基于自噬與突觸可塑性探討電針治療缺血性腦卒中的機(jī)制

李煜超,王燕,鄒偉

(1.黑龍江中醫(yī)藥大學(xué),哈爾濱 150040;2.寧夏醫(yī)科大學(xué),銀川 750000;3.黑龍江中藥大學(xué)附屬第一醫(yī)院,哈爾濱 150040)

電針是中醫(yī)學(xué)臨床治療缺血性腦卒中(cerebral ischemic stroke, CIS)非常重要的治療手段。已有研究證明,電針可通過(guò)抑制炎性反應(yīng)、腦水腫形成,減輕氧化應(yīng)激損傷、細(xì)胞凋亡,促進(jìn)神經(jīng)與血管再生等多種途徑治療 CIS[1]。此外,有報(bào)道[2-3]顯示,電針可通過(guò)自噬和突觸可塑性途徑促進(jìn) CIS后神經(jīng)恢復(fù),但具體機(jī)制尚不完全清楚。筆者將從自噬途徑和突觸可塑性途徑兩方面對(duì)電針治療 CIS的相關(guān)機(jī)制進(jìn)行綜述,并探討自噬與突觸可塑性在電針治療 CIS過(guò)程中的聯(lián)系,旨在進(jìn)一步明晰電針治療CIS的內(nèi)在機(jī)制。

1 電針治療CIS與自噬

1.1 CIS中影響自噬的因素

自噬是一種溶酶體降解途徑,可以清除受損細(xì)胞內(nèi)細(xì)胞器和異常折疊的蛋白質(zhì)及細(xì)胞內(nèi)病原體,對(duì)真核細(xì)胞生存、分化、發(fā)育及內(nèi)環(huán)境穩(wěn)態(tài)至關(guān)重要[4]。在饑餓、缺氧、營(yíng)養(yǎng)缺乏和感染等應(yīng)激條件下,自噬可被激活為細(xì)胞的生存提供營(yíng)養(yǎng)和能量[5]。自噬有 3種常見(jiàn)類型,即巨自噬、微自噬和伴侶介導(dǎo)的自噬,其中巨自噬與CIS的研究最為廣泛。巨自噬的發(fā)生發(fā)展(以下稱為自噬)有多個(gè)階段,包括自噬的啟動(dòng)、囊泡成核、擴(kuò)張和成熟以及自噬小體的融合和降解[6-7]。相關(guān)研究發(fā)現(xiàn),在CIS的發(fā)生和發(fā)展過(guò)程中,自噬與多種細(xì)胞內(nèi)生物學(xué)過(guò)程相互作用,包括自由基積累、線粒體功能失調(diào)和內(nèi)質(zhì)網(wǎng)應(yīng)激(endoplasmic reticulum stress,ERS)的激活。這些過(guò)程與自噬在調(diào)節(jié)神經(jīng)細(xì)胞死亡或存活方面有著復(fù)雜的聯(lián)系[8]。

