨靶表面噴射出來。等離子體中含有一定數(shù)量的大顆粒，可能導(dǎo)致薄膜中石墨顆粒的存在。在弧光放電沉積中若采用磁過濾器，就可以消除大顆粒而得到單一荷電態(tài)的純碳離子束。還可以通過直流或射頻偏壓控制碳離子的能量、種類等沉積參數(shù)，實(shí)現(xiàn)對薄膜性能的精密調(diào)整，成為過濾?。╢iltered cathodic vacuum arc，F(xiàn)CVA）沉積。雖然電弧產(chǎn)生的微?？傮w上是亞微米級的，它們?nèi)耘f可以通過與管道的碰撞到達(dá)基片表面。有研究表明將過濾器彎管設(shè)計成“S”型可以有效解決這一問題［11］。近年發(fā)展的脈沖真空電弧沉積也具有很高的沉積速率，而且制備的薄膜表面光滑，硬度可以達(dá)到40GPa～80GPa［12］。

圖1 陰極真空電弧系統(tǒng)原理示意圖Fig.1 Schematic of cathodic vacuum arc

2.1.2 脈沖激光沉積

脈沖激光沉積（pulsed laser deposition，PLD）是將激光束通過聚焦透鏡或石英窗口投影到旋轉(zhuǎn)的石墨靶上，在高能量密度激光的作用下形成等離子體放電，從而在基體上形成DLC膜［13－14］。這種技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)是沉積材料的范圍廣，從高溫超導(dǎo)一直到硬質(zhì)涂層。但該技術(shù)也存在沉積過程能耗大，沉積面積小的缺點(diǎn)。所制備DLC薄膜的結(jié)構(gòu)和性能，除與基體溫度有關(guān)外，主要是由激光激發(fā)石墨靶產(chǎn)生等離子體的特性決定的，短波長的激光和較高的功率密度有利于DLC膜的沉積。等離子體中離子成份越多，離子能量越高時，膜中的sp3鍵含量就越高。R.Janmohamedhe等人研究表明，當(dāng)激光輻照能量密度為108W／cm2～1011W／cm2時，激光能量密度越大，薄膜的沉積速率越低［14］。

圖2 脈沖激光沉積原理示意圖Fig.2 Schematic of pulsed laser deposition

2.1.3 濺射制備法

濺射（sputtering）是常用制備DLC薄膜的方法，是以石墨為碳源，利用射頻震蕩或直流激發(fā)的惰性氣體離子轟擊石墨靶，濺射出來的碳原子（或離子）在基體表面形成DLC膜，當(dāng)通入氣體Ar、H2或碳?xì)浠旌蠚鈺r還可以制得含氫的DLC膜。濺射又可分為直流濺射、磁控濺射、射頻濺射、離子束濺射等。其中，磁控濺射依放電的激勵源不同，又分為直流磁控濺射、中頻磁控濺射、射頻磁控濺射等。濺射的方法在不同工藝參數(shù)（氣壓和功率）下可制備出不同性質(zhì)的DLC薄膜，研究表明工作氣壓對DLC薄膜性質(zhì)的影響非常顯著，而濺射功率對其的影響較小。Setsuo Nakao等人對高能脈沖磁控濺射沉積DLC薄膜進(jìn)行了研究，表明氬氣的充量會影響薄膜的結(jié)構(gòu)成分變化［15］，當(dāng)壓強(qiáng)上升到0.3Pa時，薄膜的密度會提高，但是如果繼續(xù)增加壓強(qiáng)，薄膜的密度會下降［15］。

2.1.4 非平衡磁控濺射方法

非平衡磁控濺射（unbalanced magnetron sputtering，UBMS）是一種新型的薄膜制備技術(shù)，它結(jié)合了普通磁控濺射（MS）和離子束輔助沉積（IBAD）各自的優(yōu)勢，易于實(shí)現(xiàn)離子鍍，已經(jīng)得到了廣泛的應(yīng)用［16］。嚴(yán)格來講，UBMS也屬于一種濺射技術(shù)。采用非平衡磁控濺射法沉積DLC薄膜時，靶電流直接影響濺射功率，濺射功率影響到達(dá)基體表面粒子的能量，粒子的能量直接影響薄膜的結(jié)構(gòu)和性能。隨著靶電流的增大，有助于sp3雜化的形成，使得薄膜中的sp3含量增加，同時薄膜的沉積速率增大，但其表面粗糙度則會下降。同時，靶基距也是影響磁控濺射薄膜厚度均勻性的重要參數(shù)，在一定范圍內(nèi)，隨著靶基距的增大，膜厚分布均勻性有提高趨勢，并且利用這種方法制備的DLC薄膜的殘余應(yīng)力可以達(dá)到0.9GPa～2.2GPa之間。

