石墨烯/硅異質(zhì)結(jié)光電探測(cè)器的制備工藝與其伏安特性的關(guān)系

楊亞賢，張國(guó)青

（西安工程大學(xué) 理學(xué)院, 陜西 西安 710048）

1 引 言

近年來，納米科技的發(fā)展為突破基于傳統(tǒng)體材料的光電探測(cè)器的瓶頸提供了新的可能，二維材料的出現(xiàn)更為高性能光電探測(cè)器件的研制注入了活力[1-2]。石墨烯因具有高載流子遷移率、高導(dǎo)電性、高熱導(dǎo)性、高透光性等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于光電子器件領(lǐng)域[3-4]。基于石墨烯/半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)的光電器件在光學(xué)檢測(cè)[5-6]、化學(xué)和生物傳感[7]、光通信[8]等領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛[9]。目前基于石墨烯及其異質(zhì)結(jié)制備的光電器件性能逐漸提升，在提高器件的響應(yīng)度、探測(cè)效率，擴(kuò)展光波長(zhǎng)響應(yīng)范圍等方面表現(xiàn)出巨大的潛力[10-12]。

Gr 異質(zhì)結(jié)光電器件的主要制備方法有Gr 誘導(dǎo)生長(zhǎng)法[7],[13]和Gr 轉(zhuǎn)移法[14]。其中Gr 誘導(dǎo)生長(zhǎng)法是以襯底材料為生長(zhǎng)基底，使用化學(xué)氣相沉積（CVD）、物理氣相沉積（PVD）、分子束外延（MBE）等方法，將Gr 直接生長(zhǎng)在襯底材料上[10]。該方法簡(jiǎn)單易操作，且成膜覆蓋率較高，但是在附著層生長(zhǎng)的過程中需對(duì)實(shí)驗(yàn)參數(shù)（如溫度，生長(zhǎng)反應(yīng)材料，腔內(nèi)氣體流速等）進(jìn)行嚴(yán)格把控，且對(duì)于圖形化的襯底而言，在圖形窗口區(qū)域生長(zhǎng)的Gr 的特性與其他區(qū)域差別很大，甚至無法生成Gr。Gr 轉(zhuǎn)移法主要包括干法轉(zhuǎn)移、濕法轉(zhuǎn)移[15]。干法轉(zhuǎn)移是指在轉(zhuǎn)移材料的過程中，沒有溶液的參與，采用聚二甲基硅氧烷（PDMS）或者熱釋放膠帶（TRT）等作為載體將二維材料轉(zhuǎn)移至襯底上[16]。該方法能夠避免襯底與Gr 之間夾層出現(xiàn)水分和雜質(zhì)，從而有利于提升器件性能，但是該方法實(shí)際操作較為復(fù)雜，實(shí)驗(yàn)技巧要求高，難以大面積轉(zhuǎn)移。特別是對(duì)于制備光電器件必備的圖形化襯底而言，較高的圖形臺(tái)階使干法轉(zhuǎn)移的石墨烯并不能夠完整地貼合在圖形窗口內(nèi)的襯底上，操作過程中也由于PDMS 或TRT 剝離不徹底，不可避免地存在一定的機(jī)械應(yīng)力作用，這會(huì)進(jìn)一步造成石墨烯層的破損，降低良品率。轉(zhuǎn)移法制備Gr 異質(zhì)結(jié)的另一種常見方法是濕法轉(zhuǎn)移，它是指在二維材料的剝離和轉(zhuǎn)移過程中需要溶液輔助的轉(zhuǎn)移方法[17-18]。對(duì)于圖形化襯底而言，濕法轉(zhuǎn)移可以使得Gr 與圖形化襯底更好地貼合且不易破損。濕法轉(zhuǎn)移操作方法較為簡(jiǎn)單，良品率較高。

