十二烷基伯胺鹽酸鹽與十二烷基聚氧乙烯硫酸鈉復(fù)配體系中的表面性質(zhì)

程新皓 趙歐狄 趙海娜 黃建濱,,*

(1新疆大學(xué)化學(xué)化工學(xué)院,石油天然氣精細(xì)化工教育部新疆維吾爾自治區(qū)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,烏魯木齊830046;2北京大學(xué)化學(xué)與分子工程學(xué)院,北京100871)

1 引言

在對(duì)陰陽離子表面活性劑復(fù)配體系研究之初,由于其頭基間強(qiáng)烈的吸引作用而導(dǎo)致的沉淀一直是困擾研究者的問題,也是制約其應(yīng)用的重要原因.1-3人們通過改變表面活性劑的結(jié)構(gòu)部分解決了這一問題,4-6其中包括增加季銨鹽型表面活性劑的頭基取代基的尺寸,從而減弱其與反電荷表面活性劑頭基間的相互作用,抑制了沉淀的發(fā)生.然而,這樣的改變?cè)谝种瞥恋淼耐瑫r(shí)也削弱了復(fù)配體系的表面活性的優(yōu)勢(shì).從理論上講,在以季銨鹽為陽離子的表面活性劑復(fù)配體系中,頭基取代基越小,其與陰離子型表面活性劑的相互作用越強(qiáng),沉淀幾率越大.但也意味著可能會(huì)帶來更加優(yōu)異的表界面性質(zhì).7-9由此,烷基伯胺鹽,如十二烷基伯胺鹽酸鹽(DAC),因其具有很小的極性頭基面積,與陰離子表面活性劑復(fù)配時(shí),在解決沉淀問題后,可能顯現(xiàn)出非常優(yōu)異的表面性質(zhì)與聚集能力.10-12然而,由于十二烷基胺鹽酸鹽與陰離子表面活性劑頭基間存在著過于強(qiáng)烈的相互作用.在之前的研究中,其與所考察的傳統(tǒng)陰離子型表面活性劑(羧酸鹽、硫酸鹽、磺酸鹽等)在較寬的復(fù)配區(qū)間內(nèi)都會(huì)發(fā)生沉淀,在升高溫度(50°C)的情況下也不能溶解,這就限制烷基伯胺鹽在陰陽離子復(fù)配體系中的進(jìn)一步應(yīng)用.13,14然而通過努力,我們成功地找到了一類可以與烷基伯胺鹽穩(wěn)定復(fù)配的體系,即烷基伯胺鹽-烷基聚氧乙烯硫酸鹽復(fù)配體系.該體系中,由于陰離子中引入了非離子型的聚氧乙烯親水基團(tuán),而增加了復(fù)配體系的溶解性,使其在40°C以上時(shí)即可形成均相溶液,從而具有實(shí)際應(yīng)用的價(jià)值.15,16本文中,我們重點(diǎn)研究了十二烷基胺鹽酸鹽和十二烷基聚氧乙烯硫酸鈉(AES)復(fù)配體系的表面性質(zhì)和聚集體性質(zhì),發(fā)現(xiàn)其在廣泛的復(fù)配比例區(qū)間和溫度區(qū)間內(nèi)都保持了極為優(yōu)異的表面活性,進(jìn)而,我們又研究了pH值和離子強(qiáng)度等其他環(huán)境因素對(duì)該復(fù)配體系的影響.17

2 實(shí)驗(yàn)部分

2.1 試劑

十二烷基胺鹽酸鹽為本實(shí)驗(yàn)室合成,重結(jié)晶5次;十二烷基聚氧乙烯硫酸鈉為工業(yè)品,純度約為70%,北京化學(xué)試劑公司提供.

