褚玉婷,王朱慧,王星雨,周穎,嚴(yán)新
(鹽城工學(xué)院 化學(xué)化工學(xué)院,江蘇 鹽城 224051)
己二胺四甲叉膦酸(HDTMPA),CAS No.23605-74-5,分子式為C10H28N2O12P4,分子量為429.3。常溫下為白色結(jié)晶性粉末,微溶于水,室溫下溶解度小于5%。
HDTMPA屬于有機(jī)膦系化合物,在工業(yè)上有著廣泛的應(yīng)用。HDTMPA作為阻垢劑被應(yīng)用于循環(huán)冷卻水系統(tǒng),能抑制各種水垢(如碳酸鈣垢、硫酸鈣垢、硫酸鋇垢和氧化鐵垢等)的生成,防止因管道結(jié)垢而造成的管道腐蝕,其對(duì)硫酸鈣垢的阻垢性能最好,不僅阻垢率高,而且有效時(shí)間長(zhǎng),特別適用于油田擠壓處理和鍋爐水處理[1-2]。HDTMPA還可以用于黏土礦物表面改性,有機(jī)膦上的膦酸基團(tuán)富含孤對(duì)電子,可與重金屬離子產(chǎn)生螯合作用,人們常將有機(jī)膦與黏土礦物或金屬有機(jī)框架復(fù)合制備復(fù)合材料,此類復(fù)合材料是一種效果較好的重金屬捕集劑。此外,HDTMPA還可以作為摻雜劑,用于改善聚合物的結(jié)構(gòu)與性能,例如摻雜HDTMPA的聚苯胺具有較好阻燃性、導(dǎo)電性和熱穩(wěn)定性[3-5]。
本文借助量子化學(xué)方法,對(duì)HDTMPA的微觀性能進(jìn)行研究,通過(guò)Multiwfn程序[6]的波函數(shù)分析,對(duì)其進(jìn)行了原子電荷分析、靜電勢(shì)分析、盆分析、平均局部離子化能分析和電子定位函數(shù)分析,通過(guò)理論計(jì)算,為HDTMPA的開(kāi)發(fā)應(yīng)用提供理論指導(dǎo)。
采用Gaussian 09 軟件[7],在B3LYP/6-31G*基礎(chǔ)上[8]對(duì)HDTMPA分子進(jìn)行結(jié)構(gòu)優(yōu)化,在輸出文件中得到各個(gè)原子的Mulliken 電荷,數(shù)據(jù)如表1所示。由表1可以看出,膦酸基團(tuán)上的O原子帶較多的負(fù)電荷,約-0.57~-0.71 hartree(hartree為能量單位,1 hartree=2625.5 kJ/mol);P原子上帶正電荷,說(shuō)明膦酸基團(tuán)的O原子上電子較多,容易進(jìn)攻金屬的空軌道形成配位鍵;另外,C原子上也帶少許負(fù)電荷,但因?yàn)榭臻g位阻效應(yīng),C原子不作為活性位點(diǎn)研究;2個(gè)N原子上帶負(fù)電荷,而且所帶的負(fù)電荷幾乎相同,N原子上也有一對(duì)孤對(duì)電子。
表1 HDTMPA中各個(gè)原子(除氫原子外)的電荷Table 1 Charge of each atom (except hydrogen atom)in HDTMPAhartree
靜電勢(shì)是指將單位正電荷從無(wú)窮遠(yuǎn)處移到分子周圍空間某點(diǎn)處所做的功,將優(yōu)化后得到的HDTMPA分子的fch文件載入Multiwfn程序進(jìn)行靜電勢(shì)分析。輸入主功能12,再輸入0即可計(jì)算得到HDTMPA分子表面的靜電勢(shì),如圖1所示。由圖1可知,靜電勢(shì)負(fù)值的位置主要在膦酸基團(tuán)附近,說(shuō)明膦酸基團(tuán)上的O原子和P—OH上富含電子,是與重金屬離子作用的最佳位置。
圖1 HDTMPA的靜電勢(shì)分布圖Fig. 1 Electrostatic potential distribution diagram of HDTMPA
不同大小靜電勢(shì)所占分子表面的面積如圖2所示。由圖2可知,靜電勢(shì)分布在-35~55 kcal/mol區(qū)間里,分子表面靜電勢(shì)主要分布在0附近,這是因?yàn)榉肿又械膩喖谆鶊F(tuán)較多;靜電勢(shì)在10 kcal/mol以上分布較少,而在0以下分布較多,分子更容易發(fā)生親核反應(yīng)。
