ZnO-石墨烯-TPU/PLA復(fù)合材料的制備及吸波性能

吳海華, 傅文鑫, 劉少康, 晁彬, 鮑云天

（1.三峽大學(xué) 機(jī)械與動(dòng)力學(xué)院，宜昌 443002；2.三峽大學(xué) 石墨增材制造技術(shù)與裝備湖北省工程研究中心，宜昌 443002）

石墨烯(GR)，因其低密度、高比表面積、強(qiáng)介電損耗和高電導(dǎo)率，作為高性能電磁波衰減材料已成為研究熱點(diǎn)[1-3]。此外，為了解決單一石墨烯材料的界面阻抗失配問題，引入其他材料是增強(qiáng)其吸波性能必要的解決方案[4-5]。例如，Qu等[6]開發(fā)了一種將中空Fe3O4-Fe納米顆粒錨定在石墨烯片上的復(fù)合材料，當(dāng)復(fù)合材料在石蠟基質(zhì)中的添加量為18wt%時(shí)，在厚度為2.0～5.0 mm時(shí)最小反射損耗可達(dá)到-30 dB；Wang等[7]采用噴霧干燥技術(shù)結(jié)合溶劑熱法合成了CoFe2O4@GR復(fù)合材料，在填充量為45wt%時(shí)，其最小反射損耗為-42.0 dB，最大吸收帶寬為4.59 GHz；Yin等[8]采用一步水熱法制備了Ni0.5Co0.5Fe2O4/GR復(fù)合材料，在填充量為50wt%時(shí)，其最小反射損耗為-30.92 dB，最大吸收帶寬為1.19 GHz。上述方法雖改善了石墨烯的阻抗匹配，提高了吸波性能，但較高的填料比增加了復(fù)合材料的密度。

目前，大多數(shù)研究將磁性材料與石墨烯結(jié)合起來，以獲得優(yōu)異的微波吸收性能。然而，多數(shù)磁性材料表現(xiàn)出相當(dāng)?shù)偷拇艑?dǎo)率，在微波的頻率范圍內(nèi)幾乎沒有變化，這很難改善[9]。相比之下，介電摻雜體的引入同樣可以豐富損耗機(jī)制，優(yōu)化復(fù)合材料的衰減能力，并且密度普遍低于磁性摻雜體。通過復(fù)合材料結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、介電常數(shù)調(diào)控等手段、這類復(fù)合材料也能夠在一定程度上規(guī)避阻抗不匹配的問題[10-11]。介電型石墨烯吸波復(fù)合材料有可能以較低的材料密度在較寬頻帶上實(shí)現(xiàn)高效吸收。因此，研究介電型石墨烯吸波復(fù)合材料有著重要意義[12]。

氧化鋅(ZnO)作為寬帶隙半導(dǎo)體在光學(xué)、光電子、催化和傳感器中有著廣泛的應(yīng)用，由于其存在介電損耗、質(zhì)量輕和合成成本低，它也是微波吸收的理想候選材料[13-15]。例如，F(xiàn)eng等[9]采用原位晶化法，制備了還原氧化石墨烯(RGO)/ZnO復(fù)合材料。在4.5 mm厚度下有最小反射損耗為-77.5 dB，有效吸收帶寬為6.9 GHz。熊自明等[16]采用感應(yīng)加熱的方式成功獲得四面體針狀ZnO，并通過水熱法制備了不同比例的ZnO@RGO復(fù)合材料。研究表明當(dāng)RGO∶ZnO 質(zhì)量比為1∶3時(shí)的ZnO@RGO，在3 mm厚度下有最小反射損耗為-44.5 dB，有效吸收帶寬可達(dá)3.8 GHz。Wang等[17]以碳球?yàn)槟０逯苽淞薢nO空心球，后采用溶劑熱法和退火處理合成了ZnO/ZnCo2O4復(fù)合材料。當(dāng)ZnO空心球加入2 mg時(shí)，復(fù)合材料表現(xiàn)出最佳的吸收性能。匹配厚度為1.99 mm最小反射損耗為-55.42 dB，最大有效吸收帶寬也可達(dá)到7.44 GHz，匹配厚度為2.4 mm。遺憾的是，以上ZnO復(fù)合材料大多采用化學(xué)方法制備，存在工序復(fù)雜、材料無法成型等問題。