2.2 表面性質(zhì)的測(cè)定

表面張力采用滴體積法測(cè)定,表面張力曲線的轉(zhuǎn)折點(diǎn)對(duì)應(yīng)的濃度(臨界膠束濃度)和表面張力分別為cmc和γcmc,飽和吸附量(Γmax)由Gibbs公式求得:

式中,γcmc為表面張力,cmc為臨界膠束濃度,對(duì)于陰陽離子表面活性劑體系,n=1,則表面活性劑分子最小吸附面積(Amin)為

式中NA為阿伏伽德羅常數(shù).

2.3 β參數(shù)的計(jì)算18

陰陽離子表面活性劑由于陰陽離子間強(qiáng)烈的庫侖相互作用,在復(fù)配時(shí)具有較強(qiáng)的聚集能力和在表界面上的吸附能力,從而具有優(yōu)于單體系表面活性劑的表界面性質(zhì).根據(jù)規(guī)則溶液理論,二元表面活性劑混合體系溶液兩組份的活度系數(shù)(f)可表達(dá)為:

其中,x1為組分1在吸附膜或膠束中的物質(zhì)的量分?jǐn)?shù),β代表兩組份間相互作用的特征參數(shù).

考慮溶液中無機(jī)鹽過量,離子強(qiáng)度恒定,表面活性劑濃度在cmc之上時(shí)的情況,β可用Rubingh方程計(jì)算:

其中,αi為i組分在整個(gè)體系中的物質(zhì)的量分?jǐn)?shù);cmcT為混合表面活性劑的臨界膠團(tuán)總濃度,而則為組分i單一體系的臨界膠束濃度.此時(shí),β的大小可體現(xiàn)表界面吸附層或膠束中表面活性劑兩組份間的相互作用.β的絕對(duì)值是分子間相互作用強(qiáng)弱的量化,β的絕對(duì)值越大,分子間相互作用越強(qiáng).若β＞0,則f＞1,說明該體系與理想混合體系相比存在正偏差,兩組份間不存在協(xié)同作用并有不利的影響;若β＜0,則f＜1,說明該體系與理想混合體系相比存在負(fù)偏差,兩組份間存在協(xié)同作用.三次采油的陰-非離子表面活性劑體系二組分間相互作用也可用β參數(shù)來衡量.

3 結(jié)果與討論

3.1 n(DAC)/n(AES)=1:1復(fù)配體系的表面性質(zhì)

在40°C以下時(shí),DAC/AES復(fù)配體系不溶解.而當(dāng)溫度達(dá)到40°C時(shí),n(DAC)/n(AES)=1:1(簡(jiǎn)寫為DAC/AES 1:1)復(fù)配體系形成均相具有乳光的溶液.我們測(cè)定了該體系的表面張力曲線(見圖1),由此曲線得到體系的cmc、γcmc、飽和吸附量Γmax和最小頭基占據(jù)面積Amin等表面性質(zhì)參數(shù)列于表1.

作為對(duì)比,我們還測(cè)量了DAC單體系與AES單體系的表面與膠束性質(zhì),發(fā)現(xiàn)DAC單體系的cmc為17.3 mmol·L-1,γcmc為31.9 mN·m-1;而AES單體系的cmc為0.33 mmol·L-1,γcmc為33.2 mN·m-1.相對(duì)于DAC和AES的單體系,其1:1復(fù)配體系的cmc降低了1-2個(gè)數(shù)量級(jí),而γcmc降低了10 mN·m-1之多,混合體系體現(xiàn)出了極強(qiáng)的增效作用.而作為對(duì)比,在25°C下,SDS和DTAB 1:1復(fù)配體系的cmc為0.04 mmol·L-1,γcmc為24 mN·m-1,可見,相對(duì)于具有更大頭基取代基的季銨鹽表面活性劑與陰離子表面活性劑復(fù)配的體系,DAC與AES復(fù)配體系無論在γcmc還是cmc方面,都顯示出了更為優(yōu)異的表面活性與膠束形成性質(zhì).

