納米ZnO研究進(jìn)展

納米材料是指顆粒直徑在1～100 nm[1]、介于宏觀物體和原子簇之間的粒子。從宏觀和微觀來看，納米材料是一種典型的介觀系統(tǒng)，具有表面效應(yīng)、體積效應(yīng)、量子尺寸效應(yīng)和宏觀量子隧道效應(yīng)等，因而具有許多奇異的光、熱、電、磁、力以及化學(xué)方面的性質(zhì)。

由于粉體微結(jié)構(gòu)、尺寸和形貌等因素對所制備材料的特性及其應(yīng)用具有重要的影響，粉體顆粒的形貌控制研究備受關(guān)注。自從發(fā)現(xiàn)碳納米管[2]以來，具有特殊物理化學(xué)特性的不同形貌的低維微納米晶體得到了廣泛研究。就ZnO而言，納米ZnO有很強(qiáng)的自組織生長能力，在穩(wěn)定的制備條件下，其分子間相互作用很明顯，分子能嚴(yán)格按晶格排列外延生長，形成成分單一、配比完整的結(jié)構(gòu)。近年來，隨著材料制備技術(shù)的不斷發(fā)展和日趨完善，特別是分子束外延(MBE)、金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)等先進(jìn)技術(shù)的出現(xiàn)，利用ZnO的自組織行為，許多具有特殊形態(tài)和性質(zhì)的ZnO納米材料(納米線、納米帶、納米棒、納米片等)的制備均有報道。作者在此介紹各種納米結(jié)構(gòu)ZnO材料的最新進(jìn)展。

1 ZnO納米顆粒

顆粒狀是最簡單的ZnO納米結(jié)構(gòu)。制備ZnO納米顆粒的方法主要有氣相法和液相法。氣相法是通過Zn蒸氣在氧氣中直接氧化，或者在真空(或惰性氣氛)中，高溫加熱利用噴霧法導(dǎo)入的Zn(NO3)2使其熱分解，最后生成ZnO納米顆粒。液相法又分為直接沉淀法、均勻沉淀法、溶膠-凝膠法等。直接沉淀法是在金屬鹽溶液中加入沉淀劑，在一定的條件下將沉淀析出，除去陰離子后加熱，制得納米氧化物。常見的沉淀劑有：氨水(NH3·H2O)、碳酸銨[(NH4)2CO3]、碳酸鈉(Na2CO3)、草酸銨[(NH4)2C2O4]、碳酸氫銨(NH4HCO3)等[3, 4]。均勻沉淀法是利用化學(xué)反應(yīng)使沉淀劑在溶液中均勻釋放構(gòu)晶離子，并使沉淀在溶液中緩慢均勻地析出。常用的沉淀劑有：尿素[CO(NH2)2]、六次甲基四胺[(CH2)6N4]。溶膠-凝膠法(Sol-gel)主要是用鋅鹽與有機(jī)醇反應(yīng)生成前驅(qū)體，加入堿反應(yīng)得到原生ZnO膠體，通過脫水、干燥而得到納米ZnO。

2 ZnO納米棒(線、帶)

納米棒(線、帶)屬于準(zhǔn)一維實(shí)心納米材料，在二維方向上為納米尺度，其長度比二維方向上的尺度大得多。通常，縱橫比(Aspect ratio)小于10的稱為納米棒、大于10的稱為納米線。

目前，關(guān)于準(zhǔn)一維納米ZnO制備的報道較多，常用的方法有高溫氣相法[5，6]、直接沉淀法[7, 8]、微乳液法[9]、水熱法[10～12]、超聲化學(xué)法[13]、模板法[14～16]、氧化還原法[17]等。高溫氣相法通過氣相轉(zhuǎn)移方法(貴金屬催化和高溫汽化)能夠合成一維納米結(jié)構(gòu)ZnO。該方法是在高溫(900～1100℃)下將反應(yīng)物氣體溶解到納米尺寸的催化劑液滴中，成核、生長成納米棒然后生長成納米線，最后被氣體輸運(yùn)到較低溫度襯底上。采用高溫氣相法雖然能制得各種形貌的一維納米結(jié)構(gòu)ZnO，且容易實(shí)現(xiàn)自組裝，但生長條件苛刻，反應(yīng)常需要在1000℃左右的高溫下進(jìn)行，難以大規(guī)模生產(chǎn)[18]。

