第一性原理研究In，N共摻雜SnO2材料的光電性質(zhì)*

逯瑤王培吉張昌文蔣雷張國(guó)蓮宋朋

第一性原理研究In，N共摻雜SnO2材料的光電性質(zhì)*

逯瑤 王培吉張昌文 蔣雷 張國(guó)蓮 宋朋

(濟(jì)南大學(xué)理學(xué)院，濟(jì)南250022)
(2010年8月3日收到;2010年9月16日收到修改稿)

采用全電勢(shì)線性綴加平面波(FP-LAPW)的方法，基于密度泛函理論第一性原理結(jié)合廣義梯度近似(GGA)，運(yùn)用Wien2k軟件計(jì)算了In，N兩種元素共摻雜SnO2材料的電子態(tài)密度和光學(xué)性質(zhì)．研究表明，共摻雜結(jié)構(gòu)在自旋向下和向上兩方向上都出現(xiàn)細(xì)的局域能級(jí)，兩者態(tài)密度分布不對(duì)稱(chēng);帶隙內(nèi)自旋向下方向上產(chǎn)生局域能級(jí)，共摻化合物表現(xiàn)出半金屬性;能帶結(jié)構(gòu)顯示兩種共摻雜化合物仍為直接禁帶半導(dǎo)體，價(jià)帶頂隨著N濃度的增加發(fā)生向低能方向移動(dòng)，帶隙明顯增寬;共摻下的介電函數(shù)虛部主介電峰只在8.58 eV存在，且主峰位置發(fā)生右移，峰值強(qiáng)度顯著增大;實(shí)部譜中，不同N濃度的兩種共摻結(jié)構(gòu)其靜介電常數(shù)也明顯增大，N的2p態(tài)與In的5s態(tài)之間發(fā)生強(qiáng)烈的相互作用;共摻下吸收譜中的吸收峰數(shù)目減少，吸收光波段范圍增寬．

電子結(jié)構(gòu)，態(tài)密度，能帶結(jié)構(gòu)，光學(xué)性質(zhì)

PACS:31．15．A－，71．15．Dx，71．15．Mb

1.引言

透明導(dǎo)電氧化物Sn O2是一種空間群為P42/ mnm的寬禁帶半導(dǎo)體材料，實(shí)驗(yàn)帶寬3.6 eV，具有高達(dá)130 meV的激子束縛能［1，2］．SnO2天然呈現(xiàn)n型導(dǎo)電性，所以n型摻雜較易實(shí)現(xiàn)，而要得到p型導(dǎo)電材料較困難、穩(wěn)定性不理想，因而制約了其光電方面的應(yīng)用．在現(xiàn)有的受主摻雜中，N與O的離子半徑最為接近，使得N易于替代O位成為最適合的摻雜元素，但由于N的摻雜活性差、成鍵困難，且N與N之間的排斥作用較強(qiáng)，導(dǎo)致無(wú)法實(shí)現(xiàn)較高濃度的摻雜．共摻雜理論首先由Yamamoto等［3，4］在研究寬禁帶“單極性”半導(dǎo)體材料時(shí)提出，理論預(yù)測(cè)通過(guò)與Ⅲ族元素共摻雜可進(jìn)一步提高N的固溶度．杜娟等［5］對(duì)Ⅲ族元素替代或間隙位摻雜的形成能分析時(shí)，發(fā)現(xiàn)Al，Ga，In的電離能依次降低，即Ⅲ族元素In在SnO2晶體中摻雜形成的受主能級(jí)最淺，所以相同的摻雜濃度下，In可提供最大的空穴濃度．

到現(xiàn)在為止，對(duì)于SnO2晶體進(jìn)行共摻雜的理論計(jì)算和分析報(bào)道較少．由于Sn O2和ZnO晶體材料性質(zhì)類(lèi)似，實(shí)驗(yàn)上已有人通過(guò)In-N共摻雜的方法實(shí)現(xiàn)了p型ZnO半導(dǎo)體，具有較強(qiáng)的穩(wěn)定性［6—9］;理論上通過(guò)第一性原理對(duì)Ga-N，In-N共摻雜實(shí)現(xiàn)p型ZnO進(jìn)行了研究，發(fā)現(xiàn)共摻雜下具有更穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)，共摻雜的受主能級(jí)變寬，有效地提高了載流子的濃度［10，11］，而第一性原理在材料的光電性能計(jì)算方面均取得了較好的結(jié)果，趙龍等［12—15］利用第一性原理計(jì)算了ZnO材料的能帶結(jié)構(gòu)、態(tài)密度和其光學(xué)性能．前面工作中，我們分別研究了本征態(tài)下的SnO2、Ⅲ族金屬元素Al和非金屬元素N單摻雜SnO2時(shí)的性質(zhì)［16—18］，本文選擇In和N作為共摻雜元素，對(duì)共摻雜下SnO2的電子結(jié)構(gòu)及光學(xué)性質(zhì)展開(kāi)研究，并與III族單摻雜和N單摻雜的光電特性進(jìn)行比較．