目前，已經(jīng)有較多采用濕法轉(zhuǎn)移制備的Gr/Si 異質(zhì)結(jié)用于光電探測(cè)的報(bào)道。2015 年，浙江大學(xué)徐楊等人利用濕法轉(zhuǎn)移工藝制備了基于石墨烯/二氧化硅/硅雪崩光電探測(cè)器，其在反向5 V 偏壓下的暗電流為10-5A/cm2[19]。2016 年，王雪等人基于濕法轉(zhuǎn)移工藝研制的基于Gr/Si 肖特基結(jié)的光電探測(cè)器，在0.5 V 下的漏電流為10-9A/cm2[20]。2020年，Wang Y M 等人使用濕法轉(zhuǎn)移在Gr/Si 之間加入氧化石墨烯（GO）來抑制暗電流，將光電流提高了2.75 倍[21]。雖然文獻(xiàn)報(bào)道的有關(guān)濕法轉(zhuǎn)移制備的Gr/Si 異質(zhì)結(jié)的漏電水平已經(jīng)較好，然而濕法轉(zhuǎn)移制備工藝細(xì)節(jié)對(duì)Gr/Si異質(zhì)結(jié)性能的具體影響鮮有報(bào)道。一方面，在濕法轉(zhuǎn)移過程中，Gr/襯底Si 夾層中難免會(huì)有水分的存在，水分的存在對(duì)于器件的性能通常是不利的，因此，在烘干過程中，烘干溫度通常需要超過100 °C[22]，這會(huì)使夾層中的水分快速地沸騰，從而導(dǎo)致表層的Gr 層破損，造成Gr 層的連通性下降，進(jìn)而導(dǎo)致器件性能較差，甚至損壞。另一方面，石墨烯轉(zhuǎn)移的過程中，通常需要將聚甲基丙烯酸甲酯（Polymethyl methacrylate，PMMA）等支撐層旋涂至Gr 層表面，進(jìn)行保護(hù)和支撐，如果支撐層物質(zhì)去除的不徹底，存在殘留，也可能導(dǎo)致器件性能下降。目前，尚未見到關(guān)于濕法轉(zhuǎn)移過程中，烘干工藝和支撐層殘留對(duì)Gr/Si 異質(zhì)結(jié)光電探測(cè)器電學(xué)性能的影響的專門報(bào)道?；诖耍疚倪M(jìn)行了深入研究，針對(duì)Gr/Si 夾層中可能存在水分的問題，對(duì)濕法轉(zhuǎn)移制備的一系列相同的Gr/Si 異質(zhì)結(jié)器件，使用不同的烘干工藝進(jìn)行了對(duì)比研究。針對(duì)支撐層可能存在殘留的問題，對(duì)Gr/Si 異質(zhì)結(jié)是否采取退火工藝進(jìn)行了對(duì)比研究。

2 Gr/Si 異質(zhì)結(jié)制備與測(cè)試方法

圖1 為Gr/Si 異質(zhì)結(jié)光電探測(cè)器的結(jié)構(gòu)示意圖，其制備工藝流程圖見圖2，主要步驟如下：

圖1 Gr/Si 異質(zhì)結(jié)光電探測(cè)器結(jié)構(gòu)示意圖Fig.1 Structural diagram of Gr/Si hetero-junction photodetector

圖2 Gr/Si 異質(zhì)結(jié)光電探測(cè)器制備工藝流程圖Fig.2 Flow chart of Gr/ Si hetero-junction photodetector preparation

（1）在外延生長(zhǎng)了50 μm 厚的N-型外延層（電阻率約16 ohm-cm）的<100>晶向的低電阻率N 型區(qū)熔硅襯底上，采用濕法氧化300 nm 的二氧化硅薄膜。通過光刻與刻蝕技術(shù)，在二氧化硅薄膜上開1 mm 見方的硅窗口，裸露出硅襯底，用以與石墨烯形成范德華異質(zhì)結(jié)。

（2）Gr 轉(zhuǎn)移至襯底。首先對(duì)Si 襯底進(jìn)行超聲清洗，準(zhǔn)備Gr，（本文中使用的Gr 為ACS（先進(jìn)化學(xué)供應(yīng)公司，Advanced Chemicals Supplier）生產(chǎn)的一步轉(zhuǎn)移式Gr，無需再次旋涂PMMA），將Gr 轉(zhuǎn)移至帶有硅窗口的襯底上。在轉(zhuǎn)移過程中，要盡量避免Gr 在水中漂浮的過程中下層產(chǎn)生氣泡，使用載玻片將氣泡逐漸去掉，直到氣泡幾乎無法被觀察到為止。將襯底斜入水中，緩緩將Gr 撈起，使得Gr 居于襯底中部，此時(shí)將轉(zhuǎn)移好的樣品進(jìn)行自然風(fēng)干，將樣片放置在濾紙上，用培養(yǎng)皿覆蓋避免灰塵落入，靜置 1 h。