CIS發(fā)生后,多種因素均可誘導(dǎo)自噬。當(dāng)缺氧時(shí),缺氧誘導(dǎo)因子(hypoxia inducible factor, HIF)被激活,HIF基因依賴性產(chǎn)物 B淋巴細(xì)胞瘤-2（B-cell lymphoma-2, Bcl-2）/腺病毒 E1B相互作用蛋白3(adenovirus E1B 19 kDa interacting protein 3,BNIP3)增加,BNIP3能競(jìng)爭(zhēng)性結(jié)合Bcl-2,使 Beclin-1被釋放,從而啟動(dòng)自噬[9]。缺血發(fā)生后,出現(xiàn)能量供應(yīng)不足,單磷酸腺苷(adenosine monophosphate, AMP)與三磷酸腺苷(adenosine triphosphate, ATP)比值增大,AMP激酶(AMP-activated protein kinase, AMPK)被激活,AMPK可直接抑制雷帕霉素機(jī)能靶標(biāo)蛋白復(fù)合物1(mechanistic target of rapamycin complex 1,mTORC1)并且磷酸化unc-51樣自噬激活激酶1(unc-51 like autophagy activating kinase 1, ULK1)來(lái)啟動(dòng)自噬[10-11]。ERS出現(xiàn)時(shí),內(nèi)質(zhì)網(wǎng)膜駐留蛋白肌醇依賴酶1α(inositol-requiring enzyme 1α, IRE1α)和RNA依賴性蛋白激酶(double-stranded RNA-dependent protein kinase, PKR)樣內(nèi)質(zhì)網(wǎng)激酶(PKR-like ER kinase, PEPK)被激活,它們可感知內(nèi)質(zhì)網(wǎng)管腔中未折疊蛋白的存在。激活的IRE1α通過(guò)激活c-Jun氨基末端激酶(c-Jun N-terminal kinase, JNK)介導(dǎo)的Bcl-2磷酸化導(dǎo)致Beclin-1/Bcl-2復(fù)合物的破壞,從而釋放自由的Beclin-1參與自噬體成核。PERK使真核起始因子 2α亞基(eukaryotic initiation factor 2α,eIF2α)磷酸化,磷酸化的 eIF2α通過(guò)上調(diào)自噬基因相關(guān)蛋白 12(autophagy-related protein 12, Atg12)的表達(dá)或促進(jìn) Atg5-Atg12-Atg16復(fù)合物形成參與自噬體膜的延伸。此外,ERS增加了細(xì)胞中鈣離子濃度,從而激活了AMPK途徑,緩解了mTOR對(duì)ULK1的抑制作用[12]。腦缺血性卒中后自噬過(guò)程見(jiàn)圖1。

圖1 腦缺血性卒中后自噬過(guò)程

1.2 自噬在電針治療CIS的作用

電針治療 CIS對(duì)自噬的調(diào)節(jié)取決于時(shí)間節(jié)點(diǎn)[13],CIS發(fā)生2 h后,電針可促進(jìn)自噬對(duì)抗神經(jīng)損傷;而在24 h后,電針通過(guò)抑制自噬達(dá)到神經(jīng)保護(hù)作用。此外,有學(xué)者[14]認(rèn)為自噬在CIS過(guò)程中起雙重作用,適度的自噬對(duì)神經(jīng)元起保護(hù)作用,而過(guò)度的自噬導(dǎo)致細(xì)胞損傷死亡。CHEN C等[15]研究發(fā)現(xiàn),電針預(yù)處理通過(guò)抑制糖原合成酶激酶-3β(glycogen synthase kinase-3β, GSK3β),經(jīng) Wnt通路抑制自噬,從而誘導(dǎo)對(duì)腦缺血的耐受。黃亞光等[16]于術(shù)前5 d通過(guò)電針百會(huì)及雙側(cè)足三里、曲池等穴對(duì)右側(cè)大腦中動(dòng)脈梗死(middle cerebral artery occlusion, MCAO)大鼠模型進(jìn)行預(yù)處理,發(fā)現(xiàn)電針預(yù)處理治療 CIS的機(jī)制可能通過(guò)抑制自噬發(fā)揮神經(jīng)保護(hù)作用。WANG M M等[17]觀察電針足三里和曲池穴對(duì)MCAO大鼠磷脂酰肌醇3-激酶(phosphatidylin-ositol-3-kinase, PI3K)/蛋白激酶B(protein kinase B, PKB或Akt)/mTOR通路的影響,于造模后24 h進(jìn)行電針治療,發(fā)現(xiàn)電針可能通過(guò)調(diào)節(jié)PI3K/AKT/mTOR通路來(lái)抑制神經(jīng)元自噬達(dá)到減少神經(jīng)元死亡的作用。