圖2 HDTMPA靜電勢(shì)在不同區(qū)間的分布Fig. 2 Distribution of the electrostatic potential of HDTMPA in different intervals
將HDTMPA分子的fch文件載入到Multiwfn程序中,通過(guò)主功能17進(jìn)行盆分析,再輸入1生成盆獲得極值點(diǎn),再輸入靜電勢(shì)功能12,開(kāi)始對(duì)HDTMPA分子進(jìn)行靜電勢(shì)的盆分析計(jì)算,最后得到圖3。從圖3中可以看出,靜電勢(shì)分布在整個(gè)分子的4個(gè)膦酸基附近,且集中在膦酸基團(tuán)的O原子附近,說(shuō)明O原子是活性位點(diǎn)。
圖3 HDTMPA分子的靜電勢(shì)盆分析Fig. 3 Electrostatic potential basin analysis of HDTMPA molecule
平均離子局域化能是衡量電子給出難易程度的量,在分子表面上其值越小,電子束縛越弱,電子活性越強(qiáng),越容易發(fā)生親電及自由基反應(yīng)。圖4為HDTMPA分子的ALIE圖。從圖4中可以看出,膦酸基團(tuán)上的O原子附近平均局部離子化能比較小,電子容易給出,特別是P=O上O原子的電子更容易給出,基本都在9 eV左右,P=O上O原子比P—OH上的O原子更小,活性更強(qiáng),這是因?yàn)镻=O上O原子的空間位阻較小。N原子周圍平均離子局域化能出現(xiàn)極大值,這就說(shuō)明NH2不作為提供孤對(duì)電子的活性位點(diǎn)考慮,一方面是因?yàn)镹H2上N原子只有一對(duì)孤對(duì)電子,另一方面N原子周圍連著亞甲基,空間位阻較大。所以當(dāng)HDTMPA與金屬離子作用時(shí),磷酸基團(tuán)的O原子就是反應(yīng)活性位點(diǎn)。
圖4 HDTMPA分子的ALIE圖Fig. 4 The ALIE diagram of HDTMPA molecule
在Multiwfn程序中輸入主功能4繪制平面圖,再輸入功能9繪制電子定位函數(shù)(ELF)圖,再點(diǎn)擊1開(kāi)始繪制著色圖。選定40號(hào)(右下圓心處),49號(hào)(左下圓心處)和51號(hào)(上面圓心處)3個(gè)O原子在一個(gè)平面主要觀察膦酸基團(tuán)區(qū)域,從而得到電子定位函數(shù)EIF圖,如圖5所示。從圖5中可以看出,膦酸基團(tuán)上氧原子電子離域化程度較高,束縛程度較弱,是反應(yīng)的活性位點(diǎn)。
圖5 HDTMPA分子的ELF圖Fig. 5 The ELF diagram of HDTMPA molecule
本文通過(guò)Gaussian 09 軟件對(duì)HDTMPA分子進(jìn)行結(jié)構(gòu)優(yōu)化,優(yōu)化后分子的原子電荷在輸出文件中顯示,分子中N原子和膦酸基團(tuán)的O原子子帶負(fù)電荷,通過(guò)結(jié)構(gòu)優(yōu)化得到fch文件,將其載入Multiwfn軟件中進(jìn)行計(jì)算。通過(guò)對(duì)分子進(jìn)行靜電勢(shì)分析、盆分析、平均局部離子化能(ALIE)分析和電子定位函數(shù)(ELF)分析發(fā)現(xiàn),膦酸基上的O原子帶較多的負(fù)電荷,靜電勢(shì)也主要分布在膦酸基附近,膦酸基團(tuán)且P=O雙鍵上的O原子ALIE小,電子更容易給出。另外,膦酸基團(tuán)附近ELF圖主要分布呈現(xiàn)深色,說(shuō)明膦酸基團(tuán)上氧原子電子離域化程度較高,束縛程度較弱,是反應(yīng)的活性位點(diǎn)。