2.理論模型和計(jì)算方法

本文從第一性原理出發(fā)采用廣義梯度近似，運(yùn)用在Linux系統(tǒng)中運(yùn)行的Wien2 k軟件，計(jì)算In，N共摻下SnO2的態(tài)密度和光學(xué)參數(shù)．SnO2原胞中包含2個(gè)Sn原子和4個(gè)O原子，我們構(gòu)建2×2×2的SnO2超晶胞結(jié)構(gòu)中分別用In和N替代Sn和O，進(jìn)行兩種情況下In和N的共摻:1)用一個(gè)In原子和一個(gè)N原子分別替代一個(gè)Sn原子和一個(gè)O原子，即In-N摻雜結(jié)構(gòu);2)用一個(gè)In原子和兩個(gè)N原子對(duì)應(yīng)替代一個(gè)Sn和兩個(gè)O原子，即In-2N摻雜結(jié)構(gòu)，如圖1所示，兩種摻雜結(jié)構(gòu)中In原子均替代體心位置處的Sn原子，占據(jù)體心位置不變．對(duì)于In-N摻雜結(jié)構(gòu)，N原子占據(jù)與In最鄰近的O位置;而對(duì)In-2 N摻雜結(jié)構(gòu)，一個(gè)N原子占據(jù)與In原子的最近鄰的O原子的位置，另外一個(gè)N原子占據(jù)與In次鄰近的O的位置．

圖1 摻雜2×2×2 SnO2超晶胞結(jié)構(gòu)(a)In-N摻雜;(b)In-2 N摻雜

兩種情況下In的摻雜濃度為6．25%，N的摻雜濃度分別為3．125%和6．25%．取實(shí)驗(yàn)晶格常數(shù):a =b=0.473 7 nm，c=0.318 6 nm，α=β=γ= 90°［19—21］，將原胞分成以原子為中心的半徑不相交的muffin-tin球形區(qū)和球間區(qū)域，球內(nèi)波函數(shù)取球?qū)ΨQ(chēng)勢(shì)，球外區(qū)域取常數(shù)勢(shì)，并取Sn，O，In，N的球半徑分別取2.0，1.8，2.0，1.8 a．u．，芯態(tài)和價(jià)態(tài)的截?cái)嗄芰繛椋?.0 Ry，且自旋極化計(jì)算中，自洽運(yùn)算收斂標(biāo)準(zhǔn)設(shè)為0.0001 Ry，K點(diǎn)數(shù)取100．

3.計(jì)算結(jié)果與討論

3.1.電子結(jié)構(gòu)

3.1.1.態(tài)密度

圖2給出SnO2本征態(tài)、SnO2進(jìn)行III族元素In單摻雜、非金屬元素N單摻雜、In-N和In-2 N兩種共摻雜結(jié)構(gòu)下的電子總態(tài)密度．取Fermi能級(jí)為能量零點(diǎn)，同本征態(tài)及In，N的單摻雜結(jié)構(gòu)比較，各種結(jié)構(gòu)下的總態(tài)密度差異主要表現(xiàn)在:本征態(tài)中SnO2的總態(tài)密度價(jià)帶部分可以分為兩個(gè)區(qū)域:從－8.2 eV到－5.6 eV的下價(jià)帶區(qū)域，從－5.6 eV到價(jià)帶頂?shù)纳蟽r(jià)帶區(qū)域．其中SnO2下價(jià)帶主要來(lái)自于Sn-5 s態(tài)，而上價(jià)帶主要由O-2p態(tài)貢獻(xiàn)形成，少量的Sn-5p也參與作用．

