劉家良,韓兵強(qiáng),張錦化,陳俊峰
(武漢科技大學(xué) 材料與冶金學(xué)院;省部共建耐火材料與冶金國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,湖北 武漢 430081)
超高溫陶瓷二硼化鈦(TiB2)是硼(B)和鈦(Ti)二元體系中最穩(wěn)定的化合物,Ti和B之間以共價鍵形式結(jié)合成六方準(zhǔn)金屬化合物。在TiB2晶體中,B和Ti的原子面交替構(gòu)成三維結(jié)構(gòu)[1-2]。TiB2陶瓷具有優(yōu)異的物理與化學(xué)性能,如高熔點(diǎn)(3 225 ℃)、高硬度(維氏硬度可達(dá)39.6 GPa)、優(yōu)異的耐磨性、低溫抗氧化性、抗腐蝕性(可抵抗熔融金屬、鹽酸和氫氟酸的腐蝕)、優(yōu)良的電學(xué)性能、良好的導(dǎo)熱性以及特殊的光學(xué)性能等[3-5]。作為超高溫陶瓷材料的TiB2及其復(fù)合材料主要應(yīng)用于航空航天、陶瓷、冶金、軍工、核物理、耐火材料、光學(xué)及電化學(xué)等行業(yè)領(lǐng)域,例如可制成金屬真空鍍膜的蒸發(fā)舟[7]、炭陰極新型涂層[8]和計(jì)算機(jī)磁頭納米拋光液[9]等。
TiB2粉體的制備主要采用熱還原法,分為碳熱還原法、鎂熱還原法、硼熱還原法等。其中,碳熱還原法的反應(yīng)溫度較高,容易造成TiB2粉體燒結(jié)團(tuán)聚,晶粒異常長大,影響粉體的均勻性;鎂熱還原法的粉體制備過程中易形成難以去除的中間產(chǎn)物,無法避免使用酸洗等污染環(huán)境的后處理工藝。為了改善TiB2粉體性能,研究人員在熱還原法基礎(chǔ)上結(jié)合使用了如熔鹽法[10]、機(jī)械合金化[11]、自蔓延高溫合成法[12]等工藝技術(shù)。
硅熱還原法具有低溫、可控等特點(diǎn),但對反應(yīng)副產(chǎn)物二氧化硅(SiO2)的分離技術(shù)是采用該方法制備TiB2粉體面臨的關(guān)鍵技術(shù)難題。Qin等[13]以無水硼砂為原料,基于硅熱還原法制備了TiB2粉體,通過引入鈉鹽,實(shí)現(xiàn)了TiB2和SiO2的有效分離。在前述工作基礎(chǔ)上,本文中擬以偏硼酸鈉(NaBO2·4H2O)作為硼源,并在反應(yīng)體系中引入熔鹽硅酸鈉(Na2SiO3),采用熔鹽輔助硅熱還原法制備超高溫陶瓷TiB2粉體;討論合成溫度、添加Na2SiO3和熱水水洗法對反應(yīng)進(jìn)程的影響,并表征目標(biāo)產(chǎn)物TiB2的微觀形貌,以期實(shí)現(xiàn)對副產(chǎn)物的綠色、環(huán)保式的有效去除。
二氧化鈦(TiO2,質(zhì)量分?jǐn)?shù)為98.0%);工業(yè)硅粉(Si,質(zhì)量分?jǐn)?shù)為98.4%);偏硼酸鈉(NaBO2·4H2O,AR)。
未添加鈉鹽Na2SiO3時的化學(xué)反應(yīng)方程式為
2TiO2+5Si+4NaBO2=2TiB2+2Na2Si2O5+SiO2,
(1)
添加鈉鹽Na2SiO3時的化學(xué)反應(yīng)方程式為
2TiO2+5Si+4NaBO2+Na2SiO3=2TiB2+3Na2Si2O5。
(2)
首先將NaBO2·4H2O在600 ℃溫度條件下進(jìn)行脫水處理,然后根據(jù)反應(yīng)(1)、(2)按照化學(xué)計(jì)量比進(jìn)行配料,混合研磨后將混合均勻的樣品放入帶蓋的石墨坩堝中;反應(yīng)在剛玉管式爐中進(jìn)行,并采用流動氬氣(Ar)保護(hù);分別在900、1 000、1 100、1 200 ℃合成溫度條件下保溫4 h,隨爐冷卻至室溫;將反應(yīng)產(chǎn)物用沸水溶解、過濾、洗滌,直至濾液的pH接近于7,分離后的TiB2樣品置于110 ℃烘箱中進(jìn)行干燥。
