硫酸鹽還原菌的生長(zhǎng)因子分析及脫硫性能研究

周天然，狄軍貞

（遼寧工程技術(shù)大學(xué)土木工程學(xué)院，遼寧阜新 123000）

酸性礦山廢水（Acid mine drainage，AMD）pH低、含有高濃度的硫酸鹽，如隨意排放會(huì)導(dǎo)致其中污染物通過(guò)食物鏈攝入到人體，危害人類健康，如何對(duì)其進(jìn)行有效處理是目前采礦業(yè)面臨的難題之一〔1-2〕。以硫酸鹽還原菌（Sulfate-reducing bacteria，SRB）處理技術(shù)為代表的微生物法作為一類非常具有潛力的含硫酸鹽污水處理技術(shù)，具有高效、環(huán)保和低能耗等優(yōu)點(diǎn)〔3〕。SRB 在自然環(huán)境中普遍存在，其能在厭氧或缺氧條件下利用有機(jī)物還原SO42-，產(chǎn)生硫化物，用以沉淀重金屬，同時(shí)產(chǎn)生堿物質(zhì)以提高pH〔4-6〕，因此SRB 可用于處理廢水中SO42-的污染，目前也已有眾多研究對(duì)利用SRB 的代謝處理廢水中SO42-和重金屬的技術(shù)進(jìn)行了報(bào)道〔7-10〕。研究表明，影響SRB 代謝的因素較多，如溫度、環(huán)境pH、S2-濃度和m（COD）/m（SO42-）等〔11-15〕。適宜SRB 生長(zhǎng)的條件能提高SRB 的代謝活性，從而提高SRB 對(duì)含SO42-廢水的處理效果。但目前對(duì)SRB 生長(zhǎng)影響因素及脫硫性能的研究較少?；诖?，本研究采用批量實(shí)驗(yàn)，綜合分析溫度、環(huán)境pH、S2-質(zhì)量濃度和m（COD）/m（SO42-）這4 個(gè)影響因素對(duì)SRB 生長(zhǎng)的影響，并探究SRB 在不同環(huán)境下的脫硫性能，為SRB 修復(fù)含SO42-廢水的應(yīng)用提供參考。

1 實(shí)驗(yàn)部分

1.1 SRB 的培養(yǎng)

富集SRB 的種泥取自遼寧省某尾礦周邊濕潤(rùn)的土壤。將5 g 種泥加入到120 mL 無(wú)菌Starkey 培養(yǎng)基〔3〕中，置于厭氧條件下于35 ℃、150 r/min 轉(zhuǎn)速的培養(yǎng)箱中振蕩培養(yǎng)。其中，Starkey 培養(yǎng)基配方：0.5 g Na2SO4，1.0 g NH4Cl，0.5 g K2HPO4，0.1 g CaCl2·2H2O，2.0 g MgSO4·7H2O，1.2 g （NH4）2Fe（SO4）2·6H2O，0.1 g 抗壞血酸，4.0 mL 乳酸鈉，1.0 g 酵母膏，1 L 蒸餾水，pH=7.0，121 ℃滅菌30 min。當(dāng)液體變成黑色且有H2S 氣味，說(shuō)明培養(yǎng)液中已經(jīng)富集出SRB。通過(guò)將5 mL 含有SRB的培養(yǎng)液接種到120 mL 無(wú)菌Starkey 培養(yǎng)基中進(jìn)行連續(xù)培養(yǎng)實(shí)現(xiàn)細(xì)菌的大量增殖，得到含有大量SRB 的菌液，備用。

1.2 SRB 生長(zhǎng)曲線的測(cè)定方法

將5 mL SRB 菌液接種到120 mL 無(wú)菌Starkey 培養(yǎng)基中，置于35 ℃、150 r/min 轉(zhuǎn)速的培養(yǎng)箱中振蕩培養(yǎng)，以無(wú)菌培養(yǎng)基作為空白對(duì)照組。每隔一段時(shí)間取適量菌液測(cè)定其OD600。實(shí)驗(yàn)共做3 組重復(fù)，取均值繪制SRB 生長(zhǎng)曲線。

