王 斌,胡昱博,童柳霞,張 潔,胡 波
400038 重慶,陸軍軍醫(yī)大學(xué)(第三軍醫(yī)大學(xué))基礎(chǔ)醫(yī)學(xué)院:生理學(xué)教研室1,五大隊(duì)15隊(duì)2;400042 重慶,陸軍特色醫(yī)學(xué)中心骨科3
協(xié)調(diào)機(jī)體處于適宜的覺(jué)醒狀態(tài),對(duì)保證運(yùn)動(dòng)行為的精確發(fā)生具有重要意義。近年研究發(fā)現(xiàn):腹內(nèi)側(cè)丘腦(ventromedial thalamus,VM)可能是協(xié)調(diào)覺(jué)醒水平與運(yùn)動(dòng)發(fā)生的關(guān)鍵神經(jīng)結(jié)構(gòu)。一方面,VM神經(jīng)元可以向前外側(cè)運(yùn)動(dòng)皮層發(fā)出興奮性投射,影響運(yùn)動(dòng)皮層神經(jīng)元的持續(xù)放電活動(dòng),進(jìn)而參與運(yùn)動(dòng)準(zhǔn)備和啟動(dòng)。另一方面,VM神經(jīng)元還可以投射至大腦皮層的廣泛區(qū)域,調(diào)控大腦皮層淺層神經(jīng)元的興奮活動(dòng),提升機(jī)體的覺(jué)醒水平。此外,VM神經(jīng)元接受內(nèi)側(cè)前額葉皮層、運(yùn)動(dòng)皮層、紋狀體和小腦等的信號(hào)輸入。因此,VM處于一個(gè)有利的解剖學(xué)位置,使其能夠整合機(jī)體運(yùn)動(dòng)和本體感覺(jué)等信息,進(jìn)而通過(guò)軸突支配來(lái)協(xié)調(diào)覺(jué)醒水平與運(yùn)動(dòng)發(fā)生。盡管現(xiàn)有證據(jù)表明,VM具有促進(jìn)覺(jué)醒的作用,但VM神經(jīng)元在不同腦功能狀態(tài)(如覺(jué)醒和睡眠)下的活動(dòng)特征目前仍不完全清楚。探索這一問(wèn)題將為揭示VM是如何整合信息并參與覺(jué)醒狀態(tài)調(diào)控提供基本認(rèn)識(shí)。由于VM形狀細(xì)長(zhǎng)、所處位置較深,準(zhǔn)確記錄大量VM神經(jīng)元在覺(jué)醒-睡眠過(guò)程中的活動(dòng)比較困難。在前期精確定位小鼠VM的基礎(chǔ)上,本研究擬將可推進(jìn)微電極陣列植入VM,以連續(xù)監(jiān)測(cè)該區(qū)域神經(jīng)元的放電活動(dòng),并比較其與腹外側(cè)丘腦(ventrolateral thalamus,VL)區(qū)神經(jīng)元在不同覺(jué)醒-睡眠腦狀態(tài)及其相互轉(zhuǎn)換過(guò)程中的活動(dòng)差異。
采用雄性、3月齡C57/BL6野生型小鼠4只,體質(zhì)量20~25 g[購(gòu)于重慶恩斯維爾生物科技有限公司,SYXK(渝)2017-0002]。在手術(shù)前適應(yīng)、術(shù)后恢復(fù)以及記錄實(shí)驗(yàn)期間,小鼠被置于光照∶黑暗為12 h∶12 h、溫度20~25 ℃的單籠標(biāo)準(zhǔn)飼養(yǎng)環(huán)境中。所有實(shí)驗(yàn)操作符合陸軍軍醫(yī)大學(xué)動(dòng)物福利倫理審查指南要求。
剪取一段絕緣后直徑25 μm、長(zhǎng)約25 cm的鎢絲(California Fine Wire,美國(guó))。鎢絲對(duì)折之后,夾住兩端并對(duì)稱掛于鐵架臺(tái)上。對(duì)折使鎢絲變成4股垂直于實(shí)驗(yàn)桌面,其下端懸掛一根鐵質(zhì)磁力攪棒。利用磁力使攪棒旋轉(zhuǎn),轉(zhuǎn)速500 r/min。用熱風(fēng)槍固定形成4股螺旋狀的鎢絲tetrode電極。每組tetrode具有4個(gè)通道(Ch1~4)。將制備好的4組tetrode電極依次穿入平行排列的石英管(Polymicro Technologies,美國(guó))。每組tetrode電極間距160 μm。而后各組tetrode電極連接微推進(jìn)器和Omnetics電信號(hào)接頭。
