王亞茹，李英杰，鄒 萊*，韓聰聰，李昱潼

（1. 重慶大學(xué) 機械與運載工程學(xué)院，重慶 400044；2. 中國科學(xué)院 光學(xué)系統(tǒng)先進制造技術(shù)重點實驗室，吉林 長春 130033；3. 哈爾濱工業(yè)大學(xué) 機電工程學(xué)院，黑龍江 哈爾濱 150001）

1 引言

隨著我國光學(xué)事業(yè)的發(fā)展，對光學(xué)系統(tǒng)中的重要零部件（如反射鏡）的材料性能及各方面要求逐漸提高，許多傳統(tǒng)材料已無法滿足要求［1-2］。反應(yīng)燒結(jié)碳化硅（Reaction Bonded SiC，RB-SiC）陶瓷具有比剛度高、熱穩(wěn)定性較好、可得到良好的拋光表面等特點，目前已成為極具應(yīng)用前景的反射鏡材料［3］。然而RB-SiC 屬于典型的硬脆難加工材料，在加工過程中極易出現(xiàn)表面損傷，從而降低材料強度，影響工件的服役性能與壽命［4］。

目前，國內(nèi)外學(xué)者在反應(yīng)燒結(jié)碳化硅的精密加工方面做了許多研究，如饒小雙開展RB-SiC陶瓷電火花機械復(fù)合磨削技術(shù)研究，得出在放電能量一定情況下，適中的磨粒粒度能夠減少加工損傷，同時得到溫度升高能夠促進RB-SiC 陶瓷的塑性變形能力降低加工表面的硬度［5］。Zhang等人通過橢圓振動輔助金剛石切削RB-SiC 的實驗及仿真，最終得出橢圓振動輔助切削能夠顯著提高RB-SiC 的延性加工性能［6］。李志鵬等人采用激光輔助磨削方式加工RB-SiC，在對工藝參數(shù)進行優(yōu)化的基礎(chǔ)上獲得了良好的加工表面完整性，并使得表面粗糙度和亞表面損傷最小［7］。Wu 等人研究了純金屬對碳化硅的高速摩擦誘導(dǎo)去除行為，對于C 面，獲得了接近無損傷的亞表面，但材料去除率較低［8］。Chen 等人通過飛秒激光拋光方法，使得碳化硅表面組織均勻，摩擦系數(shù)穩(wěn)定，表面及亞表面質(zhì)量得到了改善［9］。陳勇彪等人通過金剛石線鋸切割碳化硅陶瓷實驗，研究了各工藝參數(shù)對表面質(zhì)量的影響規(guī)律，線速度增加、進給速度降低時表面形貌明顯改善，表面粗糙度大幅下降［10］。

針對RB-SiC 的低損傷加工，目前主要還是采用磨削、研磨及拋光的方式。而單顆磨?？虅澐椒ǔＳ糜谘芯坎牧先コc損傷，部分學(xué)者通過單顆磨粒剛性刻劃方法對RB-SiC 陶瓷的脆塑轉(zhuǎn)變行為進行研究，得到其脆塑轉(zhuǎn)變深度多處于微、納米級別，脆塑轉(zhuǎn)變時的臨界載荷多為毫牛量級［11-13］，這導(dǎo)致在加工中很難滿足加工條件，極大增加加工難度，且加工效率低下。因此，需要探索在保證加工質(zhì)量的前提下提高加工效率的新方法。

砂帶磨削是介于砂輪磨削與砂紙拋光的彈性加工方法，具有“高效”、“冷態(tài)”加工的特點［14］，目前已逐漸在航空發(fā)動機鈦合金、高溫合金等塑性材料磨拋領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。同時砂帶磨削在硬脆材料加工領(lǐng)域也有了初步應(yīng)用，如張疊等人采用四種不同磨料的砂帶對ZrO2工程陶瓷進行對比磨削實驗，得出了ZrO2工程陶瓷的最佳磨削工藝參數(shù)［15］。Zou 等人采用砂帶磨削方法加工高硬脆鈦鋁基材料Ti5Si3/TiAl，確定了磨削參數(shù)的最佳組合，獲得了良好的材料去除率及加工表面粗糙度［16］。