圖1 n(DAC)/n(AES)=1:1復(fù)配體系在40°C時(shí)的表面張力曲線Fig.1 Surface tension curve of n(DAC)/n(AES)=1:1 mixed system at 40°C

表1 n(DAC)/n(AES)=1:1復(fù)配體系在40°C時(shí)的表面性質(zhì)Table 1 Surface properties of n(DAC)/n(AES)=1:1 mixed system at 40°C

另一方面,從該體系的平均頭基占據(jù)面積可以了解到其分子在氣液界面的吸附情況.DAC分子長(zhǎng)度為1.6 nm,AES分子長(zhǎng)度為2.7 nm.而由吸附量計(jì)算所得的平均頭基占據(jù)面積僅為0.2 nm,此時(shí),若近似認(rèn)為每個(gè)分子所占面積為一正方形,則該正方形邊長(zhǎng)為與分子長(zhǎng)度比較可看出,進(jìn)行表面吸附的分子是采取直立構(gòu)象在氣液界面緊密排列,此時(shí)溶液表面的組成從水分子變成了―CH3基團(tuán),這也是獲得較低的表面張力的原因.可以注意到,此時(shí)的表面張力與25°C時(shí)正庚烷的表面張力(22 mN·m-1)已相當(dāng)接近,這也從另一方面說明了此時(shí)溶液表面的組成主要由表面活性劑的碳?xì)洳糠謽?gòu)成.

為了了解DAC/AES復(fù)配體系優(yōu)異表面性質(zhì)的原因,我們計(jì)算了該體系的β參數(shù).其β參數(shù)為-17.8,xDAC=0.40.一般陰陽離子表面活性劑混合體系,主要為β參數(shù)在-11附近的體系.如在25°C時(shí),DEABAES在0.1 mol·L-1NaBr溶液中的β參數(shù)為-10.8,OEAB-SDS在 0.1 mol·L-1NaBr溶液中的β參數(shù)為-9.5.

進(jìn)行對(duì)比可發(fā)現(xiàn),相對(duì)于這些表面活性劑復(fù)配體系,DAC/AES的β參數(shù)具有更大的負(fù)值,證明參與復(fù)配的兩種表面活性劑分子間存在更為強(qiáng)烈的吸引作用,從而獲得更好的表面活性,這與之前的理論預(yù)測(cè)相符.特別地和具有更大頭基取代基的DEAB與AES的復(fù)配體系進(jìn)行對(duì)比,DAC/AES復(fù)配體系頭基間表現(xiàn)出了更強(qiáng)的相互作用,說明通過減小陽離子表面活性劑的頭基取代基,在與陰離子表面活性劑復(fù)配時(shí)的確能夠得到更優(yōu)異的表面和膠束性質(zhì).

3.2 不同復(fù)配比例時(shí)DAC/AES復(fù)配體系的表面性質(zhì)

我們進(jìn)一步對(duì)40°C時(shí)不同復(fù)配比例的DAC/AES體系的表面張力曲線進(jìn)行了測(cè)定,由各復(fù)配體系的表面張力曲線獲得了DAC/AES表面活性劑復(fù)配體系的cmc和γcmc隨比例變化的趨勢(shì)圖,見圖2.由圖2可見,在較寬的復(fù)配比例區(qū)間內(nèi),DAC/AES復(fù)配體系均保持了優(yōu)異的表面性質(zhì).對(duì)于cmc,在α(α=n(DAC)/n(AES))約在0.2-0.7的區(qū)間內(nèi),均能保持10-5mol·L-1數(shù)量級(jí)的臨界膠束濃度,而對(duì)于γcmc,在α約0.05-0.85的區(qū)間內(nèi),均能降低表面張力至30 mN·m-1以下.