將小鼠放入麻醉誘導(dǎo)盒中,使用1%~1.5%異氟烷麻醉小鼠。在麻醉誘導(dǎo)成功后,將小鼠頭部固定于腦立體定位儀上。調(diào)節(jié)異氟烷濃度使小鼠的呼吸頻率控制在60~90次/min。調(diào)整顱骨水平,測(cè)量左、右對(duì)稱位置高度,使二者高度差<100 μm;測(cè)量前、后囟高度差,使二者高度差<200 μm。在雙側(cè)小腦上方對(duì)稱位置,鉆2個(gè)圓形小孔,植入2顆不銹鋼螺絲,分別作為地線與參考連接電極連接位點(diǎn)。在右側(cè)頂葉顱骨,植入1顆不銹鋼螺絲(坐標(biāo),前囟后:1.9 mm,旁開:1.7 mm),以記錄皮層腦電活動(dòng)。根據(jù)小鼠腦定位圖譜,在左側(cè)丘腦上方植入由4組tetrode鎢絲電極所組成的陣列,坐標(biāo)如下:①VM區(qū),前囟后1.6 mm、旁開0.3 mm、初始植入深度3.9 mm;②VL區(qū),前囟后1.6 mm、旁開0.7 mm、初始植入深度3.9 mm。術(shù)后小鼠恢復(fù)5~7 d,待體質(zhì)量成功恢復(fù)標(biāo)準(zhǔn)即術(shù)前水平后,再開始進(jìn)行適應(yīng)和電生理記錄。
手術(shù)恢復(fù)后對(duì)小鼠進(jìn)行記錄環(huán)境和操作流程適應(yīng)訓(xùn)練,共2 d。在此期間,通過(guò)微推進(jìn)器將陣列電極尖端以70~105 μm/d的速度緩慢向VM或VL區(qū)域推進(jìn),直到可以穩(wěn)定記錄到VM或VL區(qū)神經(jīng)元的放電活動(dòng)。用RHD2 000(Intan Technologies,美國(guó))神經(jīng)數(shù)據(jù)采集器、以20 kHz采樣頻率對(duì)VM或VL神經(jīng)元單位放電信號(hào)、右側(cè)頂葉腦電信號(hào)進(jìn)行采樣。電生理信號(hào)通過(guò)Neuro scope軟件實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)。電生理記錄均在當(dāng)日10:00~14:00開展。每次記錄時(shí)間至少2.5 h。每只小鼠記錄2~3次。每次記錄結(jié)束后,微電極陣列需推進(jìn)70~105 μm,以便在下一記錄日能夠記錄到新的VM或VL神經(jīng)元。
利用頂葉皮層的腦電活動(dòng)和頭頸部三維加速度來(lái)反映小鼠的大腦覺(jué)醒-睡眠狀態(tài)。定義標(biāo)準(zhǔn)如下:①覺(jué)醒(wakefulness,Wake):頂葉皮層呈現(xiàn)明顯的theta頻帶(5~10 Hz)振蕩,且小鼠頭頸部三維加速度明顯增加,持續(xù)時(shí)間>10 s。②非快速動(dòng)眼(non-rapid eye movement,NREM)睡眠:頂葉皮層呈現(xiàn)高振幅、低頻(1~4 Hz)振蕩活動(dòng),且小鼠頭頸部無(wú)明顯的三維加速現(xiàn)象,狀態(tài)持續(xù)時(shí)間>10 s。③快速動(dòng)眼(rapid eye movement,REM)睡眠:頂葉皮層呈現(xiàn)明顯theta頻帶(5~10 Hz)振蕩,但小鼠無(wú)頭頸部三維加速現(xiàn)象,且持續(xù)時(shí)間>10 s。