2.1.5 其他沉積方法

2.2 制備DLC薄膜的CVD技術(shù)

2.2.1 射頻等離子體化學(xué)氣相沉積

采用射頻等離子體化學(xué)氣相沉積（RFPECVD）可以克服表面電荷累積效應(yīng)，提高沉積速率，是目前應(yīng)用最廣泛的實(shí)驗(yàn)室DLC薄膜制備方法。RF－PECVD分為電感式和電容式兩種，其中電容式應(yīng)用較多。RF－PECVD具有沉積溫度低、膜層質(zhì)量好、適于在介質(zhì)基片上沉積薄膜等優(yōu)點(diǎn)，是目前最常用的DLC薄膜制備方法之一［6］。圖3中給出了一種電容式RF－PECVD原理示意圖，其反應(yīng)室由兩塊電極組成，射頻功率通過電容耦合到較小的放置基片的電極上，另一電極（常常包含反應(yīng)室內(nèi)壁）則接地［20］。真空室充入碳?xì)錃怏w后，在RF的激勵下產(chǎn)生等離子體，等離子體中的碳離子沉積在基底上形成DLC膜［21］，這種方法制備的DLC薄膜的彈性模量是硬度的6～7倍［21］。

2.2.2 直流等離子體化學(xué)氣相沉積

圖3 RF－CVD原理示意圖Fig.3 Schematic of RF－CVD

該方法通過直流輝光放電分解碳?xì)錃怏w，從而激發(fā)形成等離子體，等離子體與基底表面發(fā)生相互作用，形成DLC薄膜。Whitmell等人［22］首次報道采用甲烷氣體輝光放電產(chǎn)生等離子體，在直流陰極板上沉積成膜。該技術(shù)在薄膜制備過程中，極板負(fù)偏壓易于控制，而且能夠大幅度調(diào)節(jié)。但在制備絕緣膜時，尤其當(dāng)DLC薄膜厚度增加、sp3鍵含量較大時，薄膜／基底導(dǎo)電性變差，就會在薄膜表面形成電荷累積，大大降低了沉積速率，不利于工業(yè)化的實(shí)現(xiàn)。

2.2.3 熱絲法

熱絲放電法是在直流放電法的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的，該方法通過熱絲發(fā)射電子來維持輝光放電，從而分解碳?xì)錃怏w形成等離子體，最終在基底表面形成DLC薄膜。改進(jìn)的熱絲法設(shè)備和工藝比較簡單，穩(wěn)定性好，比較適合DLC自支撐膜的工業(yè)化生產(chǎn)。但由于易受燈絲污染和氣體活化溫度較低的原因，不適合高質(zhì)量DLC薄膜的制備［23］。

2.2.4 直接光化學(xué)氣相沉積法

與往年相比，今年下半年復(fù)合肥價格漲勢較為明顯。據(jù)了解，目前，45%硫基復(fù)合肥出廠報價在2400-2450元/噸；45%氯基復(fù)合肥出廠報價在2100-2250元/噸。雖然復(fù)合肥生產(chǎn)企業(yè)加大了營銷攻勢，但是經(jīng)銷商并未積極響應(yīng)，觀望態(tài)勢較重。

直接光化學(xué)氣相沉積法（direct photochemical vapor deposition，DPCVD）是上世紀(jì)80年代興起的光CVD工藝，本質(zhì)上是利用光子激發(fā)反應(yīng)氣體分解而沉積在基片上形成薄膜的過程［24］，因而成膜溫度低，在低溫成膜方面十分引人注目。杜開瑛等人以微波激勵Xe發(fā)射的真空紫外光為光源，乙炔為反應(yīng)氣體，在120℃進(jìn)行了碳膜的生長，獲得了理想的結(jié)果［25］，但由于氧的引入導(dǎo)致DLC膜形成的初期碳原子凝聚，進(jìn)而降低了DLC膜的成膜速率［25］。

