王乘風(fēng),杜小青,陳東初,魏紅陽,王梅豐
(1 佛山科學(xué)技術(shù)學(xué)院 材料科學(xué)與氫能學(xué)院,廣東 佛山 528000;2 南昌航空大學(xué) 材料科學(xué)與工程學(xué)院,南昌 330063;3 武漢理工大學(xué) 材料科學(xué)與工程學(xué)院,武漢 430070)
鎂合金具有密度低、比強(qiáng)度高、鑄造性好、電磁屏蔽能力強(qiáng)和出色的生物相容性等優(yōu)點(diǎn),因此被廣泛應(yīng)用于高新科技和日常生活中[1-2]。但是,由于鎂合金的耐蝕性較差,因此在實(shí)際服役階段容易遭到腐蝕,導(dǎo)致其應(yīng)用范圍受到限制[3]。目前通常采用表面處理技術(shù)提高鎂合金的耐蝕性,即在鎂合金表面制備與鎂合金基底性狀不同的膜層,通過膜層的物理屏障作用阻隔腐蝕介質(zhì),從而提高鎂合金的耐蝕性。常用的鎂合金表面處理技術(shù)有化學(xué)轉(zhuǎn)化[4]、離子注入[5]、陽極氧化[6]和微弧氧化[7]等。其中化學(xué)轉(zhuǎn)化法由于制備工藝簡單、可以處理形狀復(fù)雜的工件等優(yōu)點(diǎn),受到了國內(nèi)外的廣泛關(guān)注[8]。鉻酸鹽化學(xué)轉(zhuǎn)化膜技術(shù)是一種成熟且應(yīng)用較廣的鎂合金表面防腐處理技術(shù),但是膜層中的Cr6+會給環(huán)境造成嚴(yán)重污染[9]。因此,需要尋找新型無污染的化學(xué)轉(zhuǎn)化膜替代傳統(tǒng)的鉻酸鹽化學(xué)轉(zhuǎn)化膜。
層狀雙氫氧化物(layered double hydroxides,LDHs)是由帶正電荷的主體層板與帶負(fù)電的層間陰離子,通過共價(jià)鍵的作用有序組裝而形成的化合物,其主體層板結(jié)構(gòu)由類似水鎂石(MO6)的八面體結(jié)構(gòu)通過共用棱邊作為單元層堆積組成,同時(shí)LDHs 層板之間也會存在一些客體水分子,因此,LDHs 結(jié)構(gòu)呈電中性[10]。LDHs 的通式為H2O,其中,M2+和M3+代表占據(jù)層狀八面體孔的陽離子,An-表示層間電荷補(bǔ)償陰離子,n是層間陰離子的電荷,m是客體水分子的數(shù)量,x表示M3+/(M2++M3+)的摩爾比[11]。在絕大多數(shù)情況下,LDHs 的形成機(jī)制是陽離子層板內(nèi)的M2+被M3+同晶取代并與羥基發(fā)生共價(jià)鍵作用形成LDHs;此外,還存在一種特殊的Li-Al LDHs,其形成機(jī)制是Li+嵌入Al(OH)3的晶格空穴中,化學(xué)式為[LiAl2(OH)6](An-)1/n·mH2O[12]。迄今為止,LDHs 已經(jīng)被用于吸附劑[13]、光催化劑[14]、染料去除劑[15]和金屬防腐膜層[16-17]等領(lǐng)域?,F(xiàn)有研究表明,LDHs 是一種陰離子型插層材料,其制備工藝簡單、環(huán)保,具有良好的物理屏障作用,且獨(dú)特的層間陰離子交換能力使它們能夠捕獲侵蝕性陰離子[18]。因此,在鎂合金表面制備LDHs 防護(hù)膜層,即可大幅提升鎂合金的耐蝕性能,LDHs 膜在鎂合金腐蝕防護(hù)領(lǐng)域具備廣闊的應(yīng)用前景。