（3）異質(zhì)結(jié)樣片烘干。將樣片放置在預(yù)熱好的熱板上，采用梯度式升溫，避免升溫蒸發(fā)過快，造成Gr 被氣泡頂破。整個(gè)烘干過程完成后，將樣片自然冷卻至室溫，在潔凈的培養(yǎng)皿中倒入一定量丙酮，將樣片浸泡在丙酮中除膠，熱板預(yù)熱45 °C，加熱丙酮 2 h，加速PMMA 溶解，更換丙酮浸泡12 h，使用另一潔凈培養(yǎng)皿蓋住，減少丙酮揮發(fā)，同時(shí)避免灰塵進(jìn)入。除膠進(jìn)程結(jié)束后，使用無水乙醇對(duì)殘留在樣品表面的丙酮溶液進(jìn)行清洗，使用洗耳球?qū)⒁掖即蹈?，樣片置于濾紙上，蓋上培養(yǎng)皿靜置待乙醇揮發(fā)完全，將其置于提前預(yù)熱好的熱板上恒溫（50 °C）烘干。

（4）石墨烯選擇性刻蝕，用以將不同的異質(zhì)結(jié)器件隔離開來，同時(shí)刻蝕掉大部分非光敏區(qū)的石墨烯。將PMMA 點(diǎn)在氧化硅窗口上方的Gr 層上保護(hù)局部的Gr。點(diǎn)膠時(shí)為避免點(diǎn)與點(diǎn)間的PMMA 暈開粘連，提前將其放置在預(yù)熱好的熱板上加熱60 °C 點(diǎn)膠。這樣既加速了PMMA 的凝固，也保證PMMA 點(diǎn)膠的均勻性。整個(gè)點(diǎn)膠過程完成后，將熱板升溫至85 °C，凝固PMMA 15 min,將樣片置入氧等離子體清洗機(jī)（JL-V05，深圳金徠）腔體內(nèi)，進(jìn)行氧等離子體干法刻蝕，射頻功率為70 W，氧氣流量為40 mL/min，刻蝕時(shí)長(zhǎng)為2.5 min。然后，對(duì)刻蝕后的樣片進(jìn)行除膠，此處除膠步驟與轉(zhuǎn)移烘干后的除膠步驟一致，但是由于點(diǎn)膠PMMA 層厚度較大，因此水浴加熱丙酮的過程所需時(shí)間略長(zhǎng)，除膠步驟完成后對(duì)其進(jìn)行170 °C 烘干40 min。

（5）退火。最后對(duì)整個(gè)樣片進(jìn)行退火處理，將樣片放入CVD 退火爐中進(jìn)行退火處理。退火時(shí)為Ar 氣氛圍保護(hù)，在400 °C 下退火2 h。退火處理一方面是為了進(jìn)一步去除轉(zhuǎn)移前的Gr 外表面的PMMA 與刻蝕時(shí)的PMMA，另一方面溶液轉(zhuǎn)移過程中殘留的可揮發(fā)的雜質(zhì)也會(huì)由于在CVD 中退火被帶走，同時(shí)夾層中可能依然殘余的水分，也會(huì)被帶走。經(jīng)上述制備流程，即可得到Gr/Si 異質(zhì)結(jié)。

