兩電極等離子體高能合成射流流場(chǎng)及其沖量實(shí)驗(yàn)研究

張 宇，羅振兵，王 澈，王 林，夏智勛

（1.國(guó)防科學(xué)技術(shù)大學(xué)航天科學(xué)與工程學(xué)院，長(zhǎng)沙 410073；2.空軍工程大學(xué)，西安 710051）

兩電極等離子體高能合成射流流場(chǎng)及其沖量實(shí)驗(yàn)研究

張 宇1，羅振兵1，王 澈2，王 林1，夏智勛1

（1.國(guó)防科學(xué)技術(shù)大學(xué)航天科學(xué)與工程學(xué)院，長(zhǎng)沙 410073；2.空軍工程大學(xué)，西安 710051）

兩電極等離子體高能合成射流激勵(lì)器通過腔體內(nèi)電極間的瞬時(shí)電弧放電加熱腔內(nèi)氣體，在激勵(lì)器出口產(chǎn)生壓差并噴出高速射流，從而產(chǎn)生反作用力和沖量。針對(duì)兩電極等離子體高能合成射流響應(yīng)快、持續(xù)時(shí)間短的特點(diǎn)，設(shè)計(jì)了單絲扭擺式微沖量測(cè)量系統(tǒng)，并結(jié)合高速陰影系統(tǒng)，對(duì)兩電極等離子體高能合成射流的流場(chǎng)發(fā)展過程及其單脈沖沖量特性進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)研究。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，兩電極等離子體高能合成射流響應(yīng)時(shí)間小于10μs，射流持續(xù)時(shí)間約為1ms，射流前鋒最大速度約為190m／s，射流流場(chǎng)發(fā)展過程中存在多道強(qiáng)壓縮波，并以當(dāng)?shù)芈曀傧蛳掠蝹鞑?。單絲扭擺式微沖量測(cè)量系統(tǒng)可實(shí)現(xiàn)μN(yùn)·s量級(jí)沖量測(cè)量精度，單脈沖沖量約為32μN(yùn)·s，并且在低頻狀態(tài)下射流總沖量隨激勵(lì)器放電頻率成線性增加。

等離子體；高能合成射流；微沖量；高速陰影；單絲扭擺

0 引 言

流動(dòng)控制技術(shù)是流體力學(xué)研究的前沿和熱點(diǎn)。高效的流動(dòng)控制方式對(duì)于保證飛行器飛行安全性、改善飛行器可操作性和提高飛行器推進(jìn)效率具有重要意義［1］。等離子體激勵(lì)器作為一種新型的流動(dòng)控制方式，以其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、響應(yīng)迅速、工作頻帶寬、適應(yīng)多工況等優(yōu)點(diǎn)正受到越來越多的關(guān)注，有望成為主動(dòng)流動(dòng)控制技術(shù)的新突破［2］。

目前廣泛研究的等離子體激勵(lì)器主要包括介質(zhì)阻擋放電（DBD）等離子體激勵(lì)器［3-4］、直流／準(zhǔn)直流電弧放電等離子體激勵(lì)器［5-6］和等離子體合成射流激勵(lì)器［7］（又稱為火花放電式等離子體激勵(lì)器）。DBD放電產(chǎn)生的體積力較小，誘導(dǎo)形成的射流速度較低，主要用于低速流動(dòng)控制［8］。直流／準(zhǔn)直流電弧放電等離子體激勵(lì)器通過對(duì)放電區(qū)域及其附近氣體進(jìn)行快速加熱實(shí)現(xiàn)對(duì)高速流的流動(dòng)控制，但需要較大的功率輸入［5］，能量效率較低。等離子體高能合成射流激勵(lì)器最早由美國(guó)霍普金斯大學(xué)應(yīng)用物理實(shí)驗(yàn)室在2003年提出［9-10］，德克薩斯大學(xué)［11-12］、佛羅里達(dá)州立大學(xué)［13-14］、法國(guó)航天航空研究中心［15］以及國(guó)內(nèi)國(guó)防科學(xué)技術(shù)大學(xué)［1-2］、空軍工程大學(xué)［16］等單位開展了相關(guān)研究。等離子體高能合成射流激勵(lì)器具有快響應(yīng)、無(wú)移動(dòng)部件、質(zhì)量輕、射流穿透能力強(qiáng)等特點(diǎn)，同時(shí)也存在有理論模型不完善、實(shí)驗(yàn)測(cè)量難度大、電源系統(tǒng)復(fù)雜等亟待解決的問題，是目前等離子體流動(dòng)控制技術(shù)研究的熱點(diǎn)和難點(diǎn)。