使用X'Pert Pro MPD型X射線衍射儀(XRD,Malvern Panalytical)分析產(chǎn)物水洗前、后的物相組成,測試條件為Cu靶Kα射線(λ=0.154 18 nm),Ni濾波,管電壓為40 kV,管電流為40 mA,2θ為10°~80°,超能探測器。使用Factsage熱力學(xué)軟件中的Viscosity模塊計(jì)算反應(yīng)過程中液相的黏度。采用Nicolet IS50型傅里葉變換紅外光譜(FTIR,ThermoFisher Scientific)對合成產(chǎn)物中非晶相組分進(jìn)行分析,以了解其中的結(jié)構(gòu)基團(tuán)。通過Apreo S Hivac型掃描電子顯微鏡(SEM,ThermoFisher scientific)和JEM-2100型透射電子顯微鏡(TEM,JEOL)對TiB2產(chǎn)物進(jìn)行形貌和結(jié)構(gòu)識別。
2.1.1 鈉鹽Na2SiO3的影響
在保溫時間都為4 h的前提下,為了研究是否添加鈉鹽Na2SiO3的影響,不同合成溫度條件下獲得的未經(jīng)水洗的產(chǎn)物的XRD圖譜如圖1所示。
由圖1(a)可以看出,未添加鈉鹽Na2SiO3時,在合成溫度為900 ℃時,已經(jīng)開始生成目標(biāo)產(chǎn)物TiB2(PDF 35-0741),同時可觀察到幾種中間產(chǎn)物,如Na—Ti—O的化合物(Na1.7Ti6O11,PDF 47-0097)、Ti2O3(PDF 76-0145)和NaTiSi2O6(PDF 77-0468);隨著合成溫度的升高,這些物相衍射峰明顯降低。除了存在多種中間產(chǎn)物,原料Si的衍射峰也可被觀察到;當(dāng)合成溫度升高到1 000 ℃時,Na1.7Ti6O11、Ti2O3和NaTiSi2O6等3種中間產(chǎn)物的衍射峰值明顯減弱,但仍然可以檢測到少量的Si;當(dāng)合成溫度升高到1 100 ℃時,中間產(chǎn)物消失,主晶相為目標(biāo)產(chǎn)物TiB2,但仍然存在少量的Si;當(dāng)合成溫度升高到1 200 ℃時,僅有目標(biāo)產(chǎn)物TiB2,中間產(chǎn)物和Si的特征衍射峰完全消失。合成溫度在900 ℃時,反應(yīng)雖不完全,但TiB2衍射峰明顯,此時TiO2-Na2O-B2O3三元系統(tǒng)低共熔點(diǎn)約為480 ℃[14],這種熔融態(tài)提供了液相環(huán)境,Si不斷溶于液相中,加快了硅熱反應(yīng)的進(jìn)行;隨著反應(yīng)的進(jìn)行,系統(tǒng)逐漸向TiO2-Na2O-B2O3-SiO2四元組分系統(tǒng)轉(zhuǎn)化,雖然熔體不斷吸收生成的SiO2,但1 100 ℃時仍然可以檢測到單質(zhì)Si的存在,這與該系統(tǒng)熔體對原料Si的溶解度有關(guān)。
由圖1(b)可知,添加鈉鹽Na2SiO3時,在合成溫度在900 ℃時,除了存在3種中間產(chǎn)物衍射峰,還可以觀察到少量Na2Si2O5(PDF 74-1821)衍射峰,這是熔體吸收了部分SiO2(PDF 70-3315))形成的,Na2SiO3的引入改變了熔體組成,反應(yīng)初期已經(jīng)形成了TiO2-Na2O-B2O3-SiO2四元組分系統(tǒng),該系統(tǒng)的低共熔點(diǎn)在510 ℃左右,遠(yuǎn)小于反應(yīng)溫度,同樣提供了液相環(huán)境;但由于溫度較低,黏度較大,總體反應(yīng)活性不高,反應(yīng)仍不夠完全;當(dāng)合成溫度升高到1 000 ℃時,體系的黏度降低,促進(jìn)了反應(yīng)進(jìn)程,因此中間產(chǎn)物的衍射峰基本全部消失。合成溫度繼續(xù)升高至1 100 ℃,除了目標(biāo)產(chǎn)物TiB2衍射峰外,未觀察到其他物相的特征衍射峰,表明Na2SiO3的引入改變了熔體組成,也影響了熔體對Si的溶解度。當(dāng)合成溫度升高到1 200 ℃時,TiB2衍射峰強(qiáng)度基本不變,表示合成溫度在1 100 ℃時,反應(yīng)已經(jīng)趨于完全。