綜上所述，隨著砂帶磨削技術(shù)在精密磨削加工領(lǐng)域的逐步應(yīng)用，砂帶磨削將在RB-SiC 加工中具有重要研究意義。因此，本文擬開展單顆磨粒柔性刻劃實驗，對材料去除行為及損傷情況進行分析研究，為RB-SiC 砂帶磨削研究奠定基礎(chǔ)。

2 實驗方案

2.1 實驗原理與平臺

圖1（a）為砂帶磨削加工示意圖，砂帶磨削系統(tǒng)包括砂帶、接觸輪、試件以及磨削工藝參數(shù)（磨削法向壓力F、進給速度Vw、砂帶線速度Vs和帶粒度P）等。砂帶是具有多個切削刃的單層涂附磨具，由基材、磨粒、粘結(jié)劑及添加層組成，依靠柔性接觸輪支撐其高速運動，并在法向壓力作用下與工件接觸實現(xiàn)磨削加工。

圖1（b）為砂帶柔性磨削原理圖，磨粒與工件之間通過相對運動從而實現(xiàn)工件材料去除。磨削過程中的彈性來源主要是橡膠接觸輪以及砂帶，在磨削壓力作用下，橡膠層以及砂帶發(fā)生彈性變形，導(dǎo)致實際磨削深度ap小于理論磨削深度ape。當(dāng)磨粒切入工件時，切入的磨粒在接觸變形影響下偏離原有運動軌跡，并在接觸輪徑向方向產(chǎn)生回彈；另外，由于砂帶系統(tǒng)的彈性作用，導(dǎo)致實際參與磨削的磨粒數(shù)目增多，這在一定程度上提高了材料去除率。

圖1 砂帶磨削工藝Fig.1 Abrasive belt grinding process

實驗利用金剛石磨粒在試件表面單方向移動劃出一定痕跡，所有刻劃實驗均在課題組自行搭建的4 軸磨削-刻劃力多功能復(fù)合試驗機上進行，刻劃平臺整體結(jié)構(gòu)如圖2（a）所示。將工件夾具固定在傳感器上，調(diào)整刀具與工件接觸位置，并施加一定壓力，從而實現(xiàn)金剛石磨粒對反應(yīng)燒結(jié)碳化硅板材的刻劃運動。

為了模擬砂帶磨削時的彈性接觸狀態(tài)，設(shè)計了圖2（b）中所示的柔性裝置用于柔性刻劃過程，其中橡膠的材質(zhì)與砂帶接觸輪材質(zhì)相同，且橡膠的硬度為邵氏45 度。圖2（c）所示為單顆磨?？虅澰韴D，單顆磨?？虅潟r磨粒與工件直接接觸并產(chǎn)生一定應(yīng)力，當(dāng)應(yīng)力達到材料斷裂極值時，工件內(nèi)部產(chǎn)生不同程度的損傷及裂紋。而柔性刻劃主要利用橡膠層在徑向方向上的回彈作用以及對工件表面形貌的適應(yīng)性，通過改變磨粒與工件的接觸應(yīng)力狀態(tài)，從而影響表面損傷及亞表面裂紋產(chǎn)生及擴展情況。

2.2 實驗材料

實驗材料為反應(yīng)燒結(jié)碳化硅復(fù)合材料，由不同粒徑的碳化硅顆粒及單質(zhì)游離硅組成，其中碳化硅含量大于90%，氣孔率小于0.3%。采用電火花線切割技術(shù)將反應(yīng)燒結(jié)碳化硅試件尺寸切割成為40 mm×15 mm×3 mm，如圖2（d）所示。在刻劃實驗中使用了三種不同刀尖角度的金剛石磨粒，如圖2（e）和（f）所示，三種刀具的刀尖形狀為四棱錐，且面對面角度分別為80°、100°、120°。為了避免材料原有的表面裂紋及其他缺陷對刻劃過程及后續(xù)檢測的影響，采用金相拋光機對碳化硅試樣表面進行研磨拋光處理至表面粗糙度約為60 nm，表面平面度誤差不超過5 μm，圖2（g）為拋光后的材料表面顯微結(jié)構(gòu)圖。實驗過程中使用的多顆磨粒為從完整金剛石砂帶上面截取的一段，如圖2（h）所示。