典型的等離子體高能合成射流激勵(lì)器為兩電極結(jié)構(gòu)。如圖1所示，兩電極等離子體高能合成射流激勵(lì)器由一個(gè)帶出口孔縫的絕緣腔體和一對(duì)電極組成，在兩電極間加脈沖高壓擊穿空氣形成電弧放電，電弧加熱作用使得腔體內(nèi)氣體的溫度和壓力快速升高，升溫加壓的腔內(nèi)氣體從出口高速噴出，形成等離子體高能合成射流，之后由于等離子體高速射流的引射導(dǎo)致腔內(nèi)形成負(fù)壓，以及腔內(nèi)氣體溫度降低，外部氣體重新回填腔體，準(zhǔn)備進(jìn)入下一個(gè)工作周期。目前實(shí)驗(yàn)獲得的兩電極等離子體合成射流速度超過100m／s［17-18］，而且通過驅(qū)動(dòng)參數(shù)控制，可以方便實(shí)現(xiàn)兩電極等離子體高能合成射流激勵(lì)器輸出動(dòng)量大小和工作頻率的改變，滿足高速飛行器不同的控制需求。

圖1 兩電極等離子體高能合成射流激勵(lì)器結(jié)構(gòu)及工作過程Fig.1 Schematic andoperation cycle of the two-electrode plasma high energy synthetic jet actuator

鑒于等離子體高能合成射流激勵(lì)器對(duì)流場(chǎng)的控制能力正比于激勵(lì)器所產(chǎn)生射流的動(dòng)量通量，設(shè)計(jì)了單絲扭擺式微沖量測(cè)量系統(tǒng)［19］，并結(jié)合高速陰影系統(tǒng)，對(duì)兩電極等離子體高能合成射流的流場(chǎng)發(fā)展過程及其單脈沖沖量特性進(jìn)行研究。

1 實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)及測(cè)量

1.1 電源系統(tǒng)

兩電極等離子體高能合成射流激勵(lì)器驅(qū)動(dòng)電源采用西安交通大學(xué)高電壓實(shí)驗(yàn)室研制的KD-1型基于磁壓縮技術(shù)的脈沖電源。電源系統(tǒng)通過工頻整流將380V交流動(dòng)力電調(diào)整為直流電，并為放電電容充電。兩電極等離子體高能合成射流激勵(lì)器與放電電容相連，當(dāng)電容兩端電壓達(dá)到電極間擊穿電壓時(shí)，激勵(lì)器工作產(chǎn)生高能合成射流。該電源系統(tǒng)最大輸出電壓為0～10k V，工作頻率為1～50Hz可調(diào)，最大輸出能量為10J。

1.2 高速陰影系統(tǒng)

實(shí)驗(yàn)中采用高速激光陰影系統(tǒng)研究?jī)呻姌O等離子體高能合成射流的流場(chǎng)結(jié)構(gòu)及其發(fā)展過程。整個(gè)系統(tǒng)由光源、凹面鏡、高速相機(jī)與一系列反射鏡組成，整個(gè)系統(tǒng)如圖2所示。點(diǎn)光源發(fā)出的光線經(jīng)過擴(kuò)束鏡投射到凹面鏡，經(jīng)凹面鏡反射后形成平行光打到平面鏡上，由平面鏡反射經(jīng)過實(shí)驗(yàn)段后由另一側(cè)平面鏡接收并反射，再通過凹面鏡反射匯聚后進(jìn)入相機(jī)。陰影測(cè)量是一種非接觸式測(cè)量，對(duì)流場(chǎng)沒有影響。相對(duì)于紋影技術(shù)，陰影技術(shù)對(duì)于具有較大密度梯度變化的強(qiáng)激波結(jié)構(gòu)具有很好的顯示效果，在超聲速流動(dòng)實(shí)驗(yàn)中，常被用來確定激波的形狀和位置。對(duì)于本實(shí)驗(yàn)中由強(qiáng)烈電弧加熱產(chǎn)生的等離子體高能合成射流，密度場(chǎng)變化劇烈，并伴隨有較強(qiáng)壓縮激波結(jié)構(gòu)，陰影技術(shù)能夠得到全面的流場(chǎng)發(fā)展變化信息。