圖2 40 °C DAC/AES復(fù)配體系cmc(a)和γcmc(b)隨復(fù)配比例(α)的變化趨勢(shì)Fig.2 Variation with porportion(α)of cmc(a)and γcmc(b)of DAC/AES mixed systems at 40°C

此時(shí),嘗試計(jì)算不同比例復(fù)配體系的β參數(shù).由于在電荷比不等于1:1的情況下,DAC/AES復(fù)配體系的聚集體凈電荷不為0,此時(shí)項(xiàng)為一小于1 的數(shù).式中 cmc2″為復(fù)配體系組分 2 的 cmc,cmc2′為復(fù)配體組分1的cmc,Ii為離子強(qiáng)度.但由于離子強(qiáng)度不恒定,該項(xiàng)無法簡(jiǎn)單求算.此時(shí),我們進(jìn)行近似,令該項(xiàng)為1,來進(jìn)行計(jì)算和比較,計(jì)算見公式(5).

近似計(jì)算得到的β參數(shù)結(jié)果列于表2.由表2中的數(shù)據(jù)可知,DAC/AES復(fù)配體系中,當(dāng)n(DAC)/n(AES)在3:1-1:2的區(qū)間內(nèi),都有著低于-10的β參數(shù),說明在該區(qū)間內(nèi)組成聚集體的兩個(gè)分子間有著極強(qiáng)的相互吸引,特別是在1:1的比例下,β參數(shù)低至-17.8,強(qiáng)于一般的陰陽離子復(fù)配體系的相互作用.

從聚集體組成上看,從DAC/AES 1:1至DAC嚴(yán)重過量的復(fù)配區(qū)域,聚集體中DAC所占的比例約為40%左右.這一方面由于相較于DAC的cmc=17.3 mmol·L-1,AES有著更低的cmc=0.33 mmol·L-1,故其聚集能力更強(qiáng),在聚集體中所占的比例更大.另一方面,在DAC大大過量時(shí),聚集體中DAC仍然只占40%左右,說明此時(shí)聚集體的組成應(yīng)該接近最穩(wěn)定狀態(tài),即基本為電中性.這個(gè)結(jié)論在3.5節(jié)中也得到驗(yàn)證,即中性無機(jī)外加鹽時(shí)復(fù)配體系的表面張力沒有降低.這說明此時(shí)平均一個(gè)AES分子所帶的負(fù)電荷不到一個(gè)單位,這可能是由于AES中乙氧基(EO)鏈對(duì)其頭基電荷屏蔽,使得AES分子整體電荷密度下降的結(jié)果.

3.3 溫度對(duì)DAC/AES復(fù)配體系表面性質(zhì)的影響

隨著溫度的升高,在非離子型表面活性劑體系中會(huì)出現(xiàn)濁點(diǎn).而對(duì)于單體系的離子型表面活性劑,則存在Krafft點(diǎn).對(duì)于陰陽離子表面活性劑混合體系,情況則較為復(fù)雜.一方面,升溫可以增加體系的熱運(yùn)動(dòng),而使得離子型表面活性劑分子溶解性增加,而另一方面,溫度的升高也會(huì)減少表面活性劑聚集體表面的水化層,而使其聚集體間斥力下降而團(tuán)聚長(zhǎng)大,甚至出現(xiàn)類似于非離子表面活性劑體系的濁點(diǎn)現(xiàn)象.我們組曾經(jīng)對(duì)該領(lǐng)域進(jìn)行過相關(guān)報(bào)道.

表2 40°C時(shí)不同摩爾比DAC/AES復(fù)配體系的β參數(shù)與聚集體組成(xDAC)Table 2 β parameter and aggregate composition(xDAC)of different proportions of DAC/AES mixed system at 40°C

為了解溫度對(duì)DAC/AES復(fù)配體系性質(zhì)的影響,我們觀察了不同溫度下的溶液狀態(tài),發(fā)現(xiàn)在40°C以下,體系發(fā)生沉淀,而在40至加熱接近100°C時(shí),體系均保持均相,未出現(xiàn)渾濁.這與存在Krafft點(diǎn)的離子型表面活性劑單體系的性質(zhì)相類似,而與以往存在“濁點(diǎn)”現(xiàn)象的陰陽離子離子型表面活性混合劑體系不同.我們測(cè)定了不同溫度下DAC/AES 1:1復(fù)配體系的表面張力曲線,從中獲得不同溫度的cmc、γcmc值及其隨攝氏溫度變化的趨勢(shì)圖見表3和圖3.