制備好的Gr/Si 異質(zhì)結(jié)首先進(jìn)行了表面形貌和拉曼光譜表征，然后進(jìn)行了光電特性參數(shù)表征。表面形貌使用金相顯微鏡（BX53M，中國(guó)奧林巴斯（Olympus）公司生產(chǎn)）表征，對(duì)硅表面石墨烯的拉曼光譜，使用英國(guó)雷尼紹(Renishaw)公司制造的顯微共聚焦激光拉曼光譜儀( inVia Reflex，激發(fā)光源為Ar 離子激光器，波長(zhǎng)為514.5 nm）測(cè)試。Gr/Si 異質(zhì)結(jié)光電探測(cè)器電學(xué)特性測(cè)試使用的是手動(dòng)探針臺(tái)（鍍金鎢針，MULIT MODO，美國(guó)VEECO 公司生產(chǎn)），利用半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試儀（4155C，美國(guó)Agilent 公司生產(chǎn)，電流測(cè)量精度為10 fA）給異質(zhì)結(jié)施加不同偏壓，同時(shí)測(cè)量對(duì)應(yīng)的電流，電流隨偏壓的變化曲線即為伏安特性曲線。將伏安特性曲線數(shù)據(jù)按照歐姆定律計(jì)算，即可得到異質(zhì)結(jié)光電探測(cè)器件的靜態(tài)電阻隨偏壓的變化情況。在黑暗條件下，給Gr/Si 異質(zhì)結(jié)光電探測(cè)器加反向偏壓，測(cè)量得到的電流為暗電流ID。在本文中，使用可調(diào)激光光源（波長(zhǎng)為525 nm，入射光斑面積為5.15 mm2，功率調(diào)節(jié)范圍為0～0.7 W，北京宏藍(lán)光電AC90）給Gr/Si 異質(zhì)結(jié)器件照射光，測(cè)量得到的電流Itot即為凈光電流Iph與暗電流ID之和。

在本文中光響應(yīng)度R (Responsivity)[23-24]、信噪比SNR（Signal to Noise Ratio）、增益G (Gain)[16]的計(jì)算公式分別為：

其中Iph為凈光電流，Iph=Itot-ID，P為入射到異質(zhì)結(jié)光電探測(cè)器的光功率。式（3）中，Iph0表示反向偏壓較小，異質(zhì)結(jié)器件沒有增益時(shí)的凈光電流。

3 實(shí)驗(yàn)結(jié)果與分析

3.1 Gr/Si 異質(zhì)結(jié)器件的基本表征

圖3 為Gr/Si 異質(zhì)結(jié)表面Gr 的拉曼光譜圖，可見，與缺陷相關(guān)的D 峰（1 350 cm-1）較弱，表明石墨烯材料缺陷較少，根據(jù)G 峰和2D 峰的強(qiáng)度比例大于2，可以判斷出Gr 的層數(shù)為單層[11]。圖4（彩圖見期刊電子版）為選擇性刻蝕后的Gr/Si 異質(zhì)結(jié)金相顯微圖。從圖中可以看出Gr 被PMMA保護(hù)得較為完整，連接性良好，未看到明顯破損。圖中白色圖形區(qū)域?yàn)镾i 襯底表面無300 nm 的SiO2的區(qū)域。白色圖形區(qū)域內(nèi)、外可見的斑點(diǎn)是濕法轉(zhuǎn)移過程中的雜質(zhì)或PMMA 膠的殘留。

圖3 轉(zhuǎn)移到圖形化Si 襯底表面的Gr 拉曼譜圖Fig.3 The Raman spectrum of the Gr transfered to a patterned Si substrate surface

圖4 選擇性刻蝕退火后的Gr/Si 異質(zhì)結(jié)整體金相顯微圖（石墨烯邊界沿著紅色虛線圓圈）Fig.4 The metallographic micrograph of the Gr/Si heterojunction after selective etching annealing (graphene boundary along the red dotted circles)

3.2 烘干工藝對(duì)Gr/Si 異質(zhì)結(jié)暗電流的影響

圖5（彩圖見期刊電子版）為在黑暗環(huán)境下測(cè)得的不同烘干溫度條件下Gr/Si 異質(zhì)結(jié)的反向IV 曲線（烘干時(shí)間均為60 min）。從圖中容易看出隨著烘干溫度的增加，暗電流下降明顯，說明高溫烘干處理有利于減小異質(zhì)結(jié)器件暗電流的產(chǎn)生。通過進(jìn)一步觀察可以看出，100 °C 及以上的烘干溫度條件下，暗電流減小明顯。反向偏壓為-2 V 時(shí)，100 °C 烘干溫度條件下的暗電流比90 °C烘干溫度下減小了將近1 個(gè)量級(jí)。我們認(rèn)為之所以出現(xiàn)這種現(xiàn)象，是因?yàn)樵跐穹ㄞD(zhuǎn)移制備過程中，Gr/Si 的夾層中殘存有水分，烘干處理有利于驅(qū)趕夾層中殘存的水分，進(jìn)行高于100 °C 的烘干處理時(shí)，暗電流下降明顯是因?yàn)楹娓蓽囟纫堰_(dá)到或高于水的沸點(diǎn)，夾層中的水分徹底汽化，從石墨烯邊界或破損處排出，從而減小了異質(zhì)結(jié)的暗電流。從圖中還可以看出，烘干溫度高于170 °C 時(shí)，IV 曲線幾乎不再變化，因此，可以認(rèn)為最佳的烘干溫度為170 °C。在實(shí)驗(yàn)過程中，我們還發(fā)現(xiàn)如果直接將樣品放到超過100 °C 的熱板上，在顯微鏡下會(huì)看到硅襯底表面的Gr 層存在破損和褶皺，IV 曲線測(cè)試發(fā)現(xiàn)該類樣品幾乎不導(dǎo)通，少數(shù)導(dǎo)通的漏電也很大。經(jīng)分析認(rèn)為，由于Gr/Si 異質(zhì)結(jié)夾層中殘留的水分快速地沸騰蒸發(fā)、鼓泡造成了Gr 的破損和褶皺，使得Gr 的連通性下降，進(jìn)而造成異質(zhì)結(jié)電學(xué)性能下降。

