趙 新, 蒲永平, 陳小龍
(陜西科技大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院, 陜西 西安 710021)
自發(fā)現(xiàn)BaTiO3(BT) 陶瓷的鐵電性能以來(lái),為滿足應(yīng)用的需求,研發(fā)具有鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的化合物ABO3倍受科研人員的關(guān)注.具有鈣鈦礦型的鈦酸鋇基陶瓷由于高介電常數(shù)而被廣泛的應(yīng)用于存儲(chǔ)器、顯示器、傳感器、調(diào)節(jié)器等電子器件[1,2].近年來(lái),隨著電子技術(shù)的飛速發(fā)展,對(duì)陶瓷材料的要求越來(lái)越高,如高介電常數(shù)、低介電損耗、低污染、高穩(wěn)定性能,用以制備小型大容量的陶瓷電容器[3,4].目前工業(yè)上的解決辦法是在電子元器件的制造過(guò)程中,采用固相摻雜,在BaTiO3中適當(dāng)摻雜錫、鋯、鍶和一些稀土金屬氧化物,以改善其性能.已有的研究表明:采用Sn4+離子和Zr4+離子分別取代Ti4+離子,獲得BaTil-xSnxO3和BaTil-xZrxO3高介電常數(shù)固溶體[5-9].而采用Sr2+離子取代Ba2+離子,在所形成的固溶體Ba1-xSrxTiO3中,當(dāng)≤0.80時(shí),表現(xiàn)出正常的鐵電行為;而當(dāng)富含SrTiO3(>0.80 )時(shí),典型的弛豫行為被觀察到[8-13].對(duì)于Ca2+離子取代Ba2+離子所形成的固溶體Ba1-xCaxTiO3,這種彌散相變行為幾乎不能被觀察到[7].很顯然,對(duì)鈣鈦礦結(jié)構(gòu)不同原子位進(jìn)行適當(dāng)?shù)娜〈?,通常?duì)材料的物理性能產(chǎn)生顯著的影響.
BaTiO3和SrTiO3能夠完全固溶而形成具有鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的鐵電體,其介電性能受r(Ba∶Sr)的影響,通過(guò)調(diào)節(jié)r(Ba∶Sr),可在一定范圍內(nèi)調(diào)節(jié)其居里溫度.BST具有高電容率、低介質(zhì)損耗和抗疲勞的特點(diǎn)[11,12];而B(niǎo)aTiO3-Nb2O3-Co3O4(BNC)系統(tǒng)瓷料是一種晶粒細(xì)小而均勻的鐵電瓷料,這種細(xì)晶結(jié)構(gòu)所帶來(lái)的介電性能上的優(yōu)勢(shì)是具有較高的電容溫度穩(wěn)定特性[13-15].鑒于此,本工作采用固相反應(yīng)的方法,合成了SrTiO3摻雜BNC系統(tǒng)陶瓷, 并對(duì)SrTiO3含量及燒結(jié)溫度對(duì)BNC系統(tǒng)陶瓷結(jié)構(gòu)和介電性能的影響進(jìn)行了研究.
以SrCO3和TiO2為原料,按照SrCO3∶TiO2=1∶1,稱(chēng)料混合后在有機(jī)行星磨中以1 000 r/min混磨8 h,研磨介質(zhì)為蒸餾水,干燥后預(yù)壓柱狀,在高溫電阻爐中、1 250 ℃預(yù)燒4 h,預(yù)合成SrTiO3粉體.圖1中X-射線衍射(XRD)分析,產(chǎn)物純度較高.然后按表1中的成分,稱(chēng)取一定量的BaTiO3、Nb2O5、Co3O4、La2O3、BaSnO3和SrTiO3.按照傳統(tǒng)的氧化物混合工藝,稱(chēng)料混合后在有機(jī)行星磨中以1 000 r/min混磨4 h,研磨介質(zhì)為蒸餾水.在電熱恒溫鼓風(fēng)干燥箱中干燥后造粒,干壓成φ14 mm×1.8 mm的圓片,高溫箱式電阻爐中按一定溫度(1 300 ℃~1 360 ℃)燒成.