對(duì)摻雜SnO2，在從－11 eV到－12.5 eV的能量范圍內(nèi)，In替代Sn單摻的態(tài)密度在自旋向下和向上兩方向上對(duì)稱(chēng)分布，N替代O單摻結(jié)構(gòu)只在向下方向上出現(xiàn)部分局域態(tài)，而兩種共摻雜結(jié)構(gòu)在兩方向上都出現(xiàn)了細(xì)的局域能級(jí)，但向下和向上兩個(gè)方向上的態(tài)密度分布不再對(duì)稱(chēng)，且In-2 N結(jié)構(gòu)比In-N結(jié)構(gòu)出現(xiàn)的局域能級(jí)要多;在價(jià)帶頂和導(dǎo)帶底之間的帶隙內(nèi)，N替代O單摻也出現(xiàn)向下方向的局域能級(jí)，表明N單摻雜SnO2材料具有半金屬的特性，而共摻雜結(jié)構(gòu)同樣在帶隙內(nèi)，自旋向下的方向上產(chǎn)生局域能級(jí)，表明此時(shí)形成的兩種共摻化合物也都具有半金屬的性質(zhì)，不同的是In-2 N摻雜自旋向下的方向上出現(xiàn)的局域態(tài)要明顯多于In-N共摻時(shí)，具體原因?qū)⒃趯?duì)共摻結(jié)構(gòu)的分態(tài)電子態(tài)密度進(jìn)行分析得出;其他部分態(tài)密度在整體趨勢(shì)上差異不大，F(xiàn)ermi能級(jí)都進(jìn)入到價(jià)帶中，價(jià)帶頂形成具有導(dǎo)電作用的空穴載流子．

圖3給出了兩種共摻結(jié)構(gòu)下In的5 s，5 p態(tài)，N的2 s，2 p態(tài)的各分態(tài)密度，對(duì)于In-N摻雜結(jié)構(gòu)，N的2 p態(tài)與O的2p態(tài)共同提供價(jià)帶頂和靠近Fermi能級(jí)附近的電子態(tài)，且?guī)秲?nèi)的局域態(tài)由N的2 p態(tài)電子構(gòu)成，而下價(jià)帶部分的形成則與摻入的In元素有關(guān)，In 5 p態(tài)與Sn 5 s相互作用，產(chǎn)生耦合效應(yīng)形成此部分能級(jí)，在價(jià)帶較深位置從－11 eV到－12 eV內(nèi)，N 2s態(tài)成為該窄帶部分的主要來(lái)源;導(dǎo)帶上In與N共摻時(shí)In的作用要強(qiáng)于單獨(dú)In摻雜時(shí)對(duì)導(dǎo)帶的貢獻(xiàn)，這是由于In與N共摻時(shí)In和N的最外層電子之間雜化形成電子共用對(duì)，電荷發(fā)生極化后相互作用增強(qiáng)，從而使得In 5p態(tài)對(duì)導(dǎo)帶作用增強(qiáng)．

In-2N共摻雜結(jié)構(gòu)中，距離In最近的N原子記為N1，距離次之的為N2．如圖4所示，N1和N2的分態(tài)密度不相同，靠In最近的N1原子電荷極化程度要略大于N2的，主要表現(xiàn)在－11 eV處(N 2 s態(tài)起主要作用)和靠近Fermi能級(jí)附近位置上(N 2 p態(tài)起主要貢獻(xiàn))．兩個(gè)N原子的2p態(tài)和與它們鄰近的O 2p態(tài)雜化形成了Fermi能級(jí)附近的峰值，并使Fermi能級(jí)進(jìn)入價(jià)帶形成簡(jiǎn)并態(tài)．In電子仍主要位于中下價(jià)帶部分，所占各能級(jí)軌道幾乎沒(méi)有發(fā)生改變，但密度強(qiáng)度比一個(gè)N原子摻雜時(shí)稍微弱一些，這是由于兩個(gè)鄰近的N原子與In的電子共有化程度更強(qiáng)，In的外層電子進(jìn)一步偏離In電荷中心，降低了In的極化程度．導(dǎo)帶部分In 5s與鄰近的Sn原子耦合形成導(dǎo)帶底能帶，Sn的5 s和5p態(tài)整體上向高能方向展開(kāi)．

3.1.2.能帶結(jié)構(gòu)