圖5 不同烘干溫度條件下選擇性刻蝕前大面積Gr/Si 異質(zhì)結(jié)的反向伏安特性曲線對(duì)比（黑暗遮光條件下測(cè)試）Fig.5 Comparison of the reverse voltage-current characteristic of large area Gr/Si hetero-junction at different drying temperatures ( before selective etching under dark condition)

從圖5 中還可以觀察到烘干工藝雖然能減小異質(zhì)結(jié)的暗電流，但暗電流的絕對(duì)值相比于硅同質(zhì)結(jié)依然較大，而且看不到擊穿拐點(diǎn)，這可能是由于Gr/Si 異質(zhì)結(jié)存在較高密度的表面態(tài)，導(dǎo)致異質(zhì)結(jié)處產(chǎn)生的復(fù)合電流較大[3]，從而產(chǎn)生了較大的暗電流。為了進(jìn)一步減小Gr/Si 異質(zhì)結(jié)的暗電流，對(duì)大面積Gr/Si 異質(zhì)結(jié)進(jìn)行了選擇性刻蝕處理，使多個(gè)Gr/Si 異質(zhì)結(jié)獨(dú)立，并且刻蝕掉了大部分未與硅接觸的Gr。

3.3 刻蝕、退火工藝對(duì)Gr/Si 異質(zhì)結(jié)暗電流的影響

圖6(a)(彩圖見期刊電子版)為不同烘干、刻蝕、退火工藝條件下Gr/Si 異質(zhì)結(jié)的反向I-V 曲線對(duì)比。根據(jù)前面3.3 部分的討論，這里選擇性刻蝕后的烘干溫度定為170 °C。圖6(a)為僅烘干后樣品的I-V 曲線進(jìn)行對(duì)比，可以明顯看到，選擇性刻蝕后漏電流進(jìn)一步降低，降低了大約1 個(gè)量級(jí)，并且可以看到Gr/Si異質(zhì)結(jié)的擊穿拐點(diǎn)（擊穿電壓約-4.5 V）。圖6(b)(彩圖見期刊電子版)為不同烘干、刻蝕、退火工藝條件下Gr/Si 異質(zhì)反偏結(jié)的電阻隨偏壓變化曲線對(duì)比。從圖中可以看到選擇性刻蝕及退火后電阻進(jìn)一步增大，在反向偏壓較低時(shí)，可以達(dá)到100 MΩ 以上。值得關(guān)注的是，通過將退火后異質(zhì)結(jié)的反向I-V 曲線與選擇性刻蝕后的對(duì)比觀察，可以看出在-4 V 反向偏壓下，漏電流又降低了約1 個(gè)量級(jí)。分析認(rèn)為由于高溫退火減少了Gr/Si 異質(zhì)結(jié)中的可揮發(fā)性雜質(zhì)和可能殘留的PMMA 膠，從而進(jìn)一步降低了異質(zhì)結(jié)的漏電流。這個(gè)觀點(diǎn)可以在圖7（彩圖見期刊電子版）中得到佐證。圖7 為選擇性刻蝕后、退火后的金相顯微圖，從圖7 中兩幅子圖可以看出，在刻蝕與退火后，表面的雜質(zhì)及可能殘留的PMMA 膠明顯減少。