1.3 SRB 生長(zhǎng)因子探究

采用批量實(shí)驗(yàn)探究溫度、S2-濃度、環(huán)境pH、m（COD）/m（SO42-）對(duì)SRB 生長(zhǎng)代謝的影響。

1.3.1 溫度的影響

按V（SRB 菌液）∶V（培養(yǎng)基）=1∶24 將處于對(duì)數(shù)生長(zhǎng)期的SRB 接種到一系列pH=7 的Starkey 培養(yǎng)基〔m（COD）/m（SO42-）=2〕中，并分別放置于不同溫度（29、32、35、38、41 ℃）的培養(yǎng)箱中以150 r/min 轉(zhuǎn)速振蕩培養(yǎng)8 d。培養(yǎng)完畢，取適量液體，測(cè)定OD600、氧化還原電位（ORP）、pH、電導(dǎo)率（EC）、SO42-質(zhì)量濃度，探究溫度對(duì)SRB 生長(zhǎng)代謝的影響。

1.3.2 S2-濃度的影響

將不同質(zhì)量的Na2S 添加到Starkey 培養(yǎng)基后制備S2-質(zhì)量濃度分別為20、40、60、80、100 mg/L 的含S2-培養(yǎng)基，再按V（SRB 菌液）∶V（培養(yǎng)基）=1∶24 接種處于對(duì)數(shù)生長(zhǎng)期的SRB，在35 ℃、150 r/min 轉(zhuǎn)速條件下培養(yǎng)8 d，探究S2-濃度對(duì)SRB 生長(zhǎng)代謝的影響。

1.3.3 pH 的影響

調(diào)節(jié)無(wú)菌Starkey 培養(yǎng)基初始pH 分別為4、5、6、7、8，按V（SRB 菌液）∶V（培養(yǎng)基）=1∶24 接種處于對(duì)數(shù)生長(zhǎng)期的SRB，通過(guò)檢測(cè)35 ℃不同初始pH 條件下SRB 生長(zhǎng)8 d 后溶液的OD600、ORP、pH、EC 和SO42-去除率，探究pH 對(duì)SRB 生長(zhǎng)代謝的影響。

1.3.4m（COD）/m（SO42-）的影響

調(diào)節(jié)Starkey 培養(yǎng)基中乳酸鈉和Na2SO4的添加量，使Starkey 培養(yǎng)基中m（COD）/m（SO42-）分別為1.0、1.5、2.0、2.5、3.0，按V（SRB 菌液）∶V（培養(yǎng)基）=1∶24 接種處于對(duì)數(shù)生長(zhǎng)期的SRB，在溫度為35 ℃，pH=7 條件下培養(yǎng)8 d，探究m（COD）/m（SO42-）對(duì)SRB生長(zhǎng)代謝的影響。

1.4 分析方法

依據(jù)《水質(zhì) 硫酸鹽的測(cè)定 鉻酸鋇分光光度法》（HJ/T 342—2007）測(cè)定SO42-質(zhì)量濃度，依據(jù)《水質(zhì)pH 值的測(cè)定 電極法》（HJ 1147—2020）測(cè)定溶液pH，采用筆式ORP 計(jì)測(cè)定氧化還原電位，采用筆式EC 計(jì)測(cè)定電導(dǎo)率。

2 結(jié)果與討論

2.1 SRB 的生長(zhǎng)曲線

實(shí)驗(yàn)測(cè)定的SRB 生長(zhǎng)曲線見圖1。

圖1 SRB 的生長(zhǎng)曲線Fig.1 Growth curve of SRB

由圖1 可知，在培養(yǎng)時(shí)間為14～86 h 時(shí)，SRB 的數(shù)量顯著增加，處于對(duì)數(shù)期，SRB 活性高、代謝旺盛。在培養(yǎng)時(shí)間為86～146 h 時(shí)，SRB 生長(zhǎng)處于穩(wěn)定期，細(xì)菌總數(shù)大，但是分裂增殖速度降低。由生長(zhǎng)曲線可知，處于對(duì)數(shù)生長(zhǎng)期的SRB 細(xì)菌增殖快、數(shù)量多、活性高、代謝旺盛，因此處于對(duì)數(shù)生長(zhǎng)期的SRB 適合用于探究不同影響因素對(duì)SRB 生長(zhǎng)的影響，分析SRB 在不同環(huán)境下的脫硫性能。

2.2 溫度對(duì)SRB 生長(zhǎng)的影響

富集SRB 的土壤性質(zhì)以及采樣點(diǎn)的環(huán)境會(huì)對(duì)SRB 的生長(zhǎng)產(chǎn)生一定的影響，導(dǎo)致不同土壤富集的SRB 最佳生長(zhǎng)溫度不同。本研究就溫度對(duì)實(shí)驗(yàn)SRB菌種生長(zhǎng)的影響進(jìn)行了研究，結(jié)果見圖2。

