納米成核點輔助結晶對鈣鈦礦光電探測器性能的影響*

孫雪 黃鋒 劉桂雄 蘇子生

1) (華南理工大學機械與汽車工程學院,廣州 510006)

2) (廣州計量檢測技術研究院,廣州 510663)

3) (泉州師范學院物理與信息工程學院,福建省先進微納光子技術與器件重點實驗室,泉州 362000)

有機無機雜化鈣鈦礦材料因具有可調節(jié)的帶隙寬度、優(yōu)異的載流子傳輸性能、可低溫溶液法制備等優(yōu)點,近年來在光電器件的應用研究上受到了廣泛的關注.對于平面光電導型探測器,電荷在兩電極之間需橫穿鈣鈦礦層,由于鈣鈦礦晶體的形成能較低,在晶界和薄膜表面易產(chǎn)生缺陷,光生載流子被缺陷阻擋而加劇激子的非輻射復合,造成器件光電性能下降.本文通過在鈣鈦礦界面層下方引入微量的氧化石墨烯納米片作為鈣鈦礦晶體的有效成核點,使得鈣鈦礦晶體可依附于氧化石墨烯形核,降低鈣鈦礦晶體成核勢壘的同時與鈣鈦礦形成鉛-氧鍵,最終獲得晶體顆粒增大、晶界數(shù)量減少、薄膜致密的鈣鈦礦層.由于氧化石墨烯在玻璃基底上的含量極低,大片玻璃基底裸露并與鈣鈦礦直接接觸,因此鈣鈦礦層應視為制備在玻璃基底上.在氧化石墨烯納米片的影響下鈣鈦礦與玻璃基底的接觸更為緊密,有效降低界面間的激子非輻射復合概率,提高了界面間電荷傳輸性能.最終,在氧化石墨烯納米片最優(yōu)制備參數(shù)的影響下,鈣鈦礦光電探測器光電流相比空白對照器件提高了1 個數(shù)量級,在3 V 偏壓下的開關電流比為5.22 × 103,并且最優(yōu)的光電探測器的光響應速度明顯提高,上升時間為9.6 ms,下降時間為6.6 ms.

1 引言

將光信號轉換為電信號的光電探測器在傳感器家族中占據(jù)著重要地位.目前,光電探測器的光電轉換材料多為無機半導體,如GaAs[1-3],GaN[4,5],Ge[6,7]和Si[8,9]等,雖然涵蓋了從紫外到紅外波段的光波長,但這些無機半導體通常制備方法復雜,價格昂貴,機械靈活性受限,一定程度上限制了大規(guī)模的商業(yè)應用[10].溶液法制備半導體,包括旋涂、噴墨打印、噴涂等被認為是降低半導體光電探測器制備成本的有效方法.目前溶液法制備涵蓋了多種常見的寬帶隙金屬氧化物半導體材料(如ZnO[11],SnO2[12])、窄帶隙量子點(如PbS[13])和鈣鈦礦材料[14].其中,鈣鈦礦材料具有帶隙可調、高的光吸收系數(shù)、長的載流子擴散長度以及雙極性載流子傳輸特性[15,16],使得鈣鈦礦材料在可見光探測領域顯示出巨大的潛力,近年來受到廣泛關注和研究.

光電探測器按照結構可分為二端型(光電二極管型和光電導型)和三端型(光電晶體管型),其中平面結構光電導型探測器具有制備簡單,可重復性高,更易于鈣鈦礦納米片、納米線及納米粒子的構建等優(yōu)勢[17],但由于光生電荷在兩電極間平面穿過鈣鈦礦層,在長距離的電荷傳輸過程中,載流子更容易被鈣鈦礦薄膜中的缺陷困住,造成光電流損失,因此鈣鈦礦層的質量是影響探測器整體性能的重要因素.然而,鈣鈦礦晶體的形成能較低,采用溶液法制備的鈣鈦礦薄膜容易在晶體內部、晶界處以及薄膜表面產(chǎn)生缺陷[18].