聚乳酸(Polylactic acid，PLA)是一種可降解高分子聚合物，復(fù)介電常數(shù)在 2～18 GHz范圍內(nèi)，實(shí)部約為 3，虛部約 0.1～0.2，可以很好地滿足與自由空間的阻抗匹配，利于電磁波進(jìn)入材料內(nèi)部[18]。并且將石墨烯和其他吸波材料與PLA熔融共混可制備用于熔融沉積成形(FDM)的高性能吸波復(fù)合材料[19-20]。本文以PLA為基體，以ZnO和石墨烯為填料，熱塑性聚氨酯彈性體橡膠(Thermoplastic polyurethane，TPU)作增韌劑[21]，通過球磨和熔融擠出兩步法制備可作為FDM線材的ZnO-石墨烯-TPU/PLA復(fù)合材料，并研究ZnO含量對復(fù)合材料微觀形貌、電磁參數(shù)和吸波性能的影響，探索復(fù)合材料的電磁損耗機(jī)制。ZnO-石墨烯-TPU/PLA復(fù)合材料制備過程簡單環(huán)保，且吸波劑填充量較低，符合吸波材料輕質(zhì)的原則，同時(shí)可利用 FDM技術(shù)打印結(jié)構(gòu)復(fù)雜的吸波器件，在電磁吸波材料的應(yīng)用中有著良好的前景。

1 實(shí)驗(yàn)方法與表征

1.1 原材料

聚乳酸(PLA)，購自美國Nature Words公司，牌號(hào)4032D，平均粒徑62 μm，熔點(diǎn)114℃。熱塑性聚氨酯彈性體橡膠(TPU)，購自德國Bayer公司，牌號(hào)5377A，平均粒徑114 μm，熔點(diǎn)50～90℃。石墨烯(GR)，購自宜昌新成石墨有限公司，形貌及結(jié)構(gòu)見圖1(a)，比表面積620.24 m2/g[19]。氧化鋅(ZnO)，購自河北巨力金屬有限公司，形貌為短棒狀，見圖1(b)。

圖1 石墨烯(GR) (a)和ZnO (b)的SEM圖像Fig.1 SEM images of graphene (GR) (a) and ZnO (b)

1.2 同軸環(huán)測試樣品的3D打印制備

由于石墨烯含量低時(shí)，復(fù)合線材吸波劑較少，故吸波效果不佳。當(dāng)石墨烯含量為6wt%及以上時(shí)復(fù)合線材成型困難，于是選擇石墨烯添加量為5wt%。首先，將PLA、TPU和ZnO粉末置于BPG-43BG型電熱恒溫鼓風(fēng)干燥箱(廣州比朗儀器有限公司)中60℃干燥12 h，然后按表1的質(zhì)量比稱量各粉末后裝入球磨罐中，其中PLA∶TPU質(zhì)量比為9∶1，并保證ZrO2磨球的質(zhì)量與復(fù)合粉末的總質(zhì)量相同，再用臥式行星球磨機(jī)(南京南大儀器有限公司)球磨混合得到不同ZnO含量的ZnO-石墨烯-TPU/PLA復(fù)合粉末，其中球磨轉(zhuǎn)速為350 r/min，球磨時(shí)間4 h。

表1 ZnO-GR-熱塑性聚氨酯彈性體橡膠(TPU)/聚乳酸(PLA)復(fù)合材料成分Table 1 Ingredients of ZnO-GR-thermoplastic polyurethane(TPU)/polylactic acid (PLA) composites

采用 SHSJ-25 型單螺桿擠出機(jī)(東莞市松湖機(jī)械股份有限公司)把以上復(fù)合粉末熔融擠出成直徑(1.75±0.05) mm的3D打印耗材，如圖2(a)所示。其中擠出機(jī)的參數(shù)設(shè)置為螺桿一段、螺桿二段和噴嘴的溫度分別為 150℃、155℃、160℃，冷卻水溫度為40℃。

圖2 (a) ZnO-GR-TPU/PLA復(fù)合線材；(b) 同軸環(huán)Fig.2 (a) ZnO-GR-TPU/PLA composite filaments; (b) Coaxial rings