圖2 溫度對(duì)SRB 生長(zhǎng)的影響Fig.2 Effect of temperature on the growth of SRB

圖2（a）為各溫度條件下菌液的OD600及pH。OD600能間接體現(xiàn)培養(yǎng)液體系中的SRB 數(shù)量，由圖2（a）可知，當(dāng)溫度為29、32、35、38、41 ℃時(shí)，培養(yǎng)完畢菌液OD600分別為0.99、1.29、1.33、0.51、0.39，表明SRB在29～41 ℃溫度下均能存活，但在32、35 ℃培養(yǎng)時(shí)，菌液OD600較大，SRB 增殖較快，特別是溫度為35 ℃時(shí)SRB 增殖最明顯，說(shuō)明該溫度條件最適宜SRB 的生長(zhǎng)繁殖。胡浩鳴〔16〕分離的SRB 菌株N19D-S 最佳生長(zhǎng)溫度為35 ℃，張琳琳〔17〕分離的SRB 菌株A3-21ZLL 最佳生長(zhǎng)溫度為35 ℃，與本研究結(jié)果一致。此外，29、32、35、38、41 ℃下培養(yǎng)后菌液pH 分別為8.42、8.55、8.78、8.09、7.64，當(dāng)溫度為35 ℃時(shí)pH 增加最為明顯。pH 的增加主要?dú)w因于SRB 能夠正常代謝SO42-、氧化有機(jī)物，該過(guò)程會(huì)生成HCO3-，有效提升菌液pH〔18〕。35 ℃下pH 提升最大，間接驗(yàn)證了35 ℃時(shí)SRB 的生長(zhǎng)增殖活動(dòng)最佳，代謝產(chǎn)堿度最大，而菌液呈弱堿性又促進(jìn)了SRB 的增殖〔19〕。

圖2（b）所示為溫度對(duì)菌液ORP、EC 及SO42-去除率的影響。由圖2（b）可知，29、32、35、38、41 ℃下ORP 分別為-297、-371、-393、-128、-102 mV，35 ℃時(shí)，ORP 出現(xiàn)顯著下降的現(xiàn)象。有報(bào)道稱，在ORP＜-100 mV、5＜pH＜9 的含SO42-環(huán)境條件下，SRB 成為厭氧細(xì)菌中的優(yōu)勢(shì)菌種〔20〕。本研究中，與未接種SRB 的Starkey 培養(yǎng)基相比，SRB 在29～41 ℃培養(yǎng)時(shí)，溶液的ORP 均降低且均＜-100 mV，說(shuō)明SRB 在此溫度范圍內(nèi)活性均較好。此外，溶液的EC 穩(wěn)定在2.75～2.90 mS/cm，說(shuō)明不同培養(yǎng)溫度條件下SRB 生長(zhǎng)消耗培養(yǎng)液中的鹽質(zhì)量接近。由圖2（b）還可知，29、32、35、38、41 ℃下SRB對(duì)SO42-的去除率分別為60.70%、85.60%、84.77%、46.41%、29.56%。35 ℃時(shí)，SO42-去除率最高；41 ℃時(shí)，SO42-去除率最小。通常細(xì)菌內(nèi)部酶的活性受溫度影響，從而影響SRB 處理SO42-的效率，因此SRB 的活性可以通過(guò)SO42-的去除率間接反映。通過(guò)比較SO42-的去除率可知，在32、35 ℃條件下SRB代謝比較旺盛，41 ℃下SRB 代謝比較慢，這是因?yàn)?，?dāng)環(huán)境溫度由29 ℃逐漸升高時(shí)，SRB 中的酶活性逐漸升高，增強(qiáng)了SRB 對(duì)SO42-的代謝活性，有助于對(duì)SO42-的去除；但當(dāng)溫度超過(guò)38 ℃時(shí)，構(gòu)成SRB 菌的蛋白質(zhì)結(jié)構(gòu)的分子熱能增加，引起部分氫鍵、范德華力等非共價(jià)鍵的斷裂，導(dǎo)致SRB 菌整體活力下降〔21〕。因此，當(dāng)培養(yǎng)溫度為41 ℃時(shí)，SRB 對(duì)SO42-的去除率降低至29.56%。