一維納米結(jié)構(gòu)ZnO生長機(jī)理可分為氣-液-固(Vapor-Liquid-Solid, VLS)生長法和氣-固(Vapor-Solid, VS)生長法。VLS生長法的主要思路是以液態(tài)金屬團(tuán)簇為催化劑，將源材料加熱形成蒸氣，然后隨載流氣體(Ar和N2)擴(kuò)散到催化劑表面，升溫后使催化劑和反應(yīng)物形成液態(tài)合金。當(dāng)液態(tài)合金形成超飽和團(tuán)簇狀態(tài)時，沉積在固液界面上生長出相應(yīng)的一維納米結(jié)構(gòu)ZnO。該方法常用的催化劑有Au、Fe2O3、Se、Ni等。VS生長法是將一種或幾種反應(yīng)物，在高溫區(qū)通過加熱形成蒸氣，然后用惰性氣流運(yùn)送到反應(yīng)低溫區(qū)或者快速降溫使蒸氣直接沉積下來，生成一維納米結(jié)構(gòu)ZnO。圖1給出了幾種典型的一維納米結(jié)構(gòu)ZnO的TEM和SEM照片。其中圖1a是以VLS生長法、用Sn催化生長得到的ZnO納米棒[19]形貌圖，可以明顯看出，棒的頂端有一合金液滴，即Zn-Sn合金液滴。圖1b是Pan等[20]采用熱蒸發(fā)法制備的Zn納米帶形貌圖。圖1c是Yuhas等[21]采用溶液法制備的ZnO納米線形貌圖。

a. ZnO納米棒(SEM) b. ZnO納米帶(TEM) c. ZnO納米線(SEM)

ZnO納米帶為沿著[001]方向生長的單晶。納米帶的寬度在50～300 nm之間，且在其長度方向上保持不變。和硅以及復(fù)合半導(dǎo)體線狀結(jié)構(gòu)相比，納米帶是迄今唯一具有結(jié)構(gòu)可控且無缺陷的寬帶半導(dǎo)體一維帶狀結(jié)構(gòu)。

溶液化學(xué)使大量制備ZnO納米棒(線)成為可能。其中，以水熱法最為常用，基本原理是：鋅的含氧酸鹽(如硝酸鋅、醋酸鋅等)和某些有機(jī)表面活性劑(如三乙醇胺、六亞甲基四胺等)的水溶液，加熱到較高的溫度(70～90℃)并保持一定的酸堿度，反應(yīng)一段時間，即得到ZnO納米棒(線)和其它一些結(jié)構(gòu)的納米ZnO。常用十六烷基三甲基溴化銨(CTAB)、檸檬酸三鈉(TCD)、乙二胺(EDA)、聚乙二醇(PEG)、十二烷基苯磺酸鈉(DBS)等作為形貌控制劑。Zhang等[18]在沒有模板劑存在的條件下，在醇溶液中制得了大量一維結(jié)構(gòu)的納米ZnO。針對濕化學(xué)法制得的ZnO納米棒直徑較大(大于150 nm)的問題，Liu等[22]對水熱法進(jìn)行改進(jìn)，制得長徑比達(dá)30～40、平均直徑小于50 nm的單晶單分散ZnO納米棒(圖2)。為了得到尺寸均勻、長徑比分布窄的納米棒，Guo等[9]采用微乳液法，以DBS為保護(hù)劑、Zn鹽為原料，制得ZnO納米棒。該方法條件溫和、易于操作、重復(fù)性好，得到的產(chǎn)物定向性好、生長均勻。

圖2 直徑小于50 nm的ZnO納米棒的TEM照片

3 ZnO納米列陣

在ZnO納米棒(線)的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的高度有序生長的ZnO納米列陣，因其在短波激光器[23]、太陽能電池電極[24]等領(lǐng)域的應(yīng)用，近年來成為人們研究的熱點(diǎn)。