通過控制鈣鈦礦薄膜的材料結構、引入添加劑、優(yōu)化制備方法等方式,鈣鈦礦薄膜的質量可被有效提高.Zhu 等[19]在甲基胺Sn-Pb 鈣鈦礦體系中引入微量銣陽離子,銣離子的摻雜提高了鈣鈦礦結晶的可控性和結晶取向性,從而得到高質量的鈣鈦礦薄膜,基于此制備的鈣鈦礦探測器具有高效率的紫外-近紅外(300—1100 nm)光譜響應,并表現(xiàn)出優(yōu)異的工作穩(wěn)定性.Meng 課題組[20]利用富氧基底,使之與鈣鈦礦形成Pb—O 鍵,采用增大鈣鈦礦晶體顆粒減少鈣鈦礦薄膜缺陷密度,基于高質量鈣鈦礦晶體的光電探測器得到了0.73 A/W 的響應度和9.63 × 1010Jones (1 Jones=1 cm·Hz—2·W—1)的探測率.Wang 等[21]采用壓力輔助的溶劑工程法對鈣鈦礦的結晶過程進行控制,有效增大了鈣鈦礦晶體尺寸,減少晶界,并提高了鈣鈦礦薄膜在基底上的覆蓋,進而增大了光生載流子壽命,最終制備的鈣鈦礦光電探測器顯示出優(yōu)越的光電性能.可見,對鈣鈦礦晶體的生長進行調控,得到平整致密、晶界減少的鈣鈦礦薄膜,是提高平面結構光電導型鈣鈦礦探測器性能的重要前提.

石墨烯是由單層碳原子以sp2雜化方式鍵合構成的呈六邊形網(wǎng)狀結構的二維材料,具有優(yōu)異的光學、電學、熱學等性能,近年來在材料科學等領域受到了廣泛關注和研究.但石墨烯自身的不溶性以及片層間的范德瓦耳斯力和π-π 堆積作用,使得石墨烯在通常情況下在水和有機溶劑中會發(fā)生不可逆的團聚和沉淀[22,23].作為石墨烯衍生物,氧化石墨烯具有與石墨烯基本一致的二維層狀結構,其表面與邊緣引入了多種含氧官能團,如羥基(—OH)、羰基(—C=OO)、羧基(—COOH)等,含氧基團的存在使得氧化石墨烯在水中具有良好的分散性和穩(wěn)定性,因而氧化石墨烯更適于溶液加工[24].

本文采用一種操作簡便、成本低廉的方法提高鈣鈦礦的結晶性能及界面質量.通過在玻璃基底上沉積微量的氧化石墨烯納米片(GOSs)作為鈣鈦礦晶體的有效成核中心,在GOSs 的影響下,一方面鈣鈦礦薄膜與玻璃基底結合更為緊密,有效減少了界面間缺陷的產(chǎn)生;另一方面,GOSs 的存在有效降低了鈣鈦礦晶體的成核勢壘并與鈣鈦礦形成鉛-氧鍵,最終得到了晶體顆粒增大、晶界數(shù)量減少、薄膜致密的鈣鈦礦層,有效降低鈣鈦礦界面間的激子非輻射復合概率,提高了載流子傳輸性能.最終,最優(yōu)GOSs 制備參數(shù)下的平面光電導型鈣鈦礦光電探測器在3 V 偏壓下的光電流相比空白對照器件提高1 個數(shù)量級,開關比達5.22 × 103,并且響應速度相應提高,上升、下降時間分別為9.6和6.6 ms.

2 實 驗

2.1 實驗材料

GOSs 粉末購自南京先豐納米材料科技有限公司,PbI2和CH3NH3I 購自西安寶萊特光電科技有限公 司,N,N-二甲基 甲酰胺(DMF,無水級99.8%)和二甲基亞砜(DMSO,色譜純)購買于阿拉丁試劑有限公司.

2.2 器件制備

本文所用的玻璃基底依次經(jīng)過玻璃清洗劑、丙酮、去離子水、異丙醇超聲30 min,清洗完畢后取出吹干,隨后放置于臭氧-紫外燈下照射20 min 以去除基底表面殘留的有機物.沉積GOSs 的過程在空氣中進行.將GOSs 粉末分散于去離子水中,濃度分別為0.025,0.05,0.1 mg/mL,超聲處理5 min后得到GOSs 分散液.不同濃度的GOSs 水分散液均用0.45 μm 過濾頭過濾以去除分散液中的雜質,隨后分別滴在經(jīng)臭氧-紫外燈充分照射的玻璃基底上,在旋涂參數(shù)為5000 r/min 的條件下旋涂60 s,將沉積有GOSs 的玻璃基底放置于120 ℃熱臺上退火20 min 后轉移至氮氣手套箱.本文將上述不同濃度GOSs 分散液沉積在玻璃基底上所得的樣品分別命名為G0.025,G0.05和G0.1,相應地,空白玻璃基底命名為G0.