離線情況下對(duì)記錄到的原始數(shù)據(jù)進(jìn)行帶通濾波(0.8~6.0 kHz)處理。使用KlustaKwik軟件對(duì)每組tetrode電極上所采集到的單位放電信號(hào)進(jìn)行自動(dòng)甄選并歸為不同特征的峰電位集群。再通過(guò)Klusters軟件進(jìn)行手動(dòng)判別和甄選,篩除KlustaKwik 軟件在自動(dòng)甄選過(guò)程中誤判的噪聲(表現(xiàn)為不典型的動(dòng)作電位波形),最終獲得高信度的VM或VL神經(jīng)元峰電位信號(hào)。
在全部記錄實(shí)驗(yàn)完成之后,利用直流電(總時(shí)程:10 s,強(qiáng)度:30 μA)損毀記錄電極尖端處腦組織。損毀48 h后,給小鼠腹腔注射致死劑量的戊巴比妥鈉(注射量:0.4 mL,濃度:3%)。再經(jīng)心臟灌注生理鹽水和4%多聚甲醛溶液各100 mL。將剝離后的腦組織置于4%多聚甲醛溶液中固定12 h,然后再轉(zhuǎn)移至30%蔗糖溶液中脫水24 h。使用冰凍切片機(jī)(CM1900,Leica,德國(guó)),將脫水后的腦組織制成50 μm厚的冠狀切片。經(jīng)DAPI染色后,在熒光顯微鏡(BX53,Olympus,日本)下觀察電極尖端的位置。只有損毀位點(diǎn)明確在VM或VL區(qū)小鼠的生理記錄信號(hào)數(shù)據(jù)才可以被納入數(shù)據(jù)的統(tǒng)計(jì)和分析。
將甄選出的VM和VL神經(jīng)元放電峰電位,按照小鼠腦功能狀態(tài)進(jìn)行分類,分別計(jì)算VM和VL神經(jīng)元在不同腦功能狀態(tài)下的平均放電頻率,以及在不同狀態(tài)轉(zhuǎn)換時(shí)的放電頻率變化。此外,每個(gè)VM和VL神經(jīng)元的Wake-NREM調(diào)控指數(shù)由如下公式算得:(Wake狀態(tài)下平均放電頻率-NREM睡眠狀態(tài)下平均放電頻率)/(Wake狀態(tài)下平均放電頻率+NREM睡眠狀態(tài)下平均放電頻率)。每個(gè)VM和VL神經(jīng)元的REM-NREM調(diào)制指數(shù)則由如下公式算得:(REM睡眠狀態(tài)下平均放電頻率-NREM睡眠狀態(tài)下平均放電頻率)/(REM睡眠狀態(tài)下平均放電頻率+NREM睡眠狀態(tài)下平均放電頻率)。
為了確定VM神經(jīng)元在覺(jué)醒-睡眠周期中的放電活動(dòng)特征及其變化,將微電極陣列植入到小鼠腹側(cè)丘腦。所有電生理記錄完成后的組織學(xué)鑒定結(jié)果顯示:在2只小鼠中,微電極陣列準(zhǔn)確植入到VM區(qū),見圖1A。而在另外2只小鼠中,微電極陣列植入到VL區(qū)域,見圖1B。本實(shí)驗(yàn)的在體微電極多通道記錄均在日間時(shí)相開展,每次記錄的平均時(shí)間為(168.2±18.8)min。
A:VM區(qū)域;B:VL區(qū)域 黃色實(shí)線:示4組tetrode電極;虛線:示不同腦區(qū)的分界
進(jìn)一步對(duì)小鼠VM和VL神經(jīng)元的電生理學(xué)特點(diǎn)進(jìn)行研究。實(shí)驗(yàn)共記錄和甄選出50個(gè)VM神經(jīng)元和40個(gè)VL神經(jīng)元的單位放電活動(dòng)。結(jié)果顯示:VM神經(jīng)元和VL神經(jīng)元峰電位的谷-峰波寬均較寬,前者波寬為(0.68±0.01)ms(n
=50),見圖2A,后者波寬為(0.63±0.01)ms(n
=40),見圖2B。統(tǒng)計(jì)學(xué)分析顯示:VM神經(jīng)元峰電位的谷-峰波寬較VL神經(jīng)元更寬(t
=1.975,P
=0.004),見圖2C。此外,VM神經(jīng)元的平均放電頻率為(2.98±0.36)Hz,VL神經(jīng)元平均放電頻率為(7.58±0.79)Hz。統(tǒng)計(jì)學(xué)分析顯示,VM神經(jīng)元的放電頻率顯著低于VL神經(jīng)元(t
=-5.721,P