目前基于襯底生長ZnO納米列陣的方法主要有VLS法[25, 26]、化學(xué)氣相沉淀法(CVD)[27]、激光燒蝕法[16]等。Wang等[28]采用物理氣相沉積法在C軸取向的ZnO薄膜上合成了規(guī)則排列的ZnO納米線列陣。ZnO薄膜的C軸取向決定了ZnO納米線的生長方向。另外，采用化學(xué)氣相反應(yīng)法制得了高度取向的ZnO納米針列陣[29]。大量的ZnO納米管也在濕氧環(huán)境下采用熱蒸發(fā)法制得[30]。但由于這些方法工藝復(fù)雜、反應(yīng)溫度高，不利于ZnO納米棒列陣的大規(guī)模應(yīng)用。

濕化學(xué)法解決了這一問題。濕化學(xué)法主要是在溶液中，在特定的基底上生長ZnO納米列陣。列陣的制備通常采用不同的基底，如硅[31, 32]、導(dǎo)電玻璃[33]、有機(jī)基底[34][聚酰亞胺(PI)、熱塑性聚氨酯(TPU)、聚碳酸酯(PC)]等。另外，在基底上的修飾物也不相同，常用的有Au[35]、ZnO[36, 37]、TiO2[38]等。Vayssieres等[15, 33]在Zn(NO3)2和(CH2)6N4的混合溶液中采用簡單的濕化學(xué)法在襯底上生長出了高度取向的ZnO微米棒，單根棒的直徑約為1～2 μm。Govender等[35]先在導(dǎo)電玻璃上濺射一層金膜，然后再在Zn(Ac)2、Zn(NO3)2和(CH2)6N4的混合溶液中生長ZnO納米棒，納米棒的平均直徑約為530 nm，限制了其在納米電子器件等領(lǐng)域的應(yīng)用。Hung等[39]用十六烷基三甲基胺的氫氧化物(CTAOH)作為催化劑和表面活性劑，在醋酸鋅水溶液中通過溶膠-凝膠法在玻璃襯底制備ZnO薄層，然后將薄層作為襯底在硝酸鋅和六亞甲基四胺的水溶液中生長出排列整齊的直徑為40～50 nm的ZnO納米棒。Boyle等[40]先用一定配比的硝酸鋅和三乙醇胺的水溶液制備均勻規(guī)整的ZnO顆粒薄層，再在該薄層上用醋酸鋅和六亞甲基四胺的水溶液合成ZnO納米棒；控制溶液的pH值，可得到尺度和取向均勻的ZnO納米棒。

Green 等[41]將 5～10 nm的ZnO納米晶旋涂在Si(100)上形成厚度為50～200 nm的晶種膜層，通過低溫水熱法在Si(100)上生長ZnO納米線列陣(圖3)。該方法得到的ZnO納米線列陣直徑較窄、取向性好，在太陽能電池、光致發(fā)光等領(lǐng)域都有較好的應(yīng)用。

a～d的標(biāo)尺分別為2 mm、1 mm、500 nm、200 nm

4 其它ZnO納米結(jié)構(gòu)

除了納米棒(線)外，ZnO還有許多特殊的納米結(jié)構(gòu)，如納米花[42, 43]、納米盤[44]、納米梳[45, 46]、納米彈簧[47]、納米橢圓[48]等。

張軍等[42]以鋅酸離子或鋅氨絡(luò)離子為前驅(qū)體，通過改變反應(yīng)溶劑、溫度和pH值，制備了雪花狀、多刺球狀的ZnO微晶。Ye等[43]利用添加CTAB的硝酸鋅和氫氧化鈉混合溶液，在水熱條件下合成了直徑約為5 μm的花狀結(jié)構(gòu)的納米ZnO。這些花狀納米ZnO由許多細(xì)小箭狀的棒組成，棒長約2.5 μm、寬200～300 nm，分散性良好。Oliveira等[48]同樣利用硝酸鋅與氫氧化鈉反應(yīng)，通過控制反應(yīng)溫度和pH值，得到橢圓形納米ZnO(圖4)；控制一定條件，該特殊結(jié)構(gòu)可向星形轉(zhuǎn)化。