假設(shè)最終產(chǎn)物無TiO2和B2O3,全部轉(zhuǎn)化成TiB2,以TiO2的變化來表示整體反應(yīng)程度,再結(jié)合反應(yīng)方程,通過假設(shè)反應(yīng)初期與結(jié)束的液相組成,模擬理論液相組成變化與反應(yīng)程度的關(guān)系,反應(yīng)(1)、(2)中理論液相組成與反應(yīng)程度的關(guān)系如表1和表2所示。
表1 反應(yīng)(1)中理論液相組成與反應(yīng)程度關(guān)系Tab.1 Relationship between composition of theoretical liquid phase and reaction degree in reaction (1)
表2 反應(yīng)(2)中理論液相組成與反應(yīng)程度的關(guān)系Tab.2 Relationship between composition of theoretical liquid phase and reaction degree in reaction (2)
采用Factsage熱力學(xué)軟件,計(jì)算得到的反應(yīng)(1)、(2)中理論液相組成的理論黏度如圖2所示。由圖2可知,反應(yīng)(2)的總體黏度小于反應(yīng)(1)的,這是由于反應(yīng)液相體系中SiO2的不斷形成,反應(yīng)黏度都呈增大趨勢,反應(yīng)溫度越高,總體反應(yīng)黏度越小。
圖2 反應(yīng)(1)、(2)中理論液相組成的理論黏度Fig.2 Theoretical viscosity of theoretical liquid composition in reactions (1) and (2)
根據(jù)反應(yīng)(1)以及XRD圖譜,可以推導(dǎo)出如下可能的主要反應(yīng)方程式
Si+4TiO2=SiO2+2Ti2O3,
(3)
4NaBO2+3Si=2Na2SiO3+SiO2+4B,
(4)
Na2SiO3+SiO2=Na2Si2O5,
(5)
Ti2O3+Na2Si2O5+2SiO2=2NaTiSi2O6,
(6)
4NaTiSi2O6+3Si+8B=4TiB2+2Na2Si2O5+7SiO2。
(7)
2.1.2 熱水水洗的影響
當(dāng)合成溫度為1 100 ℃、保溫時間為4 h時,反應(yīng)(2)制得產(chǎn)物熱水水洗前、后的XRD圖譜如圖3所示。由圖3可以看出,水洗后非晶包消失,TiB2特征衍射峰更明顯,經(jīng)計(jì)算可知,產(chǎn)物TiB2的晶格常數(shù)a為0.302 911 nm,c為0.322 773 nm,與ICDD標(biāo)準(zhǔn)卡PDF 35-0741的數(shù)據(jù)a為0.303 034 nm和c為0.322 953 nm基本吻合。
圖3 反應(yīng)(2)制得產(chǎn)物熱水水洗前、后的XRD圖譜Fig.3 XRD patterns of products obtained by reaction (2) before and after hot water washing
當(dāng)合成溫度為1 100 ℃、保溫時間為4 h時,熱水水洗前、后反應(yīng)(2)制得的產(chǎn)物與商業(yè)粉體試劑TiB2(Aladdin T119914)的傅里葉變換紅外光譜如圖4所示。由圖4可見,特征峰1 367.94 cm-1對應(yīng)Ti—B鍵振動峰,774.27 cm-1特征峰是B—O—B基團(tuán)的彎曲振動峰[15],振動峰948.28 cm-1包括900~1 200 cm-1范圍內(nèi)可能為Na2O-B2O3-SiO2玻璃體系的吸收振動峰[16-17],振動峰475.06 cm-1為Si—O—Si的振動峰[18]。產(chǎn)物進(jìn)行水洗后,能觀察到Ti—B吸收振動峰,以及微弱的B—O—B基團(tuán)的彎曲振動峰,與商品TiB2吸收峰相同,證明水洗效果明顯。