有研究表明,減輕 ERS可有效緩解腦缺血再灌注損傷(cerebral ischemia reperfusion injury,CIRI)[18-19]。SUN X等[20]研究發(fā)現(xiàn)電針對(duì)CIRI損傷的神經(jīng)保護(hù)主要是通過(guò)抑制ERS介導(dǎo)的自噬和細(xì)胞凋亡發(fā)揮作用。CIRI的發(fā)生促進(jìn)了大量的促炎介質(zhì)分泌,包括IL-6、IL-1β和TNF-α。有文獻(xiàn)證明,促炎性細(xì)胞因子可進(jìn)一步促進(jìn)嗜中性粒細(xì)胞和巨噬細(xì)胞浸潤(rùn)到受損組織和炎癥反應(yīng)中,導(dǎo)致炎癥反應(yīng)發(fā)生和發(fā)展的惡性循環(huán)[21]。TING Z等[22]研究發(fā)現(xiàn),電針治療CIS可以減輕缺血再灌注引起的炎癥反應(yīng)。MATSUZAWAISHIMOTO Y等[23]認(rèn)為自噬主要通過(guò)抑制炎癥小體,多蛋白復(fù)合物,以及通過(guò)自噬依賴性和非依賴性機(jī)制抑制I型干擾素(type I interferon, IFN-1)的產(chǎn)生來(lái)抑制炎癥。WANG X等[24]在研究心肌梗死炎癥與自噬時(shí)發(fā)現(xiàn),自噬信號(hào)的早期增加和隨后的下降與促炎信號(hào)的出現(xiàn)保持一致,表明這兩種現(xiàn)象之間存在密切聯(lián)系。以上研究為電針調(diào)節(jié)自噬抑制缺血性腦卒中引起的炎癥提供了理論基礎(chǔ)。

自噬相關(guān)蛋白是哺乳動(dòng)物細(xì)胞自噬程序正常執(zhí)行所必需的。電針可以通過(guò)調(diào)節(jié)自噬相關(guān)蛋白來(lái)減少CIS的神經(jīng)細(xì)胞損害。XU S Y[25]等研究發(fā)現(xiàn),CIS早期給予電針治療,可以提高LC3-Ⅱ、Beclin1的表達(dá)促進(jìn)自噬來(lái)改善MCAO大鼠神經(jīng)功能障礙評(píng)分。另有研究[26]顯示,卒中后 24 h電針曲池和足三里穴可顯著提高mTORC1水平,從而導(dǎo)致ULK復(fù)合物失活,并抑制腦梗死后皮層中 Beclin1的磷酸化,提示電針通過(guò)抑制自噬小體的形成以及自噬而保護(hù)腦神經(jīng)。CIS后線粒體受到破壞時(shí),PTEN誘導(dǎo)的激酶1(PTEN-induced kinase 1,PINK1)會(huì)介導(dǎo)Parkin磷酸化,激活的Parkin介導(dǎo)線粒體外膜蛋白泛素化而促進(jìn)線粒體自噬[27-29]。WANG H等[30]研究發(fā)現(xiàn)電針可改善自噬溶酶體途徑功能紊亂,通過(guò)PINK1/Parkin介導(dǎo)的線粒體自噬清除作用,減輕一氧化氮/氧化應(yīng)激誘導(dǎo)的線粒體功能損傷,改善受損線粒體的積累,從而保護(hù)神經(jīng)元免受CIRI。

2 突觸可塑性與CIS

2.1 CIS影響突觸可塑性的因素

突觸可塑性是指在內(nèi)環(huán)境或外環(huán)境變化時(shí),突觸在結(jié)構(gòu)和功能上產(chǎn)生適應(yīng)性改變的能力。在生理?xiàng)l件下,該過(guò)程與大腦發(fā)育,學(xué)習(xí)和記憶有關(guān)。在病理情況下,它參與腦損害的恢復(fù)[31]。LISMAN J[32]認(rèn)為突觸可塑性的主要表現(xiàn)形式為短時(shí)程增強(qiáng)、早期長(zhǎng)時(shí)程增強(qiáng)、晚期長(zhǎng)時(shí)程增強(qiáng)、長(zhǎng)時(shí)程抑制、距離依賴性縮放、穩(wěn)態(tài)突觸縮放。