目前制備鎂合金表面LDHs 膜最常用的方法是水熱法[19-21],水熱法是將鎂合金基體放入堿性環(huán)境的金屬鹽溶液中,然后在高溫、高壓的條件下反應(yīng),從而在鎂合金表面制備LDHs 膜。Wu 等[19]首先配置了Mg(NO3)2,Al(NO3)3,NaOH 和Na2CO3的混合溶液并通過共沉淀法制備了LDHs 前驅(qū)體漿料,隨后將鎂合金浸泡在LDHs 漿料內(nèi),通過水熱法在120 ℃下反應(yīng)36 h制備得到鎂合金表面Mg-Al LDHs 膜。但是上述流程較為復(fù)雜,因此該方案不利于LDHs 膜的實(shí)際工業(yè)應(yīng)用。Wang 等[20]直接將鎂合金浸泡在Mg(NO3)2,Al(NO3)3和Na2CO3的混合溶液內(nèi),并于125 ℃環(huán)境下反應(yīng)24 h 即得鎂合金表面Mg-AlLDHs 膜,從而簡化了LDHs 膜制備流程。但事實(shí)上合成Mg-Al LDHs 膜的Mg2+源也可以由鎂基底直接提供,從而進(jìn)一步降低制備LDHs 膜的經(jīng)濟(jì)成本;Cheng 等[21]將純鎂直接浸泡在Al(NO3)3溶液內(nèi)并在120 ℃下水熱反應(yīng)12 h,成功制備具有較好耐蝕性的Mg-Al LDHs 膜。
盡管目前已有大量研究[19-23]試圖通過簡化工藝流程、縮短反應(yīng)時(shí)間或添加緩蝕劑等方法解決制備鎂合金表面Mg-Al LDHs 膜所需能耗過高的問題,但是,造成制備LDHs 膜能耗過高的根本原因在于:制備LDHs 膜常用的水熱法需要在高溫、高壓的環(huán)境下,如此嚴(yán)苛的反應(yīng)條件必將限制LDHs 膜的應(yīng)用范圍。為了解決上述問題,Shulha 等[24]將鎂合金浸泡在堿性Al(NO3)3和NaNO3的混合溶液內(nèi),并采用次氮基三乙酸二鈉鹽(NTA)或乙二胺四乙酸(EDTA)作為螯合劑,通過螯合鎂合金陽極溶解的Mg2+和溶液內(nèi)游離的Al3+,實(shí)現(xiàn)在無水熱釜(即常壓)、95 ℃的環(huán)境下于鎂合金表面制備具有層片狀結(jié)構(gòu)的Mg-Al LDHs 膜,該方案大幅降低了制備LDHs 膜所需的反應(yīng)能耗。其中,使用NTA 作為螯合劑時(shí)制備的LDHs 膜具有更高的致密度。但是有研究指出NTA 存在一定的毒性[25]。因此,需要尋找更合適的螯合劑用于制備鎂合金表面Mg-Al LDHs 膜。檸檬酸鈉(sodium citrate,SC)和酒石酸鉀鈉(potassium sodium tartrate,PST)均為無毒、具備較強(qiáng)金屬螯合能力的有機(jī)鹽[26-28],綜上所述,利用檸檬酸鈉或酒石酸鉀鈉較強(qiáng)的金屬螯合能力制備鎂合金表面Mg-Al LDHs 膜具備一定的應(yīng)用前景。
基于以上研究現(xiàn)狀,本工作使用螯合劑輔助法,通過在硝酸鋁溶液內(nèi)分別添加乙二胺四乙酸鈉(EDTA-4Na),SC 和PST 三種螯合劑,隨后在常壓、60 ℃和pH 值為12.0 的環(huán)境下于鎂合金表面原位制備了Mg-Al-EDTA LDHs,Mg-Al-SC LDHs 和Mg-Al-PST LDHs 膜。并使用XRD,F(xiàn)TIR,XPS,電化學(xué)測試分析了該膜層的結(jié)構(gòu)、組成及腐蝕防護(hù)性能。同時(shí)基于膜層的結(jié)構(gòu)、組成等對其形成機(jī)理進(jìn)行了探討。