圖2 高速陰影觀測(cè)示意圖Fig.2 Sketch of the high-speed shadowgraphy

實(shí)驗(yàn)中采用半導(dǎo)體激光器產(chǎn)生連續(xù)激光，出光直徑1mm，輸出波長(zhǎng)532nm，最大輸出功率100m W。采用激光光源一方面可以使光源強(qiáng)度足夠大，減小相機(jī)曝光時(shí)間以提高時(shí)間分辨率，另一方面，可以濾除環(huán)境光線的干擾。

系統(tǒng)中采用的高速相機(jī)為Photron Fastcam SA-1.1高速彩色數(shù)字?jǐn)z影儀，該攝影儀采用高靈敏度CMOS非增強(qiáng)型圖像傳感器，主機(jī)最大容量8GB，1024pixel×1024pixel圖像的拍攝速率可達(dá)5400fps，其最高拍攝速率可達(dá)1×106fps，最短曝光時(shí)間達(dá)1／（2.73×106）s，具有很高的時(shí)間分辨率。這對(duì)于觀察快速發(fā)展的等離子體高能合成射流是至關(guān)重要的。相機(jī)拍攝由激勵(lì)器放電電壓下降沿觸發(fā)，保證激勵(lì)器放電與相機(jī)拍攝的同步性。

1.3 單絲扭擺式微沖量測(cè)量系統(tǒng)

為研究?jī)呻姌O等離子體合成射流的沖量特性，設(shè)計(jì)了單絲扭擺式微沖量測(cè)量系統(tǒng)［19］，能夠?qū)崿F(xiàn)μN(yùn)·s量級(jí)微沖量測(cè)量精度。單絲扭擺式微沖量測(cè)量裝置結(jié)構(gòu)如圖3所示，扭絲兩端固定于扭擺架，中部連接扭擺桿，平面鏡貼于扭絲中部的扭擺桿上。激勵(lì)器工作產(chǎn)生噴流反作用力直接作用于扭擺桿，導(dǎo)致扭擺桿發(fā)生偏轉(zhuǎn)，激光器發(fā)射光線經(jīng)平面鏡反射后在標(biāo)尺上產(chǎn)生位移，并由高速相機(jī)記錄。

圖3 單絲扭擺式微沖量測(cè)量裝置結(jié)構(gòu)圖Fig.3 Structure of the single line torsion pendulum

兩電極等離子體高能合成射流持續(xù)時(shí)間約為1ms，遠(yuǎn)小于扭擺振動(dòng)周期，故建立不考慮力參數(shù)的微沖量計(jì)算方法［20］：

式中：I—單脈沖沖量；J—系統(tǒng)轉(zhuǎn)動(dòng)慣量；wn—無(wú)阻尼固有頻率；R—射流中心距扭絲的距離；ξ—系統(tǒng)阻尼系數(shù)；wd—有阻尼固有頻率；θmax—扭擺最大扭轉(zhuǎn)角?？梢姕y(cè)量的單脈沖沖量I與扭擺在單脈沖作用后的最大偏轉(zhuǎn)角θmax成正比，本文利用垂直撞擊激勵(lì)器噴口中心的已知沖量I0，及扭擺最大偏轉(zhuǎn)角θ0，得到兩電極等離子體高能合成射流激勵(lì)器單脈沖沖量計(jì)算公式：

該公式結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、計(jì)算方便且計(jì)算精度高，避免了扭擺系統(tǒng)轉(zhuǎn)動(dòng)慣量J、阻尼系數(shù)ξ、振動(dòng)周期T等參數(shù)的測(cè)量，減少誤差源項(xiàng)。式中θmax可由激光光斑在標(biāo)尺上移動(dòng)最大位移Smax計(jì)算得出。標(biāo)尺擺放與平面鏡反射光線垂直，標(biāo)尺與光線在平面鏡反射點(diǎn)的距離為L(zhǎng)，如圖4所示。故得扭擺最大偏轉(zhuǎn)角計(jì)算公式：

將公式（3）代入公式（2）中可得兩電極等離子體高能合成射流激勵(lì)器單脈沖沖量計(jì)算公式：

圖4 單絲扭擺微沖量測(cè)量示意圖Fig.4 Sketch of the single linetorsion pendulum for micro-impulse measurement