圖4 橢圓形納米ZnO的SEM照片

此外，通過控制生長條件，用氣相法可制備不同形貌的一維ZnO納米微晶。通過改變Zn蒸氣的釋放速率，用不同ZnO粉末和不同C粉的混合物可得到不同結(jié)構(gòu)的納米ZnO[49, 50]。當(dāng)使用ZnO粉末和石墨時，得到四腳狀結(jié)構(gòu)的納米ZnO(圖5a)；當(dāng)使用ZnO納米顆粒和C納米管時，得到帶有節(jié)點(diǎn)的骨狀結(jié)構(gòu)的納米ZnO(圖5b)。

a.四腳狀結(jié)構(gòu)納米ZnO b.帶有節(jié)點(diǎn)的骨狀結(jié)構(gòu)納米ZnO

劉娟等[44]熱蒸發(fā)Zn、In2O3和C粉混合物，在沒有催化劑的條件下制備出摻銦ZnO納米盤。類似地，以ZnO、In2O3和石墨為原料，通過改變原料的比例而改變In∶Zn流速比，得到不同形貌的納米ZnO[51]。Yan等[45]采用純鋅粉，在溫度為850℃的條件下熱蒸發(fā)輸運(yùn)沉積，制備了梳狀結(jié)構(gòu)納米ZnO。Huang等[46]以ZnCu2作Zn源，在水蒸氣環(huán)境下，嚴(yán)格控制反應(yīng)溫度和氣體流速，也制得了ZnO納米梳，如圖6所示。這種自組裝生長的、形狀規(guī)整的納米線單維列陣將在納米激光器列陣、激光干涉/耦合、非線性集群效應(yīng)、納米機(jī)電系統(tǒng)等方面得到更廣泛的應(yīng)用。

a.梳狀結(jié)構(gòu)串納米ZnO b.單根梳狀結(jié)構(gòu)納米ZnO

5 特殊結(jié)構(gòu)ZnO納米復(fù)合物

納米結(jié)構(gòu)ZnO材料的研究，不僅集中于其自身的優(yōu)良性能，基于ZnO的納米復(fù)合物的研究也相當(dāng)廣泛。目前已有很多關(guān)于不同材料與納米ZnO復(fù)合得到特殊形貌復(fù)合物的報道，如過渡金屬[52]、金屬氧化物[53]、金屬硫化物[54]、生物材料[34]等。通過復(fù)合，可以改善納米ZnO在光透過、電導(dǎo)等方面的性能，為其應(yīng)用開拓更廣闊的領(lǐng)域。

Lao等[53]采用蒸氣傳導(dǎo)冷凝技術(shù)，合成了刷狀納米結(jié)構(gòu)In2O3-ZnO，其SEM照片見圖7。

該刷狀結(jié)構(gòu)外層毛邊可控制為2-、4-、6-開對稱結(jié)構(gòu)，分別以2、4、6個不同晶面組成的單晶In2O3納米線為中線，在其上生長ZnO納米棒制得。

圖7 4-開對稱結(jié)構(gòu)納米ZnO的SEM照片

目前，對于過渡金屬M(fèi)摻雜的M-ZnO復(fù)合物的報道，以塊狀晶體或薄膜居多[55, 56]，很少涉及一維納米結(jié)構(gòu)M-ZnO復(fù)合物。即便有個別報道[57]，也是在較苛刻的條件下(高溫、氣相)實(shí)現(xiàn)的。由于反應(yīng)溫度過高，限制了金屬的均一摻雜。Yuhas等[21]在此基礎(chǔ)上做了改進(jìn)，采用傳統(tǒng)制備純ZnO納米線的溶液法，制得Co摻雜的Co-ZnO納米線。該方法同樣適用于Mn、Fe、Cu等過渡金屬的摻雜。

Liu等[34]以熱塑性聚氨酯(TPU)為柔性基底，生長二巰基丁二酸(DMSA)生物改性的ZnO-DMSA納米棒列陣。結(jié)果發(fā)現(xiàn)，隨著DMSA添加時間的變化，ZnO-DMSA納米棒列陣的形貌也在棒狀與片狀之間發(fā)生轉(zhuǎn)變。牛血清白蛋白(BSA)修飾到列陣上后，進(jìn)一步結(jié)合人血清白蛋白(HSA)，形成ZnO-BSA-b-HSA復(fù)合納米棒列陣。熒光光譜(PL)分析表明，結(jié)合HSA后，紫外光發(fā)射強(qiáng)度明顯增大。因此，可根據(jù)這一現(xiàn)象來檢測未知蛋白質(zhì)樣品。