CIS后會(huì)導(dǎo)致突觸結(jié)構(gòu)和功能的改變。谷氨酸是哺乳動(dòng)物中樞神經(jīng)系統(tǒng)的主要興奮性神經(jīng)遞質(zhì),N-甲基-D-天冬氨酸(N-methyl-D-aspartate, NMDA)受體和 a-氨基-3-羥基-5-甲基-4-異惡唑丙酸(alphaamino-3-hydroxy-5-methyl-4-isoxazolepropionic acid, AMPA)受體被認(rèn)為是介導(dǎo)快速興奮性突觸傳遞的主要離子型谷氨酸受體[33]。AMPA受體在突觸后膜上穩(wěn)定表達(dá)促進(jìn)突觸傳遞的LTP,參與對(duì)大腦學(xué)習(xí)、記憶等認(rèn)知功能的調(diào)節(jié)[34]。相關(guān)研究表明,慢性腦缺血可引起AMPA受體的谷氨酸受體2(glutamate receptor 2,GluR2)亞基內(nèi)化增多,該亞基調(diào)控與鈣離子信號(hào)相關(guān)的突觸功能,導(dǎo)致鈣離子內(nèi)流增加,使得細(xì)胞內(nèi)一氧化氮水平增加,抑制線粒體的轉(zhuǎn)運(yùn)功能,造成細(xì)胞內(nèi) ATP水平迅速下降,這一系列的調(diào)控機(jī)制最終損害神經(jīng)突觸功能[35]。此外,該研究還提到腦缺血后蛋白激酶 C相互作用蛋白 1(protein interacting with C-kinase 1, PICK1)表達(dá)升高,PICK1是一種普遍存在的膜結(jié)合蛋白,它的PDZ結(jié)構(gòu)域能與AMPA受體的GluR2亞基 C末端結(jié)合,使 GluR2內(nèi)吞,導(dǎo)致突觸后膜上含GluR2亞單位的 AMPA受體減少,影響突觸傳遞的功能[36]。樹(shù)突棘是樹(shù)突上的小突起,是大多數(shù)興奮性突觸的突觸后位點(diǎn),參與突觸信號(hào)的傳遞和整合,突觸的強(qiáng)度和活性與樹(shù)突棘的形態(tài)密切相關(guān)[37]。大腦皮質(zhì)和海馬是機(jī)體最易受氧化應(yīng)激和腦缺血缺氧損傷的區(qū)域,有學(xué)者研究了亞急性期到慢性期雙側(cè)感覺(jué)運(yùn)動(dòng)皮層和海馬樹(shù)突和樹(shù)突棘的動(dòng)態(tài)變化,發(fā)現(xiàn)急性腦卒中后雙側(cè)感覺(jué)運(yùn)動(dòng)皮層和海馬的樹(shù)突和樹(shù)突棘均有不同程度的損傷,腦卒中后同側(cè)和對(duì)側(cè)感覺(jué)運(yùn)動(dòng)皮層樹(shù)突棘密度明顯降低[38-39]。

2.2 突觸可塑性在電針治療CIS的作用

潘愛(ài)環(huán)[40]觀察電針百會(huì)、大椎和腎俞穴聯(lián)合有氧運(yùn)動(dòng)對(duì)腦缺血模型大鼠認(rèn)知功能、海馬組織形態(tài)學(xué)的影響,發(fā)現(xiàn)該療法能抑制PICKl的過(guò)表達(dá),調(diào)節(jié)突觸后膜上AMPA受體的分布,從而改善慢性腦缺血導(dǎo)致的認(rèn)知障礙。此外,電針可能通過(guò)抑制海馬CA1區(qū)嘌呤能受體 P2X配體門控離子通道 7(purinergic-receptor-P2X ligand-gated ion channel 7, P2X7R)的表達(dá),促進(jìn)突觸囊泡膜蛋白和突觸素的表達(dá),改善突觸超微結(jié)構(gòu),促進(jìn)突觸可塑性,進(jìn)而改善大鼠的學(xué)習(xí)記憶功能[41]。