LDHs 膜是在AZ91D 鎂合金基底上原位制備的。AZ91D 鎂合金基底的成分為:8.5%~9.5%(質(zhì)量分?jǐn)?shù),下同)Al,0.45%~0.9% Zn,0.17%~0.4% Mn,<0.08% Si,<0.004% Fe,<0.001% Ni,余量為Mg。將AZ91D 鎂合金切割成尺寸為30 mm×30 mm×0.5 mm 作為后續(xù)處理的工作樣品。本工作中使用的所有化學(xué)試劑都是分析純。硝酸鋁(Al(NO3)3·9H2O,99%)、檸檬酸鈉(C6H5Na3O7·2H2O,99%)、酒石酸鉀鈉(NaKC4H4O6·4H2O,99%)、乙二胺四乙酸四鈉(C10H12N2Na4O8·2H2O,99%)、氯化鈉(NaCl,99%)、氫氧化鈉(NaOH,99%),均購買自北京伊諾凱科技有限公司,所有藥品都未經(jīng)過進(jìn)一步提純處理。所有溶液使用的溶劑均為去離子水。
AZ91D 鎂合金分別用200,400,800,1200,2000目的砂紙研磨,隨后在無水乙醇中超聲清洗10 min,然后將鎂合金工作樣品浸入2 mol·L-1NaOH 溶液中通過超聲清洗1 min 除去表面氧化物后,再于乙醇中超聲清洗10 min,最后取出冷風(fēng)吹干待用。
將0.1 mol·L-1乙二胺四乙酸四鈉(EDTA-4Na),0.1 mol·L-1檸檬酸鈉(SC),0.1 mol·L-1酒石酸鉀鈉(PST)三種螯合劑分別與0.05 mol·L-1Al(NO3)3·9H2O 混合并溶于去離子水中,隨后加入4 mol·L-1NaOH 溶液將三種混合溶液pH 值都調(diào)至12.0,最后將經(jīng)過前處理后的鎂合金樣品分別浸泡在上述三種混合溶液中,于60 ℃下反應(yīng)9 h 即得Mg-Al LDHs 膜。反應(yīng)結(jié)束后,取出樣品,用去離子水沖洗,冷風(fēng)吹干待用。
采用掃描電子顯微鏡(SEM,Hitachi S4800)和能譜儀(EDS)對樣品進(jìn)行微觀形貌觀察和元素組成測定。通過X 射線衍射儀(XRD,RigakuSmart Lab,Cu靶)表征薄膜的相組成,衍射角度為5°~80°,掃描速度為5 (°)/min,通過MDI Jade 6 軟件對XRD 圖譜進(jìn)行分析。采用傅里葉變換紅外光譜儀(FTIR,Thermo ScientificNicolet iS50)表征薄膜的特征官能團(tuán),F(xiàn)TIR采用衰減全反射法(ATR)測試樣品,掃描范圍為400~4000 cm-1。采用X 射線光電子能譜儀(XPS,Thermo ScientificK-Alpha,AlKa 射線激發(fā)源,1486.6 eV)表征樣品薄膜的相關(guān)化學(xué)信息。
通過動電位極化曲線和電化學(xué)阻抗譜(EIS)測試評價(jià)樣品的耐腐蝕性能。 電化學(xué)測試儀器為CS2350H 電化學(xué)工作站,測試體系為典型的三電極系統(tǒng),其中鎂合金作為工作電極(測試面積1 cm2),鉑片(2 cm×2 cm)和飽和氯化鉀電極(SCE)分別作為對電極和參比電極。所有電化學(xué)測試均在屏蔽箱中進(jìn)行,目的是屏蔽外界干擾。在測試開始之前,將工作電極浸入3.5%NaCl 溶液中1 h,直到開路電位(opencircuitpotential,OCP)穩(wěn)定。Tafel極化曲線的測試范圍為:-0.5~1 V,掃描速度為5 mV/s。EIS 同樣在開路電位穩(wěn)定時(shí)測試,測試頻率范圍為100 kHz~100 mHz,擾動電位(AC)為10 mV,EIS 圖譜采用Z-View軟件分析擬合,從而獲得相應(yīng)的電化學(xué)參數(shù)。