從圖3的表面張力曲線和表3中對(duì)應(yīng)的相關(guān)數(shù)據(jù)可見,隨著溫度的上升,DAC/AES 1:1復(fù)配體系的cmc逐漸增加,但在55°C時(shí),cmc仍然較低,為1.6×10-4mol·L-1.而γcmc的變化趨勢(shì)也是類似,隨著溫度的上升而略有增加,在55°C時(shí)為25.8 mN·m-1.但需要指出的是,隨著溫度的升高,水本身的表面張力會(huì)略有降低,從40°C到55°C時(shí),水的表面張力由69.6 mN·m-1降低至67.1 mN·m-1.即使考慮到這部分的表面張力變化,DAC/AES 1:1復(fù)配體系的γcmc隨溫度的變化仍不算明顯,能夠一直維持較低的表面張力.從表面張力曲線計(jì)算得到的吸附量和平均頭基占據(jù)面積來看,隨著溫度的增加,體系的吸附量下降,平均頭基占據(jù)面積增加.在55°C時(shí),體系的吸附量約降低至40°C時(shí)的1/2,這說明溫度的增加會(huì)使表面活性劑的溶解度增加,使其從氣液界面向體相遷移.

表3 不同溫度n(DAC)/n(AES)=1:1復(fù)配體系的表面性質(zhì)Table 3 Surface properties of n(DAC)/n(AES)=1:1 mixed system at different temperatures

圖3 不同溫度下n(DAC)/n(AES)=1:1復(fù)配體系的cmc、γcmc變化規(guī)律Fig.3 cmc and γcmcof n(DAC)/n(AES)=1:1 mixed system at different temperatures

一方面,從這些參數(shù)的變化規(guī)律來看,DAC/AES 1:1復(fù)配體系隨溫度的變化趨勢(shì)與單一的離子型表面活性劑體系基本一致.同時(shí)也可發(fā)現(xiàn),與單一的離子型表面活性劑體系相比較,DAC/AES 1:1復(fù)配體系受溫度影響的程度較小,其cmc、γcmc在所考察的溫度區(qū)間內(nèi)均能保持較低數(shù)值.

3.4 pH值對(duì)DAC/AES復(fù)配體系表面性質(zhì)的影響

十二烷基胺鹽酸鹽是一種pH敏感的分子,在低pH值時(shí)為酸式,帶一個(gè)單位的正電荷,而在高pH值時(shí)轉(zhuǎn)化為不帶電的十二胺,其pKa=10.63,其物種隨pH值的分布如圖4所示.由圖4可見,當(dāng)pH＜8時(shí),十二烷基伯胺鹽所占比例接近100%;當(dāng)pH=9時(shí),十二烷基伯胺鹽所占比例為97.7%;當(dāng)pH=11時(shí),十二烷基伯胺鹽所占比例為30%,而十二胺此時(shí)占70%.也就是說,在DAC/AES 1:1復(fù)配體系中,隨著pH的升高,DAC由帶正電的酸式向不帶電的堿式轉(zhuǎn)變,從而使該體系由陰陽離子電荷等量的復(fù)配體系向負(fù)電荷過量的復(fù)配體系轉(zhuǎn)變.