2.2.5 電子回旋共振（ECR）沉積法

電子回旋波共振是近年剛剛發(fā)展起來的一種由射頻驅(qū)動產(chǎn)生高密度等離子體的方法［26－27］。該方法中射頻能量通過一個單匝電感線圈耦合到等離子體中的，同時通過橫向穩(wěn)恒磁場限制住等離子體，使等離子體中的射頻電磁波形成左旋和右旋兩種圓偏振波。該方法可以產(chǎn)生極高的等離子體密度，而且離子能帶分布很窄，獲得DLC薄膜的沉積速率高，是首次實(shí)現(xiàn)制備DLC薄膜工業(yè)化的高密度PECVD源。電子回旋共振化學(xué)氣相沉積（ECR－CVD）按激勵方式不同可分為微波電子回旋共振和電子回旋波共振（electron cyclotron wave resonance，ECWR）兩種方式。微波電子回旋共振是在輸入的微波頻率等于電子回旋頻率時，微波能量可以耦合給電子，獲得能量的電子與碳?xì)浠衔锱鲎搽婋x產(chǎn)生等離子體，然后沉積在基體表面形成DLC薄膜。該方法的特點(diǎn)是等離子體密度高，無需電極，但沉積的DLC膜的硬度會有所下降。

2.2.6 其他沉積方法

除以上各種真空成膜的方法之外，Gupta和Roy等人［28－29］還報道了采用乙酸和水作為電解液，在鍍有SnO2的玻璃表面用電化學(xué)的方法成功制備出DLC薄膜，并且得到DLC薄膜的帶隙和折射率分別為2.0eV～2.5eV和1.2～1.8。

事實(shí)上，已報道的DLC薄膜的沉積方法和技術(shù)還有很多。而且，劃分CVD與PVD沉積的幾種方法也不是完全孤立的。某些沉積技術(shù)，往往既可以采用CVD技術(shù)，又可以采用PVD技術(shù)進(jìn)行沉積。利用ECR技術(shù)產(chǎn)生Ar等離子體（而不是利用碳?xì)錃怏w產(chǎn)生等離子體），再以Ar＋濺射石墨靶，也已經(jīng)制備出理想的DLC薄膜。從成膜過程來看，這種技術(shù)更多類似于離子束輔助沉積或磁控濺射，因此，各種制備方法之間并不是絕對孤立的。而且，不同的研究者對于制備方法的劃分也并不統(tǒng)一。

3 抗強(qiáng)激光損傷特性研究及其進(jìn)展

DLC薄膜是一種良好的紅外增透保護(hù)材料，隨著其應(yīng)用范圍的不斷擴(kuò)大，應(yīng)用于窗口表面的這種材料經(jīng)常會面臨大功率、高能量激光的輻照，因此如何提高DLC膜激光損傷閾值成為一個迫切需要解決的問題。在損傷閾值的測試方法上，研究人員已經(jīng)搭建了一套薄膜激光損傷閾值測試系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)了對不同薄膜樣品的損傷閾值檢測，如圖4所示。整個系統(tǒng)由激光器、激光能量衰減系統(tǒng)、2－D樣品移動平臺、損傷判別系統(tǒng)及計算機(jī)后處理系統(tǒng)組成。其中薄膜的激光損傷判別系統(tǒng)也包含了圖像法、散射法、等離子體法以及聲學(xué)法等多種判別方法，以此提高損傷判別的精度。整個薄膜激光損傷測試系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)了薄膜抗激光損傷閾值的實(shí)時準(zhǔn)確測量［30］。

圖4 薄膜激光損傷閾值測試系統(tǒng)原理圖Fig.4 System of laser damage threshold measurement for films

DLC薄膜的激光損傷是一個復(fù)雜的過程，至今也沒有一個準(zhǔn)確的模型或者公式可以詮釋。首先，在不同的激光能量下，DLC薄膜出現(xiàn)不同的損傷形態(tài)（如圖5所示），薄膜的損傷過程大致可以歸納為：未損傷－輕度燒蝕－剝落－深度燒蝕、熔融［31］。薄膜的損傷特性與薄膜的缺陷、內(nèi)應(yīng)力以及薄膜與襯底的結(jié)合力密切相關(guān)。薄膜表面的疵病及缺陷，會造成薄膜的折射率和消光系數(shù)降低，嚴(yán)重影響薄膜本身的各項(xiàng)光學(xué)特性。同時，薄膜的破壞也首先出現(xiàn)在缺陷處，而造成薄膜剝落的原因主要是由于激光對薄膜的表面熱沖擊應(yīng)力過大。因此，減少薄膜缺陷和降低薄膜的本身應(yīng)力，以及提高薄膜的附著力是改善薄膜抗激光損傷能力的重點(diǎn)。