圖1 為不同螯合劑輔助制備Mg-Al LDHs 膜的SEM 圖和EDS 圖譜。通過三種螯合劑輔助均可在AZ91D 表面形成了LDHs 膜典型的納米片狀結(jié)構(gòu),但不同LDHs 膜的表面形貌存在一定差異(圖1(a-1)~(c-1))。由圖1(a-1)可以看出,Mg-Al-EDTA LDHs膜層結(jié)構(gòu)相對均勻,但膜層致密度較低、孔隙較大,這可能會導(dǎo)致膜層對基底的保護(hù)作用較差。圖1(b-1)顯示Mg-Al-SC LDHs 膜呈竹葉狀且相互交錯(cuò)傾倒,同時(shí)可以發(fā)現(xiàn)膜層的納米片呈現(xiàn)褶皺狀態(tài),即膜層致密度相對較低,對基底的防護(hù)作用有限。圖1(c-1)為Mg-Al-PST LDHs 膜的SEM 圖,發(fā)現(xiàn)膜層同樣呈現(xiàn)竹葉狀,但其納米片尺寸小于Mg-Al-SC LDHs 膜,且膜層致密均勻地生長在基底表面,片層間隙也消失。即添加PST 時(shí)得到的Mg-Al-PST LDHs 膜致密度最高,其相互堆積的致密納米片可以給基底提供良好的防護(hù)。其表面形貌對應(yīng)EDS 結(jié)果(圖1(a-2)~(c-2))顯示,制備所得的LDHs 膜層主要成分均為Mg,Al,C,O,N。其中Mg-Al-PST LDHs 中Al3+含量最高,這是因?yàn)轵蟿㏄ST 可以更好地促進(jìn)溶液中游離的Al3+取代鎂合金表面的Mg(OH)2并進(jìn)一步反應(yīng)生成Mg-Al LDHs[24,29]。
圖1 不同螯合劑輔助制備Mg-Al LDHs 膜的SEM 圖及EDS 圖譜(a)Mg-Al-EDTA LDHs;(b)Mg-Al-SC LDHs;(c)Mg-Al-PST LDHs;(1)表面微觀形貌;(2)EDS 圖譜;(3)截面微觀形貌Fig.1 SEM image and EDS spectra of Mg-Al LDHs films prepared with different chelating agents(a)Mg-Al-EDTA LDHs;(b)Mg-Al-SC LDHs;(c)Mg-Al-PST LDHs;(1)surface micromorphology;(2)EDS spectra;(3)cross-section micromorphology
不同LDHs 膜的截面微觀形貌如圖1(a-3)~(c-3)所示,可以發(fā)現(xiàn)三種LDHs 膜均勻致密地生長在鎂合金表面。其中Mg-Al-EDTA LDHs(圖1(a-3)),Mg-Al-SC LDHs(圖1(b-3))和Mg-Al-PST LDHs(圖1(c-3))膜的厚度分別約為1.2,0.9 μm 和1.4 μm。其中Mg-Al-PST LDHs 膜層厚度最大,因此也更有利于阻擋侵蝕性陰離子對鎂合金的滲透和腐蝕。
SEM 和EDS 結(jié)果表明,采用螯合劑輔助法可以在常壓、60 ℃條件下反應(yīng)9 h 后于鎂合金表面原位生成具有典型層狀結(jié)構(gòu)且致密的LDHs 膜,其中添加螯合劑PST 所得Mg-Al-PST LDHs 膜的致密度最高,膜層厚度最大。