圖6 (a) 不同烘干溫度、刻蝕、退火工藝條件下Gr/Si 異質(zhì)結(jié)的反向I-V 曲線對(duì)比; (b) 不同烘干溫度、刻蝕、退火工藝條件下Gr/Si 異質(zhì)結(jié)的電阻隨偏壓變化曲線對(duì)比（黑暗條件下測(cè)試）Fig.6 (a) Comparison of the reverse voltage-current characteristics of Gr/Si hetero-junction under different drying temperatures, etching and annealing processes; (b) comparison of the voltage-resistance characteristics of Gr/Si hetero-junction under different drying temperatures, etching and annealing processes( under dark condition )

圖7 選擇性刻蝕后與退火后異質(zhì)結(jié)表面金相顯微圖（左為刻蝕后，右為退火后，紅色圓圈內(nèi)為較明顯的可揮發(fā)性雜質(zhì)或可能殘留的PMMA 膠）Fig.7 Metallographic micrograph of the surface of the hetero-junction after selective etching and annealing (left: after etching, right: after annealing.Red circles are relative obvious volatile impurities or possible residual PMMA glue)

3.4 Gr/Si 異質(zhì)結(jié)的光響應(yīng)特性

圖8（彩圖見期刊電子版）中紅色空心三角連線和紅色實(shí)心三角連線分別為加光前后的反向I-V 特性曲線，照射Gr/Si 異質(zhì)結(jié)的光功率密度為5.53×10-6W/cm2?？梢钥吹郊庸夂罂傠娏髟黾恿? 個(gè)量級(jí)以上，說明Gr/Si 異質(zhì)結(jié)的光響應(yīng)明顯。藍(lán)色實(shí)心圓連線為Gr/Si 異質(zhì)結(jié)的光電流增益隨偏壓的變化曲線，可以看出偏壓超過4.5 V 后，增益開始大于1，并且增益隨著偏壓的增加而增加。偏壓為-9 V 時(shí)，增益達(dá)到了48。圖9 為Gr/Si 異質(zhì)結(jié)的光響應(yīng)度（R）和信噪比（SNR）隨偏壓的變化曲線，可以看到反向偏壓在-1.7 V 時(shí)SNR 達(dá)到了23.7，光響應(yīng)度峰值可以達(dá)到25.6 A/W。這與文獻(xiàn)[20]中報(bào)道的1 mm2光敏面積的Gr/Si 異質(zhì)結(jié)光電探測(cè)器的典型響應(yīng)度接近。這些結(jié)果說明Gr/Si 異質(zhì)結(jié)在經(jīng)過選擇性刻蝕、退火工藝處理后，在漏電水平大幅度降低的同時(shí)，還能保證其光電特性不變差。這些結(jié)果為制備高度集成的Gr/Si 異質(zhì)結(jié)光電器件工藝提供了一定參考。

圖8 選擇性刻蝕、退火后Gr/Si 異質(zhì)結(jié)的反偏伏安特性與增益曲線Fig.8 Reverse voltage-current characteristics and gain curves of Gr/ Si hetero-junction after selective etching and annealing

圖9 (a) Gr/Si 異質(zhì)結(jié)的信噪比（SNR）隨偏壓的變化曲線(SNR: Signal to Noise Ratio)；(b) Gr/Si 異質(zhì)結(jié)的光響應(yīng)度隨偏壓的變化曲線Fig.9 (a) The SNR of the Gr/Si hetero-junction at different bias voltages.(b) The responsivity of the Gr/Si hetero-junction at different bias voltages

4 結(jié) 論

梯度式烘干工藝可以顯著降低Gr/Si 異質(zhì)結(jié)器件的漏電流，最佳的峰值烘干溫度為170 °C，170 °C 以上漏電流不再有變化。Gr/Si 范德華異質(zhì)結(jié)的選擇性刻蝕和退火工藝也能夠大幅降低漏電流。Gr/Si 范德華異質(zhì)結(jié)夾層中的殘留水分以及雜質(zhì)對(duì)異質(zhì)結(jié)的漏電流有顯著影響。因此，選擇合適的烘干工藝、選擇性刻蝕工藝及退火工藝在Gr/Si 異質(zhì)結(jié)器件的制備過程中是必要的。這些結(jié)論對(duì)于使用濕法轉(zhuǎn)移方法制備二維材料異質(zhì)結(jié)器件具有一定的參考價(jià)值。