最后，使用prusa_mk3s 3D打印機(jī)，將復(fù)合線材打印成外徑7.00 mm、內(nèi)徑3.04 mm、高度2.50 mm的同軸環(huán)，如圖2(b)所示，采用同軸法測試復(fù)合材料的電磁參數(shù)。FDM主要參數(shù)設(shè)置為：打印溫度190℃、熱床溫度70℃、打印層高0.1 mm、填充密度100%、打印速度25 mm/s。

1.3 復(fù)合材料性能測試與表征

采用JSM-7500F型掃描電子顯微鏡(日本電子公司)對原材料粉末及復(fù)合粉末的微觀形貌特征進(jìn)行觀察。采用Ultima IV型X射線衍射儀(日本理學(xué)公司，Cu靶Kα輻射源，波長λ=0.15418 nm)分析復(fù)合材料物相組成和晶體結(jié)構(gòu)。采用Thermo Scientific DXR型激光共聚焦拉曼光譜儀(美國賽默飛世爾科技公司)測試復(fù)合材料的石墨化程度。采用R&SZNA型矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀(羅德與施瓦茨公司)測試復(fù)合材料同軸環(huán)在2～18 GHz范圍內(nèi)的電磁參數(shù)，并利用傳輸線理論計(jì)算不同厚度下復(fù)合材料的反射損耗。

2 結(jié)果與討論

2.1 ZnO-GR-TPU/PLA復(fù)合材料的物相結(jié)構(gòu)和微觀形貌

圖3(a)為ZnO-GR-TPU/PLA復(fù)合材料的XRD圖譜。可知，在2θ=19.56°和22.60°分別對應(yīng)PLA的衍射峰[19]。在25.98°附近可以觀察到微弱的石墨烯衍射峰[20]，而在31.72°、34.46°、36.28°、47.56°、56.62°、62.88°、66.40°分別歸屬于ZnO的(100)、(002)、(101)、(102)、(110)、(103)、(200)晶面[9]。從圖中可明顯地看出隨著ZnO質(zhì)量比的增加，其特征峰逐漸增強(qiáng)。

圖3 ZnO-GR-TPU/PLA復(fù)合材料XRD圖譜(a)和拉曼光譜(b)Fig.3 XRD patterns (a) and Raman spectra (b) of the ZnO-GR-TPU/PLA composites

圖3(b)為ZnO-GR-TPU/PLA復(fù)合材料的拉曼光譜，1 354 cm-1處有明顯的峰值，稱為D帶，歸因于石墨烯的局部缺陷。而峰值在1 592 cm-1處的稱為G帶，源于sp2碳原子的面內(nèi)振動(dòng)。D帶和G帶的強(qiáng)度之比(ID/IG)是碳材料中無序程度和平均尺寸的度量[9,19]。樣品ZN0的ID/IG=0.873，而ZN2～ZN8的ID/IG值分別為0.911、0.900、0.911、0.901，均高于0.900，這表明與未添加ZnO的值相比，復(fù)合材料中的缺陷程度增加。這可能是由于ZnO納米粉末和石墨烯之間的界面相互作用[9]，ZnO和石墨烯在混合過程中，石墨烯結(jié)構(gòu)中存在的鑲嵌、空位、錯(cuò)位、雜質(zhì)等結(jié)構(gòu)缺陷在復(fù)合過程中被ZnO所填充、替代，使原有缺陷變得更復(fù)雜。

圖4是不同含量的ZnO-GR-TPU/PLA 復(fù)合粉末的SEM圖像，如圖4(a)所示，在未添加ZnO時(shí)可以看到石墨烯片層結(jié)構(gòu)，石墨烯相互接觸形成連續(xù)的導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)，會(huì)導(dǎo)致阻抗失配。圖4(b)中ZnO存在于石墨烯之間的縫隙中，兩者互不相容，這增加了異質(zhì)界面，增強(qiáng)了界面極化效應(yīng)。而從圖4(c)～4(e)中可以看到隨著ZnO質(zhì)量比的增加，其分布密度越來越高，但其顆粒分明無團(tuán)聚現(xiàn)象。

圖4 ZnO-GR-TPU/PLA復(fù)合粉末的SEM圖像：(a) ZN0；(b) ZN2；(c) ZN4；(d) ZN6；(e) ZN8Fig.4 SEM images of ZnO-GR-TPU/PLA composite powder: (a) ZN0; (b) ZN2; (c) ZN4; (d) ZN6; (e) ZN8