單絲扭擺式微沖量測(cè)量系統(tǒng)誤差由3部分組成：標(biāo)定誤差、計(jì)算方法誤差和實(shí)驗(yàn)測(cè)量誤差。標(biāo)定誤差是由力錘的精度以及敲擊位置偏移射流中心造成的；計(jì)算方法誤差是由于高能合成射流瞬間作用單絲扭擺的假設(shè)造成的；實(shí)驗(yàn)測(cè)量誤差是由于環(huán)境振動(dòng)以及氣流擾動(dòng)造成的。單個(gè)工況下，進(jìn)行多次重復(fù)實(shí)驗(yàn)以減小微沖量測(cè)量誤差。結(jié)果表明，兩電極等離子體高能合成射流單脈沖沖量測(cè)量誤差約為2%。

2 實(shí)驗(yàn)結(jié)果與分析

2.1 高能合成射流流場(chǎng)結(jié)構(gòu)分析

采用高速陰影系統(tǒng)獲取了從放電開始的兩電極等離子體高能合成射流流場(chǎng)發(fā)展演變過程，圖5為放電發(fā)生后100μs等離子體高能合成射流典型流場(chǎng)結(jié)構(gòu)，實(shí)驗(yàn)條件為：電極間距3mm，激勵(lì)器腔體體積1750mm3，腔體孔徑3mm，放電頻率1Hz，激勵(lì)器工作環(huán)境壓強(qiáng)1標(biāo)準(zhǔn)大氣壓。為減小激勵(lì)器工作過程中電極的電弧燒蝕，電極選用直徑1mm的鎢棒。由圖5可見兩電極等離子體高能合成射流呈蘑菇狀結(jié)構(gòu)發(fā)展，在射流前緣上方有一道呈球?qū)ΨQ型的被稱之為前驅(qū)激波的壓縮波，同時(shí)發(fā)現(xiàn)流場(chǎng)中還有多道壓縮波。圖5中射流結(jié)構(gòu)中沒有馬赫盤的存在，這表明射流為亞聲速流動(dòng)。

圖5 放電開始后100μs典型的等離子體高能合成射流流場(chǎng)Fig.5 The typical configuration of the plasma high energy synthetic jet att=100μs after the start of the discharge

圖6為放電開始以后的兩電極等離子體高能合成射流流場(chǎng)發(fā)展過程，相鄰2幅圖的時(shí)間間隔為12.5μs。當(dāng)t=12.5μs時(shí)，激勵(lì)器出口處已有明顯的射流出現(xiàn)，前驅(qū)激波已經(jīng)離開激勵(lì)器出口，這表明兩電極等離子體高能合成射流響應(yīng)非?？?。當(dāng)t=25μs時(shí)，射流流場(chǎng)呈現(xiàn)出明顯的渦環(huán)結(jié)構(gòu)，且流場(chǎng)中出現(xiàn)第2道強(qiáng)度相當(dāng)?shù)膲嚎s波，而流場(chǎng)中所形成的第1道前驅(qū)激波強(qiáng)度變?nèi)?；?dāng)t=50μs時(shí)，流場(chǎng)中出現(xiàn)第3道強(qiáng)度相當(dāng)?shù)膲嚎s波；當(dāng)t=87.5μs時(shí)，流場(chǎng)中出現(xiàn)第4道壓縮波，但強(qiáng)度明顯弱于前3道壓縮波。圖6還顯示隨著時(shí)間的推移，前驅(qū)激波和射流前鋒間的距離在增大，表明射流速度低于前驅(qū)激波速度（聲速）。

圖6 等離子體高能合成射流流場(chǎng)發(fā)展過程Fig.6 Shadowgraph images of the plasma synthetic jet captured at specific time steps