綜上所述，當(dāng)培養(yǎng)環(huán)境溫度為35 ℃時(shí)，SRB 的活力最強(qiáng)。

2.3 S2-質(zhì)量濃度對(duì)SRB 生長(zhǎng)的影響

S2-質(zhì)量濃度對(duì)SRB 生長(zhǎng)的影響見圖3。

圖3（a）為不同S2-濃度下菌液的OD600及pH。由圖3（a）可知，當(dāng)培養(yǎng)基中S2-的初始質(zhì)量濃度分別為20、40、60、80、100 mg/L 時(shí)，接種SRB 培養(yǎng)8 d 后，OD600分別為0.30、0.23、0.25、0.16、0.14，OD600均較小且數(shù)值接近，表明大多數(shù)SRB 菌已經(jīng)喪失了活力。另外，其整體呈現(xiàn)隨S2-濃度增加OD600減小的趨勢(shì)。有研究表明，當(dāng)環(huán)境中的溶解態(tài)硫化物達(dá)到一定濃度時(shí)，SRB 的生長(zhǎng)和代謝會(huì)受到一定抑制〔22-23〕。這可能是因?yàn)?，S2-具有一定毒性，其含量的持續(xù)升高會(huì)使SRB 數(shù)量急劇下降〔24〕。當(dāng)培養(yǎng)基中S2-的初始質(zhì)量濃度為20、40、60、80、100 mg/L 時(shí)，pH 分別為7.71、7.68、7.55、7.41、7.26。與初始pH=7 相比，培養(yǎng)SRB 后溶液的pH 有所增加，但是增加幅度較小。特別是在初始S2-質(zhì)量濃度為100 mg/L 時(shí)pH 增加最小。初始S2-質(zhì)量濃度在20、40、60 mg/L 時(shí)，溶液中pH 的增加主要與SRB 代謝有關(guān)，在初始S2-濃度很小時(shí)，SRB 可以通過(guò)代謝生成堿性物質(zhì)，但是代謝產(chǎn)物S2-的積累不僅會(huì)對(duì)SRB 代謝造成阻礙，還有可能會(huì)導(dǎo)致SRB 死亡。死亡后的SRB 會(huì)將胞內(nèi)物質(zhì)重新釋放進(jìn)入溶液并使體系pH 呈略微下降趨勢(shì)。

圖3（b）所示為S2-濃度對(duì)菌液ORP、EC 及SO42-去除率的影響。當(dāng)培養(yǎng)基中S2-的初始質(zhì)量濃度為20、40、60、80、100 mg/L 時(shí)，溶液的ORP 分別為-179、-143、-109、-23、-13 mV。此時(shí)，在S2-初始質(zhì)量濃度為80、100 mg/L的條件下，溶液的ORP均＞-100 mV，體系中SRB 幾乎死亡，表明S2-濃度越高，SRB 菌體的死亡越嚴(yán)重。當(dāng)培養(yǎng)基中S2-的初始質(zhì)量濃度為20、40、60、80、100 mg/L 時(shí)，溶液的EC 分別為2.69、2.84、2.89、3.25、3.53 mS/cm，SRB 對(duì)SO42-的去除率分別為58.11%、49.74%、41.77%、21.59%、14.48%。當(dāng)S2-濃度較低時(shí)，SRB 有活性，能夠代謝SO42-；當(dāng)S2-濃度較高時(shí)，SRB 代謝受S2-濃度抑制，甚至大量死亡，SO42-的去除速率顯著降低。

綜上所述，體系中S2-的含量越高，SRB 的活力越弱，過(guò)高濃度的S2-最終會(huì)引起SRB 菌體死亡。

2.4 初始pH 對(duì)SRB 生長(zhǎng)的影響

H+濃度會(huì)對(duì)SRB 體內(nèi)酶產(chǎn)生一定影響，從而使得SRB 菌體活動(dòng)受到不同初始pH 水平的影響〔25-26〕?；诖耍狙芯靠疾炝顺跏紁H 對(duì)SRB 生長(zhǎng)的影響，結(jié)果見圖4。

圖4 初始pH 對(duì)SRB 生長(zhǎng)的影響Fig.4 Effect of initial pH on SRB growth

圖4（a）所示為各初始pH 條件下菌液的OD600及pH 變化。由圖4（a）可知，當(dāng)初始pH 分別為4、5、6、7、8 時(shí)，OD600分別為0.41、0.72、0.99、1.33、1.45，即隨著環(huán)境pH 的增加，OD600逐漸增加。當(dāng)初始pH 為4時(shí)，OD600較低，pH 為7 和8 時(shí)，OD600顯著增加，說(shuō)明酸性條件會(huì)抑制SRB 的生長(zhǎng)，而中性和弱堿性條件利于SRB 生長(zhǎng)。由圖4（a）還可以看出，培養(yǎng)后，溶液的pH 分別為7.01、7.33、7.89、8.78、9.48，均較初始pH 有所增加，這可能是由于SRB 在代謝硫酸鹽的過(guò)程中氧化有機(jī)碳產(chǎn)生了HCO3-〔26〕。