為了進(jìn)一步分析螯合劑輔助法制備所得鎂合金表面LDHs 膜的成分,對不同樣品進(jìn)行了XRD,F(xiàn)TIR 和XPS 測試。圖2(a),(b)為AZ91D 鎂合金,分別覆蓋Mg-Al-EDTA LDHs,Mg-Al-SC LDHs 和Mg-Al-PST LDHs 膜的鎂合金XRD 圖譜,從圖2(a)中可以看出,鎂合金基底的衍射峰強(qiáng)度非常高,而LDHs 的峰強(qiáng)度較弱。這是由于X 射線的穿透深度非常高(在固體中穿透厚度一般約為100~10000 μm)[30],而LDHs 膜的厚度僅約為0.9~1.4 μm(圖1(a-3)~(c-3))。因此,為了進(jìn)一步辨別LDHs 膜層的特征峰,將圖2(a)中10°~25°的范圍局部放大至圖2(b),此時(shí)可以觀察到,對于轉(zhuǎn)化液中添加三種不同螯合劑時(shí)制備的樣品,在XRD 圖譜中均可觀測到LDHs 對應(yīng)于(003)和(006)的特征衍射峰(JCPDS No.41-1482),說明通過螯合劑輔助法可以得到LDHs 特征結(jié)構(gòu)。其中Mg-Al-EDTA LDHs 的特征峰分別位于12.48°和20.55°;Mg-Al-SC LDHs 的特征峰分別位于12.28° 和20.46°;Mg-Al-PST LDHs 的特征峰則分別位于12.44°和20.53°。因此,XRD 數(shù)據(jù)進(jìn)一步證明了采用水熱法在此條件下成功在鎂合金表面制備了Mg-Al LDHs 膜層。此外,可以看出Mg-Al-SC LDHs 和Mg-Al-PST LDHs 的LDHs 特征峰強(qiáng)度比Mg-Al-EDTA LDHs 更強(qiáng),這說明SC 和PST 更有利于LDHs 膜的形成;但是Mg-Al-SC LDHs 膜層中Mg(OH)2的峰強(qiáng)度也比Mg-Al-EDTA LDHs 和Mg-Al-PST LDHs 中的更強(qiáng),這說明添加SC 還會同時(shí)促進(jìn)生成Mg(OH)2(JCPDS No.07-0239)。因此綜合可知添加螯合劑PST 更有利于鎂合金表面LDHs 膜的生成。
圖2 Mg-Al-EDTA LDHs,Mg-Al-SC LDHs 和Mg-Al-PST LDHs 膜的XRD,F(xiàn)T-IR 和XPS 測試(a)XRD 圖譜;(b)對應(yīng)放大2θ=10°~25°的XRD 譜圖;(c)FT-IR 圖;(d)~(i)XPS 圖譜Fig.2 XRD,F(xiàn)T-IR,XPS analysis of Mg-Al-EDTA LDHs,Mg-Al-SC LDHs and Mg-Al-PST LDHs films(a)XRD patterns;(b)corresponding to the enlarged XRD spectra of 2θ=10°~25°;(c)FT-IR spectra;(d)-(i)XPS spectra
為了探究螯合劑輔助法制備所得三種LDHs 膜的成分,采用FT-IR 和XPS 分析了Mg-Al-EDTA LDHs,Mg-Al-SC LDHs 和Mg-Al-PST LDHs 膜層。FT-IR 測試結(jié)果如圖2(c)所示,三種LDHs 膜的特征峰高度相似,其中3742 cm-1和1659 cm-1處的吸收帶可分別歸因于H—O—H 伸縮振動和水分子的彎曲振動[31]。在1543 cm-1處的吸收峰主要?dú)w因于羧酸根反對稱伸縮[32],由于三種螯合劑都帶有羧酸根,因此該特征峰進(jìn)一步證實(shí)了螯合劑的作用。1373 cm-1處的吸收峰可能是由LDHs 層間距中的伸縮振動和的不對稱伸縮引起的,因?yàn)樗芤褐泻形⒘緾O2,因此在制備LDHs 的過程中會有少量吸附[33]。與此同時(shí),在500~800 cm-1的光譜范圍內(nèi)存在一些吸收帶,這可能是由于M—OH 和M—O(M=Mg,Al)的晶格振動[34]。