圖4 聚集體組成隨pH變化的物種分布曲線Fig.4 Species distribution of aggregate composition with pH changes

由圖4和表4可見,隨著pH的上升,DAC/AES 1:1復(fù)配體系的cmc、γcmc都逐漸增加.而從表面吸附量看,在pH=6時(shí),吸附量有最大值,隨著pH值上升和下降,吸附量都下降,平均頭基占據(jù)面積增加.由之前DAC的物種隨pH值的變化分析可知,隨著pH值增加,復(fù)配體系中的正電荷逐漸減少,由此導(dǎo)致負(fù)電荷逐漸過剩.在pH=11時(shí),帶正電的陽離子表面活性劑僅剩加入量的30%,相對(duì)應(yīng)的,此時(shí)陰陽離子電荷比為3:10.由于過量的負(fù)電荷,帶來表面活性劑頭基間的斥力增加,聚集能力下降,cmc升高.而在氣液界面上,由于頭基間斥力,表面活性劑分子的排列變疏松,使得極限吸附量下降.但值得注意的是,即使在pH=11時(shí),該體系的cmc和γcmc仍然較低,能夠保持較好的表面活性.

3.5 離子強(qiáng)度對(duì)DAC/AES復(fù)配體系表面性質(zhì)的影響

對(duì)于離子型表面活性劑體系,離子強(qiáng)度的增加往往能夠屏蔽表面活性劑頭基間的靜電斥力,而使得其聚集能力增強(qiáng),cmc降低.而對(duì)于陰陽離子表面活性劑復(fù)配體系,則由于其本身已經(jīng)處于接近電中性的環(huán)境,故普遍認(rèn)為外加鹽對(duì)其cmc影響不大.

由表5中的數(shù)據(jù)可見,pH=6時(shí)的DAC/AES 1:1復(fù)配體系表現(xiàn)出了與較高pH情況下完全不同的性質(zhì).在pH=6時(shí),隨著離子強(qiáng)度的增加,復(fù)配體系的cmc和γcmc略有增加.此時(shí),體系中陰陽離子表面活性劑的量相等,陰陽離子電荷中和,而體現(xiàn)出異電荷表面活性劑頭基間的強(qiáng)烈吸引.此時(shí),若離子強(qiáng)度增加,則會(huì)部分屏蔽頭基間的靜電吸引,而使其聚集能力略有下降,在溶液表面吸附層中排列疏松,而使得cmc和γcmc的數(shù)值增加.而在pH=9和pH=11時(shí),復(fù)配體系中的負(fù)電荷過量,此時(shí)增加離子強(qiáng)度,則能夠屏蔽頭基間的負(fù)電荷的斥力,使體系聚集能力增加,表面層排列緊密,使得cmc和γcmc的數(shù)值下降.

表4 不同pH n(DAC)/n(AES)=1:1復(fù)配體系的表面參數(shù)Table 4 Surface parameters of n(DAC)/n(AES)=1:1 mixed system at different pH values

表5 不同離子強(qiáng)度(I)時(shí)n(DAC)/n(AES)=1:1復(fù)配體系的表面參數(shù)Table 5 Surface parameters of n(DAC)/n(AES)=1:1 mixed system with different ionic strengths(I)

4 結(jié)論

40°C時(shí),在十二烷基伯胺鹽酸鹽DAC和AES復(fù)配體系中獲得了超低的cmc(2.3×10-5mol·L-1)和超低的γcmc(23.6 mN·m-1).該體系優(yōu)異的表面性質(zhì)可以在較寬的復(fù)配區(qū)間、溫度區(qū)間、較廣的pH范圍和較高的離子強(qiáng)度時(shí)得到保持.由于DAC/AES復(fù)配體系超穩(wěn)定的表面性質(zhì),特別是其體現(xiàn)出的高溫高鹽的穩(wěn)定性,使其有希望在高溫地層的油田化學(xué)領(lǐng)域等極端環(huán)境中得到應(yīng)用.

(1)Zhao,G.X.;Cheng,Y.Z.;Ou,J.G.;Tian,B.S.;Huang,Z.M.Acta Chim.Sin.1980,38(5),409.[趙國(guó)璽,程玉珍,歐進(jìn)國(guó),田丙申,黃智民.化學(xué)學(xué)報(bào),1980,38(5),409.]