2.3 實驗方案設(shè)計

為了探究RB-SiC 試件在單顆金剛石磨粒剛性及柔性刻劃條件下的表面形貌及亞表面損傷的差異性，本文進行了單顆金剛石磨粒在兩種接觸狀態(tài)下的變切深刻劃實驗，如圖2（c）所示，利用塞尺保證刻劃深度在0～30 μm 之間線性變化。實驗使用120°磨粒以0.4 mm/s 的刻劃速度進行剛性及柔性兩組實驗，并使用KWR75B 型坤維傳感器采集實驗過程中的劃擦力，實驗中保證每道劃痕長度為30 mm，兩組劃擦實驗均在同一碳化硅試件上。

圖2 刻劃實驗平臺及柔性刻劃原理圖Fig.2 Scribing experiment platform and schematic diagram of flexible scribing

為探究法向壓力、磨粒角度及刻劃速度對損傷的影響程度，進行了單顆金剛石磨粒在柔性接觸狀態(tài)下刻劃RB-SiC 的正交實驗。實驗中保證刻劃深度恒定不變，根據(jù)變切深實驗得到刻劃過程中力的范圍，在此范圍內(nèi)選取三組大小不同的力，進而在不同的刻劃壓力（深度）、磨粒角度、刻劃速度下開展三因素三水平正交實驗。實驗參數(shù)如表1 所示，采用三種角度的磨粒（80°、100°、120°），刻劃速度選取0.4 mm/s、0.8 mm/s、1.2 mm/s，實驗中保證每條劃痕長度相等且為10 mm，同時使用KWR75B 型坤維傳感器對刻劃過程中力的大小進行監(jiān)測。

表1 正交實驗參數(shù)表Tab.1 Orthogonal experiment parameter table

為了探究多顆磨粒與前述單顆粒相比刻劃的損傷形式是否發(fā)生變化，進行了多顆磨?？虅漅B-SiC 實驗。選取200#、400#、800#三種無磨損砂帶，并從中截取面積為25 mm2的正方形小塊，每小塊砂帶上包含10 個金剛石磨粒簇，刻劃速度為0.4 mm/s，刻劃時法向壓力為15 N，實驗中保證恒切深刻劃且刻劃長度保持為10 mm。

所有刻劃實驗結(jié)束后，使用電火花線切割機將試樣切割成5 mm×15 mm×3 mm 的樣塊用于分析測試，使用金相拋光機對試樣截面進行拋光，首先用W3.5 的金相拋光劑對試樣的垂直截面進行粗拋，時間30～40 min，然后使用W1.5 的金相拋光劑對其進行精拋，時間約1 h，充分消除上道工序引起的加工損傷后，使用酒精對相應(yīng)截面進行清洗，再用HF 腐蝕液對截面進行蝕刻，以便用電子掃描顯微鏡檢測。

3 結(jié)果分析與討論

3.1 單顆磨粒變切深刻劃

如圖3 所示為柔性及剛性兩種狀態(tài)下變切深刻劃劃痕SEM 圖，圖3（a）為柔性狀態(tài)刻劃的劃痕，圖3（b）為剛性刻劃下的劃痕。

圖3 劃痕SEM 圖像Fig.3 Scratch SEM images

圖3 （a）中Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ為柔性狀態(tài)下刻劃表面形貌圖，其中Ⅰ階段主要以劃擦形式去除，并伴隨有剝落及碎裂方式；隨著刻劃深度的增加，磨粒與工件的相互作用增強，導(dǎo)致法向及切向力增大，因此圖中Ⅱ階段出現(xiàn)材料大面積斷裂現(xiàn)象，而此時的劃痕溝槽形貌以脆性斷裂為主，并伴有小范圍的劃擦痕跡；隨著刻劃過程的進行，磨粒切入深度逐漸增大，劃痕進入完全脆性去除階段，相應(yīng)地，第Ⅲ段及之后劃痕表面形貌呈現(xiàn)出完全碎裂狀態(tài)。

圖3（b）中Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ段為剛性刻劃下表面形貌圖，Ⅰ階段劃痕碎裂面積相比柔性狀態(tài)下更大，主要以脆性形式去除，周圍有極少量塑性劃擦痕跡，此時的劃痕主要以斷裂形成凹坑為主；Ⅱ階段與柔性刻劃不同的是，此時已經(jīng)達到完全破碎狀態(tài)，劃痕以大面積斷裂形成的凹坑形式存在；Ⅲ階段為隨著刻劃過程的進行，切入深度變大，同時材料底部斷裂形成的凹坑深度增大。