研究者發(fā)現(xiàn)，DLC薄膜的激光損傷閾值與膜－基表面的電場強(qiáng)度有關(guān)，圖6所示為不同薄膜樣品內(nèi)部電場強(qiáng)度的分布，圖7為DLC薄膜樣品的激光損傷閾值與場強(qiáng)的關(guān)系。由此可見，隨著膜－基界面電場強(qiáng)度的增大，DLC膜的激光損傷閾值會變低［30］。這是因?yàn)椋∧け砻婕す鈭鰪?qiáng)增大后，激光與DLC薄膜相互作用，產(chǎn)生的等離子體加劇，薄膜對激光能量的吸收并產(chǎn)生熱積累，激光場強(qiáng)作用下，sp3雜化向sp2雜化轉(zhuǎn)變，致使DLC薄膜發(fā)生石墨化，從而影響了DLC薄膜的激光損傷閾值。因此，當(dāng)DLC膜用于減反膜時，在膜系設(shè)計過程中就要考慮采用合理的場強(qiáng)分布設(shè)計，降低薄膜－空氣界面的電場強(qiáng)度，可有效地改善薄膜的激光損傷特性。

圖5 不同激光能量下DLC薄膜的損傷形貌圖Fig.5 Damage morphology of DLC films under different laser energies

圖6 不同DLC薄膜內(nèi)部電場強(qiáng)度分布Fig.6 Electric field intensity distribution of different DLC films

利用強(qiáng)激光對DLC薄膜進(jìn)行激光預(yù)輻照，可以大大提高DLC的激光損傷閾值。實(shí)驗(yàn)表明，當(dāng)輻照激光能量密度為其損傷閾值（LIDT）的20%、40%、60%時，強(qiáng)激光輻照對薄膜的透過率沒有影響，但當(dāng)能量密度增加到損傷閾值（LIDT）的60%以上時，DLC薄膜的表面粗糙度明顯下降，從而可極大地提高薄膜的抗激光損傷能力［32］。因此，對于DLC膜而言，采用適當(dāng)?shù)募す廨椪仗幚?，是其激光損傷閾值提高的有效途徑。

另外，通過對DLC薄膜施加偏置電場，發(fā)現(xiàn)其對薄膜的抗激光損傷能力也有一定的影響。實(shí)驗(yàn)表明，未施加偏置電場時，薄膜被燒蝕損傷或崩裂，損傷區(qū)域的薄膜幾乎完全脫落。施加偏置電場后，薄膜未完全脫落，損傷區(qū)域內(nèi)有大量的絲狀薄膜殘片存在，損傷的面積減小，如圖8所示。研究者們認(rèn)為激光在DLC薄膜中激勵產(chǎn)生的光生電子在電場的作用下產(chǎn)生快速漂移，間接降低了激光輻照區(qū)域內(nèi)的局部能量密度，減緩了薄膜的石墨化，從而提高了DLC薄膜的抗激光損傷能力，使得DLC膜的激光損傷閾值從1.6J／cm2提高到2.4J／cm2［33］。

總之，不斷提高DLC薄膜的激光損傷能力，仍然是目前需要迫切解決的主要問題。由于碳材料在高溫下易于氧化，因此其激光損傷閾值較介質(zhì)膜相比仍存在較大差異。然而，優(yōu)化膜系的電場強(qiáng)度設(shè)計、采用合理的制備工藝，進(jìn)行激光輻照后處理，施加外界電場干預(yù)，為我們改善DLC薄膜的激光損傷能力提供了一定的思路。

圖7 DLC薄膜激光損傷閾值與膜－基界面最大場強(qiáng)的關(guān)系Fig.7 Laser－induced damage threshold versus maximum electric field intensity at film－air interface

圖8 相同激光能量下，薄膜加偏置電場前后的激光損傷形貌對比圖Fig.8 Comparison of damage morphologies of films with and without external electric fields