(2) Zhang,L.H.;Qiao,J.;Ding,H.J.;Zhao,G.X.Acta Phys.-Chim.Sin.1993,9,478.[張?zhí)m輝,譙 靜,丁慧君,趙國(guó)璽.物理化學(xué)學(xué)報(bào),1993,9,478.]doi:10.3866/PKU.WHXB 19930411

(3) Yin,H.Q.;Zhou,Z.K.;Huang,J.B.;Zheng,R.;Zhang,Y.Y.Angew.Chem.Int.Edit.2003,42,2188.doi:10.1002/anie.200350913

(4)Wang,C.Z.;Tang,S.H.;Huang,J.B.;Zhang,X.R.;Fu,H.L.Colloid Polymer Sci.2002,280,770.doi:10.1007/s00396-002-0676-1

(5) Huang,J.B.;Zhao,G.X.Colloid Polymer Sci.1995,273,56.

(6) Cao,X.L.;Lü,K.;Cui,X.H.;Shi,J.;Yuan,S.L.Acta Phys.-Chim.Sin.2010,26,1959.[曹緒龍,呂 凱,崔曉紅,石 靜,苑世領(lǐng).物理化學(xué)學(xué)報(bào),2010,26,1959.]doi:10.3866/PKU.WHXB20100143

(7) Huang,J.B.;Zhao,G.X.Colloid Polymer Sci.1996,274,747.doi:10.1007/BF00654670

(8) Tang,S.H.;Huang,J.B.;Dai,L.R.;Wang,C.Z.;Fu,H.L.Acta Chim.Sin.2002,60,1331.[唐世華,黃建濱,戴樂蓉,王傳忠,付宏蘭.化學(xué)學(xué)報(bào),2002,60,1331.]

(9) Chen,L.;Xiao,J.X.;Ma,J.M.Acta Phys.-Chim.Sin.2003,19,577.[陳 莉,肖進(jìn)新,馬季銘.物理化學(xué)學(xué)報(bào),2003,19,577.]doi:10.3866/PKU.WHXB20030701

(10)Yin,H.Q.;Huang,J.B.;Mao,M.;Fu,H.L.Langmuir2002,18,9198.doi:10.1021/la025902n

(11) Han,F.;Fu,H.L.;He,X.;Huang,J.B.Acta Chim.Sin.2003,61,1399.[韓 峰,付宏蘭,何 瀟,黃建濱.化學(xué)學(xué)報(bào),2003,61,1399.]

(12)Yan,Y.;Huang,J.B.;Li,Z.C.;Zhao,X.L.;Zhu,B.Y.;Ma,J.M.Colloids and Surfaces A2003,215,263.doi:10.1016/S0927-7757(02)00486-7

(13) Xiao,J.X.;Zhao,G.X.Chemical Research and Application2001,13(5),502.[肖進(jìn)新.趙國(guó)璽.化學(xué)研究與應(yīng)用,2001,13(5),502.]

(14)Wang,K.;Yin,H.Q.;Sha,W.;Huang,J.B.;Fu,H.L.J.Phys.Chem.B2007,111,12997.

(15)Yin,H.Q.;Lei,S.;Zhu,S.B.;Huang,J.B.;Ye,J.P.Chem.Eur.J.2006,12,2825.

(16) Zhu,B.Y.;Shi,H.T.;Huang,J.B.;He,X.Acta Chim.Sin.2001,59,913.[朱 瑤,石洪濤,黃建濱,何 煦.化學(xué)學(xué)報(bào),2001,59,913.]

(17)Yin,H.Q.;Huang,J.B.;Lin,Y.Y.;Zhang,Y.Y.;Qiu,S.C.;Ye,J.P.J.Phys.Chem.B2005,109,4104.

(18) Han,X.;Cheng,X.H.;Wang,J.;Huang,J.B.Acta Phys.-Chim.Sin.2012,28,146.[韓 霞,程新皓,王 江,黃建濱.物理化學(xué)學(xué)報(bào),2012,28,146.]doi:10.3866/PKU.WHXB201228146