通過對兩種接觸狀態(tài)下的刻劃形貌進行分析可知，剛性狀態(tài)下刻劃更容易以脆性方式去除材料，而在相同刻劃階段內(nèi)，柔性刻劃主要以微破碎形式去除材料，并且在刻劃Ⅰ階段時劃擦占據(jù)很大比例。相比之下，剛性刻劃時無論溝槽內(nèi)部或者溝槽邊緣都產(chǎn)生了大塊的脆性破碎。這主要是由于柔性裝置中橡膠層的作用，使磨粒在壓入工件后又在工件刻劃區(qū)域法向方向上有一定的回復(fù)作用，隨著刻劃過程的進行，刻劃深度不斷增加，回復(fù)能力逐漸增強。另外，柔性裝置對刻劃時的工件形貌有一定的適應(yīng)能力，從而在一定程度上改變了材料的去除形式。

刻劃力和材料去除以及損傷有著密切聯(lián)系，材料本身缺陷以及大面積脆性斷裂是引起刻劃力波動的主要原因［17］。圖4 為刻劃過程中法向力及X切向力變化曲線圖，剛性狀態(tài)下法向力及切向力在一定范圍內(nèi)高于柔性刻劃，且柔性刻劃力曲線更加平滑，相比之下，剛性刻劃兩條力曲線出現(xiàn)許多小范圍內(nèi)的波動。由此也可推斷，柔性刻劃時能夠抑制脆性斷裂以及裂紋的產(chǎn)生和擴展。

圖4 力-位移曲線Fig.4 Force-displacement curve

圖5 為典型亞表面形貌圖，左側(cè)剛性刻劃后的亞表面附近出現(xiàn)許多凹坑，且在亞表面出現(xiàn)了長度較大的裂紋，右側(cè)柔性刻劃后的亞表面出現(xiàn)了長度不同的近表面裂紋及少量亞表面裂紋。以圖5 右側(cè)柔性刻劃圖像為例，可得出最大裂紋長度L1（L1＞L3＞L2）、平均裂紋長度（（L1+L2+L3）/3）以及亞表面損傷面積（s=w×d）?；诖?，選取了在0～10 mm 內(nèi)的劃痕三組截面，分別對應(yīng)刻劃位移為3 mm、6 mm 和10 mm，通過對三組截面進行亞表面損傷檢測，分別得到相應(yīng)截面的最大裂紋長度（MCL）、平均裂紋長度（ACL）、亞表面破碎層深度（SFD）及亞表面損傷面積。如圖6 所示，在相同截面處，柔性刻劃后的亞表面損傷面積明顯小于剛性刻劃，亞表面裂紋產(chǎn)生情況優(yōu)于剛性刻劃，且通過計算三組截面均值，獲得柔性刻劃下亞表面損傷面積約為剛性刻劃的20.38%，柔性刻劃的平均裂紋長度約為剛性刻劃的38.07%。亞表面損傷面積Sd包括溝槽截面面積（Sg）及其周圍損傷面積，定義亞表面損傷率（SDR）即周圍損傷面積與亞表面損傷面積之比來評價亞表面損傷特征。選取剛/柔性刻劃的三組截面，通過公式（1），進而可得到剛性狀態(tài)下刻劃的平均亞表面損傷率（ASDR）為0.823，而柔性狀態(tài)下刻劃的ASDR 為0.677。由此可知，柔性刻劃下抑制裂紋的產(chǎn)生和擴展情況都明顯優(yōu)于剛性刻劃，且損傷情況優(yōu)于剛性刻劃，因此柔性刻劃能夠有效減小亞表面損傷。

圖5 亞表面SEM 圖像Fig.5 SEM images of subsurfaces

圖6 劃痕亞表面損傷深度及面積Fig.6 Damage depth and area of scratch cross sections

其中：rSDR表示為亞表面損傷率；Sd為亞表面損傷面積，單位為μm2；Sg為劃痕溝槽截面面積，單位為μm2。

圖7 為白光干涉儀檢測的劃痕三維形貌，同時可以得到典型劃痕截面的輪廓特征。其中，剛性刻劃時截面最大深度為13.5 μm，A-A 截面面積為1 019 μm2，相同條件下柔性狀態(tài)下刻劃時截面最大深度為6.05 μm，B-B 截面面積為162 μm2，且A-A 和B-B 為相同位置處的截面。另外，剛、柔性刻劃在變切深全過程中的材料去除效率分別為1.78×106μm3/s 和2.4×105μm3/s。