摻雜元素In和N在共摻雜體中分別呈現(xiàn)+3和－3價(jià)，它們同時(shí)在禁帶中分別引入施主能級(jí)和受主能級(jí)，圖4給出了本征態(tài)以及兩種摻雜下自旋向下方向的能帶結(jié)構(gòu)圖，由圖可知本征態(tài)時(shí)帶隙為1.3 eV，且為直接帶隙半導(dǎo)體，價(jià)帶部分主要包括O的2 p態(tài)、Sn的5 s態(tài)和較少的Sn的5 p態(tài)，O的2 p態(tài)占據(jù)價(jià)帶頂至以下的－8.17 eV能量范圍內(nèi);而導(dǎo)帶靠近導(dǎo)帶底部分由Sn的5 s態(tài)起主要作用，導(dǎo)帶底以上部分主要由Sn的5 p態(tài)占據(jù)，并和其他一些態(tài)相互作用．摻雜后兩者的導(dǎo)帶底和價(jià)帶頂都對(duì)稱(chēng)的位于K．5點(diǎn)，說(shuō)明共摻雜之后兩種摻雜化合物仍為直接禁帶半導(dǎo)體，In-N共摻的帶隙寬為1.54 eV，而In-2 N共摻時(shí)的帶隙是1.74 eV，帶隙明顯增寬，這主要是由于兩種摻雜下導(dǎo)帶底的位置幾乎不變，價(jià)帶頂隨著N濃度的增大發(fā)生向低能方向移動(dòng)的結(jié)果．但是兩者都低于N替代O摻雜時(shí)的帶隙寬度［18］，而上價(jià)帶有所展寬，從圖3中也可以看到摻雜了激活施主元素In之后，N原子的雜質(zhì)能級(jí)有所展寬，N 2 p態(tài)與鄰近的Sn原子5 s態(tài)之間的軌道雜化作用增強(qiáng)，軌道重疊加劇，不同電子態(tài)之間的相互排斥效應(yīng)減弱．這就有效地增強(qiáng)了各原子上的非局域化載流子，獲得了較高的摻雜濃度．

通過(guò)與本征態(tài)、Ⅲ族元素Al單摻［17］及非金屬元素N單摻［18］時(shí)的情況對(duì)比，發(fā)現(xiàn)兩種共摻情況下能帶結(jié)構(gòu)中的帶隙內(nèi)均出現(xiàn)了細(xì)的能帶，從其分態(tài)密度上可以看出這些細(xì)的強(qiáng)局域帶，主要來(lái)自N的2p態(tài)作用，且在In-2N結(jié)構(gòu)，帶隙內(nèi)出現(xiàn)了分離的3部分局域能帶，而In-N結(jié)構(gòu)中卻只有一部分，顯然摻入的兩個(gè)N原子之間軌道發(fā)生重疊，從而引入多條深能級(jí)能帶，雜質(zhì)帶展寬，提供給單位能量空間更多的電子態(tài)數(shù)目．

共摻時(shí)N 2 p態(tài)比N單摻時(shí)，不僅為價(jià)帶頂提供了更多的空穴載流子，而且還在整個(gè)價(jià)帶中間部分與Sn和In的p態(tài)電子發(fā)生軌道雜化，因?yàn)殡s質(zhì)能級(jí)中空穴之間的相互排斥作用而使載流子局域于價(jià)帶頂附近，軌道雜化使得原子價(jià)的排斥效應(yīng)減弱，所以共摻雜時(shí)系統(tǒng)能量比N單摻時(shí)的能量低，N原子穩(wěn)定性增強(qiáng)，從而提高了摻雜濃度使p型半導(dǎo)體效果更好．總之，In和N共摻時(shí)與N單摻時(shí)部分態(tài)密度的強(qiáng)度不同，這是由于In的5 s25p1電子組態(tài)與Sn的5 s25 p2電子組態(tài)接近的緣故，In的外層電子與O的作用增強(qiáng)，如同Sn的外層電子同O的作用一樣，形成含離子型的共價(jià)鍵．

圖3 兩種共摻結(jié)構(gòu)下SnO2中In和N元素的各分態(tài)密度(a)In-N摻雜SnO2結(jié)構(gòu);(b)In-2 N摻雜SnO2結(jié)構(gòu)

圖4 能帶結(jié)構(gòu)(a)In-N摻雜;(b)In-2 N摻雜;(c)SnO2本征態(tài)

3.2.光學(xué)介電函數(shù)

在線性光學(xué)響應(yīng)范圍內(nèi)，通常由光的復(fù)介電函數(shù)ε(ω)=ε1(ω)+iε2(ω)來(lái)描述固體的宏觀光學(xué)響應(yīng)函數(shù)，ε1(ω)為介電實(shí)部，ε2(ω)為介電虛部，通過(guò)占據(jù)態(tài)和非占據(jù)態(tài)波函數(shù)之間的動(dòng)量矩陣元求出［22］淵區(qū)，Κ是倒格矢，=h/2π，|e·ΜCV(Κ)|2為動(dòng)量躍遷矩陣元，EC(k)，EV(k)分別為導(dǎo)帶和價(jià)帶上的本征能級(jí)．根據(jù)Kramer-Kronig色散關(guān)系由ε2(ω)可求出