<0.01),見圖2D。以上實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,VM和VL神經(jīng)元具有不同的在體電生理學(xué)特性。A:Tetrode電極記錄的代表性VM神經(jīng)元單位發(fā)放的峰電位波形(Ch1~4,通道1~4);B:Tetrode電極記錄的代表性VL神經(jīng)元單位發(fā)放的峰電位波形(Ch1~4,通道1~4);C:VM神經(jīng)元(n=50)與VL神經(jīng)元(n=40)峰電位谷-峰波寬的比較;D:VM神經(jīng)元(n=50)與VL神經(jīng)元(n=40)平均放電頻率的比較 a:P<0.01
t
=7.541,P
<0.01]和REM睡眠期[(2.35±0.32)Hz,t
=7.917,P
<0.01],見圖3B。覺(jué)醒狀態(tài)下的放電頻率高于NREM和REM睡眠期的VM神經(jīng)元數(shù)量占記錄到VM神經(jīng)元總數(shù)的94%(47/50),6%的VM神經(jīng)元未表現(xiàn)出這種特性。VM神經(jīng)元在NREM和REM睡眠期間的放電頻率差異則無(wú)統(tǒng)計(jì)學(xué)意義(t
=-1.172,P
=0.246)。VM神經(jīng)元的Wake-NREM調(diào)制指數(shù)(F
-F
)/(F
+F
)和REM-NREM調(diào)制指數(shù)(F
-F
)/(F
+F
)(F是神經(jīng)元在某狀態(tài)下的平均發(fā)放頻率)分析顯示:VM神經(jīng)元Wake-NREM調(diào)制指數(shù)呈以0.28為平均重心的單峰分布,與覺(jué)醒狀態(tài)相對(duì)應(yīng)。而REM-NREM調(diào)制指數(shù)則呈以0為平均重心的分布,表明其與REM睡眠不相關(guān)(圖3C)。以上結(jié)果提示:VM神經(jīng)元的放電活動(dòng)與覺(jué)醒狀態(tài)相關(guān)。與VM神經(jīng)元不同,VL神經(jīng)元放電頻率在覺(jué)醒狀態(tài)[(10.42±1.03)Hz,t
=8.570,P
<0.01]和REM睡眠期[(8.95±0.89)Hz,t
=11.279,P
<0.01]均高于NREM睡眠期[(3.68±0.62)Hz],見圖3D。覺(jué)醒狀態(tài)下的放電頻率高于NREM睡眠期的VL神經(jīng)元數(shù)量占記錄到VL神經(jīng)元總數(shù)的92.5%(37/40),7.5%的VL神經(jīng)元未表現(xiàn)出這種特性。VL神經(jīng)元的Wake-NREM調(diào)制指數(shù)(F
-F
)/(F
+F
)和REM-NREM調(diào)制指數(shù)(F
-F
)/(F
+F
)分析顯示,VL神經(jīng)元Wake-NREM調(diào)制指數(shù)呈以0.51為平均重心的單峰分布,而REM-NREM調(diào)制指數(shù)則呈以0.49為平均重心的單峰分布(圖3E)。以上結(jié)果提示:不同于VM神經(jīng)元,VL神經(jīng)元的放電活動(dòng)可能與覺(jué)醒和REM睡眠兩種狀態(tài)均相關(guān)。A:覺(jué)醒、NREM睡眠和REM睡眠狀態(tài)的區(qū)分;B:3種腦功能狀態(tài)下VM神經(jīng)元放電頻率的比較神經(jīng)元Wake-NREM和REM-NREM調(diào)制指數(shù)分布;D:3種腦功能狀態(tài)下VL神經(jīng)元放電頻率的比較神經(jīng)元的Wake-NREM和REM-NREM調(diào)制指數(shù)分布
n
=44)的VM神經(jīng)元表現(xiàn)出放電頻率的顯著增加(t
=-7.971,P
<0.01)。當(dāng)從覺(jué)醒向NREM睡眠轉(zhuǎn)換時(shí),76%的VM神經(jīng)元表現(xiàn)出放電頻率顯著降低(t