突觸后密度蛋白-95(postsynaptic density protein-95, PSD-95)是膜相關(guān)鳥(niǎo)苷酸激酶超家族的成員,是突觸后致密物中最豐富的支架蛋白,可連接谷氨酸受體、信號(hào)分子,以及其他結(jié)構(gòu)蛋白,超過(guò) 95%的PSD-95表達(dá)定位于興奮性突觸[42]。Bé?QUE J C等[43]研究發(fā)現(xiàn)PSD-95的短期過(guò)表達(dá)通過(guò)選擇性促進(jìn)AMPA受體介導(dǎo)的突觸傳遞和顯著增加這些突觸表達(dá)LTD的能力,從而明顯改變皮質(zhì)間突觸的特性。突觸素(synaptophysin，SYP)是突觸前膜的特異性標(biāo)志,可以促進(jìn)突觸的形成,參與神經(jīng)的修復(fù)、再生和突觸重塑[44-45]。郭斌等[46]研究發(fā)現(xiàn),電針曲池和陽(yáng)陵泉穴能夠升高大腦中SYP和PSD-95含量,促進(jìn)了皮質(zhì)突觸的重塑,從而改善中樞神經(jīng)系統(tǒng)的運(yùn)動(dòng)功能。

突觸素P38是一種與突觸結(jié)構(gòu)和功能密切相關(guān)的鈣結(jié)合蛋白,參與鈣離子依賴神經(jīng)遞質(zhì)乙酰膽堿和谷氨酸的釋放,還參與了神經(jīng)元間信息的傳遞,對(duì)突觸傳遞效能的變化有明顯影響[47]。生長(zhǎng)相關(guān)蛋白43(growth-associated protein-43, GAP-43)也被稱為神經(jīng)調(diào)節(jié)蛋白,是伸長(zhǎng)軸突和未成熟突觸終末的運(yùn)動(dòng)生長(zhǎng)錐的主要成分[48]。在神經(jīng)元的發(fā)育和再生過(guò)程中,GAP-43伴隨著軸突的生長(zhǎng)在神經(jīng)組織內(nèi)大量合成[49]。有研究[50]表明,電針可以通過(guò)提高突觸素 P38和 GAP43在缺血中心區(qū)周圍皮層的表達(dá),保護(hù)缺血性腦損傷。

3 電針治療CIS過(guò)程中自噬與突觸可塑性

近些年有較多學(xué)者分別研究了CIS中自噬及突觸可塑性對(duì)神經(jīng)元的不同調(diào)節(jié)機(jī)制,發(fā)現(xiàn)自噬和突觸可塑性在缺血性腦卒中恢復(fù)過(guò)程中有重要作用。先前的研究提示自噬與突觸可塑性之間具有密切關(guān)系[51],而CIS后功能失調(diào)的自噬可能會(huì)引起一些突觸蛋白的紊亂,從而導(dǎo)致突觸功能障礙。有學(xué)者研究發(fā)現(xiàn),自噬與突觸相關(guān)蛋白的表達(dá)呈負(fù)相關(guān),應(yīng)用自噬抑制劑后突觸相關(guān)蛋白的表達(dá)增加,而應(yīng)用自噬激活劑后突觸相關(guān)蛋白的表達(dá)下降[52]。因此,自噬與突觸可塑性的聯(lián)系在電針治療CIS的過(guò)程中值得探究。