圖7（a）為兩電極等離子體高能合成射流前驅(qū)激波與射流前鋒距激勵(lì)器出口距離隨時(shí)間的變化曲線。由圖可知3道壓縮波隨時(shí)間依次產(chǎn)生并發(fā)展，至激勵(lì)器出口的距離與時(shí)間幾乎成正比，且3道壓縮波之間的距離幾乎不隨時(shí)間變化，曲線斜率相同，即3道壓縮波的傳播速度基本一致。由此可以判斷在射流噴出過程中，前驅(qū)激波以相同的速度向下游傳播。射流前鋒至激勵(lì)器出口的距離則呈先快后慢的增長(zhǎng)趨勢(shì)，曲線斜率先增后降，即射流速度先增后降。這是由于射流噴出初始階段，激勵(lì)器腔體內(nèi)壓強(qiáng)高于環(huán)境壓強(qiáng)，射流加速噴出，射流前鋒速度增加；隨著射流的噴出，激勵(lì)器腔體內(nèi)壓強(qiáng)降低，射流向下游發(fā)展耗散，射流前鋒速度降低。依據(jù)圖7（a）射流前鋒曲線，還可推測(cè)出兩電極等離子體高能合成射流響應(yīng)時(shí)間小于10μs。圖7（b）為根據(jù)圖7（a）所推算的前驅(qū)激波和射流前鋒速度。通過計(jì)算可得前驅(qū)激波速度約為343m／s，這一速度即是當(dāng)?shù)芈曀?，因此前?qū)激波就是一道以當(dāng)?shù)芈曀賯鞑サ膲嚎s波。射流前鋒速度先增后降，射流前鋒最大速度約為190m／s。

圖7 射流前鋒及前驅(qū)激波距離出口的距離及其速度隨時(shí)間的變化Fig.7 Trajectory and velocity of the plasma synthetic jet shocks and front jet

2.2 高能合成射流激勵(lì)器單脈沖沖量測(cè)量結(jié)果分析

圖8 力錘作用曲線Fig.8 The typical force curve of hammer

表1 單脈沖沖量測(cè)量結(jié)果Table 1 The measurement results of the single pulse impulse

本文還研究了激勵(lì)器放電頻率對(duì)射流沖量的影響。實(shí)驗(yàn)測(cè)得射流總沖量隨放電頻率的變化，以及放電頻率分別為5、10、20、30和50Hz時(shí)激勵(lì)器的單脈沖射流沖量，如圖9所示。激勵(lì)器單脈沖射流沖量定義如式，I′為激勵(lì)器單脈沖射流沖量，It為單位時(shí)間內(nèi)激勵(lì)器產(chǎn)生的射流總沖量，C為單位時(shí)間內(nèi)激勵(lì)器放電次數(shù)。兩電極等離子體高能合成射流總沖量隨激勵(lì)器放電次數(shù)成線性增加。表明在低頻狀態(tài)下，激勵(lì)器工作穩(wěn)定，射流流場(chǎng)持續(xù)時(shí)間短，相鄰放電脈沖間射流流場(chǎng)影響微弱，不會(huì)造成射流沖量的損失。激勵(lì)器單脈沖射流沖量隨放電頻率增加，這是由于激勵(lì)器放電頻率增加，相鄰放電脈沖時(shí)間間隔降低，激勵(lì)器放電對(duì)腔內(nèi)氣體的加熱效應(yīng)影響下一次放電，從而增加腔內(nèi)氣體溫度，增大射流沖量。為驗(yàn)證該結(jié)論，在激勵(lì)器放電頻率為50Hz條件下，繪得激勵(lì)器單脈沖射流沖量隨放電次數(shù)的變化曲線，如圖10所示。單脈沖射流沖量隨放電次數(shù)線性增加，這是由于放電次數(shù)增加，對(duì)激勵(lì)器腔內(nèi)氣體的加熱效應(yīng)積累，射流總沖量增大，從而計(jì)算得激勵(lì)器單脈沖射流沖量增大。

圖9 射流總沖量和單脈沖射流沖量隨放電頻率的變化Fig.9 Variation of the total impulse and singlepulse impulse with increasing frequency

圖10 激勵(lì)器單脈沖射流沖量隨放電次數(shù)的變化Fig.10 Variation of the single-pulse impulse with the number of discharge times

圖9中激勵(lì)器單脈沖射流沖量增長(zhǎng)速率隨放電頻率降低，表明激勵(lì)器單脈沖射流沖量并不會(huì)隨放電頻率的增加而無(wú)限增長(zhǎng)。文獻(xiàn)［21］數(shù)值計(jì)算結(jié)果表明兩電極等離子體高能合成射流激勵(lì)器工作存在飽和頻率，超過該頻率會(huì)出現(xiàn)相鄰脈沖射流周期的重疊，導(dǎo)致腔體內(nèi)放電的“啞火”；文獻(xiàn)［18］實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，當(dāng)激勵(lì)器放電頻率超到5k Hz，則由于激勵(lì)器得不到有效吸氣復(fù)原而導(dǎo)致放電“啞火”。下一步工作將對(duì)更高放電頻率的激勵(lì)器沖量進(jìn)行實(shí)驗(yàn)測(cè)量，以研究高頻狀態(tài)下激勵(lì)器放電頻率對(duì)射流沖量的影響規(guī)律，并獲得最大射流沖量放電頻率，為工程應(yīng)用提供參考依據(jù)。