=4.934,P
<0.01),見圖4B。當(dāng)由REM睡眠向覺(jué)醒狀態(tài)轉(zhuǎn)換時(shí),VM神經(jīng)元放電活動(dòng)也會(huì)顯著增強(qiáng)(t
=6.742,P
<0.01),見圖4C。其中,發(fā)放頻率增強(qiáng)的細(xì)胞占總數(shù)的88%。但在從NREM睡眠向REM睡眠轉(zhuǎn)換的過(guò)程中,VM神經(jīng)元的放電活動(dòng)無(wú)明顯的變化(t
=-0.901,P
=0.372),見圖4D。A:NREM睡眠向覺(jué)醒轉(zhuǎn)換時(shí)VM神經(jīng)元放電活動(dòng)的變化及其類型和比例;B:覺(jué)醒向NREM睡眠轉(zhuǎn)換時(shí)VM神經(jīng)元放電活動(dòng)的變化及其類型和比例;C:REM睡眠向覺(jué)醒轉(zhuǎn)換時(shí)VM神經(jīng)元放電活動(dòng)的變化及其類型和比例;D:NREM睡眠向REM睡眠轉(zhuǎn)換時(shí)VM神經(jīng)元放電活動(dòng)的變化及其類型和比例
研究還對(duì) VL神經(jīng)元在覺(jué)醒-睡眠轉(zhuǎn)換過(guò)程中的活動(dòng)變化進(jìn)行了分析。結(jié)果顯示:在從NREM睡眠向覺(jué)醒狀態(tài)轉(zhuǎn)換過(guò)程中,88%的VL神經(jīng)元表現(xiàn)出放電頻率顯著增加(t
=-6.153,P
<0.01),見圖5A。當(dāng)從覺(jué)醒狀態(tài)向NREM睡眠轉(zhuǎn)換時(shí),94%VM神經(jīng)元表現(xiàn)出放電頻率顯著降低(t
=9.429,P
<0.01),見圖5B。在從NREM睡眠向REM睡眠的轉(zhuǎn)換過(guò)程中,VL神經(jīng)元的放電活動(dòng)顯著增強(qiáng)(t
=-5.928,P
<0.01),見圖5D。而當(dāng)由REM睡眠向覺(jué)醒狀態(tài)轉(zhuǎn)換時(shí),VL神經(jīng)元放電活動(dòng)則無(wú)明顯的變化(t
=-1.559,P
=0.126),見圖5C。A:NREM睡眠向覺(jué)醒轉(zhuǎn)換時(shí)VL神經(jīng)元放電活動(dòng)的變化及其類型和比例;B:覺(jué)醒向NREM睡眠轉(zhuǎn)換時(shí)VL神經(jīng)元放電活動(dòng)的變化及其類型和比例;C:REM睡眠向覺(jué)醒轉(zhuǎn)換時(shí)VL神經(jīng)元放電活動(dòng)的變化及其類型和比例;D:NREM睡眠向REM睡眠轉(zhuǎn)換時(shí)VL神經(jīng)元放電活動(dòng)的變化及其類型和比例
為確定VM參與機(jī)體狀態(tài)調(diào)控的細(xì)胞活動(dòng)機(jī)制,首先必須了解VM神經(jīng)元在諸如覺(jué)醒-睡眠過(guò)程中的放電活動(dòng)特征。為此,本研究利用在體多通道記錄技術(shù),觀察VM神經(jīng)元在小鼠覺(jué)醒-睡眠周期中的放電活動(dòng),結(jié)果發(fā)現(xiàn):VM神經(jīng)元在覺(jué)醒狀態(tài)下的放電活動(dòng)最強(qiáng),而在NREM與REM睡眠狀態(tài)下的放電活動(dòng)無(wú)顯著差異。在NREM睡眠與覺(jué)醒狀態(tài)轉(zhuǎn)換的過(guò)程中,VM神經(jīng)元具有顯著的放電活動(dòng)變化。VM神經(jīng)元在覺(jué)醒-睡眠周期及其轉(zhuǎn)換過(guò)程中的活動(dòng)特征與VL神經(jīng)元不同。