MAPbI3采用一步反溶劑法制備.將摩爾比為1∶1 的PbI2和CH3NH3I 粉末溶于體積比為7∶3的DMF 和DMSO 混合溶液中,將上述鈣鈦礦前驅體溶液于70 ℃熱臺上加熱攪拌過夜使之充分溶解.以2000 r/min,60 s 的旋涂參數(shù)分別在G0.025,G0.05,G0.1以及G0上旋涂充分溶解的鈣鈦礦前驅體溶液,在旋涂開始的第20 s 向基底滴加500 μL氯苯反溶劑,旋涂完畢后將基底放置于100 ℃熱臺退火10 min,得到鈣鈦礦薄膜.待鈣鈦礦薄膜冷卻至室溫后,將鈣鈦礦薄膜放入真空鍍膜機中蒸鍍7.5 nm MoO3和60 nm Au 電極,本文報道的探測器溝道長度和寬度分別為1000 和60 μm.

2.3 測試及表征

采用原子力顯微鏡(AFM,Bruker Multi Mode 8)對沉積在硅片上的GOSs 表面形貌進行表征,采用掃描電子顯微鏡(SEM,Hitachi 4800)和X射線衍射儀(XRD,Rigaku D/Max-2500)對不同基底上的鈣鈦礦薄膜形貌及鈣鈦礦結晶性能進行表征,GOSs 和鈣鈦礦薄膜在玻璃基底上的吸收光譜采用Shimadzu UV3101 PC 光譜儀測量.在黑暗和光照(100 mW/cm2,AM 1.5 G 太陽模擬器)條件下采用Keithley 2400 測量鈣鈦礦探測器的電壓-電流(I-V)特性.外量子效率(EQE)采用本實驗室自己搭建的系統(tǒng)測量,包括鎖相放大器(Stanford SR803)、斬波器(Stanford SR540,斬波頻率為130 Hz)、單色儀等,詳細測試過程參見補充材料.本文中探測器的光響應行為是在白光條件下進行測量的,入射光功率密度為23.50 mW·cm—2,詳細測試過程參見補充材料.

3 結果與討論

3.1 GOSs 的形貌探究

首先,對沉積在基底上的GOSs 形貌進行探究.由于本文采用的GOSs 的濃度極低,為了得到更清晰的GOSs 形貌,我們采用了表面更為平整的硅晶片作為基底探究GOSs 的分布情況,以5000 r/min,60 s的旋涂參數(shù)分別旋涂了0.025,0.050,0.100 mg/mL的GOSs 去離子水分散液,并在AFM 下觀察GOSs的形貌,如圖1 所示.

GOSs 的邊緣包含了多種含氧官能團(羥基和環(huán)氧基),使得GOSs 具有中心疏水和邊緣親水的性質,因此GOSs 在去離子水中具有出色的分散穩(wěn)定性和高的表面能[25,26].從圖1 可以看到,硅基底上GOSs 均勻分布,密度隨分散液濃度的增加而增加,GOSs 高度均為2 nm 左右,這表明GOSs 可視為單層氧化石墨烯片,即二維碳-碳結構.GOSs 之間的間距較大且片與片之間不相連,GOSs 之間有大片基底裸露,證明GOSs 不能完全覆蓋基底,因此GOSs 不能被視為界面層.

圖1 (a) 空白硅片以及 (b) 0.025,(c) 0.050,(d) 0.100 mg/mL GOSs 分散液沉積在硅片表面的形貌Fig.1.The morphology of (a) bare silicon wafer and (b) 0.025,(c) 0.050,(d) 0.100 mg/ mL GOSs dispersion deposited on the surface of silicon wafer.

3.2 GOSs 對鈣鈦礦薄膜的影響

在SEM 下觀察了G0,G0.025,G0.05以及G0.1上生長的鈣鈦礦薄膜形貌,平面掃描和斷面掃描的鈣鈦礦SEM 照片分別如圖2 和圖3 所示.

從圖2 和圖3 可以看到,在不同基底上沉積的鈣鈦礦形貌表現(xiàn)出明顯不同.圖2(a)為G0上生長的鈣鈦礦晶體形貌,鈣鈦礦晶體的平均晶粒尺寸約為200 nm,晶粒大小均勻.但在薄膜表面,尤其在晶界處可觀察到明顯缺陷.與圖2(a)相比,在GOSs 上生長的鈣鈦礦晶體尺寸增大.其中,G0.025(圖2(b))上生長的鈣鈦礦晶體顆粒大小不均勻,G0.1(圖2(d))上鈣鈦礦薄膜出現(xiàn)缺陷.相比之下,基于G0.05(圖2(c))修飾的鈣鈦礦晶體顆粒均勻且無針孔缺陷,這意味著該參數(shù)下鈣鈦礦薄膜的質量最優(yōu).