表1 BaTiO3-Nb2O3-Co3O4電容器陶瓷的配方(摩爾百分?jǐn)?shù))
燒成的陶瓷試樣被銀電極通過(guò)日本ALFA MIRAGE電子密度天平測(cè)試其密度;采用Aligent 4 980 A電容測(cè)量分選儀測(cè)定1 kHz、1 Vrms下的介溫譜和室溫下的介頻譜.
圖1為預(yù)合成SrTiO3粉體的XRD圖,從圖1中可以看出,實(shí)驗(yàn)制備的粉體衍射峰清晰尖銳,未見(jiàn)有其他物相的雜峰出現(xiàn),合成了純的SrTiO3粉體.
圖1 預(yù)合成SrTiO3粉體的XRD 圖2 燒結(jié)溫度對(duì)SrTiO3摻雜BNC陶瓷收縮率的影響
圖2為燒結(jié)溫度對(duì)SrTiO3摻雜BNC系統(tǒng)陶瓷直徑收縮率的影響.從圖2中可以看出,SrTiO3摻雜BNC陶瓷試樣隨著SrTiO3摻雜量的增加,陶瓷直徑收縮率基本上呈現(xiàn)降低的趨勢(shì).SrTiO3的熔點(diǎn)高達(dá)2 080 ℃,其高的熔點(diǎn),在燒結(jié)過(guò)程中難以形成液相,傳質(zhì)阻力大,因此同溫度下,SrTiO3含量越高,其致密度越低.
SrTiO3摻雜量相同時(shí),隨著燒結(jié)溫度的升高,收縮率依次增大.當(dāng)燒結(jié)溫度高達(dá)1 360 ℃時(shí),陶瓷試樣的收縮率趨于一致.SrTiO3是立方結(jié)構(gòu),與BaTiO3完全固溶,Sr2+離子半徑較Ba2+離子半徑小,隨著Sr2+離子取代量的增加,晶面間距( d-value )減小,即表明晶胞體積縮小,這與燒結(jié)溫度高其直徑收縮率大是一致的.
圖3為1 360 ℃下燒結(jié)的不同濃度SrTiO3摻雜BNC陶瓷在1 kHz、1 Vrms測(cè)試的介電常數(shù)溫度圖和損耗溫度圖.圖3(a)為試樣的介電常數(shù)溫度圖,圖3(b)為溫度損耗圖.由圖3(a)可以看出,隨SrTiO3摻雜量的增加,試樣的介電常數(shù)呈現(xiàn)增大的趨勢(shì).Sr2+離子和Sn4+離子對(duì)A位、B位離子進(jìn)行部分取代導(dǎo)致了相變溫度Tc的大幅下降.這主要是因?yàn)檫m量不活潑Sn4+離子部分取代了活潑的Ti4+離子,使BaTiO3的極化變得不規(guī)則,整體疇結(jié)構(gòu)發(fā)生破壞;另外,半徑較小的Sr2+離子部分取代半徑較大的Ba2+離子,使得BaTiO3的晶胞參數(shù)變小,Ti4+離子的活動(dòng)范圍變小.二者的協(xié)同效應(yīng)導(dǎo)致BNC系統(tǒng)陶瓷介電常數(shù)較高.
從圖3(b)中可以看出陶瓷試樣的損耗隨著SrTiO3摻雜量的增加呈現(xiàn)增大的趨勢(shì).SrTiO3的熔點(diǎn)高達(dá)2 080 ℃,SrTiO3基陶瓷難以燒結(jié)且致密度較差陶瓷存在氣孔,這一缺陷使增加SrTiO3的添加量,不利于BNC系統(tǒng)介電損耗的降低.SrTiO3摻雜提高了BNC系統(tǒng)陶瓷的介電常數(shù),但是不利于BNC系統(tǒng)介電損耗改善.