其中P是動(dòng)量矩陣元．其他光學(xué)性質(zhì)，如吸收系數(shù)、反射率、折射率等也可由介電實(shí)部和虛部求出．

In和N共摻雜SnO2材料有關(guān)光學(xué)性質(zhì)的研究報(bào)道相對(duì)較少，這里對(duì)In，N兩種共摻雜，在N的含量增加一倍以及本征態(tài)情況下的光學(xué)性質(zhì)進(jìn)行比較．

其中m為自由電子質(zhì)量，e為電子電量，ω為入射光子頻率，C，V簡(jiǎn)記為導(dǎo)帶和價(jià)帶，BZ表示第一布里

圖5 無(wú)摻雜以及In-N和In-2 N摻雜SnO2的光學(xué)性質(zhì)(a)介電虛部ε2(ω);(b)介電實(shí)部ε1(ω);(c)吸收系數(shù)，(d)反射系數(shù)

圖5中為無(wú)摻雜以及In，N兩種共摻雜情況下的光學(xué)性質(zhì)，其中圖5中的(a)和(b)為介電函數(shù)實(shí)部和虛部譜．不考慮接近零能量位置的譜線變化情況，本征態(tài)介電函數(shù)虛部譜存在兩個(gè)大小非常接近的主躍遷峰，分別在7.2和9.8 eV處，從能帶圖上可知它來(lái)自O(shè)的2 p態(tài)到Sn的5 s能級(jí)間的電子躍遷．摻雜下介電虛部譜中在8.58 eV附近存在一個(gè)峰值大小為7.64的主介電峰，另外在13.8 eV處有一非常微弱的次介電峰，其大小為3.2．實(shí)部譜中，In-N和In-2N兩種共摻結(jié)構(gòu)的介電常數(shù)稍有不同，分別是8.87和9.53，比SnO2本征態(tài)［16］、Ⅲ族金屬摻雜［17］、N替代O摻雜［18］結(jié)構(gòu)下的都要明顯增大．

通過(guò)對(duì)共摻下的電子態(tài)密度和能帶結(jié)構(gòu)分析我們得到，該主介電峰主要是由位于價(jià)帶頂?shù)腘 2 p態(tài)電子到Sn 5 s態(tài)能級(jí)躍遷形成的，同時(shí)也有一部分是來(lái)自O(shè) 2p態(tài)到Sn 5 s態(tài)的躍遷．與單摻時(shí)相比，In和N在單摻時(shí)的介電虛部譜都接近于SnO2本征態(tài)，存在3個(gè)主介電峰，而共摻下的主介電峰只有一個(gè);再與單摻下的主峰位置比較，共摻下的主峰發(fā)生了右移，峰值強(qiáng)度也顯著增大，表明共摻時(shí)摻雜化合物中N的2p態(tài)與In的5 s態(tài)之間發(fā)生強(qiáng)烈的相互作用，抵消了受主元素之間排斥勢(shì)的影響，從而引起帶隙內(nèi)雜質(zhì)能級(jí)發(fā)生改變，降低了受主能級(jí)提高了施主能級(jí)，正是由于施主元素In的能態(tài)參與作用，發(fā)生N 2 p態(tài)到In 5 s能級(jí)的電子躍遷，才形成了強(qiáng)度較大的唯一躍遷峰．對(duì)于虛部譜中的次介電峰，是由位于價(jià)帶較深位置的O 2p態(tài)電子向?qū)系腟n 5 p態(tài)發(fā)生躍遷形成．由于In和N的替代作用，使得晶體材料中形成此介電峰的O和Sn的電子態(tài)減少，因而此次介電峰的組成態(tài)減少，峰值強(qiáng)度減小．