6 結(jié)語

作為寬帶隙半導(dǎo)體材料，納米ZnO以其優(yōu)異的性能在工業(yè)、軍事、生活等諸多領(lǐng)域都起到重要的作用。其中，特殊結(jié)構(gòu)納米ZnO的優(yōu)異特性更為研究者們關(guān)注。目前，國內(nèi)外對納米ZnO的研究重點(diǎn)將側(cè)重于以下幾個方面：(1)開發(fā)合成方法簡單、易于工業(yè)化的納米ZnO制備技術(shù)；(2)研究具有新穎結(jié)構(gòu)兼具優(yōu)異性能的新型納米ZnO及其復(fù)合材料；(3)深入考察納米ZnO結(jié)構(gòu)與性能之間的相互聯(lián)系，以滿足光、電、磁等各領(lǐng)域?qū){米ZnO材料的要求。

參考文獻(xiàn)：

[1] 張立德, 牟季美. 納米材料和納米結(jié)構(gòu)[M]. 北京: 科學(xué)出版社, 2002: 1-95.

[2] Iijima S. Helical microtubles of graphitic carbon[J]. Nature, 1991, 354(6348): 56-58.

[3] 龔海燕, 李小紅, 張治軍. 油分散性氧化鋅納米微粒的制備及表征[J]. 無機(jī)化學(xué)學(xué)報, 2006, 22(3): 426-430.

[4] 王金敏, 高濂. 單分散超細(xì)ZnO粉體的制備與表征[J]. 無機(jī)化學(xué)學(xué)報, 2003, 19(11): 1249-1252.

[5] 艾仕云, 金利通, 周杰, 等. 均一形貌的ZnO納米棒的制備及其光催化性能研究[J]. 無機(jī)化學(xué)學(xué)報, 2005, 21(2): 270-272.

[6] Wang Y W, Zhang L D, Wang G Z, et al. Catalytic growth of semiconducting zinc oxide nanowires and their photoluminescence properties[J]. J Crystal Growth, 2002, 234(1): 171-175.

[7] 任湘菱, 韓冬, 陳東, 等. 直接沉積法制備棒狀ZnO[J]. 物理化學(xué)學(xué)報, 2005, 21(12): 1419-1421.

[8] 陳智巧, 賀衛(wèi)衛(wèi), 李玉平, 等. 低溫一步液相法合成ZnO納米棒[J]. 無機(jī)化學(xué)學(xué)報, 2007, 23(1): 177-180.

[9] Guo L, Ji Y L, Xu H B. Regularly shaped, single-crystalline ZnO nanorods with wurtzite structure[J]. J Am Chem Soc, 2002, 124(50): 14864-14865.

[10] 宋旭春, 徐鑄德, 韓貴, 等. 氧化鋅納米棒的制備和生長機(jī)理研究[J]. 無機(jī)化學(xué)學(xué)報, 2004, 20(2): 186-190.

[11] 陶新永, 張孝彬, 孔凡志, 等. PEG輔助氧化鋅納米棒的水熱法制備[J]. 化學(xué)學(xué)報, 2004, 62(17): 1658-1662.

[12] 劉榮利, 向群, 潘慶誼, 等. 一維氧化鋅的水熱合成及其氣敏性能的研究[J]. 無機(jī)材料學(xué)報, 2006, 21(4): 793-796.

[13] 沈國柱, 徐政, 朱英杰. 不同形貌ZnO納米粒子的超聲化學(xué)法制備與表征[J]. 無機(jī)化學(xué)學(xué)報, 2005, 21(6): 893-896.

[14] Park W I, Kim D H, Jung S W, et al. Metalorganic vapor-phase epitaxial growth of verticaly well-aligned ZnO nanorods[J]. Appl Phys Lett, 2002, 80(22): 4232-4234.

[15] Vayssieres L, Keis K, Lindquist S E, et al. Purpose-built anisotropic metal oxide material: 3D highly oriented microrod array of ZnO[J]. J Phys Chem B, 2001, 105(17): 3350-3352.

[16] Li Y, Meng G W, Zhang L D, et al. Ordered semiconductor ZnO nanowire arrays and their photoluminescence properties[J]. Appl Phys Lett, 2000, 76(15): 2011-2013.