圖3 1 360 ℃下燒結(jié)的不同濃度SrTiO3摻雜BNC陶瓷介電常數(shù)和損耗圖(a)介溫譜;(b)溫度損耗圖
圖4(a)、(b)為1 360 ℃下燒結(jié)的不同濃度SrTiO3摻雜BNC陶瓷室溫介電常數(shù)隨頻率的變化圖.從圖4中(a)可以看出隨著SrTiO3摻雜量的增加,介電常數(shù)逐漸增大.隨著頻率的增加,介電常數(shù)在低頻區(qū)呈降低趨勢(shì),在高頻區(qū)逐漸達(dá)到飽和,呈現(xiàn)一條直線.這是由于不同的極化方式(電子位移極化,離子位移極化,電子松弛極化,離子松弛極化,界面極化,自發(fā)極化,諧振極化等)對(duì)其產(chǎn)生的不同影響.鈦酸鋇陶瓷存在著電子松弛極化,電子松弛極化對(duì)材料的介電常數(shù)貢獻(xiàn)大,介電常數(shù)可提高到幾千至幾萬(wàn),甚至更大.電子松弛極化建立的時(shí)間約為10-2~10-9s,在高頻電場(chǎng)作用下,電子松弛極化往往不易充分建立起來(lái).因此,表現(xiàn)出其介電常數(shù)隨頻率升高而減小.圖4(b)為介電損耗隨著頻率的變化圖,從圖中可以看出,低頻區(qū)介質(zhì)損耗(tan δ)很高,介質(zhì)損耗隨著頻率的增加呈現(xiàn)降低的趨勢(shì).主要是由于在高頻區(qū)電子松弛極化來(lái)不及完成,沒(méi)有消耗能量.只有自發(fā)極化產(chǎn)生的能量損耗.介質(zhì)損耗對(duì)化學(xué)組成、相組成、結(jié)構(gòu)等因素都很敏感,凡是影響電導(dǎo)和極化的因素都對(duì)陶瓷材料的介質(zhì)損耗有影響.
③不經(jīng)改良直接使用底泥是不可取的。首先,由于底泥營(yíng)養(yǎng)成分如氮、磷等元素匱乏,并且底泥顆粒細(xì)小、物理結(jié)構(gòu)不良、極易板結(jié),從而造成植物生長(zhǎng)困難;其次,選礦底泥中微生物很少,缺乏碳、氮、磷等元素循環(huán)相關(guān)的活性微生物,不能持久地改善土壤。因此,需要通過(guò)添加其他一些材料對(duì)其進(jìn)行改良,改善其物理結(jié)構(gòu);添加有機(jī)質(zhì)增加植物生長(zhǎng)所需的營(yíng)養(yǎng)成分,引入有益功能微生物之后,才能將其用于生態(tài)恢復(fù)。
圖4為不同溫度下燒結(jié)的摻雜0.8 mol% SrTiO3的BNC系統(tǒng)陶瓷的介電常數(shù)溫度圖和損耗溫度圖.從圖4(a)中可以看出,當(dāng)SrTiO3摻雜量一定時(shí),隨著燒結(jié)溫度的升高,介電常數(shù)呈現(xiàn)先增加后降低的趨勢(shì).從圖2可知,燒結(jié)溫度的提高,其直徑收縮率均增大.合適的燒結(jié)溫度有利于陶瓷致密度的提高,缺陷的減少使陶瓷晶粒均勻,有利于介電常數(shù)的提高.燒結(jié)溫度過(guò)高,液相增加,其晶粒異常生長(zhǎng),會(huì)惡化陶瓷的介電性能.燒結(jié)溫度過(guò)低,不能使陶瓷充分燒結(jié),不利于BNC系統(tǒng)陶瓷“殼-核”結(jié)構(gòu)的形成,不利于介電性能的提高.晶粒尺寸在0.7 μm~1.1 μm,陶瓷具有最佳介電性能.晶粒尺寸過(guò)小,不利于晶粒形成“殼-核”結(jié)構(gòu),其介電常數(shù)不高;晶粒尺寸過(guò)大,鐵電相減少更不利于介電常數(shù)的提高和溫度穩(wěn)定性的改善.從圖4(b)可知,當(dāng)SrTiO3摻雜量一定時(shí),BNC陶瓷的介電損耗隨著燒結(jié)溫度提高逐漸降低,說(shuō)明較高的燒結(jié)溫度使陶瓷較致密,缺陷減少,從而陶瓷的介電損耗降低.這和圖2中SrTiO3摻雜BNC陶瓷的收縮率相符.
圖5 摻雜0.1 mol%SrTiO3的BNC陶瓷在不同溫度下燒結(jié)的介電常數(shù)和損耗圖(a)介電常-數(shù)溫度圖;(b)溫度-損耗圖
(1)所制備的SrTiO3摻雜的BNC陶瓷的致密度隨著SrTiO3加入量的增加先增加后降低,在1 360 ℃下具有最大致密度.