4 結(jié)語

DLC薄膜作為性能優(yōu)良的紅外光學(xué)材料，不僅可以用作超硬減反射膜，而且可以用作各種鍍膜元件高性能保護(hù)膜，它增強(qiáng)了鍍膜元件的抗環(huán)境干擾能力，因此大大拓寬了鍍膜元件的應(yīng)用范圍，如果能夠解決其抗強(qiáng)激光損傷的問題，便可制作出能滿足各種紅外光學(xué)儀器對不同環(huán)境要求的光學(xué)薄膜。而對DLC薄膜損傷特性的研究也給人們帶來了新的挑戰(zhàn)和機(jī)遇。

［1］ Debajyoti D，Amit B.Anti－reflection coatings for silicon solar cells from hydrogenated diamond like carbon［J］. Applied Surface Science，2015，345：204－215.

［2］ Irfan U，Kubilay A，F(xiàn)evzi B.The performance of DLC－coated and uncoated ultra－fine carbide tools in micromilling of Inconel 718［J］.Precision Engineering，2015，41：135－144.

［3］ Mahdi K，Penkov O V，Pukha V E，et al.Ultra－thin nano－patterned wear－protective diamond－like carbon coatings deposited on glass using a C60ion beam［J］.Carbon，2014，80：534－543.

［4］ Vetter J.60years of DLC coatings：Historical highlights and technical review of cathodic arc processes to synthesize various DLC types，and their evolution for industrial applications［J］.Surface and Coatings Technology，2014，257：213－240.

［5］ Liang Feng，Yan Xuejian.Property，application and preparation of diamond－like film［J］.Acta Physica Sinica，1999，48（6）：1095－1102.

梁風(fēng)，嚴(yán)學(xué)儉.類金剛石薄膜的性質(zhì)、應(yīng)用及制備［J］.物理學(xué)報，1999，48（6）：1095－1102.

［6］ Kudoyarova V K，Chernyshov A V，Zvonareva T K，et al.Study of diamond－like films for protective coatings［J］.Surface and Coatings Technology，1998，100－101：192－195.

［7］ Inkin V N，Kirpilenko G G，Dementjev A A，et al.A superhard diamond－like carbon film［J］.Diamond and Related Materials，2000，9（3－6）：715－721.

［8］ Yuan Zhenhai，Deng Qiseng，Luo Guangnan，et al.Preparation，properties and application of diamondlike carbon films［J］.Materials Science ＆ Engineering，1994，12（4）：32－38.

袁鎮(zhèn)海，鄧其森，羅廣南，等.類金剛石膜的制備、性能和應(yīng)用［J］.材料科學(xué)與工程，1994，12（4）：32－38.

［9］ Xu Junqi，F(xiàn)an Huiqing，Liu Weiguo，et al.Largearea uniform hydrogen－free diamond－like carbon films prepared by unbalanced magnetron sputtering for infrared anti－reflection coatings［J］.Diamond and Related Materials，2008，17（2）：194－198.

［10］Vetter J.60years of DLC coatings：historical highlights and technical review of cathodic arc processes to synthesize various DLC types，and their evolution for industrial applications［J］.Surface ＆ Coating Technology，2014，257：231－240.

［11］Polo M C，Andújar J L，Hart A，et al.Preparation of tetrahedral amorphous carbon films by filtered cathodic vacuum arc deposition［J］.Diamond and Related Materials，2000，9（3－6）：663－667.

［12］Schultrich B，Scheibe H J，Drescher D，et al.Deposition of superhard amorphous carbon films by pulsed vacuum arc deposition［J］.Surface and Coatings Technology，1998，98（1－3）：1097－1101.

［13］Voevodin A A，Donley M S.Preparation of amorphous diamond－like carbon by pulsed laser deposition：a critical review［J］.Surface and Coatings Technology，1996，82（3）：199－213.

［14］Janmohamed R，Steele J J，Scurtescu C，et al.Study of porous carbon thin films produced by pulsed laser deposition［J］.Applied Surface Science，2007，253（19）：7964－7968.

［15］Setsuo N，Ken Y，Hisato O，et al.Effects of Ar gas pressure on microstructure of DLC films deposited by high－power pulsed magnetron sputtering［J］.Vacuum，2013，89：261－266.