3.1 CIS后自噬與突觸可塑性的聯(lián)系

CIS后,由于腦組織缺血缺氧,增加了血管性癡呆(vascular dementia, VD)風(fēng)險(xiǎn)。有研究發(fā)現(xiàn),自噬對(duì)VD大鼠海馬CA1區(qū)突觸可塑性相關(guān)蛋白GAP-43、SYP、PSD-95表達(dá)具有抑制作用,抑制自噬有利于VD大鼠海馬CA1區(qū)神經(jīng)突觸重塑[53-54]。此外,自噬的誘導(dǎo)與AMPA受體亞基GluR1降解相關(guān),在化學(xué)性LTD刺激神經(jīng)元后,錐體神經(jīng)元樹(shù)突和棘中的自噬體形成增加,使得 AMPA受體導(dǎo)向溶酶體從而降解[55],最終影響突觸可塑性。ZHANG X等[56]基于大鼠海馬神經(jīng)元缺氧-葡萄糖剝奪(oxygen-glucose deprivation, OGD)模型和MCAO小鼠模型研究了缺氧缺血應(yīng)激對(duì)自噬和突觸結(jié)構(gòu)的影響,實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)缺血應(yīng)激后出現(xiàn)功能性溶酶體儲(chǔ)存異常并伴有突觸功能障礙,具體表現(xiàn)為自噬短暫上調(diào)后出現(xiàn)溶酶體功能的紊亂,突觸蛋白1、突觸囊泡蛋白Ⅰ、TUBB3和突觸體相關(guān)蛋白 25等突觸功能相關(guān)蛋白表達(dá)的下調(diào)和蛋白質(zhì)穩(wěn)態(tài)破壞的相繼發(fā)生。此外,突觸中的自噬效應(yīng)能降解SHANK3、PSD-95和PICK1等關(guān)鍵突觸后蛋白[57]。另有研究顯示,MCAO小鼠急性缺血后出現(xiàn)溶酶體相關(guān)膜蛋白 1的聚集和突觸超微結(jié)構(gòu)的損傷,作者通過(guò)檢測(cè)突觸結(jié)構(gòu)發(fā)現(xiàn)突觸功能障礙伴隨著溶酶體功能的改變,說(shuō)明突觸蛋白動(dòng)態(tài)轉(zhuǎn)換中的自噬依賴性損傷可能是突觸部位超微結(jié)構(gòu)改變的原因,且溶酶體功能障礙可能是缺血應(yīng)激條件下突觸功能障礙的分子基礎(chǔ)。

3.2 自噬與突觸可塑性在電針治療缺血性腦卒中的作用

腦源性神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子(brain-derived neurotrophic factor, BDNF)作為一種治療腦損傷或神經(jīng)退行性疾病的藥物已顯示出良好的前景,因?yàn)樗梢愿纳普J(rèn)知功能,減少病理變化,防止神經(jīng)元死亡[58]。BDNF作為突觸強(qiáng)度的活性依賴性修飾的關(guān)鍵介質(zhì),已知可增加突觸小泡的數(shù)量,并增強(qiáng)神經(jīng)遞質(zhì)的釋放。有研究指出,BDNF以其受體激酶 B(tropomysin related kinase B, TrkB)與PI3K途徑發(fā)生作用激活mTOR,從而抑制自噬來(lái)調(diào)節(jié)突觸可塑性[58]。ZHANG Y等[59]研究發(fā)現(xiàn)電針可以通過(guò)上調(diào) BDNF的表達(dá)來(lái)抑制缺氧缺血大鼠海馬細(xì)胞死亡。另外,電針百會(huì)穴對(duì)MCAO模型大鼠進(jìn)行干預(yù),可以通過(guò) BDNF/TrkB通路的表達(dá)促進(jìn)腦缺血大鼠運(yùn)動(dòng)功能的恢復(fù)[60]。WANG H等[30]觀察了腦缺血再灌注過(guò)程中線粒體功能的損傷和受損線粒體的積累,發(fā)現(xiàn)電針對(duì)這兩種損傷均有改善,作用機(jī)制可能是通過(guò)PINK1/Parkin介導(dǎo)的線粒體自噬,提高自噬清除率從而改善受損線粒體的積累。CIS后出現(xiàn)線粒體功能障礙和線粒體累積,這種線粒體的異常導(dǎo)致突觸功能出現(xiàn)障礙[61],而線粒體自噬作為線粒體質(zhì)量和數(shù)量的重要調(diào)節(jié)因素,可以有效改善線粒體功能[62]。通過(guò)線粒體自噬對(duì)線粒體的良性調(diào)節(jié),可以支持突觸功能的恢復(fù)[63],為電針治療 CIS通過(guò)線粒體自噬改善突觸可塑性提供了理論依據(jù)。慢性腦缺血可引起突觸后膜上AMPA受體損傷,這種損傷可能是通過(guò) PI3K-Akt-mTOR途徑介導(dǎo)自噬引起,應(yīng)用 PI3K抑制劑能抑制自噬,部分恢復(fù)AMPA受體水平[55]。另有研究[17]發(fā)現(xiàn),在CIS的治療過(guò)程中,電針可以通過(guò) PI3K-Akt-mTOR通路抑制自噬,從而可能使 AMPA受體水平恢復(fù),進(jìn)一步調(diào)節(jié)突觸功能。