(2)SrTiO3的加入有利于BNC系統(tǒng)陶瓷介電常數(shù)的提高,由于其不利于陶瓷試樣的燒結(jié),因此其介電損耗是隨著SrTiO3的加入而呈現(xiàn)增加的趨勢(shì).
(3)摻雜0.1 mol% SrTiO3的BNC陶瓷隨著燒結(jié)溫度的升高(1 300 ℃,1 320 ℃,1 340 ℃,1 360 ℃),BNC系統(tǒng)陶瓷致密度和介電常數(shù)逐漸增大,損耗則呈現(xiàn)降低的趨勢(shì).提高燒結(jié)溫度有利于SrTiO3摻雜BNC系統(tǒng)陶瓷介電常數(shù)的提高和損耗的降低.
參考文獻(xiàn)
[1] 張 蓓,黃焱球,宛新武,等. 鈦酸鍶鋇-氧化鋅復(fù)合陶瓷的結(jié)構(gòu)與介電性能[J]. 電子元件與材料,2010,29(2):20-23.
[2] 王學(xué)榮, 唐吉龍. (Ba ,Sr)TiO3基電容器陶瓷的制備及介電性能[J]. 河北師范大學(xué)學(xué)報(bào)/自然科學(xué)版,2009,33(1):58-61.
[3] 符春林,楊傳仁,陳宏偉,等. 鈦酸鍶鋇薄膜的制備與應(yīng)用研究進(jìn)展[J]. 電子元件與材料,2003,22(5):47-50.
[4] 云斯寧,王曉莉,孫曉亮. Ba1-xSrxTi0.88Sn0.12O3陶瓷結(jié)構(gòu)與介電性能的研究[J]. 材料工程,2009,9:49-52.
[5] 王曉鳳,曲遠(yuǎn)方,李小燕,等. La2O3對(duì)Ba0. 92Sr0.08Ti0.9Sn0.1介質(zhì)陶瓷結(jié)構(gòu)及性能的影響[J]. 壓電與聲光,2009,31(4):556-561.
[6] 楊林波,張樹(shù)人,唐 斌,等. CaZrO3摻雜對(duì)耐高溫陶瓷電容介電性能的影響[J]. 壓電與聲光,2008,30(4):443-445.
[7] Jianquan Qi , Zhilun Gui, Yongli Wang,etal.. Difference of Bi2O3doping effect between vapor process and solid process on Ba11-xSrxTiO3semiconducting ceramics[J]. Materials Science and Engineering,2002,B95:283-286.
[8] Jae-Ho Jeon. Eect of SrTiO3concentration and sintering temperature on microstructure and dielectric constant of Ba1-xSrxTiO3[J]. Journal of the European Ceramic Society,2004,24:1 045-1 048.
[9] 金莉莉,曲遠(yuǎn)方,蔡永進(jìn). Nb2O5對(duì)Ba0.68Sr0.32Ti1-xSnxO3陶瓷介電性能的影響[J]. 電子元件與材料,2008,27(8):28-30.
[10] 鄭敏貴,何新華,黎卓華,等. Sr0.3Ba0.7Bi3.7La0.3Ti4O15鐵電陶瓷的燒結(jié)及介電性能[J]. 電子元件與材料, 2008,27(4):48-51.
[11] Robert C. Pullar, Yong Zhang , Lifeng Chen ,etal.. Manufacture and measurement of combinatorial libraries of dielectric ceramics Part II. Dielectric measurements of Ba1-xSrxTiO3libraries[J]. Journal of the European Ceramic Society,2007,(27):4 437-4 443.
[12] D.R. Patil, S.A. Lokare, R.S. Devan,etal.. Studies on electrical and dielectric properties of Ba1-xSrxTiO3[J]. Materials Chemistry and Physics,2007,(104):254-257.
[13] Wen Li, Jianquan Qi, Yongli Wang,etal..Doping behaviors of Nb2O5and Co2O3in temperature stable BaTiO3-based ceramics[J]. Materials Letters,2002,(57):1-5.
[14] 王悅輝, 莊志強(qiáng). Nb、Co、La摻雜對(duì)BaTiO3介質(zhì)陶瓷性能的影響[J]. 電子元件與材料,2005,24(1):29-31.