本研究結(jié)果顯示:小鼠VM神經(jīng)元的放電活動(dòng)與覺(jué)醒狀態(tài)密切相關(guān)。此外,VM神經(jīng)元在從NREM睡眠向覺(jué)醒轉(zhuǎn)換的過(guò)程中放電活動(dòng)顯著增加,而在從覺(jué)醒向NREM睡眠轉(zhuǎn)換的過(guò)程中放電活動(dòng)顯著降低。近年研究報(bào)道,刺激VM神經(jīng)元可以促進(jìn)NREM睡眠向覺(jué)醒轉(zhuǎn)換,結(jié)合本研究結(jié)果表明:VM可能具有促進(jìn)覺(jué)醒的功能。由于VM神經(jīng)元還可投射支配前外側(cè)運(yùn)動(dòng)皮層參與運(yùn)動(dòng)發(fā)起,故其可能是協(xié)調(diào)覺(jué)醒與運(yùn)動(dòng)發(fā)生的關(guān)鍵神經(jīng)結(jié)構(gòu),發(fā)揮協(xié)調(diào)覺(jué)醒水平與運(yùn)動(dòng)發(fā)生相適應(yīng)的作用。
那么,VM又是如何調(diào)節(jié)覺(jué)醒狀態(tài)的呢?前已述及,VM神經(jīng)元可廣泛投射并支配大腦皮層淺層。進(jìn)一步的研究則發(fā)現(xiàn),VM神經(jīng)元與大腦皮層中的錐體細(xì)胞和中間神經(jīng)元建立特異性的突觸聯(lián)系。本課題組前期的工作發(fā)現(xiàn):刺激VM神經(jīng)元可以增強(qiáng)以扣帶皮層為代表的大腦皮層神經(jīng)元的興奮性。綜上表明,VM可以通過(guò)調(diào)控廣泛大腦皮層淺層神經(jīng)元的興奮性來(lái)調(diào)控覺(jué)醒狀態(tài)。作為上游信號(hào)輸入結(jié)構(gòu),前額葉皮層、運(yùn)動(dòng)皮層、紋狀體和小腦等則可分別將運(yùn)動(dòng)信息、本體感覺(jué)和痛覺(jué)等信息傳入VM。因此,VM可能整合上述信息,進(jìn)而影響大腦皮層神經(jīng)元的興奮性,參與覺(jué)醒狀態(tài)的調(diào)控。今后需要進(jìn)一步探索VM神經(jīng)元的覺(jué)醒相關(guān)放電活動(dòng)又是如何被運(yùn)動(dòng)皮層、小腦皮層等區(qū)信號(hào)輸入所調(diào)控。
一直以來(lái),VL被認(rèn)為是聯(lián)系低位運(yùn)動(dòng)中樞(如腦干和脊髓)與運(yùn)動(dòng)皮層的紐帶。VL神經(jīng)元的放電活動(dòng)與運(yùn)動(dòng)計(jì)劃、動(dòng)作行為密切相關(guān)。本研究發(fā)現(xiàn):VM與VL神經(jīng)元在覺(jué)醒-睡眠周期中的活動(dòng)模式不同。前者與中線丘腦相類似,低頻放電活動(dòng)僅與覺(jué)醒相關(guān)。而后者的高頻放電活動(dòng)則是與覺(jué)醒和REM睡眠兩種狀態(tài)均相關(guān)。近年有研究發(fā)現(xiàn),刺激小腦投射至VM和VL的末梢,產(chǎn)生的興奮效應(yīng)也不同。因此,盡管均是位于腹側(cè)丘腦,VM和VL在功能以及電生理特性上存在較大的區(qū)別。今后的研究需關(guān)注這些區(qū)別與哪些生理功能相對(duì)應(yīng)。
本研究表明:在生理?xiàng)l件下,VM神經(jīng)元具有與覺(jué)醒相關(guān)的放電活動(dòng)。結(jié)合既往研究發(fā)現(xiàn),小腦功能異常的患者或動(dòng)物表現(xiàn)出覺(jué)醒減少、睡眠增多的現(xiàn)象,以及小腦可整合多種信息并傳遞至VM的解剖學(xué)特點(diǎn),故在今后有必要確定小腦-VM通路是否在覺(jué)醒狀態(tài)的調(diào)控過(guò)程中發(fā)揮作用。所得結(jié)果可能對(duì)拓展關(guān)于小腦非運(yùn)動(dòng)功能的新認(rèn)識(shí)有重要意義。
第三軍醫(yī)大學(xué)學(xué)報(bào)2022年16期