圖7 劃痕三維形貌Fig.7 3D topography of scratch

通過上述對劃痕表面形貌及亞表面損傷的對比分析以及實驗指標(biāo)的評定，初步得出：在相同工藝參數(shù)下，RB-SiC 材料在柔性狀態(tài)下刻劃所產(chǎn)生的材料損傷更小。

3.2 單顆磨粒恒切深柔性刻劃

基于上述結(jié)論，為獲得磨粒角度、刻劃速度、法向壓力三種參數(shù)對柔性刻劃后材料損傷的影響規(guī)律，開展三因素三水平正交實驗，正交參數(shù)如表1 所示。

通過對正交各組實驗進行亞表面損傷檢測，得到不同參數(shù)下的亞表面損傷圖像，劃痕亞表面有材料脫落產(chǎn)生的直徑不同的凹坑和孔洞，劃痕截面底部及周圍有長度不一的裂紋產(chǎn)生。圖8 為極差分析結(jié)果，結(jié)果表明，法向壓力對刻劃后的亞表面損傷影響最大，其次為磨粒角度，刻劃速度的影響相對較小。表2 為正交實驗結(jié)果，以亞表面破碎層深度以及平均裂紋長度作為評價亞表面損傷的指標(biāo)。

表2 正交實驗結(jié)果Tab.2 Orthogonal experimental results

圖8 極差分析結(jié)果Fig.8 Extreme difference analysis results

圖9 （a）為法向壓力對亞表面損傷的影響，由圖可知，平均裂紋長度及亞表面破碎層深度隨著法向力的增大而增大。單顆金剛石磨粒承受的法向壓力增大，則磨粒所切入試件的深度增大，從而導(dǎo)致試件脆性去除量增多，更容易出現(xiàn)亞表面裂紋，同時加劇亞表面層的破壞。圖9（b）、（c）、（d）為不同刻劃力、相同刻劃速度下的劃痕三維形貌圖，得出相應(yīng)劃痕最大深度分別為6.42 μm、11.7 μm、25.9 μm，以及每個劃痕截面相應(yīng)的截面面積，由此可得到試件在不同法向壓力下的去除效率分別為：3.84×104μm3/s、1.8×105μm3/s、3.92×105μm3/s，可見增大法向力能夠極大提高材料去除效率。同時得出最優(yōu)參數(shù)組合材料去除率為3.853×104μm3/s。

圖9 法向壓力的影響曲線及三維形貌圖Fig.9 Influence curve of normal pressure and three-dimensional topographies the scratch

圖10 為劃痕表面SEM 圖像、切向力及損傷影響曲線。如圖10（a）所示，相同法向力下磨粒角度對劃痕寬度影響較大，法向壓力相同時，磨粒角度越大，工件與磨粒接觸面積變大，則劃痕寬度變大。另外，磨粒角度較小時，單位面積內(nèi)與工件的相互作用增強，則磨粒較易出現(xiàn)磨損及斷刃現(xiàn)象。圖中80°磨?？虅澾^程中出現(xiàn)大量碎屑及塊狀斷裂，破碎現(xiàn)象較為嚴(yán)重，相比之下，120°磨?？虅潟r劃擦痕跡較為明顯，相對較少出現(xiàn)由大面積斷裂產(chǎn)生的劃痕底部凹坑，但是劃痕兩側(cè)斷裂及破碎較為嚴(yán)重，主要是由于當(dāng)磨粒角度較大時，刻劃所產(chǎn)生的Y向分力較大，X向分力較小。圖10（b）為三種角度磨粒Y向刻劃力，可見120°磨粒Y向分力波動幅度較大，相比之下，80°磨粒的Y向分力變化較為平穩(wěn)。

圖10 劃痕表面SEM 圖像、切向力及損傷影響曲線Fig.10 SEM images of scratched surface，tangential force and damage influence curves