圖2 (a) G0,(b) G0.025,(c) G0.05 和(d) G0.1 上生長的鈣鈦礦薄膜的平面掃描SEM 照片F(xiàn)ig.2.Top-view SEM images of the CH3NH3PbI3 films on(a) G0,(b) G0.025,(c) G0.05 and (d) G0.1.

圖3 (a) G0 和(b) G0.05 上生長的鈣鈦礦薄膜的斷面掃描SEM 照片F(xiàn)ig.3.Cross-sectional SEM images of the CH3NH3PbI3 films on (a) G0 and (b) G0.05.

圖3 更加直觀地反映出GOSs 對鈣鈦礦晶體生長的影響.可以看到,圖3(a)和圖3(b)兩薄膜樣品具有基本一致的厚度,均約為500 nm,說明GOSs 的引入對鈣鈦礦薄膜的厚度沒有影響,這與單層GOSs 和不連續(xù)分布的結論相符.但如圖3(a)所示,在G0上的鈣鈦礦薄膜在垂直方向上是由幾個晶體堆疊而成的,且晶體與玻璃基底表面接觸差,存在大量孔洞缺陷,這對電荷的傳輸是十分不利的;而G0.05上生長的鈣鈦礦薄膜在垂直方向大部分僅由一個晶體組成,少部分無GOSs 的位置仍表現(xiàn)出多個晶體堆疊,這表明鈣鈦礦晶體的晶粒尺寸增大,且晶體與基底接觸緊密無孔洞,如圖3(b)所示.在補充材料(圖S1)中給出了兩組樣品的大范圍掃描照片,可以看到以上所述GOSs 的引入對鈣鈦礦薄膜的影響在整體上是均勻的.鈣鈦礦晶體顆粒的增大意味著晶界數(shù)量的減少,而晶界和缺陷處往往是電荷復合的中心,晶界和缺陷數(shù)量的減少對降電荷復合的幾率是非常有利的.

本文采用XRD 對生長在不同基底上的鈣鈦礦結晶進行了表征,并對數(shù)據(jù)進行了歸一化處理,如圖4(a)所示.可以看到,4 組鈣鈦礦樣品均在衍射角2θ為14.2°,28.5°和32.0°的位置出現(xiàn)明顯衍射峰,分別對應鈣鈦礦的(110),(220)和(310)平面,說明鈣鈦礦的晶體結構沒有發(fā)生改變[27,28].在約12°的位置沒有發(fā)現(xiàn)衍射峰,說明鈣鈦礦反應完全,薄膜中不存在未反應的PbI2.通過比較各4 組樣品在14.2°和28.5°兩個衍射峰的半峰寬(full width at half maximum,FWHM),可以發(fā)現(xiàn)沉積在GOSs 上的鈣鈦礦晶體衍射峰FWHM 均低于在空白玻璃基底上生長的鈣鈦礦晶體,并且在G0.05基底上鈣鈦礦衍射峰的FWHM 達到最低:在衍射角14.2°處為0.112°,在28.5°處為0.099°,而對比G0上鈣鈦礦樣品的FWHM 則分別為0.133°和0.146°,如表1 及圖4(b)所示.衍射峰FWHM的降低意味著在G0.05上生長的鈣鈦礦結晶取向性更優(yōu),相比G0上生長的鈣鈦礦晶體有明顯提高.

表1 不同基底上生長的鈣鈦礦薄膜XRD 衍射峰半峰寬Table 1. FWHM of the CH3NH3PbI3 XRD diffraction peaks deposited on different substrates.

圖4 (a) 鈣鈦礦薄膜在G0,G0.025,G0.05 以及G0.1 上的XRD 圖譜;(b) 相應樣品在14.2°和28.5°位置衍射峰放大圖Fig.4.(a) XRD patterns of the CH3NH3PbI3 films on G0,G0.025,G0.05 and G0.1;(b) enlarged diffraction peaks at 14.2° and 28.5° of the corresponding samples.