3 結(jié) 論

設(shè)計(jì)了單絲扭擺式微沖量測(cè)量系統(tǒng)，并結(jié)合高速陰影系統(tǒng)，對(duì)兩電極等離子體高能合成射流的流場(chǎng)發(fā)展過程及其沖量特性進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)研究，主要結(jié)論如下：

（1）兩電極等離子體高能合成射流響應(yīng)非常迅速，時(shí)間小于10μs。

（2）兩電極等離子體高能合成射流流場(chǎng)中存在多道以聲速傳播的壓縮波。

（3）兩電極等離子體高能合成射流流場(chǎng)發(fā)展過程表明，激勵(lì)器工作后首先產(chǎn)生前驅(qū)激波，隨后高能合成射流噴出，前驅(qū)激波以當(dāng)?shù)芈曀傧蛳掠芜\(yùn)動(dòng)，約為343m／s，高能合成射流前鋒速度先增后減，本實(shí)驗(yàn)條件下射流前鋒最大速度約為190m／s。

（4）本實(shí)驗(yàn)條件下兩電極等離子體高能合成射流激勵(lì)器單脈沖沖量約為32μN(yùn)·s，在低頻狀態(tài)下，射流總沖量隨放電頻率成線性增長(zhǎng)，同時(shí)激勵(lì)器單脈沖射流沖量增加。

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Experimental study on the flow field and impulse of a two-electrode plasma high energy synthetic jet

Zhang Yu1，Luo Zhenbing1，Wang Che2，Wang Lin1，Xia Zhixun1
（1.College of Aerospace Science and Engineering，National University of Defense Technology，Changsha 410073，China；2.Air Force Engineering University，Xi’an 710051，China）

The gas inside the cavity of the two-electrode plasma high energy synthetic jet actuator is electrothermally heated by the transient discharge of electric arc，that leads to a rapid increase in pressure within the cavity.This high-pressure gas ejects through the orifice and forms the high-speed jet.Considering the fast response character of the high energy synthetic jet，a single line torsion pendulum system for the impulse measurement is designed.Combined with the high-speed shadowgraphy，the development of the flow field and the impulse of the plasma jet are experimentally studied.The results show that the response time of the two-electrode plasma high energy synthetic jet is less than 10μs，and the duration time of the single-pulse jet is about 1ms.The maximum velocity of the jet front is about 190m／s，and there are shocks spreading at the speed of sound.The measurement accuracy of the single line torsion pendulum system isμN(yùn)·s.The impulse of the two-electrode plasma high energy synthetic jet actuator is about 32μN(yùn)·s.The total impulse increases linearly with the discharge frequency when the discharge frequency is low.

plasma；high energy synthetic jet；micro-impulse；high speed shadowgraph；single line torsion pendulum

V211.1

：A

1672-9897（2014）06-0039-06doi：10.11729／syltlx20140054

（編輯：李金勇）

2014-05-07；

：2014-06-25

國(guó)家自然科學(xué)基金（11372349）；全國(guó)優(yōu)秀博士論文作者專項(xiàng)資金（201058）

羅振兵，E-mail：luozhenbing＠163.com

ZhangY，LuoZB，WangC，etal.Experimentalstudyonflowfieldandimpulseofatwo-electrodeplasmahighenergysyntheticjet.

JournalofExperimentsinFluidMechanics，2014，28（6）：39-44.張 宇，羅振兵，王 澈，等.兩電極等離子體高能合成射流流場(chǎng)及其沖量實(shí)驗(yàn)研究.實(shí)驗(yàn)流體力學(xué)，2014，28（6）：39-44.

張 宇（1990-），男，吉林長(zhǎng)春人，碩士研究生。研究方向：等離子體高能合成射流。通信地址：湖南省長(zhǎng)沙市開福區(qū)德雅路109號(hào)，國(guó)防科學(xué)技術(shù)大學(xué)航天科學(xué)與工程學(xué)院（410073）。E-mail：zhangyuenglish＠163.com