圖4（b）所示為初始pH 對(duì)菌液ORP、EC 及SO42-去除率的影響。當(dāng)初始pH 分別為4、5、6、7、8 時(shí)，溶液的ORP 分別為-176、-199、-309、-393、-418 mV，SRB 對(duì)SO42-的去除率分別為37.71%、55.74%、71.59%、84.77%、88.78%。在環(huán)境pH 為7 和8 的條件下，ORP 顯著降低，表明中性和弱堿性環(huán)境對(duì)SRB的生長(zhǎng)是有利的，此時(shí)SRB 的生長(zhǎng)和其對(duì)硫酸鹽的還原效果達(dá)到最佳，而酸性條件會(huì)抑制SRB 的代謝活動(dòng)〔27〕。這是因?yàn)?，溶液中的H+可以改變SRB 細(xì)胞的膜面電荷，進(jìn)而對(duì)其吸附性能產(chǎn)生一定影響，此外，pH 也會(huì)對(duì)SRB 微生物體內(nèi)的酶活力及穩(wěn)定性產(chǎn)生一定的影響，進(jìn)而對(duì)SO42-的代謝過(guò)程產(chǎn)生一定的影響。綜上所述，SRB 對(duì)周圍環(huán)境pH 的耐受范圍為5～8，在pH 為7～8 的條件下，SRB 的活力最強(qiáng)。

2.5 m（COD）/m（SO42-）對(duì)SRB 生長(zhǎng)的影響

m（COD）/m（SO42-）對(duì)SRB 生長(zhǎng)的影響見圖5。

圖5 m（COD）/m（SO42-）對(duì)SRB 生長(zhǎng)的影響Fig.5 Effect of m（COD）/m（SO42-） on SRB growth

圖5（a）所示為不同m（COD）/m（SO42-）條件下菌液的OD600及pH 變化。由圖5（a）可知，當(dāng)培養(yǎng)基初始m（COD）/m（SO42-）分別為1.0、1.5、2.0、2.5、3.0 時(shí)，對(duì)應(yīng)的OD600分別為0.89、1.12、1.33、0.97、0.91，即隨著m（COD）/m（SO42-）的增加，OD600先增加后降低，當(dāng)m（COD）/m（SO42-）=2 時(shí)OD600達(dá)最高，也就是SRB 的數(shù)目最高。研究表明，理論上0.67 g 的COD 可還原1 g 的SO42-〔27〕，然而，由于實(shí)際培養(yǎng)過(guò)程中SRB 和產(chǎn)甲烷細(xì)菌之間對(duì)基質(zhì)的競(jìng)爭(zhēng)，實(shí)際需要的m（COD）/m（SO42-）要遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于理論m（COD）/m（SO42-）〔28〕。有研究表明，當(dāng)m（COD）/m（SO42-）為1.7～2.7時(shí)SRB 和產(chǎn)甲烷細(xì)菌競(jìng)爭(zhēng)最激烈，且在此范圍內(nèi)m（COD）/m（SO42-）較低時(shí)SRB 占主導(dǎo)地位〔15〕。當(dāng)培養(yǎng)基中的初始m（COD）/m（SO42-）分別為1.0、1.5、2.0、2.5、3.0 時(shí)，pH分別為8.71、8.75、8.78、8.71、8.44，這表明，在培養(yǎng)基初始m（COD）/m（SO42-）=2 時(shí)，既可以促進(jìn)SRB 的生長(zhǎng)，又可以產(chǎn)生堿性物質(zhì)。

圖5（b）所示為初始m（COD）/m（SO42-）對(duì)菌液ORP、EC 及SO42-去除率的影響。當(dāng)培養(yǎng)基中的初始m（COD）/m（SO42-）分別為1.0、1.5、2.0、2.5、3.0 時(shí)，接種SRB 培養(yǎng)8 d 后，ORP 分別降至-303、-358、-393、-346、-316 mV。研究表明，SRB 在代謝SO42-過(guò)程中，通過(guò)產(chǎn)生代謝物H2S、HS-和S2-等降低了溶液的ORP〔29〕。當(dāng)培養(yǎng)基中的初始m（COD）/m（SO42-）分別為1.0、1.5、2.0、2.5、3.0 時(shí)，EC 分別為2.85、2.70、2.90、2.96、2.89 mS/cm，SRB 對(duì)SO42-的去除率分別為68.41%、77.56%、84.77%、75.70%、73.03%。SO42-在初始m（COD）/m（SO42-）=2.0 時(shí)的去除率最高，表明SRB 這個(gè)時(shí)候的代謝最旺盛。