對生長在GOSs 及玻璃基底上的鈣鈦礦薄膜的紫外-可見光區(qū)域的吸收光譜進行了探究,結果如圖5 所示.為了說明GOSs 本身對整體光吸收的影響,給出了實驗中所用最高濃度GOSs 的吸收光譜并乘以系數(shù)30 以突出曲線趨勢.可以看到,4 組鈣鈦礦薄膜具有相似的曲線,吸收邊緣約為780 nm,與CH3NH3PbI3帶隙為1.59 eV 相符合.生長在GOSs上的鈣鈦礦薄膜對整個光譜的吸收能力稍有增強,其中以G0.05上生長的鈣鈦礦薄膜吸收最強.由于GOSs 的總量極低,不足以影響鈣鈦礦薄膜的吸收(如圖5 所示),因此光吸收的增強歸因于鈣鈦礦薄膜質量的提高.

圖5 沉積在G0,G0.025,G0.05 以及G0.1 上的CH3NH3PbI3光吸收譜.圖中同時給出G0.1 放大30 倍的吸收光譜Fig.5.Absorbance spectra of the CH3NH3PbI3 films deposited on G0,G0.025,G0.05 and G0.1.The absorption spectrum of G0.1 amplified by 30 is also shown in the figure.

基于以上的表征探究,GOSs 的引入對鈣鈦礦結晶性能的積極影響可以歸因于兩方面因素: 一方面,相比于平滑基底上的均相成核,原子依附于雜質顆粒或原有晶體表面上形成核的非均相成核方式具有更低的成核勢壘.GOSs 的引入相當于在平滑的玻璃基底上沉積了微量雜質,這些“雜質”帶來的不均勻性有效降低了鈣鈦礦晶體成核勢壘,作為鈣鈦礦晶體非均相成核的成核中心促使了鈣鈦礦晶體的生長,因此在GOSs 沉積的位置出現(xiàn)鈣鈦礦晶體的優(yōu)先生長,且晶體與基底間的接觸更緊密;另一方面,有文獻報道氧化石墨烯可與鈣鈦礦相互作用形成Pb—O 鍵[29],而富氧基底與鈣鈦礦之間化學鍵的形成是提高鈣鈦礦晶體質量的重要影響因素之一[20],因此我們將微量GOSs 的引入促進鈣鈦礦晶體生長的另一個原因歸結為GOSs 與鈣鈦礦之間Pb—O 鍵的形成.

3.3 鈣鈦礦光電探測器

將結晶性能提高的鈣鈦礦薄膜應用于光電探測器中,制備了平面光電導型鈣鈦礦光電探測器,器件結構示意圖和實物圖分別如圖6(a)和圖6(b)所示.有研究表明,電子可以從有機半導體的HOMO能級躍遷到MoO3的導帶中,因此通過在電極和有機半導體之間引入MoO3層可以有效降低電極/有機半導體界面的電荷注入勢壘[30,31].在本課題組之前的報道中,在鈣鈦礦與Au 電極之間引入一定厚度的MoO3薄膜可有效提高CH3NH3PbI3/Au 界面的載流子傳輸性能,有利于提高鈣鈦礦光電探測器的光電流、加快CH3NH3PbI3/Au 界面處缺陷態(tài)的電子填充和釋放[32].因此本文在沉積Au 電極前蒸鍍了7.5 nm MoO3界面層.

圖6 鈣鈦礦光電探測器的(a)結構示意圖和(b)器件實物照片F(xiàn)ig.6.(a) Schematic structure and (b) picture of the perovskite photodetector.

首先測試G0,G0.025,G0.05以及G0.1上生長的鈣鈦礦所制備的光電探測器分別在光照(模擬太陽光AM 1.5 G,圖7(a))和黑暗(圖7(b))條件下的I-V特性曲線.如圖7(a)所示,所有器件的光電流均與所加偏壓成線性關系,說明器件各界面層間接觸良好.在GOSs 上制備的鈣鈦礦探測器光電流均高于G0上制備的對比器件,并且在G0.05和G0.1上制備的兩組探測器相比對照器件光電流增長了一個數(shù)量級,在G0.05上達到最高(1.15 × 10—6A),而對比器件G0的光電流為3.58 × 10—7A.光電流的提高可歸因于鈣鈦礦薄膜質量的提高,晶界數(shù)量的減少和缺陷的消除有效降低了載流子復合概率,這與前文SEM 下觀察到的結論相符合.鈣鈦礦探測器的暗電流主要來自于界面缺陷.而在暗電流的測試結果中(圖7(b)),基于G0.05的探測器暗電流(2.21 × 10—10A)低于G0上制備的探測器(6.77 ×10—10A),同樣證實了器件鈣鈦礦界面質量的提高.得益于提高的光電流和降低的暗電流,在3 V 偏壓下基于G0.05制備的鈣鈦礦光電探測器得到了5.22 ×103的開關比,這一數(shù)據(jù)相比對比器件(5.34 × 102)高一個數(shù)量級.補充材料中給出了分別基于G0和G0.05的20 個鈣鈦礦光電探測器的開關比分布圖(圖S2),可以看到基于G0.05的器件普遍具有高于對比器件一個數(shù)量級的開關比,體現(xiàn)出最優(yōu)參數(shù)GOSs 的引入對于提高鈣鈦礦光探測器的性能實驗上具有較好的重復性.