4 討論

自噬和突觸可塑性在 CIS恢復(fù)過(guò)程中有重要作用。目前自噬和突觸可塑性相關(guān)分子機(jī)制的研究尚處于探索階段,研究學(xué)者大多側(cè)重于對(duì)單個(gè)途徑的機(jī)制研究,而關(guān)于兩者或多個(gè)途徑之間聯(lián)系的報(bào)道較少,尤其是在電針治療CIS機(jī)制探討方面。本文從自噬和突觸可塑性兩方面分別綜述了電針治療CIS的不同機(jī)制,發(fā)現(xiàn)自噬在缺血早期可能對(duì)神經(jīng)元起保護(hù)作用,而在再灌注期會(huì)導(dǎo)致細(xì)胞過(guò)度損傷而引起神經(jīng)細(xì)胞死亡。電針治療作為缺血性腦卒中后神經(jīng)功能恢復(fù)的重要干預(yù)手段,不僅可以促進(jìn)自噬去除病理產(chǎn)物,還能抑制自噬抵抗不同疾病時(shí)期的細(xì)胞死亡,并且通過(guò)調(diào)節(jié)自噬抑制缺血性腦卒中引起的炎癥。自噬可以維持突觸的完整性和功能。此外,缺血性腦卒中后會(huì)出現(xiàn)突觸結(jié)構(gòu)和功能的改變,電針干預(yù)后能促進(jìn)突觸囊泡膜蛋白和突觸素的表達(dá),改善突觸超微結(jié)構(gòu)。

通過(guò)進(jìn)一步探討自噬與突觸可塑性在電針治療CIS中的聯(lián)系,發(fā)現(xiàn)功能失調(diào)的自噬會(huì)引起一些突觸蛋白的紊亂,從而導(dǎo)致突觸功能障礙。自噬對(duì)突觸可塑性相關(guān)蛋白表達(dá)具有抑制作用,突觸中的自噬效應(yīng)能降解關(guān)鍵突觸后蛋白。電針可以通過(guò)刺激 BDNF/TrkB的表達(dá)來(lái)抑制自噬從而調(diào)節(jié)突觸可塑性。在腦缺血損傷中,隨著活性氧、缺血/再灌注或毒素的刺激,導(dǎo)致線粒體和線粒體自噬功能的損傷。線粒體自噬途徑對(duì)維持突觸功能至關(guān)重要,而電針治療 CIS可通過(guò)調(diào)節(jié)線粒體自噬調(diào)節(jié)突觸可塑性。此外,電針可能抑制自噬提高AMPA受體的水平調(diào)節(jié)突觸功能。綜上所述,電針不僅可以通過(guò)分別調(diào)節(jié)自噬和突觸可塑性途徑促進(jìn) CIS后神經(jīng)恢復(fù),并且在自噬和突觸可塑性的關(guān)聯(lián)機(jī)制中發(fā)揮重要的調(diào)節(jié)作用?；陔娽樦委熅哂卸喟悬c(diǎn)、多途徑的特點(diǎn),從自噬和突觸可塑性及其聯(lián)系等多角度揭示電針對(duì)缺血性腦卒中的作用機(jī)理,對(duì)中醫(yī)學(xué)治療手段的現(xiàn)代化發(fā)展具有重要意義。