圖4 熱水水洗前、后反應(yīng)(2)制得的產(chǎn)物與商業(yè)粉體試劑TiB2的傅里葉變換紅外光譜Fig.4 Fourier transform infrared spectra of products prepared by reaction (2) before and after hot water washing and commercial powder reagent TiB2
綜上,本實(shí)驗(yàn)的目的是試圖通過用熱水水洗法去除副產(chǎn)物硅酸鈉,而不使用其他可能造成環(huán)境污染的后處理方法。在圖1(a)中未觀察到大量SiO2的出現(xiàn),表明部分SiO2已經(jīng)以非晶相形態(tài)存在。
另外,在后續(xù)水洗實(shí)驗(yàn)中發(fā)現(xiàn),未添加鈉鹽Na2SiO3時制得的塊狀產(chǎn)物經(jīng)過8 h的熱水洗滌后未觀察到明顯的分散現(xiàn)象,溶液pH值為8~9,屬弱堿性,此時形成的硅酸鈉溶液體系的模數(shù)(SiO2與Na2O的摩爾數(shù)之比)可能較高。當(dāng)模數(shù)大于3時在常壓下難以通過熱水水溶,因此加入適量的Na2SiO3進(jìn)行模數(shù)調(diào)整處理,在反應(yīng)過程中,吸收SiO2的同時降低硅酸鈉模數(shù),進(jìn)而實(shí)現(xiàn)常壓下采用熱水水洗法去除副產(chǎn)物。根據(jù)反應(yīng)(2)可知,副產(chǎn)物硅酸鈉的模數(shù)理論上為2,可以在常壓下通過熱水實(shí)現(xiàn)水溶。
當(dāng)合成溫度為1 100 ℃、保溫時間為4 h時的部分塊狀產(chǎn)物,經(jīng)過熱水水洗,0.5 h就可以實(shí)現(xiàn)樣品的有效分散,溶液pH為12~13,屬強(qiáng)堿性,將獲取的前幾次濾液做化學(xué)分析檢測,實(shí)際計(jì)算模數(shù)約為2,與理論計(jì)算結(jié)果相符。
圖5為目標(biāo)產(chǎn)物TiB2的微觀形貌。由圖5(a)、(b)可見,TiB2以六方柱狀單晶為主,結(jié)晶性較好,多數(shù)晶粒粒徑在400 nm左右;存在少量異常長大的顆粒,這種較大尺寸的晶粒有層片狀晶粒發(fā)展趨勢,可能與原料粒度有關(guān)。由圖5(c)為選區(qū)的二硼化鈦晶格條紋,經(jīng)過測量該條紋在晶體中顯示為0.153 7 nm的晶面間距,與(110)晶面的晶格條紋有較好的匹配。圖5(d)為(b)選區(qū)的電子衍射斑點(diǎn),通過軟件計(jì)算與分析,(100)、(010)和(110)晶面相對應(yīng)的晶面間距與TiB2標(biāo)準(zhǔn)物相卡片(PDF 35-0741)對應(yīng)較好,證明了產(chǎn)物TiB2結(jié)晶較為完整。
以TiO2、Si粉、NaBO2·4H2O作為初始原料,采用熔鹽輔助硅熱還原法,成功合成出晶粒尺寸較小且規(guī)整的六方柱狀單晶TiB2粉體。
1)在合成溫度為1 100 ℃、保溫時間為4 h時,可以得到結(jié)晶程度高的TiB2晶粒,粒徑約為400 nm;有少部分顆粒的粒徑可達(dá)到1 μm,這種較大尺寸的晶體趨向于薄片狀。
2)加入鈉鹽Na2SiO3可降低體系液相的黏度,加速Si的溶解,促進(jìn)了反應(yīng)進(jìn)行,同時會吸收副產(chǎn)物SiO2,使硅酸鈉熔體體系更加均勻。
3)通過調(diào)整硅酸鈉模數(shù),可在常壓下通過熱水水洗法去除副產(chǎn)物,避免了酸洗等污染環(huán)境的后處理模式,實(shí)現(xiàn)了綠色環(huán)保制備超高溫陶瓷TiB2粉體的理念。