圖7 (a)光照及(b)黑暗條件下G0,G0.025,G0.05 和G0.1 上制備的鈣鈦礦探測器的I-V 曲線Fig.7.I-V curves of the photodetectors fabricated on G0,G0.025,G0.05 and G0.1 under (a) solar simulator irradiation and (b) dark,respectively.

光響應度(R)和探測率(D*)均為表征光電探測器的重要性能參數(shù),它們與外量子效率(EQE)的關系可表示為[33]

其中,λ為入射光波長,q為電子電量絕對值,h為普朗克常數(shù),c為光速,Jd為探測器在黑暗條件下測得的暗電流.由此,在最優(yōu)參數(shù)G0.05以及對比器件G0上制備的鈣鈦礦探測器在3 V 偏壓下的R及D*如圖8 所示.可以看到,在不同基底上制備的器件均在350—800 nm 處表現(xiàn)出良好的響應.在G0.05上制備的探測器在整個可見光范圍內的探測率均在1013Jones 以上,高于G0上制備的對比器件.由于光譜響應與探測器電流信號及入射光功率密切相關[34],因此計算得到在波長為760 nm 處投射在探測器上的光功率密度為3.65 × 10—2mW·cm—2,此時基于G0.05的鈣鈦礦探測器具有2.04 ×1014Jones 的探測率和1.71 A·W—1的響應度,遠高于對比器件(探測率為7.51 × 1013Jones,響應度為0.98 A·W—1),這一結論進一步證實鈣鈦礦晶體質量的提高對探測器的電荷傳輸能力產(chǎn)生積極影響.

圖8 分別沉積在G0 和G0.05 上的鈣鈦礦光電探測器的R 和D*Fig.8.The R and D* of perovskite photodetectors fabricated on G0 and G0.05,respectively.

在探測器的探測性能表征中,光響應速度是其中重要的性能參數(shù)之一.本文在功率密度為23.50 mW·cm—2的白光入射條件下測量了的1 V偏壓下鈣鈦礦光電探測器的開關過程,相應的光響應行為如圖9 所示.在G0上制備的光電探測器上升和下降時間分別為16.6 和9.4 ms,而基于G0.05制備的器件則分別為9.6 和6.6 ms.鈣鈦礦薄膜的缺陷是影響探測器電荷傳輸和收集的重要因素,因此響應速度的提高歸因于鈣鈦礦薄膜質量的提高.本文將所報道的性能最優(yōu)鈣鈦礦探測器與其他文獻報道的采用溶液法制備的可見光探測器(包括其他鈣鈦礦材料或結構、其他光電轉換材料)進行了性能對比,如表2 所列.

表2 溶液法制備的可見光探測器性能Table 2. Performance of visible light detector prepared by solution method.

圖9 G0 和G0.05 上制備的鈣鈦礦光電探測器的5 個周期光響應行為Fig.9.Five cycles photoresponse behavious of the perovskite photodetectors fabricated on G0 and G0.05.

4 結論

通過在鈣鈦礦下方的平滑玻璃基底上引入極微量的GOSs,得到了晶體顆粒增大、晶界數(shù)量減少、與基底結合緊密、薄膜致密的鈣鈦礦層.GOSs 的引入主要有兩方面影響: 一方面為晶體生長提供成核點,降低晶體成核勢壘;另一方面,GOSs 中的O 與鈣鈦礦中的Pb 形成Pb—O 鍵.最終在GOSs 的影響下,鈣鈦礦光電探測器界面間的載流子傳輸性能有效提高,在0.05 mg/ml GOSs分散液沉積的玻璃基底上制備的鈣鈦礦光電探測器光電流相比對照器件提高1 個數(shù)量級,在3 V 偏壓下的開關電流比達5.22 × 103,且光響應速度相應提高,上升時間和下降時間分別達到9.6 和6.6 ms.