［16］Auezhan A，Tsukasa W，Ryo T，et al.Fretting wear and fracture behaviors of Cr－doped and nondoped DLC films deposited on Ti－6al－4Valloy by unbalanced magnetron sputtering［J］.Tribology International，2013，62：49－57.

［17］Xu Junqi，F(xiàn)an Huiqing，Hiroyuki Kousaka，et al.Growth and properties of hydrogen－free DLC films deposited by surface－wave－sustained plasma［J］.Diamond and Related Materials，2007，16（1）：161－166.

［18］Michiharu K，Masahiro O，Keiichi N，et al.Negative pulsed voltage discharge and DLC preparation in PBIID system［J］.Thin Solid Films，2006，506－507：68－72.

［19］Kazuhiro Y.Chemical bond analysis of amorphous carbon films［J］.Vacuum，2009，84（5）：638－641.

［20］Robertson J.Diamond－like amorphous carbon［J］.Materials Science and Engineering Reports，2002，37（4－6）：129－281.

［21］Ravi N，Bukhovets V L，Varshavskaya I G，et al.Deposition of diamond－like carbon films on aluminium substrates by RF－PECVD technique：Influence of process parameters［J］.Diamond and Related Materials，2007，16（1）：90－97.

［22］Whitmell D S，Williamson R.The deposition of hard surface layers by hydrocarbon cracking in a glow discharge［J］.Thin Solid Films，1976，35（2）：255－261.

［23］Lyu Fanxiu.Progress on superhard film coatings and their applicalion［J］.Heat Treatment，2004，19（4）：1－6.

呂反修.超硬材料薄膜涂層研究進(jìn)展及應(yīng)用［J］.熱處理，2004，19（4）：1－6.

［24］Danno M，Hanabusa M.Amorphous carbon films prepared by photo－CVD from acetylene［J］.Materials Letters，1986，4（5－7）：261－264.

［25］Du Kaiying，Shi Ruiying，Xie Maonong，et al.The structure of initial DLC films prepared by direct photo chemical vapor deposition technique［J］.Semiconductor Optoelectronics，1999，20（6）：405－408.

杜開瑛，石瑞英，謝茂濃，等.直接光CVD類金剛石膜的初期成膜結(jié)構(gòu)［J］.半導(dǎo)體光電，1999，20（6）：405－408.

［26］Seker Z，Ozdamar H，Esen M，et al.The effect of nitrogen incorporation in DLC films deposited by ECR Microwave Plasma CVD［J］.Applied Surface Science，2014，314：46－51.

［27］Weiler M，Lang K，Li E，et al.Deposition of tetrahedral hydrogenated amorphous carbon using a novel electron cyclotron wave resonance reactor［J］.Applied Physics Letters，1998，72（11）：1314－1316.

［28］Gupta S，Chowdhury M P，Pal A K.Synthesis of DLC films by electrodeposition technique using formic acid as electrolyte［J］.Diamond and Related Materials，2004，13（9）：1680－1689.

［29］Roy R K，Deb B，Bhattacharjee B，et al.Synthesis of diamond－like carbon film by novel electrodeposition route［J］.Thin Solid Films，2002，422（1－2）：92－97.

［30］Xu Junqi，Su Junhong，Hang Lingxia，et al.Influence of electric field on laser damage properties of DLC films by unbalanced magnetron sputtering［J］.Applied Surface Science，2013，265：234－238.

［31］Xie Songlin，Su Junhong，Xu Junqi.Laser damage characteristics of diamond－like carbon film［J］.Chinese Journal of Vacuum Science and Technology，2006，26（6）：533－536.

謝松林，蘇俊宏，徐均琪.類金剛石薄膜的激光損傷特性測試與分析［J］.真空科學(xué)與技術(shù)學(xué)報，2006，26（6）：533－536.

［32］Chen Yinfeng.Research of the properties of diamond－like carbon films processed by high power lasers［D］.Xi’an：Xi’an Technological University，2012.

陳銀鳳.類金剛石薄膜強(qiáng)激光作用的特性研究［D］.西安：西安工業(yè)大學(xué)，2012.

［33］Wu Shenjiang，Wang Nan，Su Junhong，et al.A new method to increase the anti－laser damage ability of DLC films［J］.SPIE，2015，9449：94491J－1－6.