2.2 ZnO-GR-TPU/PLA復(fù)合材料的電磁參數(shù)與電磁損耗機(jī)制

考慮到所制備材料的非磁性特點(diǎn)，在2～18 GHz的范圍內(nèi)測量了不同組分復(fù)合材料的復(fù)介電常數(shù)值(ε=ε′-jε′′)，如圖5所示。通常，復(fù)介電常數(shù)實(shí)部(ε′)代表材料對微波能量的存儲(chǔ)能力，而虛部(ε′′)表征微波能量的耗散能力[22]。對于未添加ZnO的材料(ZN0)，在2～18 GHz下，ε'和ε''的值分別在4.50～5.54和0.42～0.75的范圍內(nèi)。由于介電常數(shù)虛部非常低，耗散能力較低。從圖5(a)中可以很明顯地看到，樣品ZN2～ZN8的復(fù)合材料介電常數(shù)實(shí)部最大值都高于ZN0，在6.42～7.26的小范圍內(nèi)變動(dòng)，整體上也均高于ZN0。這是由于ZnO存在于有較高電導(dǎo)率的石墨烯之間，異質(zhì)界面形成了GRZnO-GR的局部電容器，增強(qiáng)了復(fù)合材料的儲(chǔ)存電荷的能力[23-26]。在復(fù)介電常數(shù)虛部中樣品ZN2～ZN8的值也都高于ZN0，且ZN2的虛部最高，說明ZnO的加入改善了石墨烯的電磁波耗散能力，其中ZN2的效果最好。一般來說復(fù)合材料在千兆赫頻率范圍內(nèi)的介電常數(shù)在很大程度上取決于界面極化和固有的偶極極化，隨著頻率的增加，位移電流的產(chǎn)生明顯滯后于積累電勢，因此，可以看到所有樣品的復(fù)介電常數(shù)實(shí)部和虛部有隨著頻率增加而降低的趨勢[27]。復(fù)合材料的介電損耗正切角(tanδe=ε''/ε')隨頻率的變化趨勢與復(fù)介電常數(shù)的虛部基本相同，表現(xiàn)出些許波動(dòng)，這表明了極化行為的存在[20]。

圖5 ZnO-GR-TPU/PLA復(fù)合材料的電磁參數(shù)：(a) 復(fù)介電常數(shù)實(shí)部ε'；(b) 復(fù)介電常數(shù)虛部ε''；(c) 介電損耗角正切tanδeFig.5 Electromagnetic parameters of ZnO-GR-TPU/PLA composites: (a) Real part of complex permittivity ε'; (b) Imaginary part of complex permittivity ε''; (c) Dielectric loss tangent tanδe

通常，介電損耗源于電導(dǎo)損耗、界面極化、缺陷誘導(dǎo)極化、偶極/分子極化、電子極化、離子極化和原子極化。一般通過材料的電導(dǎo)率、偶極子、界面和缺陷程度來決定電磁波吸收性能，以調(diào)節(jié)電導(dǎo)損耗、偶極極化、界面極化和缺陷誘導(dǎo)極化強(qiáng)度[28]。而離子極化、原子極化和電子極化這3種機(jī)制不適用于通常研究的2～18 GHz范圍，具體來說，它們發(fā)生的頻率范圍在103～106GHz，位于紅外區(qū)域和紫外線區(qū)域之間，在該頻率下對電磁波損耗的貢獻(xiàn)可以忽略不計(jì)[29-30]。因此，電導(dǎo)損耗、偶極極化、界面極化和缺陷誘導(dǎo)極化是千兆赫茲電磁波損耗的主要貢獻(xiàn)源。界面極化效應(yīng)已廣泛應(yīng)用于增強(qiáng)介電損耗能力，從而促進(jìn)電磁波損耗，界面極化效應(yīng)也稱為Maxwell-Wagner-Sillars 效應(yīng)(MWS)。偶極極化是指極性或非極性分子中的偶極子在改變電磁場下的運(yùn)動(dòng)。