[17] Hu J Q, Li Q, Wong N B, et al. Synthesis of uniform hexagonal prismatic ZnO whiskers[J]. Chem Mater, 2002,14(3): 1216-1219.

[18] Zhang X L, Kang Y S. Large-scale synthesis of perpendicular side-faceted one-dimensional ZnO nanocrystals[J]. Inorg Chem, 2006, 45(10): 4186-4190.

[19] Gao P, Wang Z L. Self-assembled nanowire-nanoribbon junction arrays of ZnO[J]. J Phys Chem B, 2002, 106(49): 12653-12658.

[20] Pan Z W, Dai Z R, Wang Z L. Nanobelts of semiconducting oxides[J]. Science, 2001, 291(5510): 1947-1949.

[21] Yuhas B D, Zitoun D O, Pauzauski P J, et al. Transition-metal doped zinc oxide nanowires[J]. Angew Chem Int Ed, 2006, 45(3): 420-423.

[22] Liu B, Zeng H C. Hydrothermal synthesis of ZnO nanorods in the diameter regime of 50 nm[J]. J Am Chem Soc, 2003, 125(15): 4430-4431.

[23] Huang M, Mao S, Feick H, et al. Room-temperature ultraviolet nanowire nanolasers[J]. Science, 2001, 292(5523): 1897-1899.

[24] Beermann N, Vayssieres L, Lindquist S E, et al. Photoelectrochemical studies of oriented nanorod thin films of hematite[J]. J Electrochem Soc, 2000, 147(7): 2456-2461.

[25] Huang M H, Wu Y, Feick N, et al. Catalytic growth of zinc oxide nanowires by vapor transport[J]. Adv Mater, 2001, 13(2): 113-116.

[26] Kong Y C, Yu D P, Zhang B, et al. Ultraviolet-emitting ZnO nanowires synthesized by a physical vapor deposition approach[J]. Appl Phys Lett, 2001,78(4): 407-409.

[27] Wu J J, Liu S C. Low-temperature growth of well-aligned ZnO nanorods by chemical vapor deposition[J]. Adv Mater, 2002, 14(3): 215-218.

[28] Wang L S, Zhang X Z, Zhao S Q, et al. Synthesis of well-aligned ZnO nanowires by simple physical vapor deposition on C-oriented ZnO thin films without catalysts or additives[J]. Appl Phys Lett, 2005, 86(2): 24108-24119.

[29] Zhang H Z, Wang R M, Zhu Y M. Effect of adsorbates on field-electron emission from ZnO nanoneedle arrays[J]. J Appl Phys, 2004, 96(1): 624-628.

[30] Xing Y J, Xi Z H, Xue Z Q, et al. Optical properties of the ZnO nanotubes synthesized via vapor phase growth[J]. Appl Phys Lett, 2003, 83(9): 1689-1691.

[31] Tina Z R, Voigt J A, Liu J, et al. Complex and oriented ZnO nanostructures[J]. Nat Mater, 2003, 2(12): 821-826.

[32] Choy J H, Jang E S, Won J H, et al.Soft solution route to directionally grown ZnO nanorod arrays on Si wafter;room-temperature ultraviolet laser[J]. Adv Mater, 2003, 15(22): 1911-1914.

[33] Vayssieres L. Growth of arrayed nanorods and nanowires of ZnO from aqueous solutions[J]. Adv Mater, 2003, 15(5): 464-466.

[34] Liu T Y, Liao H C, Lin C C, et al. Biofunctional ZnO nanorod arrays grown on flexible substrates[J]. Langmuir, 2006, 22(13): 5804-5809.

[35] Govender K, Boyle D S, O'Brien P, et al. Room-temperature lasing observed from ZnO nanocolumns grown by aqueous solution deposition[J]. Adv Mater, 2002, 14(17): 1221-1224.

[36] 郭敏, 刁鵬, 任焱杰, 等. 高度取向ZnO單晶亞微米棒陣列的制備與表征[J]. 物理化學(xué)學(xué)報, 2003, 19(5): 478-480.

[37] 劉曉新, 靳正國, 王惠, 等. ZnO棒晶陣列薄膜的水溶液法生長[J]. 無機(jī)材料學(xué)報, 2006, 21(4): 999-1004.