磨粒角度對于損傷的影響僅次于法向壓力，如圖10（c）所示，其中80°磨?？虅潟r材料亞表面損傷較為嚴(yán)重，隨著磨粒角度的增大，材料亞表面損傷程度逐漸降低。磨粒角度越小，刀尖越尖銳，相同法向力作用下越容易產(chǎn)生較大的切削深度，試件易于以脆性方式去除，故磨粒角度越小對材料產(chǎn)生的損傷越大。如圖10（d）所示，刻劃速度與亞表面平均裂紋長度呈正相關(guān)，但對于亞表面破碎層深度的影響趨勢并不明顯，可能在當(dāng)前實驗條件下較小的X向刻劃速度確實有可能僅對裂紋深度產(chǎn)生相對明顯的影響，而難以導(dǎo)致嚴(yán)重的破碎情況，故對深度方向的損傷影響不明顯。

3.3 多顆磨粒恒切深柔性刻劃

在上述實驗及結(jié)論的基礎(chǔ)上開展了多顆金剛石磨粒柔性狀態(tài)下恒切深刻劃實驗，刻劃初始法向力采用15 N。通過對其刻劃形貌進行SEM檢測，得到不同磨?？虅澋谋砻嫘蚊矆D如圖11（a）所示，與單顆磨粒相比，多顆磨?？虅澋玫降臏喜蹆?nèi)部幾乎無大塊脆性斷裂及大面積剝落，表面裂紋及脫落區(qū)域主要位于劃痕兩側(cè)，且隨著磨粒粒度的增大，劃痕溝槽逐漸光滑，底部出現(xiàn)裂紋及破碎現(xiàn)象有所減輕，溝槽輪廓也逐漸清晰。另外，磨粒粒度較大時，相應(yīng)的劃痕溝槽的寬度較大，且劃痕兩側(cè)出現(xiàn)較為嚴(yán)重的剝落情況，主要原因是磨粒粒度較大時，相同力下與工件接觸面積較大，則出現(xiàn)破碎及剝落的可能性變大。另外，由于實驗在柔性狀態(tài)下刻劃，多顆磨粒對于工件表面具有一定程度的適應(yīng)能力，所以在刻劃過程中，不同磨粒所切入工件的深度不完全一致，且部分存在塑性去除階段。

如圖11（b）所示為多顆磨?？虅澓蟮牡湫蛠啽砻鎿p傷SEM 圖像，與單顆磨粒相比，多顆磨粒刻劃后亞表面溝槽深度較小，且破碎及損傷程度也比單顆磨粒刻劃時大幅度降低。多顆磨?？虅澾^程中單個磨粒受力不完全一致，導(dǎo)致單個磨粒切深略有不同，體現(xiàn)在亞表面層為溝槽間距較小或較淺溝槽擴展成深度較大溝槽。除此之外，多顆磨?？虅澋膩啽砻嫫扑閷由疃茸钚?.32 μm，最大不超過16.8 μm，且絕大部分亞表面破碎層深度在10 μm 以內(nèi)，與單顆磨?？虅澫啾?，多顆磨?？虅澞軌驑O大減小亞表面破碎層深度。

圖11 表面及亞表面SEM 圖像Fig.11 Surface and subsurface SEM images

以此推斷，使用砂帶進行RB-SiC 材料的磨削加工能夠達到較好的加工效果，同時能夠有效降低表面及亞表面損傷。

4 結(jié)論

本文針對反應(yīng)燒結(jié)碳化硅硬脆材料進行了系列刻劃實驗，研究了RB-SiC 材料去除及亞表面損傷行為，得出以下結(jié)論：

（1）柔性刻劃能夠極大地降低刻劃力，從而有效抑制裂紋的產(chǎn)生及擴展，表面及亞表面損傷都大幅度減少。相同截面處，亞表面損傷面積平均約為剛性狀態(tài)下的20.38%，且亞表面破碎層深度約為剛性刻劃時的1/2。

（2）進行了單顆磨粒恒切深正交實驗，結(jié)果表明：法向壓力及磨粒角度對亞表層損傷影響程度較大，隨著法向壓力的增加、磨粒角度的減小，其亞表面損傷程度逐漸增大。

（3）多顆磨?？虅澅砻婕皝啽砻鎿p傷程度相對單顆磨粒刻劃都大幅度降低，且亞表面破碎層深度不超過10 μm，最小達2.32 μm，這將為砂帶磨削RB-SiC 提供指導(dǎo)。