偶極極化損耗與界面極化損耗是介電損耗的重要組成部分，可以用 Cole-Cole曲線圖來分析極化損耗的作用[27]。

式中：εs為靜態(tài)介電常數(shù)；ε∞為高頻介電常數(shù)。這個(gè)方程的半圓稱為Cole-Cole半圓[31]，每個(gè)Cole-Cole半圓都代表一個(gè)極化弛豫過程。如圖6所示，添加ZnO后的復(fù)合材料可以觀察到更多的Cole半圓。由圖3(b)的拉曼光譜可知ZN2～ZN8對比ZN0的缺陷程度有所增加，并且ZnO中的氧空位作為極化中心并誘導(dǎo)偶極極化，隨著ZnO的加入，偶極極化得以增強(qiáng)[32]。另外，ZnO和石墨烯構(gòu)成的異質(zhì)界面在交變電場中正電荷和負(fù)電荷在異質(zhì)結(jié)構(gòu)界面上積聚，導(dǎo)致電荷密度發(fā)生變化從而產(chǎn)生界面極化[33]。

圖6 ZnO-GR-TPU/PLA復(fù)合材料的Colo-Colo曲線：(a) ZN0；(b) ZN2；(c) ZN4；(d) ZN6；(e) ZN8Fig.6 Colo-Colo curves of ZnO-GR-TPU/PLA composites: (a) ZN0; (b) ZN2; (c) ZN4; (d) ZN6; (e) ZN8

電導(dǎo)損耗在電磁波衰減過程也有重要作用，電導(dǎo)損耗來自于石墨烯所構(gòu)成的導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)，由圖6可知樣品ZN0～ZN8的Cole-Cole曲線圖末端都存在線性小尾巴(有小尾巴說明有電導(dǎo)損耗)，可知復(fù)合材料的都有電導(dǎo)損耗[34]。值得注意的是樣品ZN2和ZN4的末端同時(shí)存在Cole-Cole半圓，表明了極化損耗和電導(dǎo)損耗協(xié)同作用，增強(qiáng)了復(fù)合材料的吸波性能，且樣品ZN2的Cole-Cole半圓和線性小尾巴重合度更高，吸波效果可能強(qiáng)于ZN4。

2.3 復(fù)合材料的阻抗匹配和微波吸收

一般來說，一種優(yōu)秀的吸波材料應(yīng)該同時(shí)具有適度的阻抗匹配和良好的耗散能力，而不僅僅是單方面的優(yōu)越性能[35]。衰減常數(shù)α是用來表征吸波材料的電磁能量衰減能力，樣品的衰減常數(shù)可以用下式計(jì)算[36]：

式中：μ′為復(fù)磁導(dǎo)率實(shí)部；μ′′為復(fù)磁導(dǎo)率虛部；f為頻率；c為光速。圖7(a)展示了復(fù)合材料衰減常數(shù)與頻率的關(guān)系，引入ZnO后復(fù)合材料的衰減能力普遍得到了改善，其中ZN2的衰減能力最強(qiáng)。德爾塔函數(shù)法[37]通常用于表征阻抗匹配(值越小，阻抗匹配越好[38])。其計(jì)算公式如下，結(jié)果如圖7(b)～7(f)所示，總體而言，ZN0具有最差的阻抗匹配(更多虛線外的區(qū)域)，ZN2具有更好的阻抗匹配(更多虛線內(nèi)的區(qū)域)，良好的阻抗匹配僅集中在頻率較高的部分。

圖7 ZnO-GR-TPU/PLA復(fù)合材料的衰減常數(shù)及阻抗匹配Fig.7 Attenuation constant and impedance matching of ZnO-GR-TPU/PLA composites

式中：δe為介電損耗角；δm為磁損耗角；d為匹配厚度；?為德爾塔函數(shù)。

根據(jù)經(jīng)典的傳輸線理論，RL值用來反映吸波材料的電磁波吸收性能，RL＜-10 dB的頻段稱為有效吸收帶寬。在一定的厚度和頻率下，RL值可由相對復(fù)介電常數(shù)(ε=ε′-jε′′)和復(fù)磁導(dǎo)率(μ=μ′-jμ′′)計(jì)算得出[39-40]。