圖5(c)和(d)為本征態(tài)以及共摻下的吸收譜和反射譜，可知兩種共摻結(jié)構(gòu)的吸收譜整體上的變得平緩，與主介電峰有相同的電子躍遷來(lái)源．與本征態(tài)下的吸收譜相比，本征態(tài)存在3個(gè)逐漸增大的主吸收峰，摻雜下在達(dá)到最大吸收峰值之前譜線上只存在一個(gè)主吸收峰，且譜線向低能方向移動(dòng)．在III族元素?fù)诫s［17］和N元素?fù)诫s［18］下的吸收譜也存在3個(gè)逐漸增大的主吸收峰，說(shuō)明共摻結(jié)構(gòu)吸收峰數(shù)目減少，但是吸收峰的能量范圍增大，預(yù)示著可吸收光的波段范圍變寬;而反射率在8.6 eV左右的反射峰，對(duì)應(yīng)價(jià)帶頂?shù)? p電子到導(dǎo)帶底5 s態(tài)躍遷的過(guò)程;以12.5 eV位置為界，在大于此位置的能量范圍上，吸收譜增加，同時(shí)反射譜的譜線也是呈增長(zhǎng)趨勢(shì)．

4.結(jié)論

In和N作為共摻雜元素，形成的In-N和In-2 N兩種共摻雜結(jié)構(gòu)，在從－11 eV到－12 eV能量范圍和帶隙內(nèi)產(chǎn)生局域能級(jí)，兩種共摻化合物都具有半金屬的性質(zhì)，且In-2 N摻雜自旋向下的方向上出現(xiàn)的局域態(tài)要明顯多于與In-N時(shí)的．另外，共摻化合物中N的2p態(tài)與In的5 s態(tài)之間發(fā)生強(qiáng)烈的相互作用，抵消了受主之間排斥勢(shì)的影響而引起帶隙內(nèi)雜質(zhì)能級(jí)發(fā)生改變，從而降低了受主能級(jí)提高了施主能級(jí)．通過(guò)摻入激活施主元素In，有效地提高了受主摻雜元素N的摻雜濃度，并有效地提高了摻雜系統(tǒng)的穩(wěn)定性．共摻時(shí)，In-N和In-2 N兩種結(jié)構(gòu)的介電函數(shù)峰值數(shù)目同In和N單摻時(shí)減少，但峰值強(qiáng)度明顯增大．

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［15］Zhang F C，Zhang Z Y，Zhang W H，Yan J F，Yong J N 2009 Chin．Phys．B 18 2508

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［18］Yu F，Wang P J，Zhang C W 2010 Acta Phys．Sin．59 7277(in Chinese)［于峰、王培吉、張昌文2010物理學(xué)報(bào)59 7277］

［19］Thangaraju B 2002 Thin Solid Films 402 71

［20］Hazen R M，F(xiàn)inger L W 1981 J．Phys．Chem．Solid 42 143

［21］Bolzan A A，F(xiàn)ong C，Kennedy B J，Howard C J 1997 Acta Cryst．B 53 373

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PACS:31．15．A－，71．15．Dx，71．15．Mb

*Project supported by the National Natural Science Foundation of China(Grant No．60471042)，the Natural Science Foundation of Shandong Province，China(Grant No．ZR2010 EL017)，and the Doctor Foundation of University of Jinan，China(Grant No．xbs1043)．

Corresponding author．E-mail:ss_wangpj@ujn．edu．cn

Material opto-electronic properties of In，N co-doped SnO2studied by first principles*

Lu Yao Wang Pei-JiZhang Chang-Wen Jiang Lei Zhang Guo-Lian Song Peng
(School of Science，University of Jinan，Jinan 250022，China)
(Received 3 August 2010;revised manuscript received 16 September 2010)

In this paper we use first-principles full potential linearized augmented plane wave method(FP-LAPW)to inwestigate density of states(DOS)，band structure and optical properties of the materials that doped with In and N．The results show that the doping structure has fine locat levels in both the spin-down direction and the spin-up direction and both state densities are symmetrical．The local levels are produced in the spin-down direction in the band gap，and codoped compounds show being semi-metallic．The energy band structure indicates that the two co-doped compounds are still direct band gap semiconductors．The top of valence band shifts toward the low energy with the increase of the concentration of N，so obviously the band gap is widened．The main dielectric peak of imaginary part of dielectric function exists only at 8.58 eV，the position of main peak shifts to ward the right and the peak intensity increases significantly．The static dielectric constants of two different concentrations of N-doped structure also significantly increase，and a strong interaction takes place between the states of N 2p and In 5s．The number of peaks of co-doped absorption spectra reduces and the range of absorption wavelength is broadened．

electronic structure，density of states，band structure，optical property

*國(guó)家自然科學(xué)基金(批準(zhǔn)號(hào):60471042)、山東省自然科學(xué)基金(批準(zhǔn)號(hào):ZR2010 EL017)、濟(jì)南大學(xué)博士基金(批準(zhǔn)號(hào):xbs1043)資助的課題．

．E-mail:ss_wangpj@ujn．edu．cn