Mg-Al-EDTA LDHs,Mg-Al-SC LDHs 和Mg-Al-PST LDHs 膜的XPS 測試如圖2(d)~(i)。由XPS全譜圖(圖2(d))可以看出三種LDHs 膜的峰類型高度相似,均包含來自Mg1s,MgKLL,Al2p,Al2s,C1s 的峰和O 的俄歇峰(KLL),表示三種LDHs 膜的元素類型基本一致。XPS 分譜顯示關(guān)于Mg1s(圖2(e))、Al2p(圖2(f))和O1s(圖2(g))的結(jié)合能位于1302.9,1302.7 eV 和1302.6 eV;74.5,74.6 eV 和74.6 eV;531.9,531.6 eV 和531.7 eV,分別對應(yīng)Mg—OH,Al—OH 和OH/OH-。說明Mg 和Al 都與羥基形成共價(jià)鍵,而LDHs 的形成機(jī)制正是M2+和M3+與羥基發(fā)生共價(jià)鍵作用有序組裝所形成的[10-11]。三種LDHs 膜的C1s 譜(圖2(h),(i))均包含三個(gè)峰,這是由于三種螯合劑都帶有碳碳單鍵和羧酸根,因此C1s 譜出現(xiàn)C—C/C—H 和O—C=O 的峰;同時(shí)由于水溶液中含有少量CO2,導(dǎo)致制備LDHs 的過程中有少量吸附,從而出現(xiàn)的峰。通過C1s 譜圖(圖2(h))和其局部放大圖(圖2(i))可以發(fā)現(xiàn),對于Mg-Al-EDTA LDHs 而言,三個(gè)峰分別位于284.8,288.4 eV 和289.4 eV,分別對應(yīng)C—C/C—H,O—C=O 和,其中C—C/C—H 和O—C=O 均來自EDTA-4Na。對于Mg-Al-SC LDHs 而言,三個(gè)峰分別位于284.8,288.5 eV 和289.6 eV,分別對應(yīng)C—C/C—H,O—C=O 和,其中C—C/C—H 和O—C=O 均來自SC。對于Mg-Al-PST LDHs而言,三個(gè)峰分別位于284.8 eV,288.1 eV 和289.2 eV,分別對應(yīng)C—C/C—H,O—C=O和,其中C—C/C—H 和O—C=O 均來自PST。其中三種LDHs 膜層中O—C=O 特征峰的位置略有差異,可能和不同螯合劑與金屬之間配位差異有關(guān)[24]。
基于上文的分析結(jié)果,推測螯合劑輔助法制備Mg-Al LDHs 膜的成膜機(jī)制可能如式(1)~(6)所示。首先,Al3+在堿性環(huán)境下和OH-發(fā)生反應(yīng),生成氫氧化鋁和四羥基合鋁酸根[35]:
將鎂合金放入轉(zhuǎn)化液后,在堿性環(huán)境下Mg 的陽極發(fā)生少量溶解并生成氫氧化鎂[36]:
Mg-Al LDHs 的形成機(jī)制為Mg(OH)2中的部分Mg2+被Al3+取代,隨后陰離子插入LDHs 層間,最終形成Mg6Al2(CO3)(OH)16·4H2O(JCPDS No.41-1482,即Mg-Al LDHs),此時(shí)化學(xué)反應(yīng)如下[37]:
螯合劑可以在一定溫度下和金屬發(fā)生交聯(lián)聚酯,這是因?yàn)轸然着c金屬離子生成螯合物(—O—M—),而本工作所選的三種螯合劑碳鏈上均有羧基,此時(shí)螯合物之間相互連接形成三維框架[38]。同時(shí)螯合劑還可以促進(jìn)溶液中游離的Al3+沉積到鎂合金基底表面,并螯合鎂合金表面陽極溶解的Mg2+以及溶液中游離的Al3+,最終促進(jìn)Al3+取代Mg(OH)2中的部分Mg2+,從而生成Mg-Al LDHs[39]。因此,螯合劑可以促進(jìn)鎂合金表面Mg-Al LDHs 膜的生長。
為了研究不同樣品的耐蝕性,通過動電位極化曲線表征各樣品的耐蝕性能,測試結(jié)果如圖3 所示,并采用Tafel 外推法分析極化曲線,將所得極化參數(shù)列于表1 中。
表1 不同樣品在3.5%NaCl 溶液中的極化參數(shù)Table1 Polarization parameters of different samples in 3.5%NaCl solution
圖3 不同樣品在3.5%NaCl 溶液中的極化曲線圖Fig.3 Polarization curves of different samples measured in 3.5%NaCl solution
由圖3 和表1 可以看出,AZ91D 鎂合金基底呈現(xiàn)典型活性材料的特征,對于其Tafel 陽極區(qū),當(dāng)電位發(fā)生正向微小變化時(shí),陽極區(qū)腐蝕電流密度急劇增加,陽極區(qū)Tafel 斜率僅為58.8 mV·dec。而對于覆蓋不同膜層的鎂合金樣品,其陽極區(qū)塔菲爾斜率βa相比鎂合金基底均有所上升;其中Mg-Al-PST LDHs 的βa最大,達(dá)到了151.5 mV·dec,且出現(xiàn)明顯陽極鈍化區(qū),因此Mg-Al-PST LDHs 膜表現(xiàn)出更積極的鈍化行為,即對鎂合金基底的防腐蝕效果更出色。
通常,在金屬未發(fā)生腐蝕時(shí),使用腐蝕電位Ecorr用來表征金屬腐蝕的熱力學(xué)性能,腐蝕電位越低,其發(fā)生腐蝕反應(yīng)的傾向性越大;反之,則越不容易發(fā)生腐蝕反應(yīng)。而當(dāng)腐蝕發(fā)生后,一般用腐蝕電流密度Icorr來衡量腐蝕反應(yīng)的動力學(xué)性能,腐蝕電流密度越大,表明該腐蝕反應(yīng)進(jìn)行的速度越快;反之,則腐蝕反應(yīng)的速度越慢[40]。由表1 可以看出,由于膜層的物理阻隔作用,覆蓋不同膜層鎂合金的自腐蝕電位相比鎂合金基底均有所正移,因此樣品的腐蝕趨勢減?。煌瑫r(shí)其腐蝕電流密度較鎂合金基底也有所下降,空白鎂合金,覆蓋Mg-Al-EDTA LDHs,Mg-Al-SC LDHs和Mg-Al-PST LDHs 膜的鎂合金腐蝕電流密度分別為 1.94×10-4,9.38×10-6,7.05×10-6A/cm2和2.98×10-6A/cm2。因此,耐蝕性強(qiáng)弱的大小順序?yàn)镸g-Al-PST LDHs>Mg-Al-SC LDHs>Mg-Al-EDTA LDHs>空白鎂合金。