式中：Zin表示吸波材料的輸入阻抗；Z0為自由空間的阻抗；ε和μ分別代表復(fù)介電常數(shù)和復(fù)磁導(dǎo)率；d為吸收層厚度。圖8展示的是各樣品在不同厚度下的反射損耗的吸波曲線和三維圖像。由圖8(a)可以看到，未引入ZnO時(shí)，復(fù)合材料的損耗能力較弱，僅有-10.7 dB，加入ZnO后損耗能力顯著增強(qiáng)，且吸波頻段位于高頻處，這與衰減常數(shù)和阻抗匹配的結(jié)果一致。當(dāng)ZnO含量為2wt%時(shí)，厚度為5.6 mm的復(fù)合材料在17.2 GHz處有最小反射損耗-49.2 dB，在厚度為6.0 mm時(shí)有效吸收帶寬為2.08 GHz (15.20～17.28 GHz)。然而隨著ZnO含量的增加，復(fù)合材料的微波吸收效果并沒有增強(qiáng)，ZN4～ZN8的最小反射損耗從-25.9 GHz降至-18.5 GHz，有效吸收帶寬從2.00 GHz回落到1.68 GHz。

圖8 ZnO-GR-TPU/PLA復(fù)合材料的反射損耗圖與3D映射圖：((a), (b)) ZN0；((c), (d)) ZN2；((e), (f)) ZN4；((g), (h)) ZN6；((i), (j)) ZN8Fig.8 Reflection loss diagram and 3D mapping diagram of ZnO-GR-TPU/PLA composite materials: ((a), (b)) ZN0; ((c), (d)) ZN2; ((e), (f)) ZN4;((g), (h)) ZN6; ((i), (j)) ZN8

總的來說，本文通過研究不同ZnO和石墨烯質(zhì)量比的ZnO-石墨烯-TPU/PLA吸波復(fù)合材料獲得了優(yōu)異的吸波性能。其良好的吸波效果可以歸結(jié)為以下兩點(diǎn)：第一，ZnO的加入增加了異質(zhì)界面，增強(qiáng)了界面極化，進(jìn)而提升吸波性能；第二，ZnO的加入改善了石墨烯的團(tuán)聚現(xiàn)象，進(jìn)而優(yōu)化了阻抗匹配，使電磁波盡可能多地進(jìn)入材料內(nèi)部參與吸收。更進(jìn)一步地比較ZnO-石墨烯-TPU/PLA復(fù)合材料與其他ZnO/石墨烯復(fù)合材料，如表2所示[9,15,26,33,41-44]。對比發(fā)現(xiàn)，本文所制備的ZnO-石墨烯-TPU/PLA復(fù)合材料的填料質(zhì)量少，吸波強(qiáng)度高。故本文所制備的ZnO-石墨烯-TPU/PLA復(fù)合材料對解決電磁污染問題具有一定優(yōu)勢。但遺憾的是ZnO-石墨烯-TPU/PLA復(fù)合材料的吸波頻段較窄，仍需進(jìn)一步研究拓寬。

表2 近期文獻(xiàn)報(bào)道ZnO/石墨烯復(fù)合材料的吸波性能Table 2 Recent literature reports on the absorption properties of ZnO/graphene composites

3 結(jié) 論

(1) 利用球磨混合和熔融擠出兩步法制備了不同ZnO含量的ZnO-石墨烯-熱塑性聚氨酯彈性體橡膠(TPU)/聚乳酸(PLA) 3D打印復(fù)合線材。并通過熔融沉積成形打印出具有良好吸波性能的ZnO-石墨烯-TPU/PLA吸波復(fù)合材料。

(2) 通過控制ZnO質(zhì)量比來調(diào)控石墨烯的阻抗匹配，并實(shí)現(xiàn)在較低填料比的情況下達(dá)到強(qiáng)吸收的目的。當(dāng)氧化鋅含量僅為2wt%時(shí)，在5.6 mm厚度下有最小反射損耗-49.2 dB，有效吸收帶寬為2.0 GHz。

(3) ZnO-石墨烯-TPU/PLA復(fù)合材料的損耗機(jī)制主要有異質(zhì)界面產(chǎn)生的界面極化、由石墨烯缺陷及官能團(tuán)和ZnO氧空位導(dǎo)致的偶極極化及石墨烯導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)造成的電導(dǎo)損耗?？偟膩碚f，較好的阻抗匹配和多種損耗機(jī)制共同作用帶來了復(fù)合材料對電磁波的強(qiáng)吸收。