綜上所述，SRB生長(zhǎng)的最佳m（COD）/m（SO42-）為2。

綜合各影響因素對(duì)SRB 生長(zhǎng)的影響，得到SRB 最佳生長(zhǎng)條件為溫度35 ℃、pH=7、m（COD）/m（SO42-）=2，此條件下采用Starkey 培養(yǎng)基培養(yǎng)處于對(duì)數(shù)期的SRB 8 d 后，溶液OD600、pH、ORP、EC 和SO42-去除率分別為1.33、8.78、-393 mV、2.90 mS/cm 和84.77%。

3 結(jié)論

SRB 適合用于處理含SO42-廢水，但是處理SO42-效果受溫度、環(huán)境pH、S2-質(zhì)量濃度、m（COD）/m（SO42-）等因素限制。本研究采用批量實(shí)驗(yàn)，綜合分析溫度、環(huán)境pH、S2-質(zhì)量濃度和m（COD）/m（SO42-）4 個(gè)影響因子對(duì)SRB 生長(zhǎng)的影響，探究SRB 在不同環(huán)境下的脫硫性能，得到如下結(jié)論：

1）培養(yǎng)14～86 h 時(shí)，SRB 處于對(duì)數(shù)期，此時(shí)細(xì)菌的活性最高。此階段的SRB 接種成活率高，適合接種到新環(huán)境中分析SRB 在不同環(huán)境下的脫硫性能。

2）通過(guò)將對(duì)數(shù)生長(zhǎng)期的SRB按V（SRB菌液）∶V（培養(yǎng)基）=1∶24 接種到Starkey 培養(yǎng)基中，結(jié)合OD600、ORP、pH、EC 和SO42-去除率等指標(biāo)，考察溫度對(duì)SRB 生長(zhǎng)的影響，發(fā)現(xiàn)在35 ℃時(shí)，SRB的活力達(dá)到了最大值，即SRB的最佳培養(yǎng)溫度是35 ℃。

3）通過(guò)將對(duì)數(shù)生長(zhǎng)期的SRB 接種到含不同質(zhì)量濃度S2-的培養(yǎng)基中，結(jié)合OD600、ORP、pH、EC 和SO42-去除率等指標(biāo)，考察S2-質(zhì)量濃度對(duì)SRB 生長(zhǎng)的影響，發(fā)現(xiàn)隨著培養(yǎng)體系中S2-質(zhì)量濃度的不斷增加，不但會(huì)對(duì)SRB 活性產(chǎn)生一定的影響，還會(huì)使SRB細(xì)胞凋亡。

4）通過(guò)將對(duì)數(shù)生長(zhǎng)期的SRB 接種到不同pH 的Starkey 培養(yǎng)基中，結(jié)合OD600、ORP、pH、EC 和SO42-去除率等指標(biāo)，考察環(huán)境pH 對(duì)SRB 生長(zhǎng)的影響，發(fā)現(xiàn)SRB 耐受的環(huán)境pH 為5～8，其中環(huán)境pH 為7～8 時(shí)SRB 的活力達(dá)到最佳。

5）通過(guò)將對(duì)數(shù)生長(zhǎng)期的SRB接種到含不同m（COD）/m（SO42-）的培養(yǎng)基中，結(jié)合OD600、ORP、pH、EC 和SO42-去除率等指標(biāo)，考察m（COD）/m（SO42-）對(duì)SRB生長(zhǎng)的影響，發(fā)現(xiàn)SRB生長(zhǎng)的最佳m（COD）/m（SO42-）為2。

6）在SRB 生長(zhǎng)最佳條件，即溫度35 ℃、pH=7、m（COD）/m（SO42-）=2 條件下，采用Starkey 培養(yǎng)基培養(yǎng)處于對(duì)數(shù)期的SRB 8 d后，溶液OD600、pH、ORP、EC 和SO42-去除率分別為1.33、8.78、-393 mV、2.90 mS/cm 和84.77%。