[38] 楊安麗, 崔作林. 在二氧化鈦修飾的基體上生長氧化鋅納米棒陣列的研究[J]. 無機(jī)材料學(xué)報, 2006, 21(5): 1092-1096.

[39] Hung C H, Whang W T. A novel low-temperature growth and characterization of single crystal ZnO nanorods[J]. Mater Chem Phys, 2003, 82(3): 705-710.

[40] Boyle D S, Govender K, O′Brien P. Novel low temperature solution deposition of perpendicularly orientated rods of ZnO: Substrate effects and evidence of the importance of counter-ions in the control of crystallite growth[J]. Chem Commun, 2002, (1): 80-81.

[41] Green L E, Law M, Goldberger J, et al. Low-temperature wafer-scale production of ZnO nanowire arrays[J]. Angew Chem Int Ed, 2003, 42(26): 3031-3034.

[42] 張軍, 孫聆東, 廖春生, 等. 氧化鋅微晶的制備和形貌控制[J]. 無機(jī)化學(xué)學(xué)報, 2002, 18(1): 72-74.

[43] Ye X Y, Zhou Y M, Sun Y Q, et al. Facile strategy for preparation of Ag/ZnO composites via a simple hydrothermal route[J]. J Nanopart Res, 2009, 11(5):1159-1166.

[44] 劉娟, 張躍, 齊俊杰, 等. 摻銦氧化鋅納米盤的制備、結(jié)構(gòu)及性質(zhì)研究[J]. 物理化學(xué)學(xué)報, 2006, 22(1): 38-42.

[45] Yan H Q, He R, Johnson J, et al. Dendritic nanowire ultraviolet laser array[J]. J Am Chem Soc, 2003, 125(16): 4728-4729.

[46] Huang H B, Yang S G, Gong J F, et al. Controllable assembly of aligned ZnO nanowires/belts arrays[J]. J Phys Chem B, 2005, 109(44): 20746-20750.

[47] Kong X Y, Wang Z L. Polar-surface dominated ZnO nanobelts and the electrostatic energy induced nanohelixes, nanosprings, and nanospirals[J]. Appl Phys Lett, 2004, 84(6): 975-977.

[48] Oliveira A P A, Hochepied J F, Grillon F, et al. Controlled precipitation of zinc oxide particles at room temperature[J]. Chem Mater, 2003, 15(16): 3202-3207.

[49] Leung Y H, Djurisic A B, Gao J, et al. Changing the shape of ZnO nanostructures by controlling Zn vapor release: From tetrapod to bone-like nanorods[J]. Chem Phys Lett, 2004, 385(1-2): 155-159.

[50] Djurisic A B, Leung Y H, Choy W C H, et al. Visible photoluminescence in ZnO tetrapod and multipod structures[J]. Appl Phys Lett, 2004, 84(14): 2635-2637.

[51] Wen J G, Lao J Y, Wang D Z, et al. Self-assembly of semiconducting oxide nanowires, nanorods, and nanoribbons[J]. Chem Phys Lett, 2003, 372(5-6): 717-722.

[52] Dietl T, Ohno H, Matsukara F, et al. Zener model description of ferromagnetism in zinc-blende magnetic semiconductors[J]. Science, 2000, 287(5455): 1019-1022.

[53] Lao J Y, Wen J G, Ren Z F. Hierarchical ZnO nanostructures[J]. Nano Lett, 2002, 2(11): 1287-1291.

[54] Yan C L, Xue D F. Conversion of ZnO nanorod arrays into ZnO/ZnS nanocable and ZnS nanotube arrays via an in situ chemistry strategy[J]. J Phys Chem B, 2006, 110(51): 25850-25855.

[55] Park J H, Kim M G, Jang H M, et al. Co-metal clustering as the origin of ferromagnetism in Co-doped ZnO thin films[J]. Appl Phys Lett, 2004, 84(8): 1338-1340.

[56] Ramachandran S, Tiwari A, Narayan J. Zn0.9Co0.1O-based diluted magnetic semiconducting thin films[J]. Appl Phys Lett, 2004, 84(25): 5255-5257.

[57] Wu J J, Liu S C, Wang M H. Room-temperature ferromagnetism in well-aligned Zn1-xCoxO nanorods[J]. Appl Phys Lett, 2004, 85(6): 1027-1029.