圖4(a)~(c)為不同樣品的電化學(xué)阻抗譜,通過Wit 等[41]提出的時(shí)間常數(shù)法,使用圖4(d)的等效電路圖對制備所得樣品進(jìn)行電化學(xué)阻抗擬合;由于圖4(a)中EIS 的Nyquist 圖均不是完美的半圓,因此,需要使用時(shí)間常數(shù)CPE 來描述系統(tǒng)的電容,并引入n來校準(zhǔn)實(shí)際電容。n表示從系統(tǒng)電容與理想電容C的偏差系數(shù),n=1 表示CPE 是理想電容器,n=0 表示 CPE 是理想電阻。圖4(d)中,Rs代表溶液電阻,R1和CPE1是膜層的電阻和電容,Rct是電荷轉(zhuǎn)移電阻,CPEdl是雙電層電容,RL為電感電阻,L為電感元件。Rtotal代表樣品的腐蝕總電阻,可用于評估樣品的耐腐蝕性能,計(jì)算方法如式(7)所示。
圖4 不同樣品在3.5%NaCl 溶液中的電化學(xué)阻抗譜圖及相應(yīng)等效電路圖(a)Nyquist 圖;(b),(c)Bode 圖;(d)等效電路圖Fig.4 EIS plots of different samples immersing in 3.5%NaCl solution and equivalent circuits used for fitting EIS plots(a)Nyquist curves;(b),(c)Bode curves;(d)equivalent circuits diagram
EIS 相應(yīng)的電化學(xué)參數(shù)如表2 所示,通過對比腐蝕總電阻Rtotal的大小,可以發(fā)現(xiàn)樣品耐蝕性大小順序?yàn)镸g-Al-PST LDHs>Mg-Al-SC LDHs>Mg-Al-EDTA LDHs>空白鎂合金,與極化曲線分析結(jié)果一致。對于螯合劑輔助法制備的三種不同LDHs 膜來說,由于LDHs 主體層板和客體層間陰離子及摻雜的不同螯合劑之間存在靜電力、范德華力以及氫鍵等弱相互作用,該類相互作用會影響LDHs 的穩(wěn)定性能[42];同時(shí),SEM 測試結(jié)果(圖1)表明三種LDHs 膜的致密度也存在差異,上述兩種因素最終導(dǎo)致三種LDHs 膜的耐蝕性存在差異。其中,采用PST 作為螯合劑于鎂合金表面制備的Mg-Al-PST LDHs 膜對鎂合金基底的防護(hù)效果最好。
表2 圖4 所示的EIS 譜擬合參數(shù)Table2 Fitting parameters for EIS spectra depicted in fig.4
(1)在硝酸鋁溶液中分別添加螯合劑EDTA-4Na,SC 和PST,均可在常壓、中溫(60 ℃)、堿性(pH值為12.0)的條件下通過浸漬的方法在鎂合金表面制備具有典型片狀結(jié)構(gòu)的Mg-Al LDHs 膜。區(qū)別于目前常用的水熱法,該方法無需高溫、高壓條件即可制備鎂合金表面Mg-Al LDHs 膜,因此拓寬了LDHs 膜在鎂合金防腐領(lǐng)域的應(yīng)用范圍。
(2)基于XRD,F(xiàn)T-IR 和XPS 分析推測螯合劑促進(jìn)LDHs膜生長的原因可能是:三種螯合劑均可通過羧基與鎂合金表面的Mg2+以及溶液中游離的Al3+螯合,從而加速Al3+在鎂合金基底上的沉積,最終促進(jìn)Al3+取代Mg(OH)2中的部分Mg2+并形成LDHs 膜。
(3)相比鎂合金基底,通過螯合劑輔助法制備覆蓋不同LDHs 膜的鎂合金腐蝕電位均正向移動,且腐蝕電流密度均下降了約兩個(gè)數(shù)量級。其中添加螯合劑PST 制備所得的Mg-Al-PST LDHs 膜的致密性最高,厚度最大,耐蝕性最好,其腐蝕電流密